CN104966773A - 一种led发光装置 - Google Patents

一种led发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104966773A
CN104966773A CN201510365882.6A CN201510365882A CN104966773A CN 104966773 A CN104966773 A CN 104966773A CN 201510365882 A CN201510365882 A CN 201510365882A CN 104966773 A CN104966773 A CN 104966773A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led wafer
carrier
transparency carrier
led
light emission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510365882.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104966773B (zh
Inventor
朱晓飚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shangrao Smart Guangcai Technology Co ltd
Original Assignee
ZHEJIANG ZHONGZHOU LIGHTING TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ZHEJIANG ZHONGZHOU LIGHTING TECHNOLOGY CO LTD filed Critical ZHEJIANG ZHONGZHOU LIGHTING TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN201510365882.6A priority Critical patent/CN104966773B/zh
Publication of CN104966773A publication Critical patent/CN104966773A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104966773B publication Critical patent/CN104966773B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • H01L2224/83805Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及LED发光技术,具体提供一种LED发光装置,其包括:载体,其为透明体且在所述载体的承载面上设置有导体;多个LED晶片,其与所述导体采用共晶焊的方式电连接,以实现多个所述LED晶片之间的电性连接;包封结构件,其为透明体且包覆在所述载体和LED晶片的外围;以及一对电极,所述一对电极中的正电极/负电极借助所述导体与所述多个LED晶片中处于电流传输最上游/最下游的LED晶片电性连接,并延伸至所述包封结构件的外部。本发明提供的LED发光装置,不仅能够提高LED发光装置的出光效率,而且能够减少热量的产生,因而具有出光效率高、可靠性高以及使用寿命长等特点。

Description

一种LED发光装置
本申请为分案申请,母案的申请日为:2013年1月22日;申请号为:201310024997.X、发明名称为“一种LED发光装置”。
技术领域
本发明涉及LED发光技术,具体涉及一种LED发光装置。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)因其具有节能、环保、重量轻、寿命长、体积小、性能稳定等诸多优点,已被应用到很多领域。尤其是在照明领域,LED更是应用得越来越广泛,并被视为未来照明的主要光源之一。
现有的LED发光装置的封装,通常是在金属支架或金属基板上射出PPA(Polyphthalamide,聚邻苯二甲酰胺)或工程塑料,形成一个光学碗杯,在光学碗杯内固定1个或多个LED晶片,且通过金属导线在光学碗杯内部使多个LED晶片串/并联,然后在光学碗杯内填充混有荧光粉的胶体。采用这种封装形式的LED发光装置,因金属支架或金属基板本身不透光而使得LED晶片发出的光不能透过支架或基板向外输出,这导致该LED发光装置的出光效率较低;而且,未输出的光会在光学碗杯内产生大量的热且LED晶片无单独的导热通道,这使得LED晶片产生的热量过于集中,进而导致LED的可靠性呈线性规律下降。事实上,现有的LED发光装置的光输出量仅占其产生能量的20%-30%,剩余的70%-80%的能量全部用来产生热量而未能被利用。因此,如何提高LED发光装置的出光效率、增强其应用功能以及延长其使用寿命就成为人们亟待解决的问题。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种LED发光装置,其不仅能够提高LED发光装置的出光效率,而且能够减少热量的产生,因而具有出光效率高、可靠性高以及使用寿命长等特点。
为此,本发明提供一种LED发光装置,包括:载体,其为透明体,并且在所述载体的承载面上设置有导体;多个LED晶片,其与所述导体采用共晶焊的方式电连接,以实现多个所述LED晶片之间的电性连接;包封结构件,其为透明体且包覆在所述载体和所述多个LED晶片的外围;以及一对电极,所述一对电极中的正电极/负电极借助所述导体与所述多个LED晶片中处于电流传输最上游/最下游的LED晶片电连接,并延伸至所述包封结构件的外部。
其中,所述LED晶片的数量为N,所述导体的数量为N+1,且N为大于1的整数,并且所述N个LED晶片沿所述一对电极的延伸方向与所述N+1个导体相间设置;在每个所述LED晶片的结合面的两端设置有晶片焊点,对应地在与该LED晶片相邻的两个所述导体的两端设置有线路焊点,并且所述晶片焊点与线路焊点的形状相对应;每个所述LED晶片和与之相邻的两个所述导体通过将所述晶片焊点和线路焊点采用共晶焊的方式焊接而电连接。
其中,所述包封结构件分别包覆所述载体的承载面及其上固定的所述LED晶片、所述载体的背离所述承载面的表面以及所述载体的两侧表面的边缘区域。
优选地,在间隔连续的两个所述导体上形成有朝向彼此延伸的两个凸部,所述两个凸部位于间隔连续的两个所述导体之间的所述LED晶片的两侧。
其中,在垂直于所述一对电极的延伸方向的截面内,所述包封结构件以圆心角为180°的包覆角度在周向方向上分别包覆所述载体的承载面及其上固定的所述LED晶片以及所述载体的背离所述承载面的表面。
其中,所述一对电极为一对金属电极片,每个所述金属电极片包括连为一体的装配部和连接部,其中所述装配部借助导电的粘结剂与所述载体的承载面的两端粘结在一起,并且所述粘结剂采用共晶焊、回流焊或高温固化的方式与相应的所述导体电连接;所述一对金属电极片的连接部的远离所述装配部的端部形状不同。
优选地,在所述载体的两端且位于其承载面上形成有限位凹槽,所述装配部借助所述粘结剂固定在所述限位凹槽内,并且所述粘结剂包覆位于所述限位凹槽内的所述装配部的外表面;或者
在所述装配部的远离所述连接部的端部设置有限位凹槽,所述载体的两端借助所述粘结剂固定在所述限位凹槽内,并且所述粘结剂包覆位于所述限位凹槽内的所述载体的外表面。
优选地,所述装配部的宽度大于所述连接部的宽度。
其中,在所述载体的承载面与所述LED晶片的结合面之间形成有透明且导热的散热层,用以与所述LED晶片进行热交换,所述散热层的材料包括硅胶、环氧胶、硅树脂和改性树脂中的一种或多种。
其中,所述导体采用导电的金属材料制作。
相对于现有技术,本发明具有下述有益效果:
在本发明提供的LED发光装置中,由于LED晶片所发出的光能够透过透明的载体和包封结构件而输出到该LED发光装置的外部,因此该LED发光装置能够实现多维发光,这不仅能够提高LED发光装置的出光效率,而且能够减少背景技术中所述的因光输出量少而产生大量的热等不良现象,从而提高该LED发光装置的可靠性、延长其使用寿命。
另外,由于多个LED晶片可以通过与设置在载体上的导体采用共晶焊的方式电连接而实现多个LED晶片之间的电性连接,这可以代替导线实现多个LED晶片之间的电性连接,从而不仅可以降低LED发光装置的制造成本,而且还可以省去较复杂的多个LED晶片之间的导线连接工艺,进而简化LED发光装置的制造工艺。
附图说明
图1A为本发明第一实施例提供的LED发光装置的主视图;
图1B为图1A所示LED发光装置中的载体的剖面图;
图1C为本发明第一实施例提供的LED发光装置的侧视图;
图1D为本发明第一实施例提供的LED发光装置的俯视图;
图1E为图1D所示LED发光装置在装配LED晶片之前的俯视图;
图1F为图1D所示LED发光装置的LED晶片的结合面的示意图;
图1G为图1D所示LED发光装置的一对电极与载体之间的连接关系的俯视图;
图1H为图1D所示LED发光装置的一对电极与载体之间的连接关系的主视剖面图;
图1I为图1D所示LED发光装置的一对电极的结构示意图;
图1J为本发明第一实施例提供的LED发光装置的光路图;
图2A为本发明第一实施例提供的LED发光装置中的另一种包封结构件的主视图;
图2B为图2A所示LED发光装置的载体和LED晶片与包封结构件之间的位置关系的示意图;
图3A为本发明第二实施例提供的LED发光装置的主视图;以及
图3B为本发明第二实施例提供的LED发光装置的俯视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图进一步详细说明用于实施本发明的优选方式。但以下所示的实施例,是用于对本发明提供的LED发光装置的技术思路进行具体化,并非用于对本发明的发明思路进行限定。并且,各附图所示的构件大小和位置关系等,仅是为了使说明更加明确才有所放大夸张,而并非用于限定实际的构件大小和比例关系。
本发明提供了一种LED发光装置,其包括以下组件:透明的载体(亦称为“透明基板”)、多个LED晶片、包覆在载体和LED晶片的外围且透明的包封结构件以及一对电极。其中,在载体的承载面上设置有导体,多个LED晶片与该导体采用共晶焊的方式电连接,并借助导体固定在载体的承载面上。所谓载体的承载面,指的是该载体上的用于设置LED晶片的表面。优选地,载体的表面经粗化处理而形成有呈凹凸结构的粗化反射层,带有凹凸结构的粗化反射层的载体从外观看呈半透明。
在本发明提供的LED发光装置中,由于多个LED晶片可以通过与设置在载体上的导体采用共晶焊的方式电连接而实现多个LED晶片之间的电性连接,这可以代替导线实现多个LED晶片之间的电性连接,从而不仅可以降低LED发光装置的制造成本,而且还可以省去较复杂的多个LED晶片之间的导线连接工艺,进而简化LED发光装置的制造工艺。
在上述多个LED晶片中,处于电流传输最上游的LED晶片与上述一对电极中的正电极相连,处于电流传输最下游的LED晶片与上述一对电极中的负电极相连。所谓处于电流传输最上游的LED晶片指的是在这些LED晶片中电流首先流经的那个LED晶片;所谓处于电流传输最下游的LED晶片指的是在这些LED晶片中电流最后流经的那个LED晶片。事实上,处于电流传输最上游/最下游的LED晶片与LED晶片物理上的设置位置并不一致,即,这些LED晶片中,在物理位置上处于最两端的LED晶片未必是电流传输上的最上游/最下游。只有当多个LED晶片按照其设置位置依次通过导体进行电性连接时,处于电流传输最上游的LED晶片和处于电流传输最下游的LED晶片才为多个LED晶片中的处于端部的那两个晶片。此外,上述导体可以采用导电的金属材料制作,例如金、银或铜等,并且该导体只要能够实现多个LED晶片之间,以及处于电流传输最上游的LED晶片和处于电流传输最下游的LED晶片分别与一对电极中的正电极和负电极之间的电性连接即可,而不必限制导体设置在载体上的方式和形状。
在本发明提供的LED发光装置中,由于LED晶片所发出的光能够透过透明的载体和包封结构件而输出到该LED发光装置的外部,因此该LED发光装置能够实现多维发光,这不仅能够提高LED发光装置的出光效率(事实上,本发明提供的LED发光装置的出光效率比现有LED发光装置的出光效率高出30%-50%);而且能够减少背景技术中所述的因光输出量少而产生大量的热等不良现象,从而提高该LED发光装置的可靠性、延长其使用寿命。
第一实施例
请一并参阅图1A至图1J,其中示出了本发明第一实施例提供的LED发光装置的结构。本实施例中的LED发光装置10包括:载体11、多个LED晶片12、包封结构件13以及一对金属电极片(20a、20b)。其中,载体11为透明体,其可以采用玻璃、陶瓷、塑料等材料中的其中一种材料或多种材料的混合进行制作。而且,载体11的表面经粗化处理形成具有凹凸结构的粗化反射层28,这使载体11从外观看呈半透明体,如图1B所示。并且,在粗化反射层28的纵截面(即,垂直于纸面方向得到的截面)中,凹凸结构中的凸起部分的形状可以是半圆形、椭圆形、锯齿形、三角形等。借助具有凹凸结构的粗化反射层28可以将LED晶片12发出的光进行反射,并且进行光束互耦,以使得该LED发光装置10输出的光均匀柔和。在实际应用中,可以根据不同LED晶片12的发光结构,将载体11的外表面进行不同程度的粗化,使其具有不同的凹凸结构形状、凹进深度和凸起高度等。在实际应用中,可以对载体11的四个侧面,即,图1B中垂直于纸面方向的四个表面进行不同程度的粗化,也可以仅对载体11的承载面和载体11的背离其承载面的表面进行不同程度的粗化,还可以仅对载体11的上述四个侧面中除了其承载面和背离该承载面的表面之外的两个侧面进行不同程度的粗化。
本实施例中,LED晶片12的数量为N,并且在载体11的承载面上设置有N+1个导体30,且N为大于1的整数,并且N个LED晶片12沿金属电极片(20a、20b)延伸方向与N+1个导体30相间设置,即,每间隔连续的两个导体30之间设置有一个LED晶片12,如图1D所示。而且,在每个LED晶片12的两端且位于其结合面上设置有晶片焊点41,如图1F所示,对应地在与该LED晶片12相邻的两个导体30的两端设置有线路焊点31,如图1E所示,并且晶片焊点41与线路焊点31的形状相对应。所谓LED晶片12的结合面是指LED晶片12上用于与载体11的承载面相结合的表面。每个LED晶片12和与之相邻的两个导体30通过将上述晶片焊点41和线路焊点31采用共晶焊的方式焊接而电连接,从而使N个LED晶片12实现电性连接,例如,串联、并联或混联。
此外,由于LED晶片12是通过将晶片焊点41和线路焊点31焊接在一起而固定在载体11上,即,LED晶片12在载体11上的支撑点位于导体30上,这往往会导致LED晶片12的结合面与载体11的承载面之间存在间隙,换言之,LED晶片12悬空在载体11的承载面上方,从而不利于LED晶片12的散热,为此,在载体11的承载面与LED晶片12的结合面之间形成有透明且导热的散热层15,用以与LED晶片12进行热交换,从而使LED晶片12产生的热量经由散热层15和载体11传导至外界。散热层15的材料可以包括硅胶、环氧胶、硅树脂和改性树脂中的一种或多种。
在实际应用中,当LED发光装置10为普通单色光的发光装置时,多个LED晶片12全部为相应的普通单色LED晶片12,例如,多个LED晶片12全部为蓝光晶片或者全部为蓝光以外的任一可见光晶片。当LED发光装置10为高光效、高显色指数的发光装置时,多个LED晶片12包括蓝光的LED晶片12和红色(或黄色)光的LED晶片12,并且每间隔连续的两个蓝光的LED晶片12而设置一个红色(或黄色)光的LED晶片12,以实现充分的混光。在此所谓均匀分布指的是有规律的分布,例如,间隔连续的两个蓝色LED晶片而设置一个红色(或黄色)光LED晶片;并且所谓有规律的分布并不局限于上述分布与间隔方式,而是可以根据实际情况进行调整与设定。
本实施例中,一对金属电极片(20a、20b)用以作为LED发光装置10的正/负电极,分别设置在载体11的两端并与设置在载体11的两端上的LED晶片12相距至少0.5mm。具体地,金属电极片(20a、20b)包括连为一体的装配部201和连接部(202a、202b)。其中,在装配部201的远离连接部(202a、202b)的一端设置有限位凹槽,载体11的两端借助导电的粘结剂(26a、26b)固定在装配部201的限位凹槽内,并且粘结剂(26a、26b)采用共晶焊、回流焊或高温固化的方式与相应的导体30电连接,即,与设置在载体11的两端上的导体30电连接。粘结剂(26a、26b)可以采用锡膏或高导热高粘合力的银胶等的导电材料制作。借助于装配部201的限位凹槽,不仅可以更准确、更快捷地对金属电极片(20a、20b)进行定位与装配,而且还可以使粘结剂26包覆位于限位凹槽内的载体11的外表面,即,图1H中载体11的垂直于纸面方向的四个侧面,从而可以增加金属电极片(20a、20b)与载体11之间的连接可靠性。
而且,为了识别LED发光装置10两端的极性,将上述一对金属电极片(20a、20b)的两个连接部(202a、202b)的远离装配部201的端部形状设计为不同的形状,以作为LED发光装置10两端的极性标识,如图1I所示。在实际应用中,两个连接部(202a、202b)的远离装配部201的端部形状可以为不同的任意形状,在此不作具体的限定。此外,优选地,装配部201的宽度大于连接部(202a、202b)的宽度,这更有利于金属电极片(20a、20b)的装配。
需要说明的是,虽然在本实施例中,限位凹槽是设置在装配部201的远离连接部(202a、202b)的端部,但是本发明并不局限于此,在实际应用中,还可以将限位凹槽设置在载体11的两端且位于其承载面上,在这种情况下,装配部201的远离连接部(202a、202b)的端部借助上述粘结剂固定在限位凹槽内,并且粘结剂包覆位于限位凹槽内的装配部201的外表面,这同样可以实现更准确、更快捷地对金属电极片(20a、20b)进行定位与装配,以及增加金属电极片(20a、20b)与载体11之间的连接可靠性。
此外,在实际应用中,也可以不在载体11的承载面的两端或者装配部201的远离连接部(202a、202b)的端部设置限位凹槽,而仅借助导电的粘结剂(26a、26b)将金属电极片(20a、20b)固定在载体11的承载面上,且采用共晶焊、回流焊或高温固化的方式与相应的导体电连接,或者,还可以在载体11的承载面的两端设置方形台阶或梯形台阶等的限位结构,以更准确、快捷地对金属电极片(20a、20b)进行定位。
本实施例中,包封结构件13为透明体,且由透明胶和荧光粉混合物材料形成,并且包封结构件13分别包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12、载体11的背离承载面的表面以及载体11的两侧表面的边缘区域;换言之,载体11的两侧表面的中间区域未被包封结构件13包覆,而是暴露在包封结构件13的外面。具体地,包封结构件13采用由两个横截面形状近似为半圆形的两部分组成:第一部分131用于包覆载体11的背离承载面的表面以及载体11的两侧表面的边缘区域(即,图1A中载体11的上表面和与之相邻的两个侧面的上部区域),也就是说,第一部分131用于包覆载体11的背离承载面的表面以及载体11的两侧表面上的与载体11的背离承载面的表面相邻的那一侧的边缘区域;第二部分132用于包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12以及载体11的两侧表面的边缘区域(即,图1A中载体11的下表面和与之相邻的两个侧面的下部区域),也就是说,第二部分132用于包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12以及载体11的两侧表面上的与承载面相邻的那一侧的边缘区域。在实际应用中,包封结构件13在垂直于金属电极片(20a、20b)延伸方向上的截面形状可以为半圆形、椭圆形、方形等。
由于包封结构件13由透明胶和荧光粉混合物材料形成,因此,如图1J所示,LED晶片12所发出的一部分光50b能够透过透明的散热层15、载体11和包封结构件13而输出到该LED发光装置10的外部,并且LED晶片12发出的另一部分光50a能够透过透明的包封结构件13而输出到该LED发光装置10的外部,从而实现多维发光;并且当LED晶片12为蓝光LED晶片时,其所发出的一部分光50b通过透过散热层15、载体11和包封结构件13,且激发包封结构件13中的荧光粉而向外输出白色光,其所发出的另一部分光50a通过透过包封结构件13且激发包封结构件13中的荧光粉而向外输出白色光,从而能够向外输出均匀的白色光。
此外,本实施例提供的LED发光装置10通过借助由透明胶和荧光粉混合物材料形成的包封结构件13将载体11的两侧表面的边缘区域包覆住,可以防止因LED晶片12发出的一部分光直接自载体11的两侧表面的边缘区域输出而导致该边缘区域出现偏色的问题,进而可以保证LED发光装置10能够向各个方位输出均匀的白色光。而且,由于本实施例提供的LED发光装置10并未借助包封结构件13将载体11的全部表面包覆住,而是将载体11的两侧表面的中心区域暴露在包封结构件13之外,这有利于LED晶片12的散热,从而可以使LED晶片12能够适用于更大的驱动电流,进而不仅可以提高单个LED晶片12的光输出量,而且还可以降低LED发光装置的制造成本。
需要说明的是,在本实施例中,包封结构件13分别包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12、载体11的背离承载面的表面以及载体11的两侧表面的边缘区域,但是本发明并不局限于此,在实际应用中,还可以使包封结构件13在垂直于金属电极片(20a、20b)延伸方向的平面内以360°圆心角的覆盖范围将载体11、LED晶片12以及金属电极片(20a、20b)的装配部201完全包覆,如图2A所示。进一步地,为防止因LED晶片12不同发光面所发出的光的强弱不同而激发包封结构件13内的荧光粉发出的光的颜色不一致,可以对包封结构件13的包封位置(即,LED晶片12和载体11的设置位置)作如下限定:使LED晶片12和载体11处于包封结构件13的1/2的偏心位置,即,使LED晶片12的顶部发光面位于包封结构件13的中心位置,如图2B所示。当然,当所要发出的光的颜色作变更时,其包封结构件13的包封位置可根据需要作相应的细微调整,在此不作明确的限定。此外,包封结构件13的形状沿垂直于金属电极片(20a、20b)延伸方向而得到的截面的形状可以为圆形、方形、椭圆形、菱形等形状,只要该包封结构件13能够在垂直于金属电极片(20a、20b)延伸方向的平面内以360°圆心角的覆盖范围将载体11、LED晶片12以及金属电极片(20a、20b)的装配部201完全包覆即可。
还需要说明的是,在本实施例中,仅在载体11上设置有一排LED晶片12,但是本发明并不局限于此,在实际应用中,载体的宽度可以更宽,并且可以在载体上设置多排LED晶片,每一排LED晶片的装置方式与上述实施例相类似,且各排LED晶片可以通过与相应的导体采用共晶焊的方式电连接而实现电性连接,最后由设置在载体两端的LED晶片经由导体连接到金属电极片(20a、20b),以便于实现对外的电性连接。在实际应用中,对LED发光装置中的载体的长度和宽度不作限定,并且对于载体上的LED晶片的排数也不作限定。
第二实施例
请参阅图3A和图3B,其中示出本发明第二实施例提供的LED发光装置的结构。类似于前述第一实施例,第二实施例提供的LED发光装置10包括载体11、多个LED晶片12、一对金属电极片(20a、20b)以及用于包覆载体11、多个LED晶片12和一对金属电极片(20a、20b)的包封结构件13。
其中,载体11的材料及其表面的粗化反射层28的形成方式及外观形状、多个LED晶片12彼此之间以及LED晶片12与金属电极片(20a、20b)之间的电性连接方式、包封结构件13的截面形状等均类似于前述第一实施例,在此不再赘述。
下面详细说明第二实施例不同于第一实施例的部分。
在第二实施例中,在间隔连续的两个导体30上形成有朝向彼此延伸的两个凸部32,并且两个凸部32位于间隔连续的两个导体30之间的LED晶片12的两侧,如图3B所示。借助凸部32,可以防止LED晶片12发出的一部分光直接自载体11的两侧表面的边缘区域输出,而是可以经由凸部32的阻挡而发生折射,以自其它方位输出,从而可以避免LED发光装置10在载体11的两侧表面的边缘区域出现偏色的情况,进而保证LED发光装置10能够向各个方位输出均匀的光。优选地,两个凸部32在间隔连续的两个导体30之间的长度可以在不与相应的导体30相接触的前提下尽量增长,以最大程度地阻挡LED晶片12自载体11的两侧表面的边缘区域输出的光。此外,当LED晶片12为蓝光或蓝光和红光的混合光的LED晶片时,散热层15应采用由透明胶和荧光粉混合物材料制作,以保证LED晶片12自载体11的两侧表面的边缘区域输出的光为白色光,从而可以保证LED发光装置10能够向各个方位输出均匀的白色光。
本实施例中,在垂直于金属电极片(20a、20b)延伸方向的截面内,包封结构件13以圆心角为180°的包覆角度在周向方向上分别包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12以及载体11的背离承载面的表面,换言之,载体11的两侧表面未被包封结构件13包覆,而是暴露在包封结构件13的外面。具体地,包封结构件13采用由两个横截面形状为半圆形的两部分组成:第一部分131以圆心角为180°的包覆角度包覆载体11的背离承载面的表面;第二部分132以圆心角为180°的包覆角度包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12。由此可知,本实施例中的包封结构件13与第一实施例相比,二者的区别在于:不仅载体11的两侧表面的中心区域暴露在包封结构件13之外,而且载体11的两侧表面的边缘区域也暴露在包封结构件13之外,也就是说,载体11的两侧表面完全暴露在包封结构件13之外,而且,由于上述凸部32可以防止出现LED晶片12发出的一部分光直接自载体11的两侧表面的边缘区域输出的情况,因而可以在保证LED发光装置10能够向各个方位输出均匀的光的基础上,实现进一步提高LED晶片12的散热效率。此外,由于包封结构件13仅需包覆载体11的承载面及其上固定的LED晶片12以及载体11的背离承载面的表面,这在一定程度上简化了包封结构件13的结构,从而可以简化包封结构件13的制作过程,进而可以在一定程度上降低LED发光装置10的加工成本。
可以理解的是,在实际应用中,可以根据实际需要确定是否使散热层、包封结构件和/或载体中包含荧光粉。另外,在本申请中,透明的散热层、包封结构件和/或载体是指LED晶片发出的光能够穿透散热层、包封结构件和/或载体。
还可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种LED发光装置,其特征在于,包括:透明基板、多个LED晶片、包封结构件和一对电极;其中
所述透明基板的承载面上设置有导体;
所述多个LED晶片固定设置在所述透明基板的承载面上,并沿所述一对电极的延伸方向排列,且所述多个LED晶片通过所述导体实现彼此间的电连接;
所述包封结构件为透明体,且至少包覆所述透明基板的承载面及其上固定的所述LED晶片、所述透明基板的背离所述承载面的表面;
所述一对电极中的正电极/负电极与所述多个LED晶片中处于电流传输最上游/最下游的LED晶片电连接,且与所述透明基板的两端物理连接并延伸至所述包封结构件的外部。
2.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于,所述包封结构件由第一部分和第二部分这两部分组成,所述第一部分和第二部分在垂直于所述一对电极的延伸方向的横截面内的截面形状为半圆形,所述第一部分用于包覆所述透明基板的背离所述承载面的表面以及所述透明基板的两侧表面上的与所述透明基板的背离所述承载面的表面相邻的那一侧的边缘区域,所述第二部分用于包覆所述透明基板的承载面及其上固定的LED晶片以及所述透明基板的两侧表面上的与所述承载面相邻的那一侧的边缘区域,使得所述透明基板的两侧表面的中间区域未被所述包封结构件包覆。
3.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于,所述包封结构件由第一部分和第二部分这两部分组成,所述第一部分和第二部分在垂直于所述一对电极的延伸方向的横截面内的截面形状为半圆形,所述第一部分以圆心角为180°的包覆角度包覆所述透明基板的背离所述承载面的表面,所述第二部分以圆心角为180°的包覆角度包覆所述透明基板的承载面及其上固定的LED晶片,使得所述透明基板的两侧表面未被所述包封结构件包覆。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的LED发光装置,所述包封结构件的材料为透明胶和荧光粉的混合物。
5.根据权利要求4所述的LED发光装置,其特征在于,所述一对电极为一对金属电极片,每个所述金属电极片包括彼此连为一体的装配部和连接部,其中
所述装配部借助导电的粘结剂与所述透明基板的承载面的两端粘结在一起,并且所述粘结剂采用共晶焊、回流焊或高温固化的方式与相应的所述导体电连接;
所述一对金属电极片的连接部的远离所述装配部的端部形状不同。
6.根据权利要求5所述的LED发光装置,其特征在于,在所述透明基板的两端且位于其承载面上形成有限位凹槽,所述装配部借助所述粘结剂固定在所述限位凹槽内,并且所述粘结剂包覆位于所述限位凹槽内的所述装配部的外表面;或者
在所述装配部的远离所述连接部的端部设置有限位凹槽,所述透明基板的两端借助所述粘结剂固定在所述限位凹槽内,并且所述粘结剂包覆位于所述限位凹槽内的所述透明基板的外表面。
7.根据权利要求6所述的LED发光装置,其特征在于,所述装配部的宽度大于所述连接部的宽度。
8.根据权利要求4所述的LED发光装置,其特征在于,在所述透明基板的承载面与所述LED晶片的结合面之间形成有透明且导热的散热层,用以与所述LED晶片进行热交换,所述散热层的材料包括硅胶、环氧胶、硅树脂和改性树脂中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的LED发光装置,其特征在于,所述LED晶片的数量为N,所述导体的数量为N+1,且所述N个LED晶片沿所述一对电极的延伸方向与所述N+1个导体相间设置;其中,N为大于1的整数;
在每个所述LED晶片的结合面的两端设置有晶片焊点,对应地在与该LED晶片相邻的两个所述导体的两端设置有线路焊点,并且所述晶片焊点与线路焊点的形状相对应;
每个所述LED晶片和与之相邻的两个所述导体通过将所述晶片焊点和线路焊点采用共晶焊的方式焊接而电连接。
10.根据权利要求9所述的LED发光装置,其特征在于,对于每一个所述导体而言,在其与相邻的导体相对的表面的边缘区域形成有朝向该相邻的导体延伸的凸部,所述凸部位于所述LED晶片的外侧。
CN201510365882.6A 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置 Active CN104966773B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510365882.6A CN104966773B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510365882.6A CN104966773B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置
CN201310024997.XA CN103943616B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310024997.XA Division CN103943616B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104966773A true CN104966773A (zh) 2015-10-07
CN104966773B CN104966773B (zh) 2018-03-09

Family

ID=51191211

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510365882.6A Active CN104966773B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置
CN201310024997.XA Active CN103943616B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310024997.XA Active CN103943616B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 一种led发光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9679879B2 (zh)
EP (1) EP2950343B1 (zh)
JP (1) JP6183470B2 (zh)
CN (2) CN104966773B (zh)
WO (1) WO2014114242A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104505452A (zh) * 2014-11-14 2015-04-08 浙江英特来光电科技有限公司 一种回流焊式led灯丝
CN104505453B (zh) * 2014-11-14 2017-08-25 浙江英特来光电科技有限公司 一种无焊线led灯丝
TWI651491B (zh) * 2015-07-23 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
DE102016105211A1 (de) 2016-03-21 2017-09-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament und dessen Herstellung sowie Leuchtmittel mit Filamenten
DE102017102044A1 (de) * 2017-02-02 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Filament
DE102018118822A1 (de) 2018-08-02 2020-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtfadenvorrichtung und verfahren zur herstellung einer leuchtfadenvorrichtung
CN109300797A (zh) * 2018-11-21 2019-02-01 山东农业工程学院 一种深腔无引线芯片共晶焊接装置及方法
DE102019106931A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement, optoelektronische Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US11777065B2 (en) * 2020-05-29 2023-10-03 X Display Company Technology Limited White-light-emitting LED structures

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101621105A (zh) * 2009-07-30 2010-01-06 宁波晶科光电有限公司 Led倒装芯片集成封装方法及采用该方法封装的led
CN202281062U (zh) * 2011-08-29 2012-06-20 浙江锐迪生光电有限公司 一种LED芯片4π出光的高显色指数LED灯泡
CN102664229A (zh) * 2012-06-05 2012-09-12 泉州万明光电有限公司 一种发光二极体光源结构
US20120299022A1 (en) * 2011-02-16 2012-11-29 Hussell Christopher P Light emitting devices and methods

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5445608A (en) * 1993-08-16 1995-08-29 James C. Chen Method and apparatus for providing light-activated therapy
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7221044B2 (en) * 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
JP2007081234A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Toyoda Gosei Co Ltd 照明装置
TW200828632A (en) * 2006-12-28 2008-07-01 Yu-Nung Shen Package body of luminous source
JP4986735B2 (ja) * 2007-06-25 2012-07-25 京セラ株式会社 照明用光源
JP2009263531A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体用熱硬化性組成物、光半導体素子用封止剤、光半導体素子用ダイボンド材、光半導体素子用アンダーフィル材及び光半導体素子
JP5322801B2 (ja) * 2009-06-19 2013-10-23 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5102815B2 (ja) * 2009-08-31 2012-12-19 日立電線株式会社 光電気複合配線モジュールおよびその製造方法
US20120043886A1 (en) * 2010-08-18 2012-02-23 Hua Ji Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module
US8198109B2 (en) * 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
DK2535640T4 (da) 2010-09-08 2020-09-28 Zhejiang Ledison Optoelectronics Co Ltd LED-pære og LED-belysningsliste til udsendelse af lys over 4 PI
CN202281057U (zh) * 2011-05-11 2012-06-20 浙江锐迪生光电有限公司 一种LED芯片4π出光的高效率LED发光管
JP2012146738A (ja) * 2011-01-07 2012-08-02 Stanley Electric Co Ltd Ledモジュール及びledランプ
JP5074639B1 (ja) * 2011-07-22 2012-11-14 パナソニック株式会社 ランプ及び照明装置
CN202259395U (zh) 2011-09-07 2012-05-30 王元成 一种led光源
CN202493931U (zh) 2012-02-15 2012-10-17 李彬斌 一种低阻散热型led灯泡
CN203134856U (zh) * 2013-01-22 2013-08-14 浙江中宙照明科技有限公司 一种led发光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101621105A (zh) * 2009-07-30 2010-01-06 宁波晶科光电有限公司 Led倒装芯片集成封装方法及采用该方法封装的led
US20120299022A1 (en) * 2011-02-16 2012-11-29 Hussell Christopher P Light emitting devices and methods
CN202281062U (zh) * 2011-08-29 2012-06-20 浙江锐迪生光电有限公司 一种LED芯片4π出光的高显色指数LED灯泡
CN102664229A (zh) * 2012-06-05 2012-09-12 泉州万明光电有限公司 一种发光二极体光源结构

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014114242A1 (zh) 2014-07-31
EP2950343A4 (en) 2016-08-24
EP2950343B1 (en) 2020-07-01
US20150364452A1 (en) 2015-12-17
CN104966773B (zh) 2018-03-09
CN103943616B (zh) 2017-04-12
CN103943616A (zh) 2014-07-23
EP2950343A1 (en) 2015-12-02
JP6183470B2 (ja) 2017-08-23
JP2016509752A (ja) 2016-03-31
US9679879B2 (en) 2017-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104966773A (zh) 一种led发光装置
CN103939758A (zh) 一种led照明装置
CN203205453U (zh) 一种半导体发光芯片、及半导体照明灯具
CN102694102B (zh) 发光二极管封装结构及其制造方法、以及光源装置
CN201293282Y (zh) Led支架和led发光结构
CN103840071A (zh) 一种led灯条制作方法及led灯条
CN201868429U (zh) 一种内嵌式发光二极管封装结构
CN203273326U (zh) 一种led照明装置
CN103824926B (zh) 一种多芯片led封装体的制作方法
CN203192844U (zh) 发光二极管封装结构
CN113053864B (zh) 一种半导体双层阵列倒装封装结构及其封装方法
CN110165035B (zh) 一种半导体二极管芯片封装结构的制作方法
CN102364684B (zh) 一种led模组及其制造工艺
CN203134856U (zh) 一种led发光装置
CN103887294A (zh) 一种led发光装置及其制造方法
CN105720048A (zh) 一种无焊线高显指led灯丝的封装方法及无焊线高显指led灯丝
CN102280555A (zh) 一种发光二极管及其制造方法
CN205028918U (zh) 一种led支架及led封装体
CN103456866A (zh) 一种全方位发光的倒装led芯片
CN208538851U (zh) 多面键合led灯丝
CN103219329A (zh) 发光二极管装置及其制造方法
CN206992109U (zh) 一种户外大间距led器件及led显示屏
CN206163520U (zh) 一种led封装支架及led发光体
CN201732811U (zh) 一种无焊金线的led封装结构
CN205194734U (zh) 一种带有电路结构的高反射金属基led模块

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230607

Address after: 334000 West of Huaxing Road, north of Tonghui Road, Chating Economic Development Zone, Guangxin District, Shangrao City, Jiangxi Province

Patentee after: Shangrao Smart Guangcai Technology Co.,Ltd.

Address before: Room 1302, Unit 3, Zizhuyuan, Lvyuan, Xihu District, Hangzhou City, Zhejiang Province, 310012

Patentee before: Zhejiang Zhongzhou Lighting Technology Co.,Ltd.