CN104980026A

CN104980026A - 电源装置

Info

Publication number: CN104980026A
Application number: CN201510163034.7A
Authority: CN
Inventors: 畠中健太; 见泽胜丰; 半田祐一; 竹本悠城
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2014-04-08
Filing date: 2015-04-08
Publication date: 2015-10-14
Anticipated expiration: 2035-04-08
Also published as: US9584010B2; CN104980026B; JP2015201963A; US20150288276A1; JP5928517B2

Abstract

本发明涉及电源装置，具备：具有初级线圈和次级线圈的变压器、构成与初级线圈侧连接的初级侧电路的初级侧半导体部件、构成与变压器的次级线圈侧连接的次级侧电路的次级侧半导体部件、与次级侧半导体部件连接的扼流线圈、搭载了上述各部件的基板。变压器、初级侧半导体部件、次级侧半导体部件和扼流线圈中的任意2个构成沿基板的法线方向层叠的第1层叠体，其他2个构成沿基板的法线方向层叠的第2层叠体。电源装置具有将初级侧半导体部件和变压器相互连接的一对第1布线、和将变压器和次级侧半导体部件相互连接的一对第2布线。第1布线和第2布线分别具有相互邻接配置且构成为电流沿基板的法线方向流动的一对第1电流路径和一对第2电流路径。

Description

电源装置

技术领域

本发明涉及具备变压器的电源装置。

背景技术

作为DC-DC转换器等电源装置，有一种具有变压器、与该变压器的初级线圈侧连接的初级侧半导体部件、与变压器的次级线圈侧连接的次级侧半导体部件、和与次级侧半导体部件连接的扼流线圈的电源装置。这些部件被搭载在基板上，并沿着基板的扩展方向排列配置(参照专利文献1)。

【专利文献1】日本特开2007-221919号公报

然而，若变压器、初级侧半导体部件、次级侧半导体部件以及扼流线圈沿着基板的扩展方向排列载置，则存在电源装置在基板的扩展方向上大型化这一问题。鉴于此，可考虑将变压器、初级侧半导体部件、次级侧半导体部件以及扼流线圈中的每2个以沿着基板的法线方向层叠的状态搭载于基板。由此，通过将2个层叠体接近配置，能够减小基板中的部件搭载空间，来实现电源装置的小型化。

另外，在形成2个层叠体并将它们搭载于基板的情况下，将各部件间连接的连接布线容易相互接近。因此，从连接布线产生的磁通有可能因连接布线的攀绕方式而相互干扰，从而易于产生大的电磁噪声。

发明内容

一个实施方式提供能够降低电磁噪声并且能够实现小型化的电源装置。

一个实施方式的电源装置具备：具有初级线圈和次级线圈的变压器、构成与该变压器的上述初级线圈侧连接的初级侧电路的初级侧半导体部件、构成与上述变压器的上述次级线圈侧连接的次级侧电路的次级侧半导体部件、与上述次级侧半导体部件连接的扼流线圈、搭载了上述变压器、上述初级侧半导体部件、上述次级侧半导体部件及上述扼流线圈的基板。上述变压器、上述初级侧半导体部件、上述次级侧半导体部件以及上述扼流线圈中的任意2个构成沿上述基板的法线方向层叠的第1层叠体，其他2个构成沿上述基板的法线方向层叠的第2层叠体。上述电源装置具有将上述初级侧半导体部件和上述变压器相互连接的一对第1布线、以及将上述变压器和上述次级侧半导体部件相互连接的一对第2布线。上述第1布线和上述第2布线分别具有相互邻接配置并且构成为电流沿上述基板的法线方向流动的一对第1电流路径和一对第2电流路径。上述一对第2电流路径的至少一方在与第1方向正交的第2方向和上述一对第1电流路径的至少一方邻接，上述第1方向是上述一对第1电流路径相互邻接的方向。相互在上述第2方向邻接的上述第1电流路径和上述第2电流路径构成为电流相互逆向流动。

附图说明

在附图中:

图1是第1实施方式中的从与基板平行的方向观察到的电源装置的说明图。

图2是第1实施方式中的电源装置的立体图。

图3是第1实施方式中的电源装置的电路图。

图4A、图4B、图4C是表示第1实施方式中的流过各电流路径的电流波形的说明图。

图5A是表示第1实施方式中的在期间T1流过各电流路径的电流及伴随此产生的磁通的说明图。

图5B是表示第1实施方式中的在期间T2流过各电流路径的电流及伴随此产生的磁通的说明图。

图6是第2实施方式中的从与基板平行的方向观察到的电源装置的说明图。

图7是第3实施方式中的电源装置的立体图。

图8是第4实施方式中的从与基板平行的方向观察到的电源装置的说明图。

具体实施方式

参照附图，在以下说明中描述了本发明的一些实施方式。其中，在以下的实施方式中，实施方式之间的相同或相似的组件被赋予相同的标记。

(第1实施方式)

参照图1～图5，对上述电源装置的实施方式进行说明。

如图1、图2所示，电源装置1具备变压器2、初级侧半导体部件3、次级侧半导体部件4、扼流线圈5以及基板6。

变压器2具有初级线圈和次级线圈。初级侧半导体部件3构成与变压器2的初级线圈侧连接的初级侧电路。次级侧半导体部件4构成与变压器2的次级线圈侧连接的次级侧电路。扼流线圈5与次级侧半导体部件4连接。基板6搭载有变压器2、初级侧半导体部件3、次级侧半导体部件4及扼流线圈5。

变压器2和初级侧半导体部件3构成了沿基板6的法线方向Z层叠的第1层叠体11。次级侧半导体部件4和扼流线圈5构成了沿基板6的法线方向Z层叠的第2层叠体12。

电源装置1具有将初级侧半导体部件3和变压器2相互连接的一对第1布线71、与将变压器2和次级侧半导体部件4相互连接的一对第2布线72。

第1布线71和第2布线72分别具有相互邻接配置并且构成为电流沿基板6的法线方向Z流动的第1电流路径81和第2电流路径82。

如图2、图5所示，一对第2电流路径82的一方和另一方在与一对第1电流路径81相互邻接的第1方向Y正交的第2方向X，与第1电流路径81的一方和另一方分别邻接。在第2方向X相互邻接的第1电流路径81和第2电流路径82构成为电流相互逆向流动。

即，一对第2电流路径82中的一方的第2电流路径82a与一对第1电流路径81中的一方的第1电流路径81a在第2方向X邻接。而且，第1电流路径81a和第2电流路径82a构成为流过相互逆向的电流(图5A)。一对第2电流路径82中的另一方的第2电流路径82b与一对第1电流路径81中的另一方的第1电流路径81b在第2方向X邻接。第1电流路径81b和第2电流路径82b构成为流过相互逆向的电流(图5B)。

第1方向Y及第2方向X与基板6平行，在本实施方式中，第2方向X与第1层叠体11和第2层叠体12的排列方向大致一致。与基板6平行并不仅限于严格的平行，只要是大致沿着基板6的扩展方向的方向即可，也包含相对于基板6稍微倾斜的方向。

如图1、图2所示，第1层叠体11按照初级侧半导体部件3被配置于变压器2与基板6之间的方式层叠。第2层叠体12按照次级侧半导体部件4被配置于扼流线圈5与基板6之间的方式层叠。其中，基板6例如能够由铝等金属构成。

变压器2、初级侧半导体部件3、次级侧半导体部件4及扼流线圈5分别具有大致长方体形状。对于初级侧半导体部件3和次级侧半导体部件4而言，大致长方体的一个面彼此相互对置。对于变压器2和扼流线圈5而言，大致长方体的一个面彼此相互对置。在这样的状态下，第1层叠体11和第2层叠体12被配置在基板6上。

第1布线71和第2布线72从变压器2向相同的方向引出。在本实施方式中，一对第1布线71及一对第2布线72的一端分别从变压器2的与第2层叠体12对置的对置面21和基板6平行地被引出。一对第1布线71的另一端从与变压器2的对置面21朝向相同侧的初级侧半导体部件3的对置面31和基板6平行地被引出。第1布线71具有以将从变压器2引出的部分与从初级侧半导体部件3引出的部分连接的方式和基板6的法线方向Z平行形成的部分。该部分成为第1电流路径81。

一对第2布线72的另一端被从次级侧半导体部件4的与第1层叠体11对置的对置面41引出。第2布线72具有以将从变压器2引出的部分与从次级侧半导体部件4引出的部分连接的方式和基板6的法线方向Z平行的部分。该部分成为第2电流路径82。

第1电流路径81及第2电流路径82被配置在第1层叠体11与第2层叠体12之间。还包含第1电流路径81及第2电流路径82以外的部分在内，第1布线71及第2布线72的整体被配置在第1层叠体11与第2层叠体12之间。

在初级侧半导体部件3上连接有与直流电源连接的一对输入布线73、73。扼流线圈5和次级侧半导体部件4通过直流布线74连接。在扼流线圈5上连接有与负载连接的输出布线75。

在本实施方式中，电源装置1是DC-DC转换器，例如被搭载于电动车或混合动力汽车。电源装置1被用于将直流电源的高压直流电力降压成低压的直流电力，并向辅机用电池供给。即，如图3所示，电源装置1连接在直流电源131与负载132(辅机电池等)之间来使用。直流电源131与由初级侧半导体部件3构成的初级侧电路连接。由次级侧半导体部件4构成的次级侧电路经由包含扼流线圈5的平滑电路与负载132连接。

初级侧电路构成开关电路。初级侧半导体部件3由内置了多个开关元件的半导体模块构成。作为开关元件，例如能够使用IGBT(绝缘栅双极晶体管)或者MOSFET(MOS型场效应晶体管)。其中，初级侧半导体部件并非必须为半导体模块，例如也可以是离散的半导体部件。

次级侧电路构成整流电路。次级侧半导体部件4由内置了多个二极管的二极管模块构成。不过，次级侧半导体部件也可以是内置了多个MOSFET的半导体模块。次级侧半导体部件也可以是离散的半导体部件。

另外，扼流线圈5与电容器133一起构成平滑电路。

本实施方式的电源装置1被输入的直流电力在初级侧电路(开关电路)中被转换成交流电力，并输入至变压器2。被输入的交流电力在变压器2中降压后，在次级侧电路(整流电路)中被整流而成为直流电力。降压后的直流电力在平滑电路中被平滑化后输出。

因此，在变压器2的初级线圈中，如图4A中表示电流波形那样，流过在时间序列上符号(正负)交替变为相反的电流。即，在第1布线71中，如图4A中表示电流波形那样，流过在时间序列上符号(正负)交替变为相反的电流。

伴随于此，在变压器2的次级线圈中，与初级线圈的电流同步地产生交变电流。但是，如图3所示，次级线圈与整流电路(次级侧半导体部件4)连接。因此，变压器2的2个次级端子(第2布线72、72)中的电流的方向成为从变压器2朝向次级侧半导体部件4的方向，如图4B、图4C中表示电流波形那样，电流的符号(正负)不反转。其中，各第2布线72中流动的电流是断续的，在一对第2布线72、72中交替流动电流。

其中，图4B表示一方的第2布线72(第2电流路径82a)中的电流波形。图4C表示另一方的第2布线72(第2电流路径82b)中的电流波形。

这样，考虑一对第1布线71、71及一对第2布线72、72中流过在时间序列上发生变化的电流，来如上述那样配置第1电流路径81(81a、81b)及第2电流路径82(82a、82b)。其中，图4A、图4B、图4C所示的曲线图的横轴表示时间经过。

接下来，对本实施方式的作用效果进行说明。

在上述电源装置1中，变压器2和初级侧半导体部件3构成第1层叠体11，次级侧半导体部件4和扼流线圈5构成第2层叠体12。由此，在基板6的扩展方向，能够减小变压器2、初级侧半导体部件3、次级侧半导体部件4和扼流线圈5的搭载空间。结果，能够实现电源装置1的小型化。

通过在基板6上使第1层叠体11和第2层叠体12接近，能够有效地实现电源装置1的小型化，但由于部件间的连接布线的攀绕方式，而有可能导致产生大的电磁噪声。

尤其是由于上述电源装置1具有第1层叠体11和第2层叠体12，所以第1布线71和第2布线72容易成为具有沿基板6的法线方向Z流动电流的部分的结构。

鉴于此，首先，将这些部分相互邻接配置。即，第1布线71和第2布线72分别具有如图2、图5所示那样相互邻接配置并且构成为电流沿基板6的法线方向Z流动的第1电流路径81和第2电流路径82。第2电流路径82的一方(第2电流路径82a)和另一方(第2电流路径82b)在第2方向X与第1电流路径81的一方(第1电流路径81a)和另一方(第1电流路径81b)分别邻接。在第2方向相互邻接的第1电流路径81和第2电流路径82构成为电流相互逆向流动。由此，由第1电流路径81和第2电流路径82分别产生的磁通相互抵消。结果，能够降低由这些电流路径产生的电磁噪声。

基于该点，来更详细地进行说明。第1布线71及第2布线72分别各存在2根，作为各自的一部分的第1电流路径81及第2电流路径82也分别各存在2根。在第1电流路径81中，如图4A所示那样，流动在时间序列上交替相反方向的电流，但在任意时刻，都如图5A、图5B所示那样，一对电流路径81中的一方(第1电流路径81a)中流动的电流与另一方(第1电流路径81b)中流动的电流反向。

另外，在第2电流路径82中，如图4B、图4C所示那样，与第1电流路径81的电流变化同步地流动断续的电流。而且，在一对第2电流路径82(82a、82b)中，交替流动相同方向(在图5A、图5B中，从纸面的表面朝向背面的方向)的电流。

即，在图4A、图4B、图4C中的期间T1，如图5A所示那样，在一方的第2电流路径82a中流动电流。该电流的方向与在第2方向X相邻的第1电流路径81a中的电流的方向相反。

另一方面，在图4A、图4B、图4C中的期间T2，如图5B所示那样，在另一方的第2电流路径82b中流动电流。该电流的方向与在第2方向X相邻的第1电流路径81b中的电流的方向相反。

由此，在期间T1，如图5A所示那样，因在一对第1电流路径81、81中流动的电流而形成为贯穿一对第1电流路径81、81之间的磁通φ11被因在第2电流路径82a中流动的电流引起而形成的磁通φ21抵消(削弱)。

同样，在期间T2，如图5B所示那样，因在一对第1电流路径81、81中流动的电流而形成为贯穿一对第1电流路径81、81之间的磁通φ12被因在第2电流路径82a中流动的电流而形成的磁通φ22抵消(削弱)。

这样，能够降低由这些电流路径产生的电磁噪声。

另外，如图1、图2所示，第1层叠体11由变压器2和初级侧半导体部件3构成，第2层叠体12由次级侧半导体部件4和扼流线圈5构成。由此，能够容易地实现电源装置1的小型化。

另外，第1布线71和第2布线72被从变压器2向相同方向引出。由此，易于缩短第1布线71及第2布线72的长度，并且易于使第1电流路径81和第2电流路径82邻接配置。另外，第1电流路径81及第2电流路径82被配置在第1层叠体11与第2层叠体12之间。由此，更易于缩短第1布线71及第2布线72的长度，并且更易于使第1电流路径81和第2电流路径82邻接配置。

综上所述，根据本实施方式，能够提供一种可降低电磁噪声并且能够实现小型化的电源装置。

(第2实施方式)

在本实施方式中，如图6所示，示出从变压器2的与第2层叠体12相反侧的面引出第2布线72而成的电源装置1。

即，第2布线72被从变压器2的与对置面21相反侧的背面22引出且弯曲，并被引至次级侧半导体部件4的对置面41。其中，第2布线72中的次级侧半导体部件4侧的端部与第1实施方式的情况相同，被从次级侧半导体部件4的对置面41朝向第1层叠体11与基板6平行地引出。

第2布线72在第1层叠体11与第2层叠体12之间的空间中，具有与基板6的法线方向Z平行的部分。该部分成为第2电流路径82，被配置成在第2方向X与第1电流路径81相邻。一对第1电流路径81、81和一对第2电流路径82、82的位置关系与第1实施方式(图5A、图5B)相同。

其他结构与第1实施方式相同。其中，对于该第2实施方式及与该第2实施方式有关的附图中使用的标记中的与在第1实施方式中使用的标记相同的部分而言，只要没有特别明示，则表示与第1实施方式相同的结构要素等。

在该第2实施方式的情况下，也起到与第1实施方式相同的作用效果。

(第3实施方式)

在本实施方式中，如图7所示，第1电流路径81及第2电流路径82被配置在从第1层叠体11和第2层叠体12的排列方向偏离的位置。

即，第1电流路径81及第2电流路径82被配置在与第1层叠体11和第2层叠体12之间的空间不同的位置。

在本实施方式中，从变压器2中的与对置面21正交且与基板6正交的侧面23与基板6平行地引出一对第1布线71、71及一对第2布线72、72的一端。

另外，一对第1布线71、71及一对第2布线72、72的另一端被从与变压器2的侧面23朝向相同方向的初级侧半导体部件3的侧面33及次级侧半导体部件4的侧面43引出。一对第1布线71、71及一对第2布线72、72分别在与变压器2的侧面23及初级侧半导体部件3的侧面33对置的位置具有第1电流路径81及第2电流路径82。

一对第1电流路径81、81和一对第2电流路径82、82的位置关系与第1实施方式(图5A、图5B)相同。另外，与一对第1电流路径81、81相互邻接的第1方向Y正交的第2方向X和第1层叠体11与第2层叠体12的排列方向平行。

其他结构与第1实施方式相同。其中，对于本第3实施方式及与本第3实施方式有关的附图中使用的标记中的与在第1实施方式中使用的标记相同的部分而言，只要没有特别明示，则表示与第1实施方式相同的结构要素等。

在本第3实施方式的情况下，易于将第1层叠体11和第2层叠体12接近配置。结果，能够实现电源装置1的进一步小型化，并且能够实现电感的降低。

此外，起到与第1实施方式相同的作用效果。

(第4实施方式)

在本第4实施方式中，如图8所示，将第1半导体部件3和扼流线圈5层叠来构成第1层叠体11，将第2半导体部件4和变压器2层叠来构成第2层叠体12。

第1层叠体11按照初级侧半导体部件3被配置于扼流线圈5与基板6之间的方式层叠。第2层叠体12按照次级侧半导体部件4被配置于变压器2与基板6之间的方式层叠。

另外，将变压器2和初级侧半导体部件3相互连接的一对第1布线71、71按照将第1层叠体11和第2层叠体12连接的方式布线。将变压器2和次级侧半导体部件4相互连接的一对第2布线72、72将第2层叠体12的部件彼此连接。

另外，一对第1电流路径81、81和一对第2电流路径82、82被配置在第1层叠体11与第2层叠体12之间。

一对第1电流路径81、81和一对第2电流路径82、82的位置关系与实施例1(图5)相同。另外，与一对第1电流路径81相互邻接的第1方向Y正交的第2方向X和第1层叠体11与第2层叠体12的排列方向平行。

其他结构与第1实施方式相同。其中，对于本第4实施方式及与本第4实施方式有关的附图中使用的标记中的与在第1实施方式中使用的标记相同的部分而言，只要没有特别明示，则表示与第1实施方式相同的结构要素等。

在本第4实施方式的电源装置1中，根据第1实施方式变更了第1层叠体11的组合以及第2层叠体12的组合。在该结构中，通过适当地进行第1布线71及第2布线72的攀绕和第1电流路径81及第2电流路径82的配置，也能够起到与第1实施方式相同的作用效果。

对于本发明而言，除了上述实施方式以外，还能够实施适当变更了第1布线及第2布线的配置、或适当变更了第1层叠体及第2层叠体的结构后的方式。

此外，本发明并不限定于上述结构，本领域技术人员所能够知道的任何修改、变化、等同都应该认为在本发明的范围内。

以下，对上述实施方式的各个方面进行概述。

一个实施方式的电源装置(1)具备：具有初级线圈和次级线圈的变压器(2)、构成与该变压器(2)的上述初级线圈侧连接的初级侧电路的初级侧半导体部件(3)、构成与上述变压器(2)的上述次级线圈侧连接的次级侧电路的次级侧半导体部件(4)、与上述次级侧半导体部件(4)连接的扼流线圈(5)、和搭载了上述变压器(2)、上述初级侧半导体部件(3)、上述次级侧半导体部件(4)以及上述扼流线圈(5)的基板(6)。上述变压器(2)、上述初级侧半导体部件(3)、上述次级侧半导体部件(4)和上述扼流线圈(5)中的任意2个构成沿上述基板(6)的法线方向(Z)层叠的第1层叠体(11)，另外2个构成沿上述基板(6)的法线方向(Z)层叠的第2层叠体(12)。上述电源装置(1)具有将上述初级侧半导体部件(3)和上述变压器(2)相互连接的一对第1布线(71)、以及将上述变压器(2)和上述次级侧半导体部件(4)相互连接的一对第2布线(72)。上述第1布线(71)和上述第2布线(72)分别具有相互邻接配置且构成为电流沿上述基板(6)的法线方向(Z)流动的一对第1电流路径(81)和一对第2电流路径(82)。上述一对第2电流路径(82)的至少一方在与第1方向(Y)正交的第2方向(X)和上述一对第1电流路径(81)的至少一方邻接，上述第1方向(Y)是上述一对第1电流路径(81)相互邻接的方向。在上述第2方向(X)相互邻接的上述第1电流路径(81)和上述第2电流路径(82)构成为电流相互逆向流动。

在上述电源装置中，变压器、初级侧半导体部件、次级侧半导体部件和扼流线圈中的任意2个构成第1层叠体，另外2个构成第2层叠体。由此，在基板的扩展方向，能够缩小变压器、初级侧半导体部件、次级侧半导体部件和扼流线圈的搭载空间。结果，能够实现电源装置的小型化。

这里，通过使第1层叠体和第2层叠体在基板上接近，能够有效地实现电源装置的小型化。但是，因这些部件间的连接布线即第1布线和第2布线的攀绕方式，有可能导致大的电磁噪声的产生。尤其是，由于上述电源装置具有第1层叠体和第2层叠体，所以第1布线和第2布线易于成为具有电流沿基板的法线方向流动的部分的结构。

鉴于此，首先，将这些部分相互邻接配置。即，第1布线和第2布线分别具有相互邻接配置且构成为电流沿基板的法线方向流动的第1电流路径和第2电流路径。而且，第2电流路径的至少一方在与一对第1电流路径相互邻接的第1方向正交的第2方向和第1电流路径的至少一方邻接。并且，在上述第2方向相互邻接的第1电流路径和第2电流路径构成为电流相互逆向流动。由此，由第1电流路径和第2电流路径分别产生的磁通相互抵消。结果，能够降低由这些电流路径产生的电磁噪声。

综上所述，能够提供可降低电磁噪声并且实现小型化的电源装置。

上述实施方式的电源装置例如可以是对直流电源的高压的直流电力进行降压而转换成低压的直流电力的DC-DC转换器。另外，该电源装置例如能够被搭载于电动车、混合动力汽车。

其中，法线方向并不仅限于与基板的法线严格一致的方向，也包含相对于基板的严格法线稍微倾斜的方向。

另外，在上述电源装置中，若一对第2电流路径的至少一方在第2方向与一对第1电流路径的至少一方邻接，则能够起到上述的效果，但更优选一对第2电流路径的双方在第2方向与一对第1电流路径的各个邻接。即，优选上述一对第2电流路径的一方和另一方在与上述一对第1电流路径相互邻接的第1方向正交的第2方向，与上述第1电流路径的一方和另一方分别邻接，相互在上述第2方向邻接的上述第1电流路径和上述第2电流路径构成为电流相互逆向流动。该情况下，在电流的方向随时间序列变化的第1电流路径和第2电流路径中，在任意的时刻，都能够使由第1电流路径和第2电流路径分别产生的磁通相互抵消。

Claims

1.一种电源装置，其中，具备：

变压器，其具有初级线圈和次级线圈；

初级侧半导体部件，其构成与该变压器的所述初级线圈侧连接的初级侧电路；

次级侧半导体部件，其构成与所述变压器的所述次级线圈侧连接的次级侧电路；

扼流线圈，其与所述次级侧半导体部件连接；以及

基板，其搭载了所述变压器、所述初级侧半导体部件、所述次级侧半导体部件以及所述扼流线圈，

所述变压器、所述初级侧半导体部件、所述次级侧半导体部件和所述扼流线圈中的任意2个构成沿所述基板的法线方向层叠的第1层叠体，其他2个构成沿所述基板的法线方向层叠的第2层叠体，

所述电源装置具有一对第1布线和一对第2布线，所述一对第1布线将所述初级侧半导体部件和所述变压器相互连接，所述一对第2布线将所述变压器和所述次级侧半导体部件相互连接，

所述第1布线和所述第2布线分别具有相互邻接配置并且构成为电流沿所述基板的法线方向流动的一对第1电流路径和一对第2电流路径，

所述一对第2电流路径的至少一方在与第1方向正交的第2方向和所述一对第1电流路径的至少一方邻接，所述第1方向是所述一对第1电流路径相互邻接的方向，

相互在所述第2方向邻接的所述第1电流路径和所述第2电流路径构成为电流相互逆向流动。

2.根据权利要求1所述的电源装置，其中，

所述一对第2电流路径的一方和另一方在与第1方向正交的第2方向与所述一对第1电流路径的一方和另一方分别邻接，所述第1方向是所述一对第1电流路径相互邻接的方向，相互在所述第2方向邻接的所述第1电流路径和所述第2电流路径构成为电流相互逆向流动。

3.根据权利要求1所述的电源装置，其中，

所述第1层叠体由所述变压器和所述初级侧半导体部件构成，所述第2层叠体由所述次级侧半导体部件和所述扼流线圈构成。

4.根据权利要求1所述的电源装置，其中，

所述第1布线和所述第2布线被从所述变压器向相同方向引出。

5.根据权利要求1所述的电源装置，其中，

所述第1电流路径及所述第2电流路径被配置在所述第1层叠体与所述第2层叠体之间。

6.根据权利要求1所述的电源装置，其中，

所述第1电流路径及所述第2电流路径被配置在从所述第1层叠体和所述第2层叠体的排列方向偏离了的位置。