CN105047782A - 在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置。特别是，本发明公开了一种利用光学透明或半透明导电层来提高整体光输出的发光二极管(“LED”)。该设备包括第一导电层、活性层、第二导电层、光学透明或半透明导电层和电极。在一个实施方式中，光学透明或半透明导电层具有第一表面和第二表面，其中，第一表面覆盖第二导电层。第二表面包括包含厚区域和用于促进光穿过的薄区域的图案。
Description
本申请是申请日为2009年12月11日、发明名称为“在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置”的专利申请200980158035.5的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2009年1月26日提交的在先提交的美国实用专利申请No.12/359,934的优先权，此处以引证的方式将其并入。
技术领域
本发明的示例性方面涉及照明设备。更具体地，本发明的多个方面涉及利用图案化的导电层的固态发光设备。
背景技术
发光二极管(“LED”)是能够将电能转换成光的照明半导体设备。随着目前来自LED的光输出的提高，常规照明装置(如，白炽灯泡和/或荧光灯)可能在可预见的将来被LED替代。LED的各种商业应用(如，交通灯、车灯和电子广告)已经投入使用。
LED是能够发出电荧光窄光谱的具有偏置p-n结的半导体二极管。例如，当电流穿过LED时，其发射光。当电子和空穴重组时，光本质上是一种能量释放的形式。虽然所发射的光的波长可以根据材料组成而变化，但是可以产生的光量也由各种参数(如，穿过LED的电流有效性)来决定。
为了增加光输出，常规方法是增加到LED的电流。常规方法例如在LED上沉积重和/或厚导电层，以增加电流分布。但是，与该常规方法关联的缺点是尽管厚导电层可以提供额外的电流，但是由于其厚度，其也部分地阻碍了光穿过导电层。
发明内容
本发明公开了利用图案化光学透明或半透明导电层来提高整体光输出的发光二极管(“LED”)。LED或设备包括第一导电层、活性层、第二导电层、光学透明或半透明导电层和电极。光学透明或半透明导电层具有第一表面和第二表面，其中，第一表面直接或间接沉积在第二导电层上。在一个方面中，光学透明或半透明导电层是沉积在第二导电层上的铟锡氧化物(“ITO”)层。第二表面包括具有用于促进电流扩布和光穿过的厚区域和薄区域的图案。
根据详细描述、附图和下述权利要求，本发明的示例性方面的附加特征和益处将变得显而易见。
附图说明
根据下面给出的详细描述和本发明各个方面的附图，将更全面地理解本发明的示例性方面，但是，不应将本发明限于这些具体方面，而是其仅用于说明和理解。
图1是现有技术的LED20的现有技术俯视图；
图2是图1中所示的2-2线的现有技术LED20的截面图；
图3是LED的另一个实施方式的俯视图，提出该LED的另一个实施方式以减小光学透明或半透明导电层两端的电压压降；
图4是根据本发明的一个方面的LED40的俯视图；
图5-7是根据本发明的一个方面的分别通过5-5线、6-6线和7-7线的LED40的截面图；
图8示出了根据本发明的一个方面的具有带有厚区域和薄区域的正方形图案的光学透明或半透明导电层的图；
图9示出了根据本发明的一个方面的带有厚区域和薄区域的被组织为三角形图案的光学透明或半透明导电层的图；
图10示出了根据本发明的一个方面的具有带有厚区域和薄区域的矩形图案的光学透明或半透明导电层的图；
图11示出了根据本发明的一个方面的具有带有厚区域和薄区域的圆形图案的光学透明或半透明导电层的图；
图12A-B示出了根据本发明的一个方面的具有网状图案的光学透明或半透明导电层的图；
图13A-B示出了根据本发明的一个方面的用于制造具有图案化的光学透明或半透明导电层的LED设备的制造过程；
图14示出了根据本发明的一个方面的具有图案化的光学透明或半透明导电层的照明设备的制造过程的流程图；
图15示出了根据本发明的一个方面的用于制造具有图案化的光学透明或半透明导电层的LED设备的器件的框图；以及
图16示出了根据本发明的多个方面的包括具有图案化的光学透明或半透明导电层的LED或LED设备的示例性设备。
具体实施方式
在采用具有包含厚区域和薄区域的图案的光学透明或半透明导电层的方法、设备和装置的背景下描述本发明的多个方面。
本领域技术人员将意识到示例性方面的下面详细描述仅是示例性的，并不旨在以任何方式限制。得到本发明益处的技术人员将容易地理解其他方面。下面将详细描述实现如附图中所示的示例性方面。在附图和下面详细的描述中通篇使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。
为了清楚，没有示出或描述本文中描述的实施的所有常规特征。当然，将理解的是，在任意这样的实际实施中，可以做出许多实施特定的决定，以实现开发者的特定目标，如和与应用和商业有关的限制兼容，并且这些具体目标将根据实施变化以及根据开发商而变化。而且，将理解的是，这样的开发努力可能是复杂并且耗时间的，但是对于得到本发明益处的本领域技术人员来说是设计的常规过程。
将理解的是，本发明的方面可以包含集成电路，利用常规半导体技术(如，CMOS(“互补金属氧化物半导体”)技术)，或其他半导体制造过程可容易地制造集成电路。此外，本发明的该方面可以利用用于制造光电设备的其他制造过程来实现。
参照图1和图2可以更容易地理解本发明的多个方面提供优点的方式，图1和图2示出了现有技术的GaN基LED。图1是LED20的俯视图，并且图2是通过图1的2-2线的LED20的截面图。LED20通过使三层生长在蓝宝石基板19上而构成。第一层22是n型材料。第二层23是当空穴和电子在其中组合时发光的活性层。第三层是p型层24。这些层中的各个层可以包括多个子层。由于这些子层的功能在现有技术中是公知的并且不是本讨论的中心，所以已经从附图和下面的讨论中省略了这些子层的细节。
台面28通过层23和24蚀刻，并且接触器(contact)26放置在台面28的底表面上，以提供到层22的电连接。通过通常由铟锡氧化物(ITO)构成的光学透明或半透明导电层提供到层24的电连接。层27连接到提供到电源的电连接的第二接触器25。当向接触器25和26提供电力时，在活性层23中产生光并且通过光学透明或半透明导电层27从LED20提取光，如29所示。
P型GaN的电阻率比n型GaN的电阻率大得多。为了使LED20的光产生效率最大，活性层23两端的电流强度应当是一致的。即，路径31-33的电阻应当都是相同的。在没有层27时，路径31的电阻将比路径33的电阻大得多，因此，光生成将在路径31周围的活性区域中集中，这导致LED表面两端的强度具有梯度。虽然ITO的电阻率比p型GaN的电阻率小得多，但是通过ITO层的电阻是不可忽视的。随着LED的电力输出增大，ITO中的损失变得明显，并且除非ITO层的厚度增大，否则会产生光强度的梯度。不幸的是，随着ITO厚度增加，ITO中吸收的光量也增加。当增加层，以容纳高功率LED中所要求的电流密度时，来自吸收ITO中的光的光损失变得明显。
为了简化下面的讨论，将假设n型GaN层的表面电阻比ITO层27的表面电阻小得多。ITO层的目的是使接触器25和ITO层表面上的各点之间的电压差最小。接触器25和34-36所示的各个点之间的电压压降将与上述点和接触器25之间的距离成比例。电压压降也和ITO层的厚度成反比。通常，存在由可接受的光非均一程度确定的可接受电压压降，以及ITO层中的可接受功率损失。在现有技术设备中，ITO层的厚度被设置为提供该级别的电压压降。
用于减小ITO层两端的电压压降的一种现有技术方法是利用具有在ITO层上延伸出去的窄金属部件的顶接触器。参照图3，图3是LED的另一个方面的俯视图，提出该LED的另一个方面以减小ITO层两端的电压压降。LED30与上面讨论的LED20的不同点在于接触器25由包括在ITO层27上延伸出去的金属“指状物(fingers)”37的接触器35代替。指状物37确保ITO层上的每个点仅仅是从金属导体的某个预定最大距离，因此，大致减少了与ITO层两端的电压压降关联的问题。
不幸的是，该方案明显减少了离开LED的光量。指状物必须具有这样的宽度：其足以传导由ITO层扩布的电流，而无沿指状物的明显电压压降。结果，ITO层表面的有效部分被金属覆盖，因此，不透射光。现在参照图4-7，图4-7示出了利用本发明的一个方面的LED40。图4是LED40的俯视图，并且图5-7分别是通过5-5线、6-6线和7-7线的LED40的截面图。LED40包括上面讨论的常规三层结构45。以常规方式在基板46上制造层45。ITO层43沉积在p层48上，以在层48上提供电流扩布。ITO层43与上述ITO层27的不同点在于ITO层43包括大致比ITO层43的其他部分厚的部分44。这些更厚部分在阻挡这些部分之下的区域中产生的少量光的同时，提供上述“指状物”的电流扩布功能。ITO层连接至金属接触器41，并且通过在接触器41和42之间施加电力对LED通电。
更厚部分比更薄部分吸收更多的光；但是，仍然增加了净光通过量。此外，由于这些部分不再需要长距离传输电流，所以可以减小ITO层43的更薄部分的厚度。结果，减少了光在更薄部分中的吸收。如果给定指状物的任何特定图案，则可以针对LED携带的电流密度来获得ITO层43的薄厚部分的最佳厚度。通过使用于期望电流密度的ITO层中的总光吸收最小，使LED两端的电流密度的最大允许变化最小，以及使LED的设计参数(如，层堆45的整体尺寸和电阻率)最小，来确定指状物的最佳高度、宽度和长度以及ITO层43的厚薄部分的最佳厚度。
返回参照图7，ITO层43包括厚区域906和薄区域908，其中，薄区域的高度被指定为d1，并且厚区域的高度被指定为d2。在一个方面中，d1具有从至的范围，并且d2具有从5至的范围。根据所使用的材料和设备尺寸，厚或薄区域d3的宽度具有1至1000μm的范围。应当注意的是，变更、改变或调节d1、d2和d3的维数可以是电流扩布和光穿过之间的权衡功能。
为了使电流扩布和光穿过之间的权衡最佳，本发明的一个方面采用图案化的导电层，以提高整体光输出。图案化的导电层是具有规则和/或不规则形状的表面图案的光学透明或半透明导电层。在一个方面中，透明或半透明导电层是具有各种图案或形状来建立厚区域和薄区域的ITO层。如更早提到的，厚区域促进电流扩布，而薄区域促进光穿过。透明或半透明导电层形成有图案，其中，该图案包括一个或更多个形状。这些形状可以是规则和/或不规则几何形状，其中，几何形状包括，但不限于，多边形、三角形、平行四边形、矩形、菱形、正方形、梯形、四边形、多线绘制图形(ploydrafter)、圆形和/或不同几何形状的组合。下面五个图(图8至图12)示出了由不同形状形成的图案的示例性方面。
图8是示出了根据本发明的一个方面的具有带有厚区域和薄区域的正方形图案的示例性光学透明或半透明导电层的图200。图200包括正电极250、负电极254和光学透明或半透明导电层258。光学透明或半透明导电层258是ITO层，其覆盖LED表面的至少一部分，包括多个图案202，其中，各图案202包括四个正方形204-207。注意的是，图案202可以在ITO层258的一部分上重复。在另选示例中，多个不同的图案可以在ITO层258的一部分上重复。在一个方面中，正方形207和208是薄区域，而正方形204-206和210是厚区域，其中，各正方形具有四(4)条边212。
薄区域207的多条边212具有与厚区域210的多条边类似的维数。根据所使用的ITO材料，可以调整边212的长度，以使电流流动和光穿过最佳化。光穿过表示穿过ITO层的具有50-2000nm(纳米)之间的波长的可见光或电磁辐射量。利用图案化的ITO层，与厚区域204-206相比，薄区域207-208使更多的光穿过。
能够扩布电流流动的ITO层258是LED管芯中的单独层，其中，LED管芯包括但不限于n层、p层和活性区域。在一个方面中，可以调节各正方形的尺寸或面积，以使光输出最佳。例如，边212的长度可以在1和100μm之间变化。由于薄区域(或正方形)208使附加光穿过，所以薄正方形208的更高百分比呈现更亮的光学设备。由于图案202包括三(3)个正方形厚区域204-206和一(1)个正方形薄区域207，所以如图8所示，ITO层258利用近似25％的区域，用于提高光穿过。注意的是，增加厚区域的尺寸或减小薄区域的尺寸是电流流动和光穿过之间的权衡。例如，增加厚ITO区域的尺寸(这使得附加电流流动)减少了光穿过。
在一个方面中，ITO层258的厚区域252执行如图3中所示的包括薄区域207-208的用于电流扩布的金属指状物37的功能。类似地，薄区域207-208使更多的可见光穿过ITO层258。ITO层258或ITO层258的一部分耦接到如p电极的正电极250。台面或井区(well)256将ITO层258与诸如n电极的负电极254分离。应当注意的是，可以用具有多边形图案或不同种类形状的组合的另一个导电层替代ITO层258。
诸如ITO层258等透明或半透明导电层能够传导或者分布电流并且允许光穿过层258。光学透明或半透明导电层还可以由除了ITO的复合材料形成。如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层258，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
图9示出了根据本发明的一个方面的带有厚区域和薄区域的被组织为三角形图案的光学透明或半透明导电层352的图300。图300包括电极350和光学透明或半透明导电层352，其中，层352包括厚区域358和薄区域356。光学透明或半透明导电层352是ITO层，该ITO层包括多个三角形图案，如横越ITO层352的整个表面的图案304。各图案302或304包括近似十三(13)个三角形，其中，三角形12和13是如三角形11的其他三角形的尺寸的一半。厚区域中的三角形(被称为厚三角形)具有与薄区域中的三角形(被称为薄三角形)类似的物理维数。在一个方面中，图案304包括六(6)个薄三角形1-6和七(7)个厚三角形7-13。应当注意的是，如果向或从图300添加或去除一个或更多个框(或层)，则本发明的示例性方面的基本概念将不会改变。
如三角形16的三角形具有两(2)个边缘320、一(1)条边318和高度310，其中，高度310可以具有与基底318类似的维数。三角形12和13是具有其他三角形面积的大约一半面积的半个三角形。薄和厚三角形的边缘和/或边310-320是大致相同的物理维数。根据ITO材料，可以调整边缘和/或边310-320的维数，以使电流流动和光穿过最佳化。在一个方面中，边缘或边310-320的长度可以被设置为1至100μm(微米)之间的任意数字。例如，边310或318的长度可以被设置为五(5)μm。因为薄三角形308对于光穿过更有效，所以如三角形308的薄三角形的更高百分比呈现更亮的光学设备。由于图案304包括六(6)个薄三角形1-6和七(7)个厚三角形7-13，其中，三角形12-13是半三角形，图案304的总薄区域近似是50％。应当注意的是，如图9所示，图案304可以从左到右以及从上到下重复。图案302或304提供对电流扩布有益的偏置设计。
在一个方面中，ITO层358的厚区域358执行如图3中所示用于电流扩布的金属指状物37的功能。类似地，薄区域207-208允许更多的可见光从ITO层的底表面穿过ITO层358到ITO层的顶表面。ITO层358或ITO层358的一部分耦接到如p电极的正电极350。应当注意的是，ITO层358可以由具有除了三角形之外的多边形图案的另一个透明或半透明导电层替代。
如ITO层352的透明或半透明导电层能够传导或分布电流以及允许光穿过层352。光学透明或半透明导电层还可以由除了ITO之外的复合材料形成。如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层352，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
图10示出了根据本发明的一个方面的具有带有厚区域406和薄区域408的矩形图案的光学透明或半透明导电层402的图400。图400包括电极450和光学透明或半透明导电层402。在一个方面中，层402是包括横越ITO层402的整个表面的多个矩形图案404的ITO层。矩形图案404包括四(4)个厚矩形或正方形区域420以及四(4)个薄矩形或正方形区域422。应当注意的是，如果向或从图400添加或去除一个或更多个框(或层)，则本发明的示例性方面的基本概念将不会改变。
矩形图案404包括多个矩形、正方形或框420-422，其中各框420或422包括四(4)条边。根据这些应用，可以调节框面积，以使电流流动最佳化。例如，可以将框边的长度调节为1至1000μm之间的值的范围。由于薄矩形或正方形422对于光穿过更有效，所以薄矩形或正方形422的更高百分比呈现更亮的光学设备。由于矩形图案404包括四(4)个厚矩形或正方形420和四(4)个薄矩形或正方形422，所以矩形图案404使用其近似50％的面积用于提高光穿过。应当注意的是，如图10所示，矩形图案404可以从左到右以及从上到下重复。矩形图案404提供对电流扩布有益的偏置设计。
在一个方面中，ITO层402的厚区域406执行如图3中所示的包括薄区域408的用于电流扩布的金属指状物37的功能。类似地，薄区域408允许更多的光穿过ITO层402。ITO层402耦接到如p电极的正电极450用于开始电流流动。应当注意的是，ITO层402可以由具有除了矩形之外的多边形图案的另一个透明或半透明导电层替代。
如ITO层402的透明或半透明导电层能够传导或分布电流以及允许光穿过层402。光学透明或半透明导电层还可以由除了ITO之外的复合材料形成。如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层402，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
图11是示出了根据本发明的一个方面的具有带有厚区域802和薄区域804的圆形图案的光学透明或半透明导电层852的图800。图800包括电极850和光学透明或半透明导电层852。在一个方面中，层852是还包括横越ITO层852的整个表面的多个圆形图案806-808的ITO层。圆形图案806或808包括至少一个厚区域802和一个薄区域804。在一个示例中，电极850是能够耦接到用于开始电流流动的正电压电势的接触器。应当注意的是，如果向或从图800添加或去除一个或更多个框(或图案)，则本发明的示例性方面的基本概念将不会改变。
在一个方面中，ITO层852放置在用于电流扩布的LED的顶层的至少一部分上。ITO层852可以被组织为各种圆形图案806或808，其中，各圆形图案806或808包括用于促进光穿过的至少一个薄区域，如薄区域804。厚区域802的功能是扩布或分布从p型电极到n型电极的电流流动。薄区域804改善从活性层(图11中未示出)到ITO层852的表面的光穿过。如更早提到的，如ITO层852的透明或半透明导电层能够分布电流并且促进光穿过。应当注意的是，如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层852，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
根据用于ITO层852的材料，薄区域804的尺寸可以变化，以使光输出最佳化。例如，薄区域804的半径812可以被设置为期望值，以最大化电流流动和光穿过。根据用于ITO层852的材料，半径812可以被设置为具有1至1000μm的范围的值。针对某个ITO材料，薄区域804的半径812例如可以被设置为五(5)μm。由于薄区域或圆形804促进了附加光穿过，所以薄圆形804的更高百分比呈现更亮的光学设备。在一个方面中，薄区域804在圆形图案中的总面积占ITO层852总面积的接近50％。
ITO层852的厚区域802例如执行如图3中所示的用于电流扩布的金属指状物37的功能。类似地，薄区域804使更多的光从活性层穿过ITO层到LED设备的表面。ITO层852促进电流从如电极850的正电极流到负电极，图11中未示出。应当注意的是，ITO层852可以由具有除了圆形的多边形图案的另一个透明导电层替代。
如ITO层852的透明或半透明导电层能够传导或分布电流以及使光穿过层852。光学透明或半透明导电层也可以由除了ITO的复合材料形成。如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层852，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
图12A示出了根据本发明的一个方面的具有网状图案的光学透明或半透明导电层602的图600。图600包括正电极650、负电极604和光学透明或半透明导电层602。在一个方面中，层602是包括多个重复的网状图案652的ITO层，其中，各网状图案652包括至少一个指状物区域606。各指状物区域606还包括多个毛状物区域608。这些区域用于将电流从正电极650经过指状物区域606、毛状物区域608和薄区域610流到负电极604。应当注意的是，如果向或从图600添加或去除一个或更多个框(或图案)，则本发明的示例性方面的基本概念将不会改变。
在一个方面中，各网状图案652包括指状物区域606和多个毛状物区域608，其中，这些区域由厚ITO材料制成。根据ITO材料，可以调节指状物区域606和毛状物区域608的长度，以使电流流动最佳化。虽然区域606-608提供了电流穿过，但是这些厚区域或薄区域610之间的空间提供了光穿过。在一个方面中，各指状物区域606上的毛状物区域608是均匀间隔的。此外，如图12A所示，不同的指状物区域606之间的毛状物区域608相对于相邻的毛状物区域放置在交错的位置。在另一个方面中，多个毛状物区域608和指状物区域606可以具有不同形状。例如，毛状物区域608可以具有包括直线、曲线、成角线等的形状。注意的是，根据应用，可以调节指状物区域606之间的毛状物区域608的长度。应当注意的是，区域的位置不限于图12A中所示的。
ITO层602的指状物区域652是能够执行如图3中所示的用于电流扩布的金属指状物37的类似功能的厚区域。类似地，薄区域610使更多的光从活性层穿过ITO层602到LED设备的表面。ITO层602耦接到如p区域的正电极650，用于促进电流流动。台面或井区256用于将ITO层602与如电极604的负区域分离。应当注意的是，可以由具有除了网状图案之外的图案的另一个透明或半透明导电层替代ITO层602。
如ITO层602的透明或半透明导电层能够传导或分布电流以及使光穿过层602。光学透明或半透明导电层也可以由除了ITO的复合材料形成。如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层602，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
图12B示出了根据本发明的一个方面的具有被设置为圣诞树形状的网状图案的光学透明或半透明导电层1202的图1200。图1200包括正电极650、负电极604和光学透明或半透明导电层1202。层1202是包括具有圣诞树形状1204的网状图案的ITO层，其中，各圣诞树形状1204包括至少一个指状物区域1206。各指状物区域1206还包括多个毛状物区域608，其中，毛状物区域1208具有不同长度。以这样的方式设置毛状物区域1208：位于更靠近井区256的毛状物区域1208比位于远离井区256的毛状物区域1208短。这些区域用于将电流从正电极650经过指状物区域1206、毛状物区域1208和薄区域1210流到负电极604。根据这些应用，指状物区域1206和毛状物1208可以具有不同长度、厚度、形状和/或设计。
指状物区域1206和毛状物区域1208是能够执行如图3中所示的用于电流扩布的金属指状物37的类似功能的厚区域。类似地，薄区域1210使更多的光从活性层穿过ITO层1202到LED设备的表面。ITO层1202耦接到如p电极的正电极650，用于促进电流流动。台面或井区256用于将ITO层1202与如电极604的负电极分离。应当注意的是，可以由具有除了具有圣诞树形状的图案之外的图案的另一个透明或半透明导电层替代ITO层1202。
如ITO层1202的透明或半透明导电层能够传导或分布电流以及使光穿过层1202。光学透明或半透明导电层也可以由除了ITO的复合材料形成。如果由诸如碳纳米管层的另一个透明或半透明导电层来替代ITO层1202，则不改变本发明的多个方面的基本概念。
图13A-B示出了根据本发明的一个方面的用于制造具有图案化的光学透明或半透明导电层的LED设备的制造过程。LED设备的制造过程包括按顺序执行的一系列步骤，其中，这些步骤将电路设计转变成可操作LED芯片。在步骤1，该过程将n型材料层1312沉积在基板1310上。例如，基板1310可以是蓝宝石基板，而层1312可以是GaN层。基板是在上面沉积、蚀刻、附接或以其他方式制备或制造某物的基础材料或其他表面。基板还提供物理支撑。应当注意的是，层1312由，但不限于铟、镓、铝和氮的任意组合形成。
在步骤2，该过程将活性层1314沉积在层1312上，其中，活性层是功能区域，其中，当施加电流时注射的电子和空穴重组以产生LED中的光子。应当注意的是，层可以是由化学元素的特定组成和特定掺杂浓度制成的膜。层的边界可以由在制造过程的外延生长过程中材料组成或掺杂浓度(或这两者)的变化来限定。层1312-1314可以包括多个子层(图13A中未示出)，以执行附加和/或必要的功能。
在步骤3，该过程将p型材料的层1316沉积在活性层1314上。应当注意的是，层1316由一组材料形成，该组材料包括，但不限于铟、镓、铝和氮。例如，层1316可以根据下述公式形成：
Al1-y(GaxIn1-x)yN,其中1≤X，Y≤1。
图13B示出了制造具有图案化的光学透明或半透明导电层的LED设备的其次的处理步骤。在步骤4，该过程沉积可以是用于电流扩布的光学透明或半透明导电层的扩布器(spreader)的层1318。层1318可以是能够沿与LED层平行的方向水平扩布电流的ITO扩布器。在一个方面中，可以是ITO层的层1318包括两个表面或表面1340-1342，其中，第一表面1340覆盖层1316，而第二表面1342包含图案。在层1318的第二表面上蚀刻具有厚区域1332和薄区域1330的图案。
在步骤5，该过程蚀刻去掉层1314-1318的部分，以形成台面或井区。根据层1316-1318的材料，因此可以调节薄区域和厚区域的维数，以使电流扩布和光穿过最佳化。
在步骤6，该过程沉积两个接触器1320-1322，其中，接触器1320可以是p电极，而接触器1322可以是n电极。在操作中，从接触器1320到接触器1322建立电流流动，其中，如图13B所示，厚区域1332向薄区域1330和层1316扩布电流1336。应当注意的是，步骤1-6是用于说明目的并且可以添加各步骤之间(如，步骤1和步骤2之间)的附加步骤。另一方面，可以组合一些步骤，如，步骤4-5。
本发明的示例性方面包括多个处理步骤，这将在下面描述。该方面的这些步骤可以具体实施在机器或计算机可执行指令中。这些指令可以用于使编程有指令的通用或专用系统执行本发明的示例性方面的步骤。另选地，本发明的示例性方面的步骤可以由包含用于执行步骤的硬连线逻辑的专用硬件组件执行，或者由编程后的计算机组件和客户硬件组件的任意组合来执行。
图14示出了根据本发明的一个方面的具有图案化的ITO层的照明设备或LED的制造过程的流程图1400。在框1402，该过程在基板上沉积n型半导体层。该过程例如在蓝宝石基板上沉积n型GaN层。
在框1404，该过程在n型半导体层上沉积活性层，其中，活性层可以操作，以将电能转换成光。活性层的功能是产生光子。
在框1406，该过程在活性层上沉积p型半导体层，以形成LED。应当注意的是，p型半导体层可以是p型GaN层。
在框1408，该过程将具有第一表面和第二表面的光学透明或半透明导电层沉积在p型半导体层上，其中，第一表面覆盖在p型半导体层上。在一个方面中，该过程在p型GaN层上沉积ITO层。去除层的部分时，就形成了井区。
在框1410，该过程在光学透明或半透明导电层的第二表面上蚀刻具有厚区域和薄区域的图案。在光学透明或半透明导电层的第二表面上沉积第一电极之后，该过程将电源的正电势耦接到用于提供电流的第一电极。在井区中沉积第二电极，则电源的负电势就耦接到第二电极，用于促进电流流动。图案包括设置为三角形、矩形、正方形、圆形、椭圆形、梯形和/或任意形状、直线或曲线的组合的厚区域和薄区域。
图15示出了根据本发明的一个方面的用于制造具有图案化的光学透明或半透明导电层的照明设备或LED的器件的框图1500。在框1502，装置提供用于在基板上沉积n型半导体层的器件。随后，在框1504，装置提供用于在n型半导体层上沉积活性层的器件。在框1506，装置继续提供用于在活性层上沉积p型半导体层以形成LED的器件。在框1508，设置用于在p型半导体层上沉积光学透明或半透明导电层的器件。在框1510和1512，装置提供用于蚀刻具有厚区域和薄区域的图案的器件，以及用于沉积用于电力连接的电接触器的器件。
图16示出了根据本发明的多个方面的包括具有图案化的导电层的LED或LED设备的示例性设备500。设备500包括灯502、照明设备504和路灯506。图16中所示的各个设备包括具有如本文中所讨论的图案化的导电层的至少一个LED。例如，灯502包括封装516和LED508，其中，LED508包括光学透明或半透明导电层。灯502可以用于任意种类的通用照明。例如，灯502可以包括在汽车前灯、路灯、顶灯或任意其他通用照明应用中。照明设备504包括电耦接到灯512的电源510，其可以被构成为灯502。在一个方面中，电源510可以是电池或任意其他合适种类的电源，如太阳能电池。路灯506包括连接到灯514的电源，其可以被构成为灯502。在一个方面中，灯514包括封装和包括光学透明或半透明导电层的LED。应当注意的是，本文中所描述的LED的多个方面适用于与任意种类的LED组合一起使用，其反过来可以用于任意种类的照明设备并且不限于图16中所示的设备。
提供本发明的多个方面，以使本领域技术人员能够实践本发明。对本发明通篇提出的多个方面的多种修改将对于本领域技术人员是显而易见的，并且本文中所公开的概念可以扩展到其他应用。由此，权利要求不是旨在限制到本公开的多个方面，而是与权利要求语言一致的全部范围一致。与本公开通篇描述的多个方面的元素等同的、对本领域技术人员已知或后面将知道的所有结构和功能等同物通过引用的方式专门结合到本文中，并且旨在由权利要求所包含。
而且，不管是否在权利要求中明确地描述了这样的公开，本文中公开的事物都不旨在致力于公众。除非使用短语“用于......的装置”来专门叙述元素(或者在方法权利要求的情况，使用短语“用于......的步骤”来叙述元素)，否则没有权利要求元素是在35U.S.C§112，第六段的规定下进行解释。
虽然已经示出并且描述了本发明的具体方面，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，基于本文中的示教，可以在不偏离本发明的示例性方面和其更宽方面的情况下，进行改变和修改。因此，所附权利要求书旨在包含在它们的范围内包括本发明的示例性方面的实质精神和范围之内的所有改变和修改。
Claims (10)
1.一种半导体设备，包括：
第一导电层，其沉积在基板上；
活性层，其沉积在所述第一导电层上并且被构成为将电能转换成光；
第二导电层，其具有覆盖在所述活性层上的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；
铟锡氧化物(ITO)层，其具有第一表面和第二表面，所述ITO层用于将电流扩布在所述第二导电层的所述第二表面上，其中所述ITO层的所述第一表面直接或间接覆盖在所述第二导电层的所述第二表面上，其中，所述ITO层的所述第二表面包括具有多个厚区域和多个薄区域的图案；
第一电极，其电耦接到所述ITO层的所述第二表面，所述第一电极完全地形成在位于所述ITO层的边缘处的所述ITO层的所述薄区域上，并且所述第一电极接触所述厚区域的侧表面；以及
第二电极，其电耦接到所述第一导电层，
其中在俯视图中，所述多个厚区域包括从所述第一电极延伸的多个第一区域和均从所述第一区域延伸的多个第二区域，并且
从所述多个第一区域中的一个第一区域延伸的第二区域朝向两个相邻的第二区域之间延伸，其中所述两个相邻的第二区域是从与所述多个第一区域中的所述一个第一区域相邻的所述多个第一区域中的另一第一区域延伸的。
2.一种半导体设备，包括：
第一导电层，其沉积在基板上；
活性层，其沉积在所述第一导电层上并且被构成为将电能转换成光；
第二导电层，其具有覆盖在所述活性层上的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；
铟锡氧化物(ITO)层，其具有第一表面和第二表面，所述ITO层用于将电流扩布在所述第二导电层的所述第二表面上，其中所述ITO层的所述第一表面直接或间接覆盖在所述第二导电层的所述第二表面上，其中，所述ITO层的所述第二表面包括具有多个厚区域和多个薄区域的图案；
第一电极，其电耦接到所述ITO层的所述第二表面，所述第一电极完全地形成在位于所述ITO层的边缘处的所述ITO层的所述薄区域上，并且所述第一电极接触所述厚区域的侧表面；以及
第二电极，其电耦接到所述第一导电层，
其中在俯视图中，所述多个厚区域包括从所述第一电极延伸的多个第一区域，
所述多个第一区域中的每一个第一区域均包括朝向相邻的第一区域延伸的多个第二区域，并且
从所述多个第一区域中的一个第一区域延伸的所述第二区域相对于从与所述多个第一区域中的所述一个第一区域相邻的所述多个第一区域中的另一第一区域延伸的所述第二区域放置在交错的位置。
3.一种半导体设备，包括：
第一导电层，其沉积在基板上；
活性层，其沉积在所述第一导电层上并且被构成为将电能转换成光；
第二导电层，其具有覆盖在所述活性层上的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；
铟锡氧化物(ITO)层，其具有第一表面和第二表面，所述ITO层用于将电流扩布在所述第二导电层的所述第二表面上，其中所述ITO层的所述第一表面直接或间接覆盖在所述第二导电层的所述第二表面上，其中，所述ITO层的所述第二表面包括具有多个厚区域和多个薄区域的图案；
第一电极，其电耦接到所述ITO层的所述第二表面；以及
第二电极，其电耦接到所述第一导电层，
其中在俯视图中，所述多个厚区域包括从所述第一电极延伸的至少一个第一区域和从所述第一区域延伸的多个第二区域，并且
所述第二区域被布置为，使得靠近所述第二电极设置的所述第二区域比远离所述第二电极设置的所述第二区域短。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体设备，其中，所述图案的厚区域被置于与所述图案的薄区域相邻。
5.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体设备，其中，所述第一导电层是n型氮化镓(GaN)层。
6.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体设备，其中，所述第二导电层是p型GaN层。
7.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体设备，其中，所述图案包括设置为多个形状的多个厚区域和设置为多个形状的多个薄区域。
8.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体设备，其中，各厚区域的厚度的范围是5至5000埃
9.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体设备，其中，各薄区域的厚度的范围是5至
10.根据权利要求3所述的半导体设备，其中，所述第一电极完全地形成在位于所述ITO层的边缘处的所述ITO层的薄区域上，并且所述第一电极接触所述厚区域的侧表面。
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| US10741724B2 (en) | 2015-10-02 | 2020-08-11 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode devices with zinc oxide layer |
| US10981800B2 (en) | 2016-04-14 | 2021-04-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Chamber enclosure and/or wafer holder for synthesis of zinc oxide |
| US10981801B2 (en) | 2016-04-14 | 2021-04-20 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Fluid handling system for synthesis of zinc oxide |
| US10407315B2 (en) | 2016-04-14 | 2019-09-10 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Method and/or system for synthesis of zinc oxide (ZnO) |
| CN106206893B (zh) * | 2016-07-15 | 2018-05-25 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种提高ito电流扩展的发光二极管及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007004701A1 (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor lihgt-emitting device |
| US20080061310A1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Light emitting diode device, and manufacture and use thereof |
| CN101248537A (zh) * | 2005-07-21 | 2008-08-20 | 美商克立股份有限公司 | 带有经粗化的高折射率表面层以便进行高度光提取的发光二极管 |
| EP1968124A1 (en) * | 2005-12-29 | 2008-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and process for producing the same |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207683A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH11220161A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
| AT410266B (de) * | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element |
| JP2002319704A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄチップ |
| DE10234977A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
| CN100461467C (zh) * | 2002-10-03 | 2009-02-11 | 日亚化学工业株式会社 | 发光二极管 |
| US6958494B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-10-25 | Dicon Fiberoptics, Inc. | Light emitting diodes with current spreading layer |
| WO2005041313A1 (de) * | 2003-09-26 | 2005-05-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender dünnschicht-halbleiterchip |
| JP2006059625A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄ照明装置、ペンダント照明器具および街路灯 |
| JP2006128227A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2006294907A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| KR100878433B1 (ko) * | 2005-05-18 | 2009-01-13 | 삼성전기주식회사 | 발광소자의 오믹컨택층 제조방법 및 이를 이용한발광소자의 제조방법 |
| KR100668964B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-01-12 | 엘지전자 주식회사 | 나노 홈을 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP2007123517A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| JP2007165613A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007273746A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 固体表面の微細加工方法および発光素子 |
| KR100755591B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2007-09-06 | 고려대학교 산학협력단 | 질화물계 발광소자의 제조방법 |
| KR100833311B1 (ko) * | 2007-01-03 | 2008-05-28 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 |
| JP4882792B2 (ja) * | 2007-02-25 | 2012-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| KR100835059B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2008-06-03 | 삼성전자주식회사 | 양자점 광소자 |
| KR101341374B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2013-12-16 | 삼성전자주식회사 | 광자결정 발광소자 및 그 제조방법 |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| WO2007004701A1 (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride-based compound semiconductor lihgt-emitting device |
| CN101248537A (zh) * | 2005-07-21 | 2008-08-20 | 美商克立股份有限公司 | 带有经粗化的高折射率表面层以便进行高度光提取的发光二极管 |
| EP1968124A1 (en) * | 2005-12-29 | 2008-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and process for producing the same |
| US20080061310A1 (en) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | Light emitting diode device, and manufacture and use thereof |
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