CN104950429A - 包括用于提供多次成像和测量能力的可插入组件的3d显微镜 - Google Patents

包括用于提供多次成像和测量能力的可插入组件的3d显微镜 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种包括用于提供多次成像和测量能力的可插入组件的3D显微镜。一种三维(3D)显微镜包括有助于多次成像和测量能力的多个可插入的组件。这些能力包括Nomarski成像、偏振光成像、定量差分干涉对比度(q-DIC)成像、机动偏振光成像、相移干涉测量法(PSI)以及垂直扫描干涉测量法(VSI)。

Description

包括用于提供多次成像和测量能力的可插入组件的3D显微镜
本发明专利申请是国际申请日为2011年12月22日、中国国家阶段申请号为201180064272.2、题为“包括用于提供多次成像和测量能力的可插入组件的3D显微镜”的发明专利申请的分案申请。
相关申请
本申请要求2011年1月7日提交的名称为“3D Imaging and MetrologySystem(3D成像和测量系统)”的美国临时申请61/430,937的优先权。
发明背景
发明领域
本发明涉及光学成像和测量系统，更具体地涉及包括有助于多次成像和测量能力的可插入组件的三维(3D)显微镜，包括Nomarski成像、偏振光成像、定量差分干涉对比度(q-DIC)成像、机动偏振光成像、相移干涉测量法(PSI)以及垂直扫描干涉测量法(VSI)。
相关技术
常规显微镜使操作者能够观看样品上对肉眼不可见的微小特征的放大图像。因此，常规显微镜已在大学、研究机构以及许多工厂中被广泛使用。然而，常规显微镜具有显著的限制。具体而言，常规显微镜仅提供样品的二维(2D)图像，而在真实世界中，大多数样品本质上是3D的。因此，产生了对用于捕获那些样品的图像的3D显微镜的需求。
发明内容
提供了能够产生3D图像的显微镜照明装置。该显微镜照明装置包括形成第一光路的部分的第一光源、形成第二光路的第二光源和一组物品。该组物品可包括多个有图案的物品、以及通孔和销孔中的一个。第一和第二光路可具有共享的一组组件，可包括第一分束器、透镜组以及分束器集合。
第一光源可将光引导到第一分束器上，第二光源可经由该一组物品中的一个将光引导到所述第一分束器上。一个物品的表面可位于所述透镜组的有效焦平面处。该透镜组可经由分束器集合在显微镜物镜的入射光瞳处对第一光源和第二光源成像。分束器集合可包括第二分束器和安装在第一直线滑块上的一对分束器，该第一直线滑块连接至第一拉杆。
该显微镜照明装置可进一步包括聚焦透镜和多引脚连接器。分束器集合和聚焦透镜可形成第三光路的部分，用于将光引导至外部连接器。多引脚连接器可电气地连结至第一和第二光源。
该组物品可安装在第二直线滑块上，该第二直线滑块连接至第二拉杆。每个有图案的物品可以是具有形成在其一个表面上的图案的透明材料。在一个实施例中，第一和第二光源是发光二极管(LED)。
用于该显微镜照明装置的外壳可包括插槽，该插槽用于插入多个组件中的一个，其中在插入时，每个组件被定位以形成第一和第二光路的部分。组件之一可以是包括可调节起偏器的起偏器组装件。对于Nomarski成像而言，该起偏器被设置于固定的取向，而第二直线滑块被定位以使得有图案的物品或通孔中的一个在第一光路中。对于偏振光成像应用而言，该起偏器的取向是可调节的，并且第二直线滑块被定位以使得有图案的物品或通孔中的一个在第二光路中。
组件中的另一个可以是包括起偏器的组装件，该起偏器具有机动转子和四分之一波片，其中机动转子连接至多引脚连接器。机动转子可通过配方被远程控制，该配方是基于观测类型和特定样品成像的。对于定量差分干涉对比度(q-DIC)，使起偏器步进经过具有预定相移的预定数量的连续步骤。在一个实施例中，组件中的另一个可以是波长滤光器组装件，包括通孔和窄带滤光器。
还提供了一种3D显微镜。该3D显微镜可包括能够产生样品的3D图像的照明装置，该照明装置包括用于第一组件的第一插槽。转台可被安装在照明装置上，其中转台可包括用于第二组件的第二插槽。物镜可被安装在转台上。镜筒透镜和适配器可被安装在照明装置上，其中适配器可包括用于第三组件的的第三插槽。光学传感器和光学传感器耦合器可被安装在镜筒透镜和适配器上，其中光学传感器可被配置以采集样品的图像。包括处理器，该处理器用于控制照明装置和光学传感器，其中第一、第二和第三组件有助于Nomarski成像，并且第一和第三组件有助于偏振光成像。
光学传感器可包括电荷耦合器件(CCD)相机或互补金属氧化物半导体(CMOS)相机。光学传感器耦合器可为光学传感器提供多个放大率。光谱仪可耦合至照明装置，其中用于光谱仪的光经由与通向光学传感器的成像路径无关的路径被收集。该3D显微镜还可包括聚焦调节装置，该聚焦调节装置提供对样品的多个Z步骤调节。在一个实施例中，该聚焦调节装置可被安装在样品卡盘和转台中的一个上。
物镜可包括安装在转台上的迈克尔逊(Michelson)干涉物镜和/或Mirau干涉物镜。对于垂直扫描干涉测量法(VSI)，第一组件可包括与通孔一起被定位在照明光路中的滤光器组装件，并且定位装置可被配置以在Z方向上移动样品同时光学传感器捕获干涉图，由此创建样品的真彩色3D图像。对于相移干涉测量法(PSI)，第一组件可包括与滤光器一起被定位在照明光路中的滤光器组装件，并且定位装置可被配置以进行四次相移移动，同时光学传感器捕获四个干涉图。当转台旋转以在无物镜的情况下操作时，转台可将3D显微镜转换成自动准直器。
还提供了一种对有图案的衬底样品进行3D成像或测量的方法。该方法可包括在预定步骤改变具有图形的衬底样品与物镜之间的相对距离。在第一预定步骤，可将有图案的物品的图像投射到物镜的焦平面上。可捕获具有与有图案的物品和样品相关联的图案的第一图像，然后将其存储在第一图像阵列中。在第二预定步骤，可捕获样品的第二图像并将其存储在第二图像阵列中，该第二图像不具有与有图案的样品相关联的图案，其中第二预定步骤具有与第一预定步骤不同数量的步骤。可分析第一和第二图像至3D图像或测量有图案的衬底样品。
第二预定步骤的数量可少于第一预定步骤的数量。第一和第二预定步骤可被分配至特定高度。第一和第二预定步骤可跳过样品的预定高度。第一和第二预定步骤中的至少一个可具有不均匀的步骤。
还提供了一种对有图案的衬底样品进行3D成像或测量的方法。在该方法中，可按照预定步骤改变有图案的衬底样品与物镜之间的相对距离。在第一预定步骤，可将有图案的物品的图像投射到物镜的焦平面上。可捕获具有与有图案的物品和样品相关联的图案的第一图像，然后将其存储在第一图像阵列中。在第二预定步骤，可捕获样品的第二图像并将其存储在第二图像阵列中，该第二图像不具有与有图案的样品相关联的图案，其中第二预定步骤具有与第一预定步骤不同数量的步骤。可分析第一和第二图像至3D图像或测量有图案的衬底样品。该方法还可包括执行向下扫描和向上扫描以确定下降效应(drooping effect)，然后提供所得的在分析第一和第二图像时的步骤高度值。
还提供了一种重新定位样品以最小化倾斜的方法。在该方法中，可开启3D显微镜的光源，其中该光源通过销孔，然后将3D显微镜转换成自动准直器。当销孔的图像落在视野中时，可调节该3D显微镜的载台的尖端/倾斜机构，使得销孔图像与否则为漆黑的视野上的预定义圆圈重合，由此完成对准。当销孔的图像落在视野之外时，可基于使销孔的图像进入视野的过程来进行一次3D成像采集过程和载台的调节。然后，可调节3D显微镜的载台的尖端/倾斜机构，使得销孔图像与否则为漆黑的视野上的预定义圆圈重合，由此完成对准。
还提供了另一种重新定位样品以最小化倾斜的方法。在该方法中，可开启3D显微镜的光源，其中该光源通过销孔，然后可将3D显微镜转换成自动准直器。当销孔的图像落在视野中时，可调节该3D显微镜的载台的尖端/倾斜机构，使得销孔图像与否则为漆黑的视野上的预定义圆圈重合，由此完成对准。当销孔的图像落在视野之外时，可在观看销孔图像出现在视野内的同时对尖端/倾斜机构进行粗调。然后，可精细调节3D显微镜的载台的尖端/倾斜机构，使得销孔图像与否则为漆黑的视野上的预定义圆圈重合，由此完成对准。
附图说明
图1A示出用于3D成像和测量系统的示例性照明装置。
图1B示出用于3D成像和测量系统的示例性的有图案的物品。
图1C示出被配置用于Nomarski和偏振光成像的示例性照明装置。
图1D示出被配置用于定量差分干涉对比度(q-DIC)和机动偏振光成像的示例性照明装置。
图1E示出被配置用于相移干涉测量法(PSI)和垂直扫描干涉测量法(VSI)的示例性照明装置。
图2A示出包括被配置用于膜厚度测量的照明装置的示例性3D成像和测量系统。
图2B示出包括被配置用于Nomarski和偏振光成像的照明装置的另一示例性3D成像和测量系统。
图2C示出包括被配置用于q-DIC和机动偏振光成像的照明装置的另一示例性3D成像和测量系统。
图2D示出包括被配置用于相移和垂直扫描干涉测量法的照明装置的另一示例性3D成像和测量系统。
图3A示出示例性的尖端/倾斜对准技术。
图3B示出用户感兴趣的样品和潜在目标高度的示例性表面。
图4示出在符合图2B的系统的实现系统上采集的II-VI化合物半导体晶片表面的有限q-DIC图像。
图5A和5B示出包括机动尖端和倾斜载台的另一示例性3D成像和测量系统。
图6示出示例性的一次3D图像采集过程。
附图说明
在共同转让的美国专利7,729,049和7,944,609以及共同待审的已公开美国申请20100135573和20080291533中陈述了3D成像和测量技术的现有技术水平，上述专利和专利申请均通过引用完整地结合于此。
如下文进一步详细描述，3D数据采集方法可进一步包括诸如膜厚度测量、白光干涉测量法、Nomarski或差分干涉对比度(DIC)以及偏振光成像之类的能力。
图1A示出可用于本发明的3D成像和测量系统的示例性照明装置100。照明装置100包含两个光源101和102。在一个实施例中，光源101和102可包括高亮度白色发光二极管(LED)。也可使用诸如卤素灯、光纤耦合灯、激光器等其它光源。
光源101和102形成如图1A的下半部中的点虚线所示的两个光路。这两个光路定义了该系统的基本3D成像操作模式。两个光路共享若干组件，即第一分束器103、消色差双重透镜105、双凸透镜106以及第二分束器107A。注意，在其它实施例中，透镜105和106可利用提供相似光学功能的其它类型的透镜来实现。光源102发起第二光路，包括光源102、有图案的物品104A或104B、以及之前提到的共享组件。有图案的物品104A和104B被安装在直线滑块104上。虽然直线滑块在本情况下是安装有图案的物品104A和104B的最简单方法，但也可使用诸如圆形转台等等之类的其它类型的多位置固定装置，并且在本发明的范围之内。
分束器107A被安装在连接至拉杆的直线滑块107上，另外两个分束器107B和107C也如此。在一个实施例中，直线滑块107可通过止动弹簧柱塞实现，该止动弹簧柱塞在两个预定义位置处止动，即，伴随着将分束器107A定位成引导光束或引导被定位成引导光束的分束器107B/107C。因此，分束器107A、107B和107C将不会同时在该路径中。如本文所使用的术语“分束器集合”指的是单独的分束器107A或组合的分束器107B和107C。如下文进一步详细描述，分束器107A被定位以将照明光向下引导至物体，然后将从样品反射的返回光引导至相机。当分束器107B和107C在该路径中时，分束器107B将照明光向下引导至物体，然后将从样品反射的返回光引导至分束器107C，分束器107C具有与分束器107B的取向不同的取向。在该取向下，分束器107C可将返回束的部分引导至透镜110。在一个实施例中，分束器107A的直径是1.0英寸，而分束器107B/107C的直径是0.5英寸。
在一个实施例中，照明器100的光学组件可安装在具有两个开口(未示出)的暗箱内部，两个开口是：顶部开口和底部开口。顶部开口可位于分束器107A正上方，而底部开口可位于分束器107A正下方。这两个开口允许来自两个光路的光与不属于照明装置100的其它系统组件相互作用。多引脚连接器108经由电线连结至光源101和102。
图1B示出示例性的有图案的物品104A或104B。有图案的物品可以是一片玻璃、液晶或感光胶片(即衬底)，其具有形成于其表面之一上的均匀间隔的不透明点的二维阵列。还可使用诸如网格、菱形等等之类的不同类型的图案。实际上，任何图案都可以，只要它满足以下条件：(1)它具有高对比度；(2)它是有规律的或者随机的；(3)它是半透明的；以及(4)其最小特征尺寸与所使用的成像光学传感器的采样分辨率相匹配。有图案的物品的有图案表面位于透镜组(即透镜105和106)的有效焦平面处。如在下文中进一步详细描述的，有图案的物品可在照明装置中被用于将该图案的图像投射到物镜的焦平面上以产生足够的对比度，从而可获取样品的3D高度信息。
尤其，图案节距不同的有图案的物品104A和104B可被选择以匹配特定光学传感器/耦合透镜组合以实现最优的成像结果。取决于环境，直线滑块104可将有图案的物品104A或有图案的物品104B定位在光路中。插塞109可填充照明装置100一侧的开放插槽，这样的插槽被保留用于可提供Nomarski或DIC、偏振光以及相移干涉成像的组件，所有这些在下文中讨论。
如图1A的上半部的点虚线所示的第三光路可用于膜厚度测量操作模式。在该模式下，直线滑块107被定位以使得分束器107B和107C在照明光路中(即代替分束器107A)。来自光源101的光通过分束器103、透镜105和106，并被分束器107B引导以向下传播至物镜中(参考图2A描述)。光照射样品表面、反射回，然后穿过物镜、分束器107B和分束器107C。分束器107C然后将光水平地引导至聚焦透镜110。在透镜110之后，会聚束在照射反射镜111和112之后进行两次90度转弯，并聚焦在连接器113的出口附近。经聚焦的光束然后进入光纤114，并被连接至光纤114的光谱仪120收集。
图1C示出被配置用于Nomarski和偏振光成像的示例性照明装置100C。在该配置中，有图案的物品104A和104B以及通孔104C被安装在直线滑块104上，并且起偏器组件115代替插塞109(图1A)。当非常小的缺陷检测需要最大照明光强度并且光源101不足以用于这样的检测时，通孔位置104C在某些Nomarski或偏振光成像应用中是有用的。因此，使用通孔位置104C允许来自光源101和102二者的光被组合。可经由用于偏振光成像应用的拇指旋钮115B来调节起偏器115A的取向。然而，当用于Nomarski成像时，起偏器115A被设置于固定取向。注意，对于Nomarski或偏振光成像，直线滑块104可被定位以使得通孔104C在光路中，使得样品上的照明光量最大(例如用于检测平坦硬盘驱动器盘表面上的细小缺陷)。否则，为了采集3D图像，图案104A或图案104B可被定位在包括光源102的路径中。
图1D示出被配置用于定量差分干涉对比度(q-DIC)和机动偏振光成像的示例性照明装置100D。在该配置中，插塞109(图1A)被组装件117所替代，组装件117包括安装在机动转子115C上的起偏器115A和四分之一波片117A。多引脚连接器108(图1A)被多引脚连接器108A代替，该多引脚连接器108A连结至光源101和102以及机动转子115C。起偏器115A的取向可经由机动转子115C被准连续地调节，以用于偏振光成像应用。然而，当用于q-DIC成像(下文所述)时，起偏器115A可步进经过以45°间隔等间距的五个连续位置或任何其它数量/相移步骤，以提取q-DIC中的相位信息。因为起偏器115A的取向可被远程地调节，所以软件可创建用于偏振和q-DIC观测二者以及特定样品的成像的特定配方。例如，当操作者例行检查塑料样品以检查残余应力和划痕缺陷时，检查者通常将起偏器转动至一个取向以检查应力，然后将起偏器转动至另一取向以查看划痕缺陷。该过程是乏味的，而且易于出错。
相反，操作者可在配方文件中存储用于应力检查和划痕检测的最佳的偏振器取向设置。然后操作者可在应力检查和/或划痕检测之前加载这些配方，以确保该系统针对这些任务被最优地配置。有利地，利用这些配方、机动转子以及软件(可由处理器或计算机执行)，可在无人工干预的情况下检测应力或划痕。该照明装置配置可显著增强该系统的易用性、减少与操作者有关的错误并提高数据可靠性。
图1E示出被配置用于相移干涉测量法(PSI)和垂直扫描干涉测量法(VSI)的示例性照明装置100E。在该配置中，插塞109(图1A)被波长滤光器组装件116所替代，该组装件116包括通孔116A和窄带滤光器116B，并且通孔104C(图1A)被销孔104D所替代。通过使滤光器组装件116滑进和滑出，通孔116A或窄带滤光器116B可被定位在照明光路中，由此实现VSI或PSI成像(下文讨论)。
图2A示出根据本发明的示例性3D成像和测量系统200。系统200包括以侧视图示出的照明装置100。因为照明装置100提供反射照明，所以它被称为反射照明装置。为了避免混乱，仅在图2A中示出从外部可见的那些照明装置组件。
参考图1A和2A二者，显微镜物镜210被安装在转台205上。转台205被安装在照明装置100的底部开口正下方。当光源101或102开启并且分束器107A在照明光路中时，由透镜105和106的透镜组将光源的图像投射到显微镜物镜210的入射光瞳上，由此确保样品220上的均匀照明。当光源102开启并且分束器107A在照明光路中时，由透镜105和106形成的透镜组将有图案的物品104A或104B上的图案的图像投射在物镜210的焦平面上。
设置了定位装置230以改变样品220与物镜210之间的相对位置。由此，可使样品上的不同特征进入物镜210的焦点。可将手动或机动XY载台225纳入系统200中，以在水平面上移动样品220。在优选实施例中，定位装置230是机动Z载台或机动Z载台和压电Z载台组合。其他实施例可使用用于改变样品220和物镜210之间的相对位置的其他方式。例如，物镜210可被安装在压电致动器上。在这样的布置中，样品220保持静止，而物镜210上下移动。
镜筒透镜245和光学传感器耦合器250(在美国专利7,729,049和7,944,609以及美国已公开申请2010/0135573和2008/0291533中一起称为“耦合器”)连同物镜210在光学传感器255上产生样品220的图像。在优选实施例中，光学传感器255可以是电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体(CMOS)相机。插塞215和235可分别填充镜筒透镜适配器240和转台205中的开口插槽。在下文描述的其它系统实施例中，这些插槽可用于Nomarski和偏振光成像。处理器260可连接至系统200(在一些实施例中，处理器260可形成该系统的部分)。处理器260可用于控制定位装置230、照明装置100、光谱仪(未示出)以及光学传感器255。此外，处理器260可分析数据并创建样品的3D图像。在一个实施例中，处理器260是个人计算机。
在参考图1A描述的膜厚度测量模式下，收集样品220以及诸如抛光硅晶片之类的已知标准的宽带表面反射率数据。利用该数据，处理器260可分析由光谱仪120提供的反射谱，并计算样品220上的薄膜(若存在)的膜厚度值和光学折射率。
该膜厚度测量是基于宽带光谱测量方法的。存在实现该方法的若干方式。一种示例性方法在2007年7月24日颁发给Hebert的美国专利7,248,364中公开。另一方法由Filmetrics,Inc.公司在它们的“F40 Thin-FilmMeasurement Systems(F40薄膜测量系统)”手册中公开。注意，虽然F40系统也使用显微镜光学器件来实现小测量光斑大小，但用于它们的光谱仪的反射光是在图像光路中被收集的，即在等同于镜筒透镜适配器240与光学传感器耦合器250(图2A)之间的位置处被收集。此外，F40系统的相机耦合器是定制的部件，其包含45度分束器以将返回光的部分引导至相机，该相机被水平地安装至相机耦合器主体的一侧。
相反，在系统200中，用于光谱仪120的反射光经由照明装置100内的第三光路被收集，该第三光路与通往光学传感器255的成像路径无关。尤其，光学传感器耦合器250可利用具有多个放大率的标准工业组件来实现，所有这些组件成本相对较低。因此，与系统200相比，F40系统存在若干显著劣势。首先，F40系统的定制相机耦合器不含透镜，因此是1X放大率，从而将成像视野限制为对于每个物镜仅一个尺寸。其次，如果需要具有不同放大率的定制相机耦合器，则所导致的成本将会非常高。再者，即使F40系统具有定制的非常昂贵的相机耦合器，在它们之间交换将是不方便的，因为必须首先将收集光纤(即图1A中的光纤114的等价物)移除然后在每次交换之后重新安装。因此，对于每次交换必须执行光纤对准(即横向和聚焦调节)。第四，F40系统的相机耦合器中的45度分束器在会聚束路径中。因此，分束器将引入像差，而像差将影响光纤入口处的聚焦光斑的形状，并降低光收集效率。
图2B示出根据本发明的另一示例性3D成像和测量系统200B。系统200B包括照明装置100C(图1C)，该照明装置100C被配置用于Nomarski和偏振光成像。参考图1C和2B，适合于Nomarski和偏振光成像的显微镜物镜210被安装在转台205上。转台205被安装在照明装置100C的底部开口正下方。当光源101或102开启时，由透镜105和106形成的透镜组将光源的图像投射到显微镜物镜210的入射光瞳上，由此确保样品220上的均匀照明。当光源102开启时，由透镜105和106形成的透镜组将该有图案的物品104A或104B上的图案的图像投射到物镜210的焦平面上。
在Nomarski或DIC成像模式下，来自光源101和/或102的光通过起偏器115A。所得的线性偏振光波向下传播，直至入射分束器107A。然后这些光波进入转台205中的位于物镜210上方的Nomarski棱镜275(代替图2A的插塞215)。在Nomarski棱镜275中，光波被剪切为两个正交的分量，即正常波前和异常波前。物镜210将这两个波前聚焦到样品220的表面上，在该表面上它们的路径由于该表面上的形貌和/或折射率改变而被改变。
反射波前被物镜210采集并向下传播通过Nomarski棱镜275，在棱镜275处它们重新组合以消除剪切。它们通过分束器107A然后遇到分析仪270，该分析仪270被定位以使得其传输轴与起偏器115A的传输轴正交。经过分析器270滤波的波前分量通过镜筒透镜245和光学传感器耦合器250，随后经过像平面中的干涉以在光学传感器255上形成所谓的Nomarski图像或差分干涉对比度(DIC)图像。如果Nomarski棱镜275经调节为用于最大消光，则所得的DIC图像通常具有暗背景，并且对某些样品区域中存在的轻微相位梯度呈现非常高的灵敏度。通过横向移动Nomarski棱镜275，可引入偏差延迟。通过这样做，形成背景的波前对变得相对于彼此异相，并且在进入分析仪270的波前中，椭圆偏振度被提高。作为结果，背景强度变得更亮，而样品特征越来越类似伪3D浮雕图像，并具有取决于相梯度取向的峰和谷。Normaski成像的良好应用是分辨具有细小高度或高度起伏的特征。示例性特征包括在磁存储盘的制造过程期间形成的小缺陷。
在偏振光成像模式下，可将Nomarski棱镜275拉出光路，并且可经由拇指旋钮115B调节起偏器115A的传输轴以使所需特征检测灵敏度最大化。来自光源101和/或102的光通过起偏器115A。所得的线性偏振光波向下传播，直至入射分束器107A。物镜210将光波聚焦到样品220的表面上。如果样品表面包含偏振活性和非活性材料，则从偏振活性区域发出的反射波前的偏振取向将会改变，而从偏振非活性区域发出的反射波前的偏振取向将不会改变。偏振活性材料具有某些性质，诸如非线性金相标本上存在的那些性质。
反射波前被物镜210收集并向下传播通过分束器107A，然后遇到分析仪270，分析仪270被定位成使其传输轴与起偏器115A的传输轴接近正交。经过分析仪270滤波的波前分量通过镜筒透镜245和光学传感器耦合器250，随后在光学传感器255上形成偏振光图像。因为从偏振活性区域反射的光比来自偏振非活性区域的光具有穿过分析仪270的更高的透射率，所以本领域普通技术人员能容易地分辨该图像中具有不同偏振性质的特征。偏振光成像的示例性应用是定位预先标记有磁性标记的数据存储盘上的小缺陷。尤其，在常规的显微镜成像模式下，磁标记由于缺乏图像对比度而不可见。然而，通过偏振成像，磁标记是可见的，并且可用于定位特定缺陷。一旦定位了缺陷，就可利用q-DIC方法进行分析以查明该缺陷是粒子还是坑，并获得其高度或深度。
注意，在Nomarski和偏振光成像操作模式下，存在需要比两个光源101和102中的任一个所能提供的照明光更多照明光的情况。当这种情况发生时，可调节直线滑块104使得通孔104C被定位在光源102前方。作为结果，来自光源101和102的光可被组合以照明样品220，这导致最大强度以用于Nomarski或偏振光成像应用。
设置了定位装置230以改变样品220与物镜210之间的相对位置。由此，可使样品上的不同特征进入物镜210的焦点。手动或机动的XYθ载台265可被纳入系统200B中，用于在大致水平面上移动和旋转样品220。在一个优选实施例中，定位装置230是机动Z载台。在其他实施例中，可使用改变样品220和物镜210之间的相对位置的其他方式。例如，物镜210可被安装在压电致动器上。在这样的布置中，样品220保持静止，而物镜210上下移动。同样，处理器260可连接至系统200B以控制定位装置230、照明装置100C、光谱仪120以及光学传感器255。此外，处理器260可分析数据并创建样品220的3D图像。在一个实施例中，处理器260包括个人计算机。
图2C示出包括被配置用于q-DIC和机动偏振光成像的照明装置100D的3D成像和测量系统200C。参考图1D和2C，照明装置100D可提供Nomarski或DIC成像以及偏振光成像(如上所述)。如之前所提到，照明装置100D包括组装件117，组装件117又包括四分之一波片117A、起偏器115A以及用于起偏器115A的机动转子115C。
在操作时，四分之一波片117A的快光轴被固定于相对于分析仪270的传输轴成90度角。对于Nomarski或DIC成像模式，来自光源101和/或102的光通过起偏器115A和四分之一波片117A。所得到的光通常是椭圆偏振的，除非起偏器115A的传输轴与四分之一波片117A的快光轴重合，在这种情况下，光保持线性偏振。因为椭圆偏振光表示正常和异常波前之间的相位差，所以当这些波前进入Nomarski棱镜275并且被剪切时，偏差被引入系统中。因此，起偏器115A和四分之一波片117A的组合实现对偏差延迟的调节，该偏差延迟的调节通常是通过横向移动Nomarski棱镜275来实现的。因为起偏器115A被安装在机动转子上，所以偏差延迟的量可被精确地控制，这对于q-DIC成像是关键的。
图2D示出包括被配置用于相移和垂直扫描干涉测量法的照明装置100E的示例性3D成像和测量系统200D。参考图1E和2D，系统200D还包括安装在转台205上的迈克尔逊干涉物镜280和Mirau干涉物镜285。迈克尔逊和Mirau干涉物镜例如在1992年John Wiley & Sons,Inc.所出版的Daniel Malarca所著的“Optical Shop Testing(光学车间测试)”第二版中有描述。一般而言，迈克尔逊干涉物镜用于低于10X的放大率，而Mirau干涉物镜用于10X或更高的放大率。转台205被安装在照明装置100E的底部开口正下方。当光源101或102开启时，由透镜105和106形成的透镜组将光源的图像投射到干涉物镜280或285的入射光瞳上，由此确保样品220上的均匀照明。当光源102开启时，由透镜105和106形成的透镜组将该有图案的物品104A或104B上的图案的图像投射到干涉物镜280或285的焦平面上。
设置了定位装置230以改变样品220与干涉物镜280或285之间的相对位置。可在系统200D中纳入手动或机动的XY+尖端/倾斜载台组合290，以在大致水平面上移动样品220并使样品表面水平。在一个优选实施例中，定位装置230可包括机动的Z载台或压电Z载台组合。在其他实施例中，可使用用于改变样品220与干涉物镜280或285之间的相对位置的其他方式。例如，物镜280或285可被安装在压电致动器上。在这样的布置中，样品220保持静止，而物镜280或285上下移动。
系统200D可在两种干涉成像模式之间选择：垂直扫描(VSI)模式和相移干涉测量法(PSI)模式。在VSI模式下，来自光源101的光通过滤光器组装件116上的分束器103、透镜105和106以及通孔116A。光然后向下传播，直至入射分束器107A至物镜280或285。物镜280或285将光分成两个波前，其中一个波前朝样品220的表面传播，而另一波前侧向地朝物镜280内部的参考反射镜的表面传播，或在物镜285内部的两个平行板之间经历多次反射。从样品和参考表面反射的波前被物镜280或285收集，并向上传播通过分束器107A、镜筒透镜245、光学传感器耦合器250，随后在像平面中经历干涉以在光学传感器255上形成干涉图像。为了采集数据，定位装置230使样品220在Z方向上移动，同时光学传感器255捕获干涉图。
PSI模式与VIS模式在两个方面不同。首先，滤光器116B被放置照明光路中，以将白光转换成非常窄带的照明光。其次，在数据采集期间，定位装置230内的压电Z进行了四次相移移动(例如0、π/2、π、以及3π/2)，同时光学传感器255捕获四个干涉图。一般而言，PSI用于测量平坦度在一个波长以内的表面，而VSI用于测量具有较大Z差异的表面。
在PSI或VSI扫描之前，必须调节样品表面与干涉仪系统之间的相对倾斜。2006年9月5日颁发给De Lega的美国专利7,102,761公开了执行这种类型的对准的三种方式。在第一技术中，调节参考路径以使在样品表面上可见的干涉条纹数量最少。在第二技术中，执行初始光程差(OPD)扫描。然后通过测量数据的平面表面的最小二乘拟合可计算需要被调节的尖端和倾斜值的量。在第三技术中，外部自动准直器望远镜测量固定装置上的测试对象取向，该固定装置然后被放置在干涉仪前方。
实际上，这三种对准方法中的每一个具有限制，或不是用户友好的。例如，第一技术对于无经验用户不是用户友好的，因为一开始难以找到干涉条纹。此外，调节尖端/倾斜旋钮以使条纹数量最少并不直观。虽然第二技术是自动化的，但第二技术需要昂贵的压电换能器驱动机构来执行该技术。依赖于外部测量站的第三技术假定“固定装置”是可重复的，从而预测量站和干涉仪处的样品表面倾斜相关。在一个实施例中，该固定装置可以是样品保持器，该样品保持器可被放置在外部自动准直器上以使样品表面水平度被调节。然而，该假定可能是不正确的。最终，当倾斜量非常大时，干涉条纹变得如此窄以致不可见。因此，第一和第二技术可能无法实现。因为自动准直器具有小的角度测量范围，所以第三技术也可能无法实现。
相反，系统200D允许克服这些限制的新的尖端/倾斜对准程序。图3A示出示例性的尖端/倾斜对准技术300。步骤301可打开光源102。步骤302可重新定位直线滑块104，使得销孔107D在照明光路中。步骤303可转动转台205，使得空插槽(即未安装物镜的插槽)在成像路径中，由此将系统200D转换成自动准直器。
如果如步骤304所确定，样品的量小，则亮销孔的图像将在否则为漆黑的视野中出现。例如，在一个实施例中，处理器260的软件可覆盖图像屏幕上的预定义圆圈。此时，步骤305可调节载台组合290的尖端/倾斜机构，使得销孔图像与该预定义圆圈重合，由此完成对准。
如果样品倾斜量大到使销孔的图像落在视野之外，则步骤306或步骤308可用于使销孔的图像进入视野。步骤306执行在共同转让的美国专利7,944,609中公开的一遍3D成像采集过程以采集倾斜表面的3D图像。那时，在该过程中使用的软件可自动指示需要多少调节以及在哪个方向上调节，以使该表面水平。步骤307可进行所建议的调节，由此确保销孔图像在视野内。那时，技术300可返回至步骤302以完成对准过程。
替代地，步骤308可通过用户观察销孔图像出现在视野内以调节尖端/倾斜机构。注意，搜索暗背景中的亮销孔图像比寻找难寻的干涉条纹容易得多。一旦销孔图像在视野内，技术300就可再次返回至步骤302以完成对准过程。
尤其，尖端/倾斜对准技术300对任何样品倾斜都有效。该技术直观并且容易遵循，因为可依赖视觉反馈来将销孔图像移动至屏幕上的预设位置。精确自动准直器被构造到系统200D中，使得对准结果中不存在不确定性。
在共同转让的美国专利7,729,049和7,944,609以及共同待审的已公开美国申请20100135573和20080291533(本文中统称为Zeta IP)中，公开了一遍和两遍3D图像采集过程。这些过程中的任一个可适用于图2A-2D的系统实施例。图6示出示例性的一遍3D图像采集过程600。
例如，在系统200中的一遍3D图像采集过程600建立(步骤601-605)之后(图2A)，定位装置230可通过一组预定步骤将样品220从预定开始位置移动远离物镜210。在每个Z步骤，处理器260开启光源102并关闭光源101(下文中称为图案开启)。作为结果，有图案的物品104A或104B的图像被投射到物镜210的焦平面上，并且光学传感器255捕获并保存该样品的第一图像。然后处理器260开启光源101并关闭光源102(下文中称为图案关闭)，并且光学传感器255捕获并保存该样品的第二图像(步骤606)。该过程重复，直至已执行所有步骤(步骤607-609)。在完成时，处理器260分析第一和第二图像组以创建3D图像。具体而言，可使用具有该图案的图像来产生深度分布，而可使用不具有该图案的图像来产生图像强度。尤其，可如下所描述地进一步改进该一遍3D图像采集过程。
首先，没有必要在每个Z步骤获取两个图像，一个在图案开启时而另一个在图案关闭时。例如，在一个实施例中，可每隔几个图案开启图像捕获一个图案关闭图像，而不影响最终的3D图像质量。该影响是最少的，因为Z信息仅从图案开启图像中导出。因为每次3D扫描的Z步骤的最大数量受可用计算机存储器限制，所以跳过特定数量的图案关闭图像允许Z步骤限制被提高，由此改善了3D图像的Z分辨率。
第二，将可用的Z步骤分配给整个Z扫描范围可能是没有必要的。例如，参考图3B，如果用户想要得到样品的顶部、中部以及底部表面上的详细纹理信息以及顶部到中部和顶部到底部台阶高度的准确测量结果，则可将可用的z步骤分配到三个z区域中：高度331/332、333/334以及335/336，同时跳过高度332/333和334/335之间的区域。
第三，以相等的步长覆盖Z扫描范围可能是无必要的。假定用户比图3B中的另外两个表面更在乎中间表面。在该情况下，可按照比高度331/332和335/336之间的区域更精细的步长来扫描高度333与334之间的区域。
第四，如果定位装置230是具有导螺杆致动器的机动Z载台，则测量准确度通常受称为载台下降的现象影响。下降在z载台作出大移动之后发生。例如，在一个实施例中，在3D扫描之前，将Z载台上移至开始位置，并以小步骤向下扫描。因为Z载台由于重力而缓慢下降，所以用于向下扫描的有效Z步长稍大于所指示的步长。作为结果，在标准台阶高度上测得的值将稍低于向下扫描的真实值。在另一实施例中，在3D扫描之前，将Z载台下移至开始位置，并以小步骤向上扫描。因为Z载台由于重力而缓慢下降，所以用于向上扫描的有效Z步长稍小于所指示的步长。作为结果，在标准台阶高度上测得的值将稍高于向上扫描的真实值。为了降低下降对测量准确度的影响，可使用上－下扫描过程。例如，对于每次3D图像采集，可执行伴随着向下扫描和向上扫描的整个Z范围。然后可对来自向上和向下扫描的结果取平均以产生台阶高度值。
以上描述的3D图像采集技术和在Zeta IP中描述的那些技术也可适用于系统200B(图2B)和200C(图2C)。注意，Nomarski成像提供用于获得3D信息的附加手段。一般而言，Nomarski系统可被表征为剪切干涉仪。在该情况下，Nomarski图像强度非常接近地对应于样品表面结构的光程差的一阶导数。通过特殊的数据分析算法，例如由E.B.Van Munster等人在1997年11月的"Journal of Microscopy",vol.188,Pt.2中描述的那些算法，可在不进行任何Z扫描的情况下从单个Nomarski图像产生某些类型的样品表面的3D图像。这种类型的成像技术可被称为“有限”q-DIC。图4示出在所实现的系统200B(图2B)上采集的II-VI化合物半导体晶片表面的有限q-DIC图像。在该实际表面中，测得的表面粗糙度值Ra是1.4nm。
对于适用于所有类型的样品表面的更一般的q-DIC，可使用q-DIC系统200C(图2C)。一般而言，可通过以下公式描述DIC图像强度(也可参见E.B.Van Munster等人在1997年11月的"Journal of Microscopy",vol.188,Pt.2中所著)。
其中l(x,y)是位置(x,y)处的测得的强度；lmin(x,y)是相消干涉处的残余强度；lmax(x,y)是相长干涉处测得的强度；δ是附加相移或偏差；是位置处的相位与位置处的相位之差；其中(Δx,Δy)是Nomarski棱镜引入的横向剪切。
基于上述强度方程，通过采集五个连续图像、每个图像与其相邻图像有90°相移，并利用Hariharan算法(例如参见由John Wiley & Sons,Inc.于1992年出版的Daniel Malacara所著的“Optical Shop Testing(光学工厂测试)”第二版)来如下地提取可获得
一旦获得就可通过在剪切方向上对积分来恢复相位或3D表面地形。
实际上，该q-DIC技术可被用于对平坦度在70nm以内的样品表面成像。可利用Zeta IP的3D图像采集技术以及以上描述的对图6的四个改进来测量更粗糙的表面。3D扫描能力和q-DIC系统(图2A、2B和2C)的组合产生强大的测量系统，其能测量从毫米或亚纳米范围的表面特征。
利用系统200D(图2D)中的VSI或PSI的3D图像采集过程在某种程度上不同。对于VSI，仅使用光源101，即光源102关闭。滤光器滑块116被定位以使得通孔116A在光路中。处理器260命令定位装置230将样品220移动至预定开始位置，然后发起通过一组预定步骤的Z扫描。在每个Z步骤，光学传感器255捕获和保存样品干涉图的图像。该过程重复，直至已执行所有步骤。在完成时，处理器260利用公知的峰感测算法(参见例如James C.Wyant等人的SPIE vol.2782,1996)来分析与每个Z步骤对应的干涉图以获得表面高度信息。因此比干涉物镜的较深显著更小的Z移动移动白光干涉条纹的位置，所以可从VSI扫描数据中产生样品表面的真彩3D图像。该3D图像构造过程如下：对于每个XY像素位置，可利用峰感测算法对与所有Z步骤对应的干涉图数据进行排序以找出Z峰，即表面位置。此时，在知晓干涉条纹已经通过该点处的像素的情况下，可在远离Z峰位置从在预定Z步骤处获取的图像中提取与该XY像素对应的颜色值C峰。然后可利用数据集合(x,y,Z峰,C峰)来重构真彩3D图像。
对于PSI，仅使用光源101，即光源102关闭。滤光器滑块116被定位以使得窄带滤光器116B在光路中。处理器260命令定位装置230内的压电Z进行了四次相位移动(即对应于0、π/2、π、以及3π/2的相移)，同时光学传感器255捕获四个干涉图。在完成时，处理器260利用以下公式(也可参见由John Wiley & Sons,Inc.于1992年出版的Daniel Malacara所著的“Optical Shop Testing(光学工厂测试)”第二版)来分析与每个Z步骤相对应的干涉图以获得每个像素(x,y)的波前差相位差和表面高度信息。
以及
其中I1(x,y)、I2(x,y)、I3(x,y)以及I4(x,y)是每个Z步骤的像素(x,y)的强度值。
通常，由于系统的光学组件中的缺陷，利用大视野设置采集的图像将具有某种程度的强度不均匀性、场曲率以及残余倾斜。存在可用来降低这些不期望有的影响的若干方法。
在第一方法中，软件可从采集的每个图像中减去参考图像。参考图像是利用相同物镜、相机和耦合器组合获取的无任何细节的平坦表面的图像。然后可去除所得的差图像的缺陷。
第二方法包括产生图像亮度从图像中心到周边的逐渐变化的数学表示。因为大多数强度不均匀性是轴向对称的，所以该数学模型可指定亮度修正，该亮度修正可应用于从图像中心开始的每个轴向距离。
对于由于样品表面倾斜引起的图像中的普遍倾斜，如果倾斜量小则可使用内建的自动准直器来使样品表面水平，如果倾斜大则可使用Zeta IP中公开的3D成像方法来使样品表面水平。该方法可应用于干涉成像方法以及q-DIC成像方法二者。如图5A和5B所示，通过分别向系统200C和200D添加机动尖端和倾斜载台510，可使水平化过程自动化。
有利地，通过定位滑块、插入滤光器以及交换外围组件(诸如物镜和样品载台)，可容易地将系统200(图2A)转换成系统200B(图2B)或系统200D(图2D)。利用照明装置的简单交换，也可容易地将系统200(图2A)转换成系统200C(图2C)。概言之，本发明的3D成像和测量系统组合3D扫描成像、VSI和PSI干涉测量法、膜厚度测量以及Nomarski和偏振光成像的能力。在本产业中，这些功能中的每一种通常通过不同的机器来解决。相反，本发明可将这些功能的集合集成到紧凑的、低成本和强健的系统包中，由此产生强大的3D成像和测量系统，该系统能惠及各种各样的产业以及研发应用。
本文中所描述的实施例不旨在是穷尽性的，或者将本发明限于所公开的确切形式。由此，许多修改和改变将是显而易见的。因此，本发明的范围旨在由所附权利要求书及其等效物定义。

Claims (19)

1.一种3D显微镜，包括：
照明装置，能够产生样品的3D图像的照明装置，所述照明装置包括用于第一组件的第一插槽；
转台，安装在所述照明装置上，所述转台包括用于第二组件的第二插槽；
物镜，安装在所述转台上；
镜筒透镜和适配器，安装在所述照明装置上，所述适配器包括用于第三组件的第三插槽；
光学传感器和光学传感器耦合器，安装在镜筒透镜和适配器上，所述光学传感器被配置以采集样品的图像；
聚焦调节装置，给样品提供多个z步骤调节；以及
处理器，用于控制所述照明装置、所述聚焦调节装置和所述光学传感器，其中所述第一、第二和第三组件有助于Nomarski成像，并且第一和第三组件有助于偏振光成像。
2.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，所述光学传感器包括电荷耦合器件(CCD)相机和互补金属氧化物半导体(CMOS)相机中的一个。
3.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，所述光学传感器耦合器为所述光学传感器提供多个放大率。
4.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，还包括耦合至照明装置的光谱仪，其中用于光谱仪的光经由与通向光学传感器的成像路径无关的路径被收集。
5.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，所述聚焦调节装置被安装在样品卡盘和转台中的一个之上。
6.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，所述物镜包括安装在转台上的迈克尔逊干涉物镜和Mirau干涉物镜中的至少一个，其中对于相移干涉测量法(PSI)而言，所述第一组件包括与滤光器一起定位在照明光路中的滤光器组装件，并且其中聚焦调节装置被配置以进行四次相移移动，同时光学传感器捕获四个干涉图。
7.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，所述物镜包括安装在转台上的迈克尔逊干涉物镜和Mirau干涉物镜中的至少一个，其中对于垂直扫描干涉测量法(VSI)而言，所述第一组件包括与通孔一起定位在照明光路中的滤光器组装件，并且其中聚焦调节装置被配置以在Z方向上移动样品，同时光学传感器捕获干涉图，由此创建样品的真彩3D图像。
8.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，对于定量差分干涉对比度成像(q-DIC)而言，所述第一组件是包括具有机动转子的起偏器和四分之一波片的组装件，其中所述机动转子经由多引脚连接器连接至处理器，所述第二组件是Nomarski棱镜，所述第三组件是分析仪，以及其中所述机动转子被配置以使所述起偏器步进经过以45°间隔等间距的五个连续位置。
9.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，对于机动偏振光成像，所述第一组件是包括具有机动转子的起偏器和四分之一波片的组装件，其中机动转子经由多引脚连接器连接至处理器，第三组件是分析仪，并且其中机动转子被配置以将起偏器转动至配方中预定义的诸个位置。
10.如权利要求1所述的3D显微镜，其特征在于，所述照明装置包含定位在物镜的共轭焦平面处的销孔。
11.如权利要求10所述的3D显微镜，其特征在于，所述转台在被转动以在无物镜的情况下操作时，将所述3D显微镜转换成自动准直器。
12.一种对样品进行3D成像或测量的方法，所述样品包括具有不同垂直高度的多个表面特征，所述方法包括：
在预定步骤改变所述样品与物镜之间的相对距离；
在第一预定步骤：
将有图案的物品的图像投射到所述物镜的焦平面上；
捕获具有与所述有图案的物品和所述样品相关联的图案的第一图像，并且将所述第一图像存储在第一图像阵列中；
在第二预定步骤，其中第二预定步骤具有与第一预定步骤不同数量的步骤：
捕获样品的第二图像，所述第二图像不具有与所述有图案的物品相关联的图案，并且将所述第二图像存储在第二图像阵列中；以及
分析所述第一和第二图像以对所述样品进行3D成像或测量。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二预定步骤的数量小于所述第一预定步骤的数量。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二预定步骤被分配给特定高度。
15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二预定步骤跳过样品的预定高度。
16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二预定步骤中的至少一个具有不均匀的步骤。
17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一和第二预定步骤中的至少一个具有不均匀的步骤。
18.一种对样品进行3D成像或测量的方法，所述方法包括：
在向上扫描期间，以预定步骤改变所述样品与物镜之间的相对距离；
在所述向上扫描的第一预定步骤：
将有图案的物品的图像投射到所述物镜的焦平面上；
捕获具有与所述有图案的物品和所述样品相关联的图案的第一图像，并且将所述第一图像存储在第一图像阵列中；
在所述向上扫描的第二预定步骤：
捕获样品的第二图像，所述第二图像不具有与所述有图案的物品相关联的图案，并且将所述第二图像存储在第二图像阵列中；
分析第一和第二图像以产生样品的第一3D图像；
在向下扫描期间，以预定步骤改变所述样品与物镜之间的相对距离；
在所述向下扫描的第一预定步骤：
将有图案的物品的图像投射到所述物镜的焦平面上；
捕获具有与所述有图案的物品和所述样品相关联的图案的第一图像，并且将所述第一图像存储在第一图像阵列中；
在所述向下扫描的第二预定步骤：
捕获样品的第二图像，所述第二图像不具有与所述有图案的物品相关联的图案，并且将所述第二图像存储在第二图像阵列中；
分析第一和第二图像以产生样品的第二3D图像；以及
分析第一和第二3D图像以确定下降效应，然后提供样品的经校正的3D图像和测量结果。
19.一种对样品进行3D成像或测量的方法，所述方法包括：
通过以预定步骤改变没有任何特征的平坦参考表面与物镜之间的相对距离，采集所述参考表面的3D图像；
在第一预定步骤：
将有图案的物品的图像投射到所述物镜的焦平面上；
捕获具有与所述有图案的物品和所述参考表面相关联的图案的第一图像，并且将所述第一图像存储在第一图像阵列中；
在第二预定步骤：
捕获所述参考表面的第二图像，所述第二图像不具有与所述有图案的物品相关联的图案，并且将所述第二图像存储在第二图像阵列中；
分析第一和第二图像以产生所述参考表面的3D图像；
通过以预定步骤改变样品与物镜之间的相对距离来采集样品的3D图像；
在第一预定步骤：
将有图案的物品的图像投射到所述物镜的焦平面上；
捕获具有与所述有图案的物品和所述样品相关联的图案的第一图像，并且将所述第一图像存储在第一图像阵列中；
在第二预定步骤：
捕获样品的第二图像，所述第二图像不具有与所述有图案的物品相关联的图案，并且将所述第二图像存储在第二图像阵列中；
分析第一和第二图像以产生样品的3D图像；以及
从样品的3D图像中减去参考表面的3D图像，以产生样品的最终3D图像和测量结果。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109791038A (zh) * 2016-08-10 2019-05-21 科磊股份有限公司 台阶大小及镀金属厚度的光学测量

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10048480B2 (en) * 2011-01-07 2018-08-14 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope including insertable components to provide multiple imaging and measurement capabilities
US20130182081A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 Gary Greenberg Real-Time Stereo 3D Digital/Video Imaging in a Light Microscope Using a Single Lens and a Single Camera
KR102062765B1 (ko) 2012-09-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 이미지 변환 메커니즘을 갖춘 3ｄ 이미지 캡쳐 시스템과 그 사용 방법
CN103852879B (zh) * 2012-12-03 2016-03-30 宁波舜宇仪器有限公司 一种显微视频图像物镜补偿法
US9726615B2 (en) 2014-07-22 2017-08-08 Kla-Tencor Corporation System and method for simultaneous dark field and phase contrast inspection
TWI575221B (zh) * 2015-11-20 2017-03-21 財團法人工業技術研究院 表面粗度檢測系統及其方法
US10107483B2 (en) 2015-12-04 2018-10-23 Kerr Corporation Headlight
JP2017129500A (ja) * 2016-01-21 2017-07-27 株式会社ブイ・テクノロジー 位相シフト量測定装置
PT3411695T (pt) * 2016-02-01 2022-03-03 Kla Tencor Corp Método e sistema para medição topográfica tridimensional ótica
US10445894B2 (en) * 2016-05-11 2019-10-15 Mitutoyo Corporation Non-contact 3D measuring system
CN107561081A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种缺陷检测装置及方法
US20180045937A1 (en) * 2016-08-10 2018-02-15 Zeta Instruments, Inc. Automated 3-d measurement
US10157457B2 (en) * 2016-08-10 2018-12-18 Kla-Tencor Corporation Optical measurement of opening dimensions in a wafer
CN109791039B (zh) * 2016-08-10 2021-03-23 科磊股份有限公司 使用光学显微镜产生样本的三维信息的方法
US10168524B2 (en) * 2016-08-10 2019-01-01 Kla-Tencor Corporation Optical measurement of bump hieght
KR101838818B1 (ko) * 2016-11-30 2018-03-14 세메스 주식회사 형광 현미경 및 이를 포함하는 기판 검사 장치
NL2018857B1 (en) 2017-05-05 2018-11-09 Illumina Inc Systems and methods for improved focus tracking using a light source configuration
NL2018853B1 (en) 2017-05-05 2018-11-14 Illumina Inc Systems and methods for improved focus tracking using a hybrid mode light source
NL2018854B1 (en) 2017-05-05 2018-11-14 Illumina Inc Systems and methodes for improved focus tracking using blocking structures
US10529082B2 (en) * 2017-06-20 2020-01-07 Mitutoyo Corporation Three-dimensional geometry measurement apparatus and three-dimensional geometry measurement method
CN107741368B (zh) * 2017-10-10 2020-07-24 湖南大学 一种用于三维结构内部裂纹扩展试验测试系统
WO2019104461A1 (zh) * 2017-11-28 2019-06-06 苏州慧景光电科技有限公司 工件孔位成像检测系统
NL2020619B1 (en) * 2018-01-16 2019-07-25 Illumina Inc Dual optical grating slide structured illumination imaging
CN108646395A (zh) * 2018-05-04 2018-10-12 江苏羿骏自动化科技有限公司 一种多工位移动型显微镜检测设备
JP2020020994A (ja) 2018-08-02 2020-02-06 浜松ホトニクス株式会社 固浸レンズユニット、半導体検査装置
CN110530718B (zh) * 2019-08-29 2021-12-17 江苏大学 一种基于白光干涉测量表面形貌的双轴残余应力引入装置
JP7440621B2 (ja) * 2019-09-19 2024-02-28 ウェスティングハウス エレクトリック カンパニー エルエルシー コールドスプレー堆積物のその場付着試験を行うための装置及びその使用方法
US20210109375A1 (en) * 2019-10-10 2021-04-15 Perfect Ip, Llc Ophthalmic optical testing system and method
CN110927947B (zh) * 2019-11-15 2022-03-18 上海安翰医疗技术有限公司 相衬显微成像系统及其成像方法
CN114047619B (zh) * 2021-10-29 2023-06-30 中电科风华信息装备股份有限公司 一种三维显微成像的方法及其成像光路结构

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020012118A1 (en) * 1993-06-17 2002-01-31 Worster Bruce W. Method for characterizing defects on semiconductor wafers
US20020015146A1 (en) * 1997-09-22 2002-02-07 Meeks Steven W. Combined high speed optical profilometer and ellipsometer
US20020089741A1 (en) * 1999-06-01 2002-07-11 Kuhn William P. Wavelength multiplexed quantitative differential interference contrast microscopy
CN1412594A (zh) * 2001-10-11 2003-04-23 麦克奥迪实业集团有限公司 体视显微镜的实时3d观察方法及其装置
US7034271B1 (en) * 2004-05-27 2006-04-25 Sandia Corporation Long working distance incoherent interference microscope
US20080291533A1 (en) * 2007-05-26 2008-11-27 James Jianguo Xu Illuminator for a 3-d optical microscope
US20080291532A1 (en) * 2007-05-26 2008-11-27 James Jianguo Xu 3-d optical microscope
CN101408677A (zh) * 2007-10-11 2009-04-15 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 立体投影光学系统

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5376790A (en) * 1992-03-13 1994-12-27 Park Scientific Instruments Scanning probe microscope
US5479252A (en) * 1993-06-17 1995-12-26 Ultrapointe Corporation Laser imaging system for inspection and analysis of sub-micron particles
US5640270A (en) * 1996-03-11 1997-06-17 Wyko Corporation Orthogonal-scanning microscope objective for vertical-scanning and phase-shifting interferometry
US6285498B1 (en) 1997-10-17 2001-09-04 Accumed International, Inc. High-precision computer-aided microscope system
DE19931954A1 (de) * 1999-07-10 2001-01-11 Leica Microsystems Beleuchtungseinrichtung für ein DUV-Mikroskop
US7061672B2 (en) 2000-06-20 2006-06-13 Kramer Scientific Corporation Fluorescence microscope
DE10137154A1 (de) 2001-07-30 2003-02-20 Leica Microsystems Scanmikroskop und optisches Element
US7609388B2 (en) * 2002-01-24 2009-10-27 Icos Vision Systems Nv Spatial wavefront analysis and 3D measurement
US6967335B1 (en) * 2002-06-17 2005-11-22 Zyvex Corporation Manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope
US20050122577A1 (en) 2002-06-18 2005-06-09 Olympus Corporation Confocal microscope and measuring method by this confocal microscope
DE10309138A1 (de) * 2003-02-28 2004-09-16 Till I.D. Gmbh Mikroskopvorrichtung
US7102761B2 (en) 2003-06-13 2006-09-05 Zygo Corporation Scanning interferometry
US7248364B2 (en) 2003-12-19 2007-07-24 N&K Technology, Inc. Apparatus and method for optical characterization of a sample over a broadband of wavelengths with a small spot size
ES2243129B1 (es) * 2004-04-23 2006-08-16 Universitat Politecnica De Catalunya Perfilometro optico de tecnologia dual (confocal e interferometrica) para la inspeccion y medicion tridimensional de superficies.
DE102004034962A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Carl Zeiss Jena Gmbh Mikroskop mit erhöhter Auflösung
WO2007044725A2 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Microscopy arrangements and approaches
DE102005062439B3 (de) * 2005-12-23 2007-05-10 JOMESA Meßsysteme GmbH Verfahren für die Partikelanalyse und Partikelanalysesystem
JP2007218711A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法
WO2007124437A2 (en) * 2006-04-20 2007-11-01 Washington University In St. Louis Objective-coupled selective plane illumination microscopy
JP2007333810A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Konica Minolta Business Technologies Inc 画像形成装置および画像形成方法
CN2916659Y (zh) * 2006-06-19 2007-06-27 中国科学院上海光学精密机械研究所 模块化扫描探针显微镜
KR101244680B1 (ko) * 2006-06-20 2013-03-18 삼성전자주식회사 멀티 패싱장치 및 이를 포함하는 화상형성장치
DE102006034906A1 (de) * 2006-07-28 2008-01-31 Carl Zeiss Microimaging Gmbh Laser-Scanning-Mikroskop und Verfahren zu seinem Betrieb
KR101353543B1 (ko) * 2006-10-02 2014-01-27 삼성전자주식회사 멀티패스방식 칼라화상형성장치
US20080212180A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-04 Jingyun Zhang Polarization independent raman imaging with liquid crystal tunable filter
CN201096966Y (zh) * 2007-08-27 2008-08-06 苏州博思特电子科技有限公司 三维视频显微镜
US8089691B2 (en) 2007-12-10 2012-01-03 Quorum Technologies Inc. Projection device for patterned illumination and microscopy
JP5424064B2 (ja) 2008-07-09 2014-02-26 株式会社ニコン 測定装置
HUP0800433A2 (en) * 2008-07-15 2010-03-01 Femtonics Kft Laser scanning microscope for scanning along a 3d trajectory
WO2010044870A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-22 The Burnham Institute For Medical Research Automated scanning cytometry using chromatic aberration for multiplanar image acquisition
JP5325522B2 (ja) 2008-10-15 2013-10-23 株式会社堀場製作所 複合型観察装置
CN101401722B (zh) * 2008-11-07 2012-07-25 上海奥通激光技术有限公司 一种多模式共聚焦成像方法及其装置
US8254023B2 (en) * 2009-02-23 2012-08-28 Visiongate, Inc. Optical tomography system with high-speed scanner
US8599383B2 (en) * 2009-05-06 2013-12-03 The Regents Of The University Of California Optical cytometry
WO2011059833A2 (en) * 2009-10-29 2011-05-19 California Institute Of Technology Dual-mode raster point scanning/light sheet illumination microscope
US20110267663A1 (en) 2009-12-21 2011-11-03 Olympus Corporation Holographic image projection method and holographic image projection system
US10048480B2 (en) 2011-01-07 2018-08-14 Zeta Instruments, Inc. 3D microscope including insertable components to provide multiple imaging and measurement capabilities

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020012118A1 (en) * 1993-06-17 2002-01-31 Worster Bruce W. Method for characterizing defects on semiconductor wafers
US20020015146A1 (en) * 1997-09-22 2002-02-07 Meeks Steven W. Combined high speed optical profilometer and ellipsometer
US20020089741A1 (en) * 1999-06-01 2002-07-11 Kuhn William P. Wavelength multiplexed quantitative differential interference contrast microscopy
CN1412594A (zh) * 2001-10-11 2003-04-23 麦克奥迪实业集团有限公司 体视显微镜的实时3d观察方法及其装置
US7034271B1 (en) * 2004-05-27 2006-04-25 Sandia Corporation Long working distance incoherent interference microscope
US20080291533A1 (en) * 2007-05-26 2008-11-27 James Jianguo Xu Illuminator for a 3-d optical microscope
US20080291532A1 (en) * 2007-05-26 2008-11-27 James Jianguo Xu 3-d optical microscope
CN101408677A (zh) * 2007-10-11 2009-04-15 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 立体投影光学系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109791038A (zh) * 2016-08-10 2019-05-21 科磊股份有限公司 台阶大小及镀金属厚度的光学测量
CN109791038B (zh) * 2016-08-10 2021-02-26 科磊股份有限公司 台阶大小及镀金属厚度的光学测量

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