CN104950601A - 一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法，按重量百分比计，清洗剂的原料配方为：无机碱 1%~30%；分散剂 0.1%~10%；渗透剂0.001%~5%；水55%~98.899%。本发明的清洗剂可在室温下，仅需要3~5分钟将待清洗的掩膜版表面光刻胶及亚克力胶完全去除，除胶效果上远远优于现有技术最好水平；本发明的清洗剂体系为碱性介质，与酸性体系比较，清洗设备的材质的选择范围更宽；本发明的清洗剂没有选用常规的有机极性和非极性溶剂，而是通过选用无机碱、分散剂与渗透剂的巧妙设计搭配，不仅去胶效果极好，而且废液的COD值小于200，清洗剂更加环保。

Description

一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种掩膜版用清洗剂、其应用以及掩膜版的清洗方法。
背景技术
光掩膜用于芯片制造，主要用于IC芯片、TFT-LCD、OLED等电子行业。光掩膜所起的作用类似于底片之于相片，图形通过掩膜版在芯片上多次曝光、显影，得到需要的光刻胶图案。掩膜版在多次曝光中出现光刻胶等脏污，必须完全洗净。
申请号为201310119808.7的中国专利提供了一种简易清洗掩膜版的方法，该发明使用浓硫酸和双氧水清洗，众所周知，浓硫酸与双氧水配制过程中反应剧烈，十分危险，且后段对清洗设备材质有极高的要求；同时该专利需要在100℃以上浸泡数十分钟，清洗温度过高，时间过长。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种可大规模清洗光掩膜版且环保的清洗剂，该清洗剂在温和的温度条件下进行短时间清洗即可完全去除掩膜版表面的残胶。
为解决上述技术问题，本发明采取如下技术方案：
一种掩膜版用清洗剂，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
优选地，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
进一步优选地，按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
优选地，所述的无机碱为选自碳酸钠、碳酸钾、硅酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾中的任意一种或多种的组合。
优选地，所述的分散剂为选自润湿分散剂、分散剂AP、分散剂AR、聚羧酸类阻垢分散剂中的任意一种或多种的组合。
优选地，所述的渗透剂为选自渗透剂JFC、快速渗透剂T、耐碱渗透剂OEP-70、渗透剂OE-35、低泡渗透剂SF中的任意一种或多种的组合。
一种所述的掩膜版用清洗剂在掩膜版的清洗中的应用。
一种所述的掩膜版用清洗剂在去除掩膜版表面的残胶中的应用。
一种采用所述的清洗剂对掩膜版进行清洗的清洗方法，在0℃～40℃下，用所述的清洗剂对待清洗的掩膜版进行浸泡清洗、喷淋清洗或超声清洗3～5分钟，得到清洗后的掩膜版。
优选地，在20℃～30℃下进行所述的清洗。
优选地，在采用所述的清洗剂对所述的待清洗的掩膜版进行清洗后，用水进行进一步清洗，清洗完成后用氮气吹干即得所述的清洗后的掩膜版。
由于以上技术方案的实施，本发明与现有技术相比具有如下优势：
本发明的清洗剂可在室温下，仅需要3～5分钟将待清洗的掩膜版表面光刻胶及亚克力胶完全去除，除胶效果上远远优于现有技术最好水平；本发明的清洗剂体系为碱性介质，与酸性体系比较，清洗设备的材质的选择范围更宽；本发明的清洗剂没有选用常规的有机极性和非极性溶剂，而是通过选用无机碱、分散剂与渗透剂的巧妙设计搭配，不仅去胶效果极好，而且废液的COD值小于200，清洗剂更加环保。
具体实施方式
本发明所要解决的问题是提供一种稳定的、清洗效果好的环保清洗剂。对清洗剂的配方进行综合设计是解决该问题的关键，具体地，组成清洗剂的每一个组份及组份的具体种类选择以及用量对最终清洗剂的性能和成本都会造成影响。
本发明中，清洗剂由无机碱、渗透剂、分散剂及水组成。有效量的无机碱可使光刻胶、亚克力胶分子键断裂、崩解；无机碱的用量不可过高，过高会腐蚀掩膜版，过低则会清洗不净。渗透剂可加速清洗剂渗透到光刻胶、亚克力胶层中，使胶从掩膜版表面加速脱落；渗透剂量不可过高，过高则清洗剂成本增加，过低则胶从掩膜版表面脱落困难。分散剂可将脱落的胶分散成小颗粒状，随组份中的水带走，从而防止残胶反沾污掩膜版和堵塞管道。分散剂过多导致清洗剂体系粘度过大，清洗效果下降，过低则分散效果不好，掩膜版出现反沾污现象，同时大块残胶积累可能会堵塞管道。
以下结合具体实施例对本发明做进一步详细说明。应理解，这些实施例用于说明本发明的基本原理、主要特征和优点，而本发明不受以下实施例的限制。实施例中采用的实施条件可以根据具体要求做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。以下“％”为质量百分含量。
表1中列出了实施例1至11的原料组分比例及实验结果，各清洗剂的配制步骤如下：按表1所列配比将无机碱、渗透剂、分散剂、水加入，搅拌均匀即可。
表1中所有原料除水外均商购获得，其中：
无机碱为碳酸钠。
润湿分散剂、聚羧酸类阻垢分散剂分别从海安石油化工厂和山东泰和水处理公司购得。
快速渗透剂T、低泡渗透剂SF从华思表面活性剂公司购得。
采用上述配制的实施例1～10的清洗剂，常温(25±5℃)下对待清洗的掩膜版进行清洗，浸泡、超声波或喷淋3分钟，之后用纯水清洗，氮气吹干，之后观察掩膜版表面清洗情况，进而评价清洗剂的性能。
表1
以上对本发明做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1. 一种掩膜版用清洗剂，其特征在于：按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
无机碱        1%~30%；
分散剂        0.1%~10%；
渗透剂        0.001%~5%；
水            55%~98.899%。
2. 根据权利要求1所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：按重量百分比计，所述的清洗剂的原料配方为：
无机碱        10%~30%；
分散剂        0.3%~6%；
渗透剂        0.8%~3%；
水            61%~88.9%。
3. 根据权利要求1或2所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：所述的无机碱为选自碳酸钠、碳酸钾、硅酸钠、氢氧化钠、氢氧化钾中的任意一种或多种的组合。
4. 根据权利要求1或2所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：所述的分散剂为选自润湿分散剂、分散剂AP、分散剂AR、聚羧酸类阻垢分散剂中的任意一种或多种的组合。
5. 根据权利要求1或2所述的掩膜版用清洗剂，其特征在于：所述的渗透剂为选自渗透剂JFC、快速渗透剂T、耐碱渗透剂OEP-70、渗透剂OE-35、低泡渗透剂SF中的任意一种或多种的组合。
6. 一种如权利要求1至5中任一项所述的掩膜版用清洗剂在掩膜版的清洗中的应用。
7. 一种如权利要求1至5中任一项所述的掩膜版用清洗剂在去除掩膜版表面的残胶中的应用。
8. 一种采用如权利要求1至5中任一项所述的清洗剂对掩膜版进行清洗的清洗方法，其特征在于：在0℃~40℃下，用所述的清洗剂对待清洗的掩膜版进行浸泡清洗、喷淋清洗或超声清洗3~5分钟，得到清洗后的掩膜版。
9. 根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于：在20℃~30℃下进行所述的清洗。
10. 根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于：在采用所述的清洗剂对所述的待清洗的掩膜版进行清洗后，用水进行进一步清洗，清洗完成后用氮气吹干即得所述的清洗后的掩膜版。
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