CN202493931U - 一种低阻散热型led灯泡 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种低阻散热型LED灯泡，包括金属基座、设于金属基座上的LED芯片以及设于金属基座上的封装胶体，LED芯片与金属基座通过金属导线连接，所述LED芯片与金属基座之间设有一金属合金层，本实用新型采用FeNi合金层作为缓冲层降低热错配应力，能更好的保证大功率LED灯泡的功效和使用寿命。

Description

一种低阻散热型LED灯泡
技术领域
本实用新型属于LED半导体照明技术领域，特别涉及的是一种低阻散热型LED灯泡。
背景技术
对于大功率的LED器件而言，尽可能减少传热回路中的热沉数量是降低热阻的一个重要途径，即LED芯片直接封装在金属散热器上，然而，由于LED芯片与金属材料之间的热膨胀系数不匹配，两者受热收会产生热错配应力，会导致LED器件发光失效或者热导热效果减弱等不良后果。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种降低热错配应力的低阻散热型LED灯泡。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种低阻散热型LED灯泡，包括金属基座、设于金属基座上的LED芯片以及设于金属基座上的封装胶体，LED芯片与金属基座通过金属导线连接，所述LED芯片与金属基座之间设有一金属合金层。
所述金属合金层为FeNi合金层。
所述金属合金层电镀设置于金属基座上。
所述金属合金层与LED芯片采用共晶焊接的方式连接。
所述金属合金层的厚度为3微米。
通过采用上述的技术方案，本实用新型的有益效果是：本实用新型采用FeNi合金层作为缓冲层降低热错配应力，能更好的保证大功率LED灯泡的功效和使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型的一种低阻散热型LED灯泡，包括金属基座1、设于金属基座1上的LED芯片2以及设于金属基座1上的封装胶体5，LED芯片2与金属基座1通过金属导线4连接，所述LED芯片2与金属基座1之间设有一金属合金层3，所述金属合金层3为电镀设置于金属基座1上。的FeNi合金层，该Fe Ni合金层厚度为3微米，其与LED芯片2采用共晶焊接的方式连接，其能更好的保证大功率LED灯泡的功效和使用寿命。
以上所述的仅为本实用新型的一较佳实施例而已，不能限定本实用新型实施的范围，凡是依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与装饰，皆应仍属于本实用新型涵盖的范围内。

Claims (5)

1.一种低阻散热型LED灯泡，包括金属基座(1)、设于金属基座(1)上的LED芯片(2)以及设于金属基座(1)上的封装胶体(5)，LED芯片(2)与金属基座(1)通过金属导线(4)连接，其特征在于：所述LED芯片(2)与金属基座(1)之间设有一金属合金层(3)。
2.根据权利要求1所述的低阻散热型LED灯泡，其特征在于：所述金属合金层(3)为FeNi合金层。
3.根据权利要求1或2所述的低阻散热型LED灯泡，其特征在于：所述金属合金层(3)电镀设置于金属基座(1)上。
4.根据权利要求1或2所述的低阻散热型LED灯泡，其特征在于：所述金属合金层(3)与LED芯片(2)采用共晶焊接的方式连接。
5.根据权利要求1所述的低阻散热型LED灯泡，其特征在于：所述金属合金层(3)的厚度为3微米。 
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WO2014114242A1 (zh) * 2013-01-22 2014-07-31 浙江中宙照明科技有限公司 一种led发光装置

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