JP2006262070A - 光電変換装置及びcmosイメージセンサ - Google Patents
光電変換装置及びcmosイメージセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006262070A JP2006262070A JP2005076533A JP2005076533A JP2006262070A JP 2006262070 A JP2006262070 A JP 2006262070A JP 2005076533 A JP2005076533 A JP 2005076533A JP 2005076533 A JP2005076533 A JP 2005076533A JP 2006262070 A JP2006262070 A JP 2006262070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mos transistor
- photoelectric conversion
- type mos
- conversion element
- charge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】光電変換素子に光信号が入射していない状態を機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができる光電変換装置及びCMOSイメージセンサを提供する。
【解決手段】シャッタ制御部112は、n型MOSトランジスタ102をオンにし、かつ、n型MOSトランジスタ103をオフにして、フォトダイオード100で発生した電荷がn型MOSトランジスタ102によって電源に転送される第1モードと、n型MOSトランジスタ102をオフにし、かつ、n型MOSトランジスタ103をオンにして、フォトダイオード100で発生した電荷がn型MOSトランジスタ103によってコンデンサ101に転送される第2モードとに切り替えるように、第1,n型MOSトランジスタ103のゲート電圧を制御する。
【選択図】図1
【解決手段】シャッタ制御部112は、n型MOSトランジスタ102をオンにし、かつ、n型MOSトランジスタ103をオフにして、フォトダイオード100で発生した電荷がn型MOSトランジスタ102によって電源に転送される第1モードと、n型MOSトランジスタ102をオフにし、かつ、n型MOSトランジスタ103をオンにして、フォトダイオード100で発生した電荷がn型MOSトランジスタ103によってコンデンサ101に転送される第2モードとに切り替えるように、第1,n型MOSトランジスタ103のゲート電圧を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は光電変換装置及びCMOSイメージセンサに関する。より詳しくは、本発明は、例えばビデオカメラやディジタルカメラの電子式撮像装置に使用される光電変換装置及びCMOSイメージセンサに関する。
従来のCMOSイメージセンサは、各画素のフォトダイオードなどで実現する光電変換部で光信号を信号電荷に変換し、この信号電荷を電荷蓄積器で一定期間蓄積していた(例えば特開平11−307753号公報(特許文献1)参照。)。
上記従来のCMOSイメージセンサは、図3に示すように、光電変換部として機能するフォトダイオード300と、このフォトダイオード300に並行に接続された電荷蓄積器301とを備えている。
上記フォトダイオード300に入る光信号は信号電荷に変換され、電荷蓄積器301に一定期間蓄積される。その後、上記信号電荷は信号検出回路310で読み出される。この読み出し後も信号電荷は電荷蓄積器301に保持されているが、リセット部311が電荷蓄積器301の信号電荷を破棄して電荷蓄積器301の端子Qの電圧を初期値にリセットする。
上記電荷蓄積器301はフォトダイオード300のpn接合容量や信号検出手段310の入力容量などを組み合わせたものである。そして、上記電荷蓄積器301の端子Qの電圧は、図4に示すように、初期値(例えば2.4V)から信号電荷を蓄積した分だけ低下していく。
ところが、上記従来のCMOSイメージセンサでは、フォトダイオード300で光信号を電気的に変換した信号電荷を、フォトダイオード300を含む電荷蓄積器301で蓄積しているために、フォトダイオード300に光信号が入射していない状態を機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができなかった。
特開平11−307753号公報
そこで、本発明の課題は、光電変換素子に光信号が入射していない状態を機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができる光電変換装置及びCMOSイメージセンサを提供することにある。
上記課題を解決するため、第1の発明の光電変換装置は、
光電変換素子と、上記光電変換素子で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、上記光電変換素子と電源との間に接続された第1MOSトランジスタと、上記光電変換素子と上記電荷蓄積部との間に接続された第2MOSトランジスタとを含む画素と、
上記第1MOSトランジスタをオンにし、かつ、上記第2MOSトランジスタをオフにして、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第1MOSトランジスタによって上記電源に転送される第1モード、または、上記第1MOSトランジスタをオフにし、かつ、上記第2MOSトランジスタをオンにして、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第2MOSトランジスタによって上記電荷蓄積部に転送される第2モードに切り替えて、上記光電変換素子で発生した電荷がその光電変換素子で蓄積されずに上記第1MOSトランジスタまたは上記第2MOSトランジスタで常に転送されるように、上記第1,第2MOSトランジスタのゲート電圧を制御する制御部と
を備えたことを特徴としている。
光電変換素子と、上記光電変換素子で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、上記光電変換素子と電源との間に接続された第1MOSトランジスタと、上記光電変換素子と上記電荷蓄積部との間に接続された第2MOSトランジスタとを含む画素と、
上記第1MOSトランジスタをオンにし、かつ、上記第2MOSトランジスタをオフにして、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第1MOSトランジスタによって上記電源に転送される第1モード、または、上記第1MOSトランジスタをオフにし、かつ、上記第2MOSトランジスタをオンにして、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第2MOSトランジスタによって上記電荷蓄積部に転送される第2モードに切り替えて、上記光電変換素子で発生した電荷がその光電変換素子で蓄積されずに上記第1MOSトランジスタまたは上記第2MOSトランジスタで常に転送されるように、上記第1,第2MOSトランジスタのゲート電圧を制御する制御部と
を備えたことを特徴としている。
上記構成の光電変換装置によれば、上記制御部は、第1,第2MOSトランジスタのゲート電圧を制御することによって、第1MOSトランジスタがオンで第2MOSトランジスタがオフになる第1モード、または、第1MOSトランジスタがオフで第2MOSトランジスタがオンになる第2モードに切り替える。したがって、上記光電変換素子で発生した電荷がその光電変換素子で蓄積されずに第1MOSトランジスタまたは第2MOSトランジスタで常に電源または電荷蓄積部に転送されるので、光電変換素子で発生した電荷が光電変換素子で蓄積されないようにでき、光電変換素子に光信号が入射していない状態を、機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができる。
一実施形態の光電変換装置では、
上記電荷蓄積部に蓄積された電荷を読み出す時、上記制御部が上記第1モードを選択して、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第1MOSトランジスタによって上記電源に転送される。
上記電荷蓄積部に蓄積された電荷を読み出す時、上記制御部が上記第1モードを選択して、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第1MOSトランジスタによって上記電源に転送される。
一実施形態の光電変換装置では、
上記画素は、
上記電荷蓄積部と上記電源との間に接続されたリセット用第3MOSトランジスタと、
電源と信号検出出力線との間に接続されると共に、ゲートが上記電荷蓄積部に接続された第4MOSトランジスタと、
上記第4MOSトランジスタの出力端子と上記信号検出出力線との間に接続された第5MOSトランジスタと
を含む。
上記画素は、
上記電荷蓄積部と上記電源との間に接続されたリセット用第3MOSトランジスタと、
電源と信号検出出力線との間に接続されると共に、ゲートが上記電荷蓄積部に接続された第4MOSトランジスタと、
上記第4MOSトランジスタの出力端子と上記信号検出出力線との間に接続された第5MOSトランジスタと
を含む。
第2の発明のCMOSイメージセンサは、
上記画素を複数配列した画素アレイと、
上記制御部と
を備え、
上記複数の上記MOSトランジスタは相補型に構成されていることを特徴としている。
上記画素を複数配列した画素アレイと、
上記制御部と
を備え、
上記複数の上記MOSトランジスタは相補型に構成されていることを特徴としている。
第2の発明のCMOSイメージセンサでは、
上記画素を複数配列した画素アレイと、
上記制御部と、
読み出すべき上記画素の第5MOSトランジスタのゲートの電圧を制御する選択回路と
を備え、
上記複数の上記MOSトランジスタは相補型に構成されていることを特徴としている。
上記画素を複数配列した画素アレイと、
上記制御部と、
読み出すべき上記画素の第5MOSトランジスタのゲートの電圧を制御する選択回路と
を備え、
上記複数の上記MOSトランジスタは相補型に構成されていることを特徴としている。
本発明の光電変換装置によれば、第1MOSトランジスタおよび第2MOSトランジスタに対する制御部の制御によって、光電変換素子で発生した電荷がその光電変換素子で蓄積されずに第1MOSトランジスタまたは第2MOSトランジスタで常に電源または電荷蓄積部に転送されるので、光電変換素子で発生した電荷が光電変換素子で蓄積されないようにでき、光電変換素子に光信号が入射していない状態を、機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができる。
以下、本発明の光電変換装置及びを図示の実施の形態により詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1に、本発明の第1実施形態の光電変換装置の回路図を示す。
図1に、本発明の第1実施形態の光電変換装置の回路図を示す。
上記光電変換装置は、光電変換素子の一例としてのフォトダイオード100と、電荷蓄積部の一例としてのコンデンサ101と、第1MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ102と、第2MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ103と、信号検出部110と、リセット部111と、制御部の一例としてのシャッタ制御部112とを備えている。尚、上記フォトダイオード100、コンデンサ101、n型MOSトランジスタ102,103、信号検出部110及びリセット部111が画素の一例を構成している。
上記フォトダイオード100は外部から受けた光信号を信号電荷に変換する。そして、上記フォトダイオード100の一端である端子Pは、n型MOSトランジスタ102を介して電源に接続されていると共に、n型MOSトランジスタ103を介してコンデンサ101に接続されている。一方、上記フォトダイオード100の他端は接地されている。
上記コンデンサ101の一端である端子Qは信号検出部110及びリセット部111に接続されている。一方、上記コンデンサ101の他端は接地されている。
上記n型MOSトランジスタ102,103のゲートは第1,第2シャッタ端子S1,S2を介してシャッタ制御部112に接続されている。このシャッタ制御部112は、n型MOSトランジスタ102,103のゲート電圧を制御することよって、n型MOSトランジスタ102,103のうちの一方をオン状態(導通状態)にする。これにより、上記フォトダイオード100で発生する信号電荷が電源またはコンデンサ101に転送される。
上記リセット部111はコンデンサ101に蓄積した信号電荷を破棄してリセットする。
図2に、上記光電変換装置の一動作例のタイミングチャートを示す。ここで、上記n型MOSトランジスタ102,103のスレッショルド電圧は例えば0.6Vとする。また、上記電源電圧は例えば3Vとする。
図2では、上記第1シャッタ端子S1の電圧が1Vであり、かつ、第2シャッタ端子S2の電圧が0Vである時、電子シャッタが閉じた状態となる。また、上記第1シャッタ端子S1の電圧が0Vであり、かつ、第2シャッタ端子S2の電圧が1Vである時、電子シャッタが開いた状態となっている。すなわち、図2では間隔を空けて二回、電子シャッタを開けている。
上記電子シャッタが閉じた状態では、フォトダイオード100で発生する信号電荷は全て電源に転送されるため、コンデンサ101の一端の電荷Qは変化しない。一方、上記電子シャッタが開いた状態では、フォトダイオード100で発生する信号電荷は全てコンデンサ101に転送されるため、コンデンサ101の端子Qの電圧は信号電荷に応じて低下する。しかし、上記電子シャッタが開状態及び閉状態のどちらであっても、フォトダイオード100の端子Pのバイアス電圧は、n型MOSトランジスタ102,103をオン状態にするためのシャッタ電圧1Vからスレッショルド電圧0.6Vを引いた値0.4V付近でおおよそ一定である。上記コンデンサ101の端子Qの電圧と初期値2.4Vとの差分が信号電圧Vsとなる。上記信号検出部110がコンデンサ101の信号電荷を検出した後、リセット部111がコンデンサ101の端子Qの電圧を初期値2.4Vにリセットする。
上述の動作により、2回の電子シャッタ開閉による信号の和が、信号検出部110による1回の検出で得られる。したがって、上記信号の和に基づいて多重露光画像を機械式シャッタを生成できる。
また、このような電子シャッタは機械式シャッタと比較して格段に高速化できる。
また、上記n型MOSトランジスタ102,103のゲートに対するシャッタ制御部112の制御によって、フォトダイオード100で発生した電荷がそのフォトダイオード100で蓄積されずにn型MOSトランジスタ102またはn型MOSトランジスタ103で常に電源またはコンデンサ101に転送されるので、フォトダイオード100で発生した電荷がフォトダイオード100で蓄積されないようにでき、フォトダイオード100に光信号が入射していない状態を、機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができる。
上記第1実施形態では、コンデンサを電荷蓄積部の一例として用いたが、例えば、信号検出部の入力容量とその他寄生容量とを組み合わせたものを電荷蓄積部の一例として用いてもよい。つまり、上記電荷蓄積部は集積回路の特定素子に限定されない。
(第2実施形態)
図5に、本発明の第2実施形態の光電変換装置の回路図を示す。
図5に、本発明の第2実施形態の光電変換装置の回路図を示す。
上記光電変換装置は、画素の一例としての画素回路Cと、この画素回路Cの第1,第2シャッタ端子S1,S2に接続されたシャッタ制御部512とを備えている。
上記画素回路Cは、光電変換素子の一例としてのフォトダイオード500と、電荷蓄積部の一例としてのコンデンサ501と、第1MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ502と、第2MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ503と、リセット用第3MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ504と、第4MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ505と、第5MOSトランジスタの一例としてのn型MOSトランジスタ506とで構成されている。
上記フォトダイオード500は外部から受けた光信号を信号電荷に変換する。そして、上記フォトダイオード500の一端は、n型MOSトランジスタ502を介して電源に接続されていると共に、n型MOSトランジスタ503を介してコンデンサ501に接続されている。一方、上記フォトダイオード500の他端は接地されている。
この画素回路Cの第1,第2シャッタ端子S1,S2にはが電圧を印加する。
上記シャッタ制御部512がn型MOSトランジスタ502,503のゲート電圧を制御することによって、n型MOSトランジスタ502,503の一方がオン状態(導通状態)になる。これにより、上記フォトダイオード100で発生する信号電荷が電源またはコンデンサ101に転送される。
上記コンデンサ501の一端は、n型MOSトランジスタ504を介して電源に接続されていると共に、n型MOSトランジスタ505のベースに接続されている。一方、上記コンデンサ501の他端は接地されている。
上記n型MOSトランジスタ504はリセット部511を構成する。また、上記n型MOSトランジスタ504のゲートはリセット端子Rに接続されている。このリセット端子Rの電圧を3Vにすると、コンデンサ501に蓄積した信号電荷が破棄され、コンデンサ501がリセットされる。また、上記コンデンサ501をリセットする以外の場合、リセット端子Rの電圧は0Vにする。
上記n型MOSトランジスタ505とn型MOSトランジスタ506とは信号検出部510を構成する。つまり、上記n型MOSトランジスタ505は電源と信号検出出力線OLとの間に接続され、n型MOSトランジスタ506はn型MOSトランジスタ505の出力端子と信号検出出力線OLとの間に接続されている。つまり、上記n型MOSトランジスタ505は、電源と画素出力端子Dとの間でn型MOSトランジスタ506に対して直列に接続されている。また、上記n型MOSトランジスタ506のゲートは画素選択端子Yに接続されている。この画素選択端子Yの電圧を例えば3Vにすると、n型MOSトランジスタ506がオン状態になって、コンデンサ501に蓄積した信号電荷がn型MOSトランジスタ505で検出される。つまり、上記信号検出部510は上記光信号に応じた電気信号を画素出力端子Dに出力する。また、上記信号電荷をn型MOSトランジスタ505で検出する以外の場合、画素選択端子Yの電圧は0Vにする。
図6に、上記シャッタ制御部512の回路図を示す。ここで、上記電源の電圧は3Vとする。
上記シャッタ制御部512は、p型MOSトランジスタ600及びn型MOSトランジスタ601から成る第1インバータ601と、p型MOSトランジスタ602及びn型MOSトランジスタ603から成る第2インバータ602と、n型MOSトランジスタ604〜608とで構成されている。
上記第1インバータ611の入力は入力端子Iに接続されている。より詳しくは、上記入力端子Iからの入力信号はn型MOSトランジスタ601,602のゲートに入力される。また、上記第1インバータ611の出力は第2インバータ612の入力に接続されている。つまり、上記第1インバータ611の出力信号が第2インバータ612に入力される。
上記n型MOSトランジスタ604とn型MOSトランジスタ605との間は第2シャッタ端子S2に接続されている。そして、上記n型MOSトランジスタ604の一端はn型MOSトランジスタ608を介して電源に接続されている。一方、上記n型MOSトランジスタ604の他端はn型MOSトランジスタ605を介して接地されている。そして、上記n型MOSトランジスタ604のゲートには第2インバータ612の出力信号が入力される。また、上記n型MOSトランジスタ605のゲートは第1インバータ611の出力に接続されている。つまり、上記n型MOSトランジスタ605のゲートには第1インバータ611の出力信号が入力される。
上記n型MOSトランジスタ606とn型MOSトランジスタ607との間は第1シャッタ端子S1に接続されている。そして、上記n型MOSトランジスタ606の一端はn型MOSトランジスタ608を介して電源に接続されている。一方、上記n型MOSトランジスタ606の他端はn型MOSトランジスタ607を介して接地されている。そして、上記n型MOSトランジスタ606のゲートには第1インバータ611の出力信号が入力される。また、上記n型MOSトランジスタ607のゲートは第2インバータ612の出力に接続されている。つまり、上記n型MOSトランジスタ607のゲートには第2インバータ612の出力信号が入力される。
上記n型MOSトランジスタ608のゲートには、電源電圧より低いシャッタ電圧1Vを生成するために例えば1.6Vが与えられる。
このようにシャッタ制御部を構成することにより、振幅電圧が電源電圧と同じ入力信号から振幅電圧が電源電圧より低いシャッタ電圧1Vの出力信号を生成することができる。
図7に、上記光電変換装置を備えるCMOSイメージセンサの回路図を示す。
上記CMOSイメージセンサは、画素アレイ701と、この画素アレイ701の読出し画素位置を選択するための選択回路702とを備えている。
上記画素アレイ701はm列n行に配置されたm×n個の画素回路C[0〜m,0〜n]で構成されている。上記各画素回路Cには端子R0を介してリセット信号を入力できる。
同一列の画素回路Cの画素出力端子Dは互いに接続されて選択回路702に接続されている。列0〜mの画素出力端子Dはn型MOSトランジスタMX[0〜m]を介して出力端子Oに接続されている。例えば、列1の画素出力端子Dはn型MOSトランジスタMX[1]を介して出力端子Oに接続されている。
同一行の画素回路Cの画素選択端子Yは互いに接続されている。行0〜nの画素選択端子Yは端子Y[0〜n]に接続されている。例えば、行1の画素選択端子Yは端子Y[1]に接続されている。
上記出力端子Oはn型MOSトランジスタMLにより接地されている。上記n型MOSトランジスタMLのゲートはバイアス端子Bに接続されている。上記バイアス端子Bは一定電圧に保たれる。
上記画素回路C[0〜m,0〜n]の第1,第2シャッタ端子S1,S2の全てはシャッタ制御回路700に接続されている。
尚、図7では、画素回路Cは少なくとも3列3行あるように図示されているが、2列2行であってもよい。つまり、m,nは共に2以上の自然数であればよい。
図8に、上記CMOSイメージセンサの一動作例のタイミングチャートを示す。以下の説明において、ハイレベルとは電源電圧と等しい3Vを指し、ローレベルは0Vを意味することとする。そして、パルス幅は回路動作可能な短い時間間隔、例えば1μ秒とする。
上記端子R0にパルスを入力して全画素回路C[0〜m,0〜n]をリセットした後、撮影を開始する。上記入力端子Iの電圧がローレベルにすると、電子シャッタが閉じた状態になる一方、入力端子Iの電圧がハイレベルにすると、電子シャッタが開いた状態になる。撮影が終了した後、電子シャッタを閉じた状態で信号の読出しを開始する。同一行の信号は続けて読み出す。例えば、上記端子Y[0〜n]を順にハイレベルにし、端子X[0〜m]に順にパルスを入力して読み出す。
上述の動作により、電子シャッタを閉めながら順に全画素の信号の読出しができる。このようにすると全画素の露光開始と終了の時間が完全に同時化できる。
また、例えば、図9に示すように、画面の左から画面の右に移動する被写体の多重露光画像を、機械式シャッタを1回開閉するだけで撮影できる。より詳しくは、上記多重露光画像は、機械式シャッタを開けた後、機械式シャッタの開閉操作を行わなくても、上記電子シャッタを3回を開閉することにより得ることができる。
また、上記電子シャッタを閉めた状態で、信号の読み出しを行うことにより、画素間の露光時間のずれによる移動被写体画像の歪みをなくすことができる。
また、上記n型MOSトランジスタ502,503のゲートに対するシャッタ制御部512の制御によって、フォトダイオード500で発生した電荷がそのフォトダイオード500で蓄積されずにn型MOSトランジスタ502またはn型MOSトランジスタ503で常に電源またはコンデンサ501に転送されるので、フォトダイオード500で発生した電荷がフォトダイオード500で蓄積されないようにでき、フォトダイオード500に光信号が入射していない状態を、機械式シャッタを用いずに電気的に実現することができる。
上記第2実施形態では、コンデンサを電荷蓄積部の一例として用いたが、例えば、信号検出部の入力容量とその他寄生容量とを組み合わせたものを電荷蓄積部の一例として用いてもよい。つまり、上記電荷蓄積部は集積回路の特定素子に限定されない。
上記第1,第2実施形態では、複数のMOSトランジスタは相補型に構成されている。
100,500 フォトダイオード
101,501 コンデンサ
102,103,502〜506 n型MOSトランジスタ
110,510 信号検出部
111,511 リセット部
112,512 シャッタ制御部
701 画素アレイ
702 選択回路
C 画素回路
101,501 コンデンサ
102,103,502〜506 n型MOSトランジスタ
110,510 信号検出部
111,511 リセット部
112,512 シャッタ制御部
701 画素アレイ
702 選択回路
C 画素回路
Claims (5)
- 光電変換素子と、上記光電変換素子で発生した電荷を蓄積する電荷蓄積部と、上記光電変換素子と電源との間に接続された第1MOSトランジスタと、上記光電変換素子と上記電荷蓄積部との間に接続された第2MOSトランジスタとを含む画素と、
上記第1MOSトランジスタをオンにし、かつ、上記第2MOSトランジスタをオフにして、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第1MOSトランジスタによって上記電源に転送される第1モード、または、上記第1MOSトランジスタをオフにし、かつ、上記第2MOSトランジスタをオンにして、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第2MOSトランジスタによって上記電荷蓄積部に転送される第2モードに切り替えて、上記光電変換素子で発生した電荷がその光電変換素子で蓄積されずに上記第1MOSトランジスタまたは上記第2MOSトランジスタで常に転送されるように、上記第1,第2MOSトランジスタのゲート電圧を制御する制御部と
を備えたことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置において、
上記電荷蓄積部に蓄積された電荷を読み出す時、上記制御部が上記第1モードを選択して、上記光電変換素子で発生した電荷が上記第1MOSトランジスタによって上記電源に転送されることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1に記載の光電変換装置において、
上記画素は、
上記電荷蓄積部と上記電源との間に接続されたリセット用第3MOSトランジスタと、
電源と信号検出出力線との間に接続されると共に、ゲートが上記電荷蓄積部に接続された第4MOSトランジスタと、
上記第4MOSトランジスタの出力端子と上記信号検出出力線との間に接続された第5MOSトランジスタと
を含むことを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1に記載の画素を複数配列した画素アレイと、
上記制御部と
を備え、
上記複数の上記MOSトランジスタは相補型に構成されていることを特徴とするCMOSイメージセンサ。 - 請求項3に記載の画素を複数配列した画素アレイと、
上記制御部と、
読み出すべき上記画素の第5MOSトランジスタのゲートの電圧を制御する選択回路と
を備え、
上記複数の上記MOSトランジスタは相補型に構成されていることを特徴とするCMOSイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005076533A JP2006262070A (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 光電変換装置及びcmosイメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005076533A JP2006262070A (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 光電変換装置及びcmosイメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006262070A true JP2006262070A (ja) | 2006-09-28 |
Family
ID=37100813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005076533A Pending JP2006262070A (ja) | 2005-03-17 | 2005-03-17 | 光電変換装置及びcmosイメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006262070A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010278552A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Honda Motor Co Ltd | 撮像装置、撮像方法 |
US8300122B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-10-30 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, camera system, and signal reading method |
US8625010B2 (en) | 2008-05-02 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus with each pixel including a photoelectric converter portion and plural holding portions |
-
2005
- 2005-03-17 JP JP2005076533A patent/JP2006262070A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8625010B2 (en) | 2008-05-02 | 2014-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus with each pixel including a photoelectric converter portion and plural holding portions |
US9083908B2 (en) | 2008-05-02 | 2015-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus with each pixel including a photoelectric conversion portion and plural holding portions |
US8300122B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-10-30 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, camera system, and signal reading method |
JP2010278552A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Honda Motor Co Ltd | 撮像装置、撮像方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4251811B2 (ja) | 相関二重サンプリング回路とこの相関二重サンプリング回路を備えたcmosイメージセンサ | |
CN100515050C (zh) | 固态图像拾取装置及其驱动方法和成像设备 | |
US7692713B2 (en) | Solid state image pickup device and camera utilizing a maximum value signal corresponding to a predetermined carrier-accumulation end level | |
US8174601B2 (en) | Image sensor with controllable transfer gate off state voltage levels | |
US20080043130A1 (en) | Solid-state imaging device and camera system | |
JP2006311515A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2001320630A (ja) | 撮像装置 | |
JP2008017288A (ja) | 光電変換回路及びこれを用いた固体撮像装置 | |
JP4916517B2 (ja) | 傾斜付き転送ゲート・クロックを使用するa/dコンバータ | |
JP2004266565A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
JP4300635B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2006262070A (ja) | 光電変換装置及びcmosイメージセンサ | |
US8294799B2 (en) | Solid-state imaging apparatus | |
WO2012023271A1 (ja) | 撮像装置 | |
JP4058789B2 (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ | |
JP4336508B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP4931231B2 (ja) | 撮像装置及びその制御方法 | |
WO2011105018A1 (ja) | 固体撮像装置及びカメラシステム | |
JP2006222762A (ja) | 撮像装置 | |
US20080278605A1 (en) | Solid-state imaging apparatus, and video camera and digital still camera using the same | |
JP2007235545A (ja) | 撮像ユニット | |
JP4345145B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2002247456A (ja) | 走査回路とそれを用いた撮像装置 | |
JP4640102B2 (ja) | 全方位カメラ | |
JP6863355B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 |