CN101696779A - 一种有效降低封装热阻大功率led灯 - Google Patents

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Abstract

本发明所要解决的技术问题是提供一种有效降低封装热阻大功率LED灯，具有新型的结构，降低热错配应力，而又不大幅增加热沉厚度。技术方案为：一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座和封装在金属基座上的LED芯片以及金属导线、封装胶体，金属基座与LED芯片之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层。所述热沉缓冲层为电镀设置于金属基座上的FeNi合金层。所述FeNi合金层厚度为2-5微米。LED芯片与热沉缓冲层采用共晶焊接的方式连接。FeNi合金层含有36％的Ni。金属基座1选择导热性能较好的铜材料。本发明的一种有效降低封装热阻大功率LED灯新型结构有效降低热错配应力，保证大功率LED灯的功效和使用寿命。

Description

一种有效降低封装热阻大功率LED灯
技术领域
本发明涉及LED照明装置，具体为一种有效降低封装热阻大功率LED灯。
背景技术
对于大功率LED器件而言，尽可能减少传热回路中的热沉数量是降低热阻的一个重要途径，即芯片直接封装在金属散热器上。然而，由于LED芯片与金属材料之间热膨胀系数的不匹配，两者受热后会产生热错配应力，会导致LED器件发光失效或者导热效果减弱等不良后果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种有效降低封装热阻大功率LED灯，具有新型的结构，降低热错配应力，而又不大幅增加热沉厚度。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：
一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座和封装在金属基座上的了的LED芯片以及金属导线、封装胶体，金属基座与LED芯片之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层。
所述热沉缓冲层为电镀设置于金属基座上的FeNi合金层。
所述FeNi合金层厚度为2-5微米。
LED芯片与热沉缓冲层采用共晶焊接的方式连接。
FeNi合金层含有36％的Ni。
金属基座1选择导热性能较好的铜材料。
本发明的有益效果在于：设置了FeNi合金层作为热沉缓冲层，降低热错配应力，而又不大幅增加热沉厚度，特别是FeNi合金层含有36％的Ni，的选择，选用含有36％的Ni的这一合金，效果最佳的。这种成分比的合金，称之为因瓦合金，也称为殷钢，其热膨胀系数很低，趋近于零。另外是结合共晶焊工艺，更加有效降低热错配应力，保证大功率LED灯的功效和使用寿命。
附图说明
图1、本发明一种有效降低封装热阻大功率LED灯结构示意图。
具体实施方式
如图1所示的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座1和封装在金属基座1上的了的LED芯片2以及金属导线4、封装胶体5，金属基座1与LED芯片2之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层3。
所述热沉缓冲层3为电镀设置于金属基座1上的FeNi合金层。
所述FeNi合金层厚度为2-5微米。
FeNi合金层含有36％的Ni。
LED芯片2与热沉缓冲层3采用共晶焊接的方式连接。
金属基座1选择导热性能较好的铜材料。
本发明不仅局限于上述最佳实施方式，任何人在本发明的启示下都可得出其他各种形式的产品，但不论在其形状或结构上作任何变化，凡是具有与本发明相同或相近似的技术方案，均在其保护范围之内。

Claims (5)

1.一种有效降低封装热阻大功率LED灯，包括金属基座(1)和封装在金属基座(1)上的了的LED芯片(2)以及金属导线(4)、封装胶体(5)，其特征在于：金属基座(1)与LED芯片(2)之间设有用于缓冲LED芯片与金属基座之间的热错配应力的热沉缓冲层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于：所述热沉缓冲层(3)为电镀设置于金属基座(1)上的FeNi合金层。
3.根据权利要求2所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于：所述FeNi合金层厚度为2-5微米。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于，LED芯片(2)与热沉缓冲层(3)采用共晶焊接的方式连接。
5.根据权利要求2或3所述的一种有效降低封装热阻大功率LED灯，其特征在于：FeNi合金层含有36％的Ni。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106168334A (zh) * 2016-08-24 2016-11-30 广州共铸科技股份有限公司 Led光源组件、车灯散热模块和汽车led前大灯系统
CN106169448A (zh) * 2016-07-26 2016-11-30 昆山华太电子技术有限公司 一种高导热的功率器件封装
CN111564417A (zh) * 2020-05-22 2020-08-21 甬矽电子(宁波)股份有限公司 一种ic封装结构和ic封装方法

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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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