CN104937922A - 用于读取成像装置的方法 - Google Patents

用于读取成像装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104937922A
CN104937922A CN201380071066.3A CN201380071066A CN104937922A CN 104937922 A CN104937922 A CN 104937922A CN 201380071066 A CN201380071066 A CN 201380071066A CN 104937922 A CN104937922 A CN 104937922A
Authority
CN
China
Prior art keywords
row
pixel
read operation
read
reading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380071066.3A
Other languages
English (en)
Inventor
B·博塞
L·沙里耶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Trixell SAS
Original Assignee
Trixell SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Trixell SAS filed Critical Trixell SAS
Publication of CN104937922A publication Critical patent/CN104937922A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53—Control of the integration time
    • H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于读取成像装置的方法，所述成像装置用于捕获探测器中的图像，所述探测器包括组织成矩阵的被称为像素的大量光敏点。相同列的所述像素链接到列导体(Col(j))，使得能够对由所述列的所述像素获取的光信号进行连续读取，所述方法在于针对所述像素中的每一个像素执行相关双采样读取阶段，所述读取阶段包括：对所述像素(11，15)进行重置的操作，其后是两个读取操作(12，14，16，18)，所述第一读取操作无所述光信号，而所述第二读取操作具有所述光信号。根据本发明，针对所述相同列的所述像素，以下三个步骤是连续相连的：1.对第一行(I)的所述像素进行读取(14；72)的所述操作中的第一操作；2.第二行(I+1)进行读取(18；76)的所述操作中的一个操作；3.所述第一行(I)的所述像素进行读取(12；74)的所述操作中的第二操作。

Description

用于读取成像装置的方法
技术领域
本发明涉及一种用于读取成像装置的方法，该成像装置用于捕获探测器中的图像，该探测器包括通常组织成矩阵的被称为像素的大量光敏点。
背景技术
在探测器中，像素表示探测器的基本敏感元件。每一个像素将其受到的电磁辐射或光电导体的电荷流转换为电信号。源自不同像素的电信号在矩阵-读取阶段期间收集，并且然后以其可经处理和存储以便形成图像的方式数字化。像素通常由根据其接收的光子流传送电荷的电流的光敏区形成，并且形成用于处理此电流的电子电路。该光敏区通常包括光敏元件或光电探测器，其可例如是光电二极管、光敏电阻器或光电晶体管。存在大尺寸光敏矩阵，其可包括几百万个像素。
辐射探测器可用于在医疗部门中的电离辐射(并且尤其是X或γ辐射)的成像，例如用于放射线图像的探测，或用于工业部门中的无损测试。光敏元件使得能够对可见或近可见电磁辐射进行探测。这些元件不敏感或对入射到该探测器上的辐射几乎不敏感。然后通常使用被称为闪烁器的辐射转换器，其将入射辐射(例如X辐射)或波段中的辐射转换为像素中存在的光敏元件对其敏感的东西。替代方案在于以被称为光电导体的不同材料实现该光敏元件，执行X辐射到电荷的直接转换。这例如在其中第一像素化碲化镉(CdTe)衬底逐像素地连接到CMOS读取电路(其因此不再具有探测功能)的矩阵的情况下发生。
已知借助于电压跟随器实现电子处理电路，实现对该光敏元件中累积的电荷的读取，所述电荷形成光信号。电流源在其读取期间提供该像素的电力供应。
为改善有用图像的品质并且减少该有用图像中的噪声电平，可借助于在英语语言文献中众所周知的相关双采样(CDS)执行对矩阵的像素中的每一个像素的读取。此方法在于执行读取相同像素的两个连续操作，第一读取操作无光信号，紧接在重置之后，第二读取操作具有光信号，在这两个读取之间无重置。读取操作中的每一个读取操作中获得的电平的减法允许消除链接到像素重置的噪声电平。两个读取操作的时间接近允许消除探测器的一些温度偏差。
相关双采样读取的主要缺点是探测器读取时间的延长。事实上，针对矩阵的行执行两个读取操作并且还在开始对下一行的读取之前执行重置操作是必须的。假定读取和重置操作各自占据相同的时间周期，则对矩阵的完整相关双采样读取需要比在无双重采样情况下的简单读取多三倍的时间。
发明内容
本发明目的在于通过减少对矩阵的所有行的读取所需的时间来改善对矩阵的相关双采样读取。
出于此目的，本发明的主题是一种用于读取成像装置的方法，所述成像装置用于捕获图像并且包括形成矩阵的组织成行和列的多个像素，相同列的像素链接到列导体，使得能够对由列的像素获取的光信号进行连续读取，所述方法在于针对像素中的每一个像素执行相关双采样读取阶段，所述读取阶段包括对像素进行重置的操作，其后是两个读取操作，第一读取操作无光信号，而第二读取操作具有光信号，其特征在于：以下三个步骤针对相同列的像素是连续相连的：
1.对第一行的像素进行读取的操作中的第一操作，
2.对第二行进行读取的操作中的一个操作，
3.对第一行的像素进行读取的操作中的第二操作。
借助于本发明，使第一行的两个读取(步骤2)分离的时间用于对第二行执行读取操作并且是可能不同操作。针对3T像素，在步骤2期间，重置第一行。针对4T像素，在步骤2期间，执行第一行的电荷转移。这允许减少对矩阵的完整读取的持续时间，而同时保留相关双采样读取的优点。
附图说明
根据阅读以示例方式给出的一个实施例的具体实施方式，将更好地理解本发明并且其它优点将变得显而易见，该描述由附图示出，其中：
图1示出其中可实现本发明的像素的矩阵的示例；
图2以定时图的形式示出控制图1中所示矩阵的四个相继行的读取和重置的信号；
图3示出根据图2中所示的定时图的使得能够对矩阵进行控制的电路的示例；
图4和图5示出图1中所示矩阵的控制信号的替代定时图；
图6示出其中可实现本发明的像素的矩阵的另一示例；
图7以定时图的形式示出图6中所示矩阵的控制信号。
为清楚起见，在不同图中将用相同附图标记表示相同元件。
具体实施方式
图1示意性地示出具有两行和两列的矩阵，以简化理解。形成四个像素，每一个像素位于行和列的交叉点。显然，真实矩阵通常大得多，并且具有大量行和列。
每一个像素包括此处由光电二极管D示出的光敏区域和由三个晶体管T1、T2和T3形成的电子处理电路。在图1中，光电二极管D的附图标记和三个晶体管的附图标记后跟两个坐标(i，j)，可将行秩认为是i并且将列秩认为是j。实际上，此类像素可包括其它组件，尤其是其它晶体管。这就是此像素也称为3T像素的原因，因为其具有至少三个晶体管，将在下文描述所述三个晶体管中的每一个晶体管的功能。
一般而言，已知实现包括晶体管的像素的矩阵，该晶体管实现在英语语言文献中称为缩写词CMOS(互补金属氧化物半导体)的额外晶体硅半导体。本发明并不限于此类晶体管，并且可实现为例如包括在英语语言文献称为TFT的薄膜晶体管的矩阵。TFT可以是基于金属氧化物的，诸如例如，在英语语言文献中称为IGZO的非晶的或晶体的铟镓锌氧化物晶体管。可实现其它族TFT，诸如例如有机TFT、非晶硅TFT、多晶硅TFT等。
相同列的像素或更通常来说相同秩的像素共享位于列末端处的晶体管T5和读取电路S。晶体管T5和读取电路S借助于导体Col链接到列的像素。相同行的像素连接到承载信号Phi_ligne、Vdd、V_ran和Phi_ran的四个导体，使得能够对像素的行中的每一行进行控制。
在重置操作(在重置操作期间，控制信号Phi_ran是活动的)期间，晶体管T1在电压V_ran处使得能够对光电二极管D的阴极的电压进行重新初始化。
在图像捕获阶段(此在重置操作之后发生)期间，由光电二极管D接收的照明致使其阴极的电位降低。此图像捕获阶段之后是在其间对光电二极管D的电位进行读取的读取阶段。为此，晶体管T3导通，从而因控制施加到其栅极的Phi_ligne而充当开关。
晶体管T2用作跟随器，并且晶体管T5用作电流源。晶体管T2和T5然后形成电压跟随器级，其复制光电二极管D的阴极上存在的电压、并且在一定偏移内在位于列末端的读取电路S的输入上再现该电压。为执行此复制，晶体管T2需要在其漏极和其源极中流动的极化电流。此电流由电流产生器施加，该电流产生器由多个像素所共用或以其它方式有联系的晶体管T5形成。在所示示例中，晶体管T5为一列像素所共用。
可如下表示读取电路S的输入处存在的电压Vs：
Vs＝Vp–VT–K  (1)
其中，Vp是光电二极管的阴极的电压，VT是晶体管T2的阈值电压，以及K是尤其和由晶体管T5传送的电流的值关联的常数。
电压V_ran和Vdd可以完全相同。
产生控制信号Phi_ligne和Phi_ran的寻址电路(通常是偏移寄存器)未示出在图1中并且设置在行末端处。
3T像素的主要特性在于在T3导通时立即对在光电二极管D的阴极上累积的电荷进行读取。为读取该光信号，除了对晶体管T3的控制之外的控制是不必要的。
不同列的读取电路S的不同输出然后以从行或行部分获得视频信号的方式由图中未示出的级来多路复用。
还可针对整个矩阵仅使用单个电流源晶体管T5，只要其在读取这些相同列时成功切换到不同列上。
相关双采样读取在于针对给定像素执行两个操作，第一操作无光信号，紧接在重置操作之后，第二操作具有光信号，在这两个读取之间无重置。在图1中所示的矩阵具有3T像素的情况下，在两个读取操作之间发生在其间光信号出现在二极管D的阴极处的图像捕获操作。同时对相同行的所有像素进行读取。在读取操作期间，借助于信号Phi_ligne使晶体管T3导通。在重置操作期间，借助于信号Phi_ran使晶体管T1导通。
图2以定时图的形式示出图1中所示矩阵的四个相继行I、I+1、I+2和I+3的读取信号Phi_ligne和重置信号Phi_ran。信号Phi_ligne和Phi_ran是可呈现两种状态的逻辑信号。为方便起见，当处于高逻辑状态的信号使相对应的晶体管导通时，示出此信号。这仅是惯例，并且逻辑状态的电压值取决于使用的晶体管的类型。
针对行I，重置操作11t、第一读取操作12t、图像捕获操作13t和第二读取操作14t针对帧t是相连的。在读取操作14t之后，重置操作11t+1和第一读取操作12t+1针对后一帧t+1重新开始。在图2中，读取操作14t+1(与前一帧t-1相对应)也在重置操作11t之前立即出现。针对行I+1，重置操作15t、第一读取操作16t、图像捕获操作17t和第二读取操作18t是相连的。针对行I+1，也出现一方面前一帧t-1的读取操作18t-1以及另一方面后一帧t+1的重置操作15t+1和读取操作16t+1。根据本发明，第一行I的读取操作14t-1、第二行I+1的读取操作18t-1和第一行I的读取操作12t连续是相连的。有利地，同时执行读取操作18t-1和重置操作11t。类似地，可同时执行读取操作12t和重置操作15t。为简化对本发明的理解，假定读取和重置操作的持续时间相同。实际上，所述操作中的一个操作可能需要相对应晶体管的开启(opening)的较长持续时间。较长操作优先。此外，针对相同行，可提供读取操作与重置操作之间的短的停滞时间(dead time)，以便防止晶体管T1和T2同时导通，其将导致对电压的读取受到列导体Col上的V_ran、而非仅光电二极管D的阴极上累积的电荷的影响。针对行I+2和I+3，读取和重置信号的相同相连关于行I和I+1发生，而在这两对行之间无信号的同时性。更确切地说，针对行I+2，帧t-1的第二读取信号19t-1在帧t的第一读取信号16t之后发生。更一般而言，对一行进行读取的一个操作交错在对不同行进行读取的两个操作之间。换句话说，对两个不同行进行读取的操作交错。此外，针对两个不同的并且在所示示例中相继的行的读取和重置的同时性有利地存在。
可借助于可编程逻辑电路(诸如例如，英语语言文献中称为FPGA的现场可编程门阵列)实现对读取和重置信号的控制。
还可以借助于专用的集成电路(在英语语言文献中众所周知名为ASIC(专用集成电路))来控制这两个信号。在图3中示出这种专用的电路20的示例。在此示例中，此电路使得能够对两行的信号进行控制。显然可实现控制大量行和/或其它功能的专用的电路。
电路20包括四个双稳态电路D 21、22、23和24以及两个OR单元25和26。四个双稳态电路21、22、23和24的时钟输入CP接收外部时钟信号CK，并且四个双稳态电路21、22、23和24的重置输入CD接收外部重置信号RST。双稳态电路24的输入D从控制两行I-2和I-1的不同的专用的电路接收输入信号IN。双稳态电路24的输出Q连接到双稳态电路23的输入D并且连接到单元26的第一输入。双稳态电路23的输出Q传送信号Phi_ran(I)，并且连接到双稳态电路22的输入D并且连接到单元25的第一输入。双稳态电路22的输出Q传送信号Phi_ran(I+1)，连接到双稳态电路21的输入D并且连接到单元26的第二输入。双稳态电路21的输出Q连接到单元25的第二输入并且传送旨在形成控制行I+2和I+3的专用的电路的信号IN的输出信号OUT。单元25的输出传送信号Phi_ligne(I+1)，并且单元26的输出传送信号Phi_ligne(I)。
图2和图3描述读取操作的交错以及读取和重置操作针对两个相继行的同时性。换句话说，行I、I+1、I+2和I+3是相继的。这简化对相对应信号Phi_ligne和Phi_ran的控制。替代地，可以实现针对非相继行的交错和同时性。
图4描述两个偶数行I与I+2之间以及两个奇数行I+1与I+3之间的交错和同时性。为避免使该图过载，仅示出定时图的一部分，而无图像捕获操作。换句话说，跳过行以便实现交错和同时性。行的较大跳过也是可行的。此替代方案避免对连续行的控制。此替代方案防止对一行的控制干扰相邻行。更确切地说，防止一行的重置干扰对相邻行的读取。
图5描述其中交错和同时性不对称的不同替代方案。在此替代方案中，针对行I+2，帧t-1的第二读取操作51t-1与帧t针对行I的重置操作52t同时实现。帧t-1针对行I+3的第一读取操作53t-1与帧t针对行I+1的重置操作54t同时实现。帧t针对行I+2的第一读取操作55t与帧t针对行I+3的重置操作56t同时实现。行I+2的读取操作51t-1交错在行I的两个读取操作之间：帧t-1的操作57t-1和帧t的操作58t。类似地，行I+3的读取操作53t-1交错在行I+1的两个读取操作之间：帧t-1的操作59t-1和帧t的操作60t。
图6示意性地示出4T像素的具有两行和两列的矩阵的不同示例。如前，显然，真实矩阵通常大得多并且具有大量行和列。除先前参考图1描述的光电二极管D以及三个晶体管T1、T2和T3以外，4T像素包括第四晶体管T4和存储电容C。反向偏压的PN结有利地用于实现此电容。还可实现电容器。通常使用在英语语言文献中众所周知的“绞接(pinned)二极管”D。晶体管T4隔离光电二极管D和存储电容C。晶体管T4由专用于矩阵的每一行的行转移信号Tx控制。由4T像素形成的矩阵更好地适于相关双采样。事实上，针对相同帧，可在图像捕获操作之后执行两个像素-读取操作。在两个读取操作之间，交错操作以用于将电荷从二极管D转移到存储电容C。在第一读取操作之前，借助于由信号Phi_ran控制的晶体管T1执行像素重置操作。此重置操作仅作用于存储电容C，并且不作用于二极管D。一般来说，4T像素名称总体是指包括晶体管T4并且允许光电二极管D与存储电容C之间的电荷转移的像素，而不管此像素可能具有的功能和额外的晶体管。在4T像素中，为读取光信号，两个控制是必要的：由晶体管T4实现的电荷转移控制和由晶体管T3实现的行读取命令。
在4T像素中，可以通过连续关断(close)晶体管T3并且在晶体管T3的关断期间借助于晶体管T4实现电荷转移来实现这两个读取操作。在此连续读取期间，执行两次采样，第一采样在电荷转移之前，而第二采样在电荷转移之后。此操作模式具有缺点。更确切地说，使这两次采样分离的周期必需足以稳定电荷转移。此周期表示因晶体管T3的关断而不稳定的停滞时间。通过中断对一行的读取并且通过在此停滞时间期间交错对不同行的读取，本发明利用电荷转移所必需的停滞时间。这减少用于读取整个矩阵的总持续时间。
图7以定时图的形式示出图6中所示矩阵的四个相继行的控制信号。图像捕获操作并不出现在此图中，因为所有这些命令在此操作之后发生。针对行I，重置操作71、第一读取操作72、从二极管D到存储电容C的电荷转移操作73和第二读取操作74是相连的。针对行I+1，重置操作75、第一读取操作76、从二极管D到存储电容C的电荷转移操作77和第二读取操作78是相连的。针对行I+2，重置操作79、第一读取操作80、从二极管D到存储电容C的电荷转移操作81和第二读取操作82是相连的。针对行I+3，重置操作83、第一读取操作84、从二极管D到存储电容C的电荷转移操作85和第二读取操作86是相连的。根据本发明，第一行I的读取操作72、第二行I+1的读取操作76和第一行I的读取操作74是相连的。此外，同时执行第一行I的电荷转移操作和第二行I+1的第一读取操作。
有利地，同时对两个不同行执行读取操作和重置操作。更确切地说，行I的读取操作72和行I+1的重置操作75是同时的。行I+1的读取操作78和行I+2的重置操作79是同时的。行I+2的读取操作80和行I+3的重置操作83是同时的。
可有利地实现读取和电荷转移操作的不同同时性：可同时执行第一行I的第二读取操作74和第二行I+1的电荷转移操作77。类似地，可同时执行电荷转移操作81和第一读取操作84。可同时执行第二读取操作82和电荷转移操作85。
在实现3T或4T像素的两个实施例中，针对其执行读取操作的相连的不同行可以或可以不相继。

Claims (10)

1.一种用于读取成像装置的方法，所述成像装置用于捕获图像并且包括形成矩阵的组织成行和列的多个像素，相同列的所述像素链接到列导体(Col(j))，使得能够对由所述列的所述像素获取的光信号进行连续读取，所述方法在于针对所述像素中的每一个像素执行相关双采样读取阶段，所述读取阶段包括对所述像素进行重置(11，15；71，75)的操作，其后是两个读取操作(12，14，16，18；72，74，76，78)，所述第一读取操作无所述光信号，而所述第二读取操作具有所述光信号，其特征在于：以下三个步骤针对所述相同列的所述像素是连续相连的：
1.对第一行(I)的所述像素进行读取(14；72)的所述操作中的第一操作，
2.对第二行(I+1)进行读取(18；76)的所述操作中的一个操作，
3.对所述第一行(I)的所述像素进行读取(12；74)的所述操作中的第二操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：对所述第一行(I)的所述像素进行读取(12；72)的操作与对所述第二行(I+1)的所述像素进行重置(15；75)的操作同时执行。
3.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其特征在于：所述像素为3T像素，并且其特征在于：针对第一行(I)，重置操作(11t)、第一读取操作(12t)、图像捕获操作(13t)和第二读取操作(14t)针对当前帧t是相连的，并且重置操作(11t+1)针对所述当前帧(t)之后的帧(t+1)是相连的，并且其特征在于：针对第二行(I+1)，第二读取操作(18t-1)针对所述当前帧(t)之前的帧(t-1)是相连的，重置操作(15t)、第一读取操作(16t)、图像捕获操作(17t)和第二读取操作(18t)针对所述当前帧(t)是相连的，并且其特征在于：针对所述当前帧(t)的所述第一行(I)的所述重置操作(11t)和在步骤2中执行的针对所述前一帧(t-1)的所述第二行(I+1)的所述第二读取操作(18t-1)同时执行。
4.根据权利要求2和3所述的方法，其特征在于：针对所述当前帧(t)的所述第一行(I)的所述第一读取操作(12t)与针对所述当前帧(t)的所述第二行(I+1)的所述重置操作(15t)同时执行。
5.根据权利要求1或2中的任一项所述的方法，其特征在于：所述像素为4T像素，并且其特征在于：针对相同列的所述像素，所述第一行(I)的电荷转移操作(73)和在步骤2中执行的所述第二行(I+1)的所述第一读取操作(76)同时执行。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：转移第二行(I+1)的所述像素的所述电荷(77)的操作和在步骤3中执行的读取(74)第一行(I)的所述像素的所述操作同时执行。
7.根据权利要求2和权利要求5或6中的一项所述的方法，其特征在于：针对第一行(I)，重置操作(71)、第一读取操作(72)、电荷转移操作(73)和第二读取操作(74)是相连的，并且其特征在于：针对第二行(I+1)，重置操作(75)、第一读取操作(76)、电荷转移操作(77)和第二读取操作(78)是相连的，并且其特征在于：针对第三行(I+2)，重置操作(79)、第一读取操作(80)、电荷转移操作(81)和第二读取操作(82)是相连的，并且其特征在于：所述第二行(I+1)的所述重置操作(75)和在步骤1中执行的所述第一行(I)的所述第一读取操作(72)同时执行。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述第二行(I+1)的所述读取操作(78)和所述第三行(I+2)的所述重置操作(79)同时执行。
9.根据前述权利要求中的一项权利要求所述的方法，其特征在于：所述第一行(I)和所述第二行(I+1)是相继的。
10.根据权利要求1至8中的一项所述的方法，其特征在于：所述第一行(I)和所述第二行(I+2)不是相继的。
CN201380071066.3A 2012-12-21 2013-12-20 用于读取成像装置的方法 Pending CN104937922A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1262662 2012-12-21
FR1262662A FR3000347B1 (fr) 2012-12-21 2012-12-21 Procede de lecture d'un dispositif d'imagerie
PCT/EP2013/077861 WO2014096433A1 (fr) 2012-12-21 2013-12-20 Procede de lecture d'un dispositif d'imagerie

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104937922A true CN104937922A (zh) 2015-09-23

Family

ID=48224901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380071066.3A Pending CN104937922A (zh) 2012-12-21 2013-12-20 用于读取成像装置的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9648257B2 (zh)
EP (1) EP2936800A1 (zh)
JP (1) JP2016502365A (zh)
KR (1) KR20150100816A (zh)
CN (1) CN104937922A (zh)
FR (1) FR3000347B1 (zh)
WO (1) WO2014096433A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111669525A (zh) * 2019-03-07 2020-09-15 迈来芯科技有限公司 像素电压调节器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3563563B1 (en) * 2016-12-30 2020-12-16 Sony Advanced Visual Sensing AG Data rate control for event-based vision sensor
US10785436B1 (en) * 2019-09-11 2020-09-22 Pixart Imaging Incorporation Image sensor and transfer circuit and transfer method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1671188A (zh) * 2004-03-17 2005-09-21 富士通株式会社 固态成像装置及其驱动方法
US20090160990A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Micron Technology, Inc. Imager method and apparatus having combined select signals
US20100110216A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Sony Corporation Imaging element, drive method for imaging element, and camera
US20100155576A1 (en) * 2008-04-11 2010-06-24 Foveon, Inc. Multi-color cmos pixel sensor with shared row wiring and dual output lines

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898168A (en) * 1997-06-12 1999-04-27 International Business Machines Corporation Image sensor pixel circuit
US6433632B1 (en) * 1999-06-11 2002-08-13 Analog Devices, Inc. Correlated double sampling circuit with op amp
US7456879B2 (en) * 2003-08-29 2008-11-25 Aptina Imaging Corporation Digital correlated double sampling using dual analog path
JP5460342B2 (ja) * 2010-01-08 2014-04-02 パナソニック株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法
JP5468939B2 (ja) * 2010-03-03 2014-04-09 オリンパス株式会社 固体撮像装置および駆動方法
WO2012137445A1 (ja) * 2011-04-08 2012-10-11 パナソニック株式会社 固体撮像装置の駆動方法
EP3103255B1 (en) * 2014-02-07 2021-07-07 Rambus Inc. Feedthrough-compensated image sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1671188A (zh) * 2004-03-17 2005-09-21 富士通株式会社 固态成像装置及其驱动方法
US20090160990A1 (en) * 2007-12-20 2009-06-25 Micron Technology, Inc. Imager method and apparatus having combined select signals
US20100155576A1 (en) * 2008-04-11 2010-06-24 Foveon, Inc. Multi-color cmos pixel sensor with shared row wiring and dual output lines
US20100110216A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Sony Corporation Imaging element, drive method for imaging element, and camera

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111669525A (zh) * 2019-03-07 2020-09-15 迈来芯科技有限公司 像素电压调节器
CN111669525B (zh) * 2019-03-07 2023-02-14 迈来芯科技有限公司 像素电压调节器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014096433A1 (fr) 2014-06-26
JP2016502365A (ja) 2016-01-21
FR3000347B1 (fr) 2016-03-04
KR20150100816A (ko) 2015-09-02
US9648257B2 (en) 2017-05-09
FR3000347A1 (fr) 2014-06-27
EP2936800A1 (fr) 2015-10-28
US20150350581A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240056695A1 (en) Solid-state imaging device, method of driving the same, and electronic apparatus
CN102970493B (zh) 多重转换增益图像传感器的多电平复位电压
US11303857B2 (en) Imaging device including pixel array and addition circuit
US7675561B2 (en) Time delayed integration CMOS image sensor with zero desynchronization
US7542085B2 (en) Image sensor with a capacitive storage node linked to transfer gate
EP2587794B1 (en) Pixel and pixel array with global shutter
US8953075B2 (en) CMOS image sensors implementing full frame digital correlated double sampling with global shutter
CN101243681B (zh) 像素个别抗重叠电路及其操作方式
US8174601B2 (en) Image sensor with controllable transfer gate off state voltage levels
US9723236B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and method for driving photoelectric conversion apparatus
US20120327281A1 (en) Electronic apparatus and driving method therefor
JP2008507908A (ja) 杆体および錐体応答センサ
CN109819184A (zh) 图像传感器及减少图像传感器固定图像噪声的方法
US20080315272A1 (en) Image sensor with gain control
CN102037723A (zh) 具有减少的阱跳变的图像传感器
CN104937922A (zh) 用于读取成像装置的方法
US8957360B2 (en) Method for driving photoelectric conversion apparatus
US10091444B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and photoelectric conversion system
CN109936714B (zh) 一种高灵敏度长曝光时间像素结构
JPWO2020054373A1 (ja) 撮像装置および撮像方法
JP2006262070A (ja) 光電変換装置及びｃｍｏｓイメージセンサ
CN111355908A (zh) 行导体具有经控制阻抗的矩阵检测器
US20160150170A1 (en) Control of the duration of integration in a photosensitive device
KR100656667B1 (ko) 이미지 센서의 감도 개선 및 화질 개선을 위한 단위 화소구동 제어 장치
WO2014007107A1 (ja) 固体撮像装置、駆動方法、および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150923

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication