CN104937836A - 每输出有独立增益控制的单输入多输出放大器 - Google Patents

Abstract

公开了具有多个输出并且每输出有单独增益控制的放大器。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备或集成电路)可包括第一(640)和第二(660)放大器电路。第一放大器电路(640)可接收并基于第一可变增益来放大输入射频RF信号(RFin)并且提供第一经放大RF信号(RFamp1)。第二放大器电路(660)可接收并基于第二可变增益来放大该输入RF信号(RFin)并且提供第二经放大RF信号(RFamp2)。该输入RF信号可包括正由该无线设备接收的多个所发射信号。第一可变增益可以是独立于第二可变增益可调节的。每个可变增益可以基于正由该无线设备接收的至少一个所发射信号的收到功率电平来设置。

Description

每输出有独立增益控制的单输入多输出放大器

相关申请的交叉引用

本申请要求共同拥有的于2013年1月25日提交的美国非临时专利申请No.13/750,905的优先权，该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。

领域

本公开一般涉及电子器件，尤其涉及放大器。

背景

无线通信系统中的无线设备(例如，蜂窝电话或智能电话)可以发射和接收数据以供双向通信。无线设备可包括用于数据传送的发射机以及用于数据接收的接收机。对于数据传送，发射机可用数据来调制射频(RF)载波信号以获得经调制信号，放大经调制信号以获得具有恰当发射功率电平的输出RF信号，并经由天线将该输出RF信号发射到基站。对于数据接收，接收机可经由天线获得收到RF信号并且可放大和处理该收到RF信号以恢复由基站发送的数据。

无线设备可以在不同的频率接收多个所发射信号。这些所发射信号可经由不同传播路径行进并且可在该无线设备处以不同收到功率电平被接收到。可能期望接收具有不同收到功率电平的多个所发射信号，以使得能为正被接收的所有所发射信号达成良好的性能。

附图简述

图1示出无线设备与两个无线系统通信。

图2示出了载波聚集(CA)的各种示例。

图3示出了图1中的无线设备的框图。

图4示出了多个所发射信号的传送和接收。

图5示出了对正被接收的多个所发射信号有单独增益控制的接收机的示例性设计。

图6A和6B示出了对两个输出中的每一个有单独增益控制的单输入多输出(SIMO)LNA的两个示例性设计。

图7A到7D示出了对每个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA的四个示例性设计。

图8A到8C示出了图7B中的SIMO LNA的三个操作模式。

图9示出可编程衰减器的示例性设计。

图10示出用于接收多个所发射信号的过程。

详细描述

以下阐述的详细描述旨在作为本公开的示例性设计的描述，而无意表示可在其中实践本公开的仅有设计。术语“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何设计不必被解释为优于或胜过其他设计。本详细描述包括具体细节以提供对本公开的示例性设计的透彻理解。对于本领域技术人员将明显的是，没有这些具体细节也可实践本文描述的示例性设计。在一些实例中，公知的结构和器件以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性设计的新颖性。

本文中公开了每输出有独立增益控制的SIMO放大器。这些SIMO放大器可被用以接收多个所发射信号，其中对不同的所发射信号有独立增益控制。这些SIMO放大器可被用于各种类型的电子设备，诸如无线通信设备。

图1示出了与无线通信系统120和122通信的无线设备110。无线系统120和122可各自是长期演进(LTE)系统、码分多址(CDMA)系统、全球移动通信(GSM)系统、无线局域网(WLAN)系统、或其他某个无线系统。CDMA系统可实现宽带CDMA(WCDMA)、CDMA 1X、时分同步CDMA(TD-SCDMA)、或其他某个版本的CDMA。为简化起见，图1示出了包括两个基站130和131及一个系统控制器140的无线系统120，以及包括一个基站132和一个系统控制器142的无线系统122。一般而言，无线系统可包括任何数目的基站以及任何网络实体集合。基站还可被称为B节点、演进型B节点(eNB)、接入点等。

无线设备110还可以被称为用户装备(UE)、移动站、终端、接入终端、订户单元、站等。无线设备110可以是蜂窝电话、智能电话、平板设备、无线调制解调器、个人数字助理(PDA)、手持式设备、膝上型计算机、智能本、上网本、无绳电话、无线本地环路(WLL)站、蓝牙设备、等等。无线设备110可与无线系统120和/或122通信。无线设备110还可接收来自广播站的信号、来自一个或多个全球导航卫星系统(GNSS)中的卫星(例如，卫星150)的信号、等等。无线设备110可以支持用于无线通信的一种或多种无线电技术，诸如LTE、WCDMA、CDMA 1X、TD-SCDMA、GSM、802.11等等。无线设备110可在给定时刻与一个或多个无线系统通信。例如，无线设备110可支持与以下系统的并发通信，(i)TD-SCDMA系统和CDMA、GSM或LTE系统，或者(ii)LTE系统和GSM系统，或者(iii)CDMA系统和GSM系统，或(iv)无线系统的某个其他组合。

无线设备110可以能够在覆盖低于1000兆赫兹(MHz)的频率的低频带(LB)、覆盖从1000MHz到2300MHz的频率的中频带(MB)、和/或覆盖高于2300MHz的频率的高频带(HB)中操作。例如，低频带可以覆盖698到960MHz，中频带可以覆盖1475到2170MHz，并且高频带可以覆盖2300到2690MHz和3400到3800MHz。低频带、中频带和高频带是指三群频带(或称频带群)，其中每个频带群包括数个频带(或简称为“带”)。LTE版本11支持35个频带，这些频带被称为LTE/UMTS频带并且在公众可获取的文档3GPP TS 36.101中列出。一般而言，可以定义任何数目个频带群。每个频带群可覆盖任何频率范围，这些频率范围可以与以上给出的频率范围中的任何范围相匹配或不相匹配。每个频带群可包括任何数目个频带。

无线设备110可以支持载波聚集，其是多个载波上的操作。载波聚集也可被称为多载波操作。载波可指被用于通信的频率范围并且可与某些特性相关联。例如，载波可与描述该载波上的操作的系统信息和/或控制信息相关联。载波也可被称为分量载波(CC)、频率信道、蜂窝小区等。频带可包括一个或多个载波。在LTE中每个载波可以覆盖至多达20MHz。在LTE版本11中，无线设备110可以配置成具有在一个或两个频带中的至多达5个载波。

一般而言，载波聚集(CA)可以被分类为两种类型——带内CA和带间CA。带内CA是指同一频带内的多个载波上的操作。带间CA是指不同频带中的多个载波上的操作。

图2示出了无线设备110可以支持的各种CA情景。为了简单起见，图2示出了无线设备110配置成在一频带中仅有一个载波以用于带间CA。一般而言，无线设备110可配置成在给定频带内有一个或多个载波。

场景210覆盖了其中低频带中的频带X中的一个载波C1和中频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景220覆盖了其中中频带中的频带X中的一个载波C1和高频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景230覆盖了其中低频带中的频带X中的一个载波C1和高频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。

场景240覆盖了其中低频带中的频带X中的一个载波C1和也在低频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景250覆盖了其中中频带中的频带X中的一个载波C1和也在中频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。场景260覆盖了其中高频带中的频带X中的一个载波C1和也在高频带中的频带Y中的一个载波C2被配置成用于无线设备110的带间CA。

场景270覆盖了其中低频带、或中频带、或高频带中的频带X中的两个毗邻载波C1和C2被配置成用于无线设备110的毗连带内CA。场景280覆盖了其中低频带、或中频带、或高频带中的频带X中的两个非毗邻载波C1和C2被配置成用于无线设备110的非毗连带内CA。

图2示出了载波聚集的一些示例。对于频带和频带群的其他组合也可支持载波聚集。也可为各种无线电技术(诸如LTE、UMTS等)支持载波聚集。用于UMTS的载波聚集也可被称为多载波UMTS。

图2还可以适用于双SIM/双待(DSDS)和双SIM/双通(DSDA)。在这种情形中，多个载波可接收自不同无线系统，诸如接收自TD-SCDMA和GSM系统，或者接收自LTE和GSM系统，或者接收自CDMA和GSM系统，等等。

图3示出了图1中的无线设备110的示例性设计的框图。在这一示例性设计中，无线设备110包括耦合至主天线310的收发机320、耦合至副天线312的收发机322、以及数据处理器/控制器380。收发机320包括天线接口电路324、多(K)个LNA 330a到330k、接收电路340、发射电路350、和K个功率放大器(PA)360a到360k。收发机322包括天线接口电路326、多(M)个LNA332a到332m、接收电路342、发射电路352、和M个PA 362a到362m。收发机320和322可支持多个频带、载波聚集、多种无线电技术、接收分集、从多个发射天线到多个接收天线的多输入多输出(MIMO)传输等等。

对于数据接收，天线310接收来自基站和/或其他发射机站的信号并且提供收到RF信号，该收到RF信号被路由通过天线接口电路324并作为输入RF信号被提供给所选LNA 330。天线接口电路324可包括开关、双工器、共用器、发射滤波器、接收滤波器、匹配电路等。所选LNA 330放大输入RF信号并且经由一个或多个LNA输出向接收电路340提供一个或多个经放大RF信号。如以下所描述的，来自每个LNA输出的经放大RF信号可以被独立地进行增益控制以获得所期望的振幅。接收电路340将每个经放大RF信号从RF下变频到基带，对每个经下变频信号进行滤波和放大，并且将一个或多个模拟输入信号提供给数据处理器380。接收电路340可包括混频器、滤波器、放大器、匹配电路、振荡器、本地振荡器(LO)发生器、锁相环(PLL)等。

对于数据传送，数据处理器380处理(例如，编码和调制)要发射的数据，并且将一个或多个模拟输出信号提供给发射电路350。发射电路350对每个模拟输出信号进行放大、滤波并将其从基带上变频至RF，并将经调制信号提供给所选PA 360。发射电路350可包括放大器、滤波器、混频器、匹配电路、振荡器、LO发生器、PLL等等。所选PA 360放大经调制信号，并且提供具有恰当发射功率电平的输出RF信号。输出RF信号被路由通过天线接口电路324并经由天线310来发射。

收发机322内的LNA 332、接收电路342、发射电路352和PA 362可以按与收发机320内的LNA 330、接收电路340、发射电路350和PA 360相类似的方式操作。收发机320和322还可包括图3中未示出的其他电路。收发机320和322的全部或部分可被实现在一个或多个模拟集成电路(IC)、RF IC(RFIC)、混合信号IC等上。例如，LNA 330和接收电路340可实现在一个或多个模块上，该模块可包括RFIC或多个RFIC等。收发机320和322中的这些电路也可按其他方式来实现。

数据处理器/控制器380可为无线设备110执行各种功能。例如，数据处理器380可执行模数信号转换，处理经由接收机电路340和342接收到的数据，并处理经由发射电路350和352发射的数据。控制器380可以控制收发机320和322内的各种电路的操作。存储器382可存储供数据处理器/控制器380使用的程序代码和数据。数据处理器/控制器380可以实现在一个或多个专用集成电路(ASIC)和/或其他IC上。数据处理器/控制器380和RF电路也可实现在同一IC上。

无线设备110可以并发地在不同的频率接收多个所发射信号。这多个所发射信号可以是由一个或多个基站以相同或不同发射功率电平在不同频率上发送的。这多个所发射信号也可基于相同或不同的无线电技术(诸如LTE、GSM、CDMA等)来发送。每个所发射信号可经由特定传播路径行进并且可在无线设备110处以特定收到功率电平被接收。该多个所发射信号可经由不同传播路径行进并且可被无线设备110以不同收到功率电平接收到。

图4示出了两个所发射信号的示例性传送和接收。第一所发射信号可在第一载波C1上以第一发射功率电平PTX1向无线设备110发送。第二所发射信号可在第二载波C2上以第二发射功率电平PTX2向无线设备110发送，PTX2可以等于也可以不等于PTX1。载波C1和C2可以在频率上彼此毗邻，或者可以彼此分开。第一和第二所发射信号可以由一个或多个基站向无线设备110发送，以进行(i)为载波聚集目的在不同频率的多个载波上发送的并发传输，或者(ii)来自同一无线系统(例如，LTE系统或1X/EVDO系统)的并发语音和数据，或者(iii)来自不同无线系统(例如，GSM和CDMA 1x)的并发传输，或者(iv)为协调式多点(CoMP)目的来自同一无线系统中的不同基站的并发传输，或者(v)其他类型的并发传输。

无线设备110的天线310可接收这两个所发射信号并且可以提供对于每个所发射信号包括一个或多个收到信号的输入RF信号。每个收到信号可以对应于所发射信号经由特定传播/信号路径被接收到的一版本。为了简化起见，以下的描述假定对于每个所发射信号经由一个传播路径获得一个收到信号。这两个所发射信号可经由不同传播路径行进并且可在无线设备110处以不同收到功率电平被接收。无线设备110可(i)对于具有小路径损耗的所发射信号获得强收到信号以及(ii)对于具有大路径损耗的所发射信号获得弱收到信号。

无线设备110处的包括单个LNA和单个下变频器的单个接收机可以被用来并发地处理正被接收的这两个所发射信号。可以向该接收机提供对于每个所发射信号包括至少一个收到信号的输入RF信号。若高增益被用于该接收机中的LNA，那么该接收机中的一些电路块(例如，基带滤波器、模数转换器(ADC)等)可能由于强收到信号或由于其毗邻信道干扰(ACI)而饱和或削波。相反，若使用低增益，那么对于弱收到信号可能会获得低灵敏度，并且对于弱收到信号，性能可能不良。

在本公开的一方面，无线设备110可以用对每个LNA输出(例如，每个所发射信号)有单独增益控制的SIMO LNA来处理多个所发射信号。该多个所发射信号可以被并发地发送到无线设备110。无线设备110可为正经由无线设备110处单独的接收电路接收并处理的每一组至少一个所发射信号单独执行增益控制。这可以使得无线设备110能对强收到信号使用低增益，并且对弱收到信号使用高增益，这可以避免如上所描述的涉及因对所有所发射信号使用单个增益而导致的饱和及低灵敏度问题。对于不同组至少一个所发射信号的单独增益控制可用各种方式来实现。

图5示出了对于正在接收的不同所发射信号有单独增益控制的接收机500的示例性设计的框图。在图5中所示的示例性设计中，接收机500包括SIMOLNA 530和接收电路540a和540b。接收机500可以是图3中的收发机320或322的一部分。LNA 530可以对应于图3中的LNA 330或332中的一个。接收电路540a和540b可以是图3中的接收电路340和/或342的一部分。

在图5中所示的示例性设计中，LNA 530具有接收输入RF信号(RFin)的输入、耦合到接收电路540a的第一输出、以及耦合到接收电路540b的第二输出。LNA 530可以用第一可变增益来放大RFin信号以生成第一经放大RF信号(RFamp1)，其可以被提供给接收电路540a。替换地或附加地，LNA 530可以用第二可变增益来放大该RFin信号以生成第二经放大RF信号(RFamp2)，其可以被提供给接收电路540b。

每个接收电路540可以从LNA 530接收其经放大RF信号，并且将输入基带信号提供给数据处理器(例如，图3中的数据处理器380)。在接收电路540a内，下变频器550a可以从LNA 530接收RFamp1信号，以及从LO发生器580a接收第一LO信号(LO1)，用LO1信号将RFamp1信号下变频，并提供经下变频信号。LO1信号的频率可以基于正被接收电路540a接收的每个所发射信号的频率来选择。低通滤波器560a可以将经下变频信号滤波以移除因下变频所产生的不期望信号分量并可以提供经滤波信号。低通滤波器560a可以具有可基于正被接收电路540a接收的每个所发射信号的带宽来确定的带宽。放大器(Amp)570a可以放大经滤波信号并且提供输入基带信号(BBin1)。输入基带信号可以由数据处理器中的ADC数字化，并且进一步被数字地处理(例如，解调和解码)以恢复向无线设备110发送的数据。

接收电路540b可包括下变频器550b、低通滤波器560b、放大器570b、和LO发生器580b，它们可以按与接收电路540a中诸对应电路相类似的方式操作。

图5示出了接收电路540a和540b的示例性设计。一般而言，在接收电路中对信号的调理可由一级或多级放大器、滤波器、混频器等执行。这些电路可与图5中所示的配置不同地安排。此外，图5中未示出的其他电路也可在接收电路中使用。还可省略图5中的一些电路。接收机也可包括两个以上接收电路以并发地处理两组以上的所发射信号。

在示例性设计中，接收电路540a和540b可针对两组用于载波聚集的载波上的多个所发射信号来并发地处理输入RF信号。在另一示例性设计中，接收电路540a和540b可针对(i)来自单个无线系统的用于并发语音和数据的或(ii)来自多个无线系统的用于数据/数据、语音/语音等的多个所发射信号来并发地处理输入RF信号。

每输出有单独增益的SIMO LNA可以用各种电路架构来实现。以下描述了每输出有单独增益的SIMO LNA的一些示例性电路架构。

图6A示出了对于两个输出中的每一个有单独增益控制的SIMO LNA 630的示例性设计的框图。LNA 630包括耦合到两个负载电路690a和690b的两个放大器电路640和660。放大器电路是当被启用时接收并放大输入RF信号并且提供至少一个经放大RF信号的电路。放大器电路640具有接收输入RF信号的输入、耦合到负载电路690a的第一输出、以及耦合到负载电路690b的第二输出。类似地，放大器电路660具有接收相同输入RF信号的输入、耦合到负载电路690a的第一输出、以及耦合到负载电路690b的第二输出。放大器电路640和660可向至多两个负载电路690a和690b提供至多两个经放大RF信号。一般而言，放大器电路可包括(i)接收输入RF信号的输入以及(ii)向一个或多个负载电路提供一个或多个经放大RF信号的一个或多个输出。

图6B示出了对于两个输出中的每一个有单独增益控制的SIMO LNA 632的示例性设计的框图。LNA 632包括接收同一输入RF信号并提供两个经放大信号的两个增益电路642和644。开关650将来自增益电路642和644的这两个经放大信号耦合到两个负载电路690a和690b。开关650可以用共源共栅晶体管实现并且可以将每个增益电路耦合到负载电路690a和690b中的一者或二者。开关650还可启用或禁用LNA 632的每个输出。负载电路690a和690b向至多两个下变频器提供至多两个输出RF信号。

图5示出了具有耦合到两个接收电路540a和540b的两个输出的SIMOLNA 530的示例性设计。图6A示出了包括两个放大器电路的SIMO LNA 630的示例性设计，其中每个放大器电路具有两个输出以用于为至多两个下变频器生成至多两个经放大信号。一般而言，SIMO LNA可以具有耦合到任何数目个接收电路的任何数目个输出。SIMO LNA也可包括任何数目个放大器电路。每个放大器电路可包括任何数目个输出，并且每个输出可以具有固定增益或可变增益。

SIMO LNA可以用各种类型的晶体管来实现。以下描述了用N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管来实现的SIMO LNA的一些示例性设计。

图7A示出了具有共源共栅级信号拆分以及对每个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA 730a的示例性设计的示意图。SIMO LNA 730a是图5中的SIMO LNA 530和图6A中的SIMO LNA 630的一个示例性设计。SIMO LNA730a包括耦合到负载电路790a和790b的高增益(HG)放大器电路740a和低增益(LG)放大器电路760a。至少相对于低增益放大器电路而言，高增益放大器电路可具有较高增益，并且可能具有较低/较好噪声系数(NF)。至少相对于高增益放大器电路而言，低增益放大器电路可具有较低增益，并且可能具有较好/较高的线性度。

SIMO LNA 730a接收输入RF信号，其被施加到放大器电路740a和760a两者。输入RF信号可包括一组或两组用于载波聚集的载波上的传输，其中每组载波包括一个或多个载波。替换地，输入RF信号可包括由一个或多个无线系统并发地向无线设备110发送的两个或更多个所发射信号。

在图7A中示出的示例性设计中，放大器电路740a包括增益晶体管744、共源共栅晶体管746和756、以及源极退化电感器742。增益晶体管744的栅极接收输入RF信号，其源极耦合到电感器742的一端，并且其漏极耦合到共源共栅晶体管746和756的源极。电感器742的另一端耦合到电路接地。共源共栅晶体管746的栅极接收Vb1控制信号，并且其漏极耦合到负载电路790a。共源共栅晶体管756的栅极接收Vb2控制信号，并且其漏极耦合到负载电路790b。

在图7A中所示的示例性设计中，放大器电路760a包括可编程衰减器762、增益晶体管764、以及共源共栅晶体管766和776。衰减器762的输入接收输入RF信号，并且其输出耦合到增益晶体管764的栅极。增益晶体管764的源极耦合到电路接地，并且其漏极耦合到共源共栅晶体管766和776的源极。共源共栅晶体管766的栅极接收Vc1控制信号，并且其漏极耦合到负载电路790a。共源共栅晶体管776的栅极接收Vc2控制信号，并且其漏极耦合到负载电路790b。

在图7A中所示的示例性设计中，偏置电路720包括NMOS晶体管724、电流源726、和电阻器728。NMOS晶体管724的栅极耦合到电阻器728的一端，其源极耦合到电路接地，并且其漏极耦合到电流源726的一端。电流源726的另一端耦合到电源(Vdd)。电阻器的另一端耦合到增益晶体管744的栅极以及可编程衰减器762。

偏置电路720生成偏置电压(Vbias)以使得电流Ibias0流过晶体管724。Vbias电压被施加到增益晶体管744的栅极，并且结果导致偏置电流Ibias1流过增益晶体管744。Ibias1取决于Ibias0以及晶体管744的大小与晶体管724的大小之比。Vbias电压可以被生成以计及跨电感器742的压降。Vbias电压也可基于噪声系数、线性度和功耗之间的折衷而生成。

放大器电路740a和760a以及偏置电路720也可用其他方式实现。在另一示例性设计中，放大器电路可包括其源极直接耦合至电路接地(而非耦合至源极退化电感器)的增益晶体管。在另一示例性设计中，放大器电路可包括耦合在该放大器电路的输入与输出之间的反馈电路。在另一示例性设计中，放大器电路可用差分设计来实现，并且可以接收差分输入信号和/或提供差分输出信号。例如，放大器电路740a可以被复制，放大器电路740a的一个副本可以接收非反相输入信号并且提供反相输出信号，并且放大器电路740a的另一副本可以接收反相输入信号并提供非反相输出信号。

在图7A中所示的示例性设计中，每个负载电路790包括变压器792，变压器792包括初级线圈794和次级线圈796。线圈还可被称为电感器线圈、绕组、导体等。在负载电路790a内，变压器792a包括(i)耦合在共源共栅晶体管746的漏极与Vdd电源之间的初级线圈794a，以及(ii)向第一下变频器(图7A中未示出)提供第一差分经放大RF信号的次级线圈796a。负载电路790b包括变压器792b，该变压器792b具有：(i)耦合在共源共栅晶体管756的漏极与Vdd电源之间的初级线圈794b，以及(ii)向第二下变频器(图7A中未示出)提供第二差分经放大RF信号的次级线圈796b。每个下变频器可包括两个混频器以执行经放大RF信号从RF到基带或中频的正交下变频。

负载电路790也可按其他方式来实现。在另一示例性设计中，负载电路可包括耦合在放大器电路的输出与Vdd电源之间的电感器以及可能还有电容器。在又一示例性设计中，负载电路可包括使其源极耦合至Vdd电源并且使其漏极耦合至共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管746)的漏极的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该PMOS晶体管可为该共源共栅晶体管提供有功负载。

为了简单起见，图7A示出了SIMO LNA 730a包括耦合至两个负载电路790a和790b的两个放大器电路740a和760a。SIMO LNA可包括耦合至两个以上负载电路的两个以上放大器电路。

在示例性设计中，高增益放大器电路740a的增益可以通过改变流过增益晶体管744的Ibias1电流来调节。这可以通过改变电流源726的Ibias0电流来达成，改变电流源726的Ibias0电流可以接着导致为增益晶体管744生成恰适的Vbias电压，从而使得期望的Ibias1电流流过增益晶体管744。

在示例性设计中，低增益放大器电路760a的增益可以通过改变可编程衰减器762来调节。例如，如以下所描述的，可编程衰减器762可包括电阻性分压器电路，其包括串联耦合的两个电阻器。可变增益可通过改变该电阻性分压器电路中的一个或两个电阻器来获得。

SIMO LNA 730a可按单输出配置或多输出配置来操作。进一步，SIMOLNA 730a可以在单输出配置中以高增益(HG)模式或低增益(LG)模式来操作。SIMO LNA 730a可以在多输出配置中以HG-HG模式、HG-LG模式、或LG-LG模式来操作。在本文的描述中，“XX”模式是指单输出配置的提供具有XX增益的单个经放大RF信号的操作模式，其中“XX”可以是HG或LG。“YY-ZZ”模式是指多输出配置的提供两个经放大RF信号(其中一个经放大RF信号具有YY增益，而另一个经放大RF信号具有ZZ增益)的操作模式，其中“YY”可以是HG或LG，而“ZZ”也可以是HG或LG。表1列出了根据一个示例性设计的由SIMO LNA 730a支持的配置和模式，并且提供了每个配置的每个模式的简短描述。

表1

对于图7A中所示的共源共栅级信号拆分，输入RF信号可以由增益晶体管744放大并且由共源共栅晶体管746和756拆分以便为至多两个负载电路生成至多两个经放大RF信号。共源共栅晶体管746可在HG模式、HG-HG模式、或HG-LG模式中被启用以生成RFamp1信号。共源共栅晶体管756可在HG模式、HG-HG模式或HG-LG模式中被启用以生成RFamp2信号。类似地，输入RF信号可以由增益晶体管764放大并且由共源共栅晶体管766和776拆分以便为至多两个负载电路生成至多两个经放大RF信号。共源共栅晶体管766可在LG模式、HG-LG模式、或LG-LG模式中被启用以生成RFamp1信号。共源共栅晶体管776可在LG模式、LG-HG模式、或LG-LG模式中被启用以生成RFamp2信号。

在单输出配置中，SIMO LNA 730a接收输入RF信号并向一个负载电路790提供一个经放大RF信号。单输出配置可被用于接收(i)没有载波聚集的一个载波上的传输，或(ii)多组在不同频带中的用于带间CA的载波上的传输之中的一组载波上的传输，或(iii)来自一个无线系统的所发射信号。在多输出配置中，SIMO LNA 730a接收输入RF信号并向两个负载电路790提供两个经放大RF信号。多输出配置可被用于接收(i)两组用于带内CA的载波上的传输或(ii)来自一个或两个无线系统的两个所发射信号。

图7B示出了具有栅极级信号拆分并且对每个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA 730b的示例性设计的示意图。SIMO LNA 730b是图5中的SIMOLNA 530和图6A中的SIMO LNA 630的另一个示例性设计。SIMO LNA 730b包括高增益放大器电路740b和740c以及低增益放大器电路760b和760c，它们被耦合到负载电路790a和790b。

在图7B中所示的示例性设计中，高增益放大器电路740b包括增益晶体管744、共源共栅晶体管746和电感器742，它们如以上针对图7A所描述地被耦合到负载电路790a。高增益放大器电路740c包括增益晶体管754、共源共栅晶体管756、以及电感器752，它们按与放大器电路740b中的增益晶体管744、共源共栅晶体管746和电感器742相类似的方式耦合到负载电路790b。增益晶体管744和754接收相同RFin信号。共源共栅晶体管746的栅极接收Vb1偏置电压，并且其漏极耦合到负载电路790a。共源共栅晶体管756的栅极接收Vb2偏置电压，并且其漏极耦合到负载电路790b。

在图7B所示的示例性设计中，低增益放大器电路760b包括可编程衰减器762、增益晶体管764、以及共源共栅晶体管766，它们如以上针对图7A所描述地耦合到负载电路790a。低增益放大器电路760c包括可编程衰减器772、增益晶体管774、以及共源共栅晶体管776，它们按与放大器电路760b中的可编程衰减器762、增益晶体管764和共源共栅晶体管766相类似的方式耦合到负载电路790b。可编程衰减器762和772接收相同RFin信号。共源共栅晶体管766的栅极接收Vc1偏置电压，并且其漏极耦合到负载电路790a。共源共栅晶体管776的栅极接收Vc2偏置电压，并且其漏极耦合到负载电路790b。

在图7B中所示的栅极级信号拆分设计中，输入RF信号可以在高增益放大器电路740b和/或740c中由增益晶体管744和/或754放大并由共源共栅晶体管746和/或756缓冲以便为至多两个负载电路生成至多两个经放大RF信号。共源共栅晶体管746可在HG模式、HG-HG模式、或HG-LG模式中被启用以生成RFamp1信号。类似地，共源共栅晶体管756可在HG模式、HG-HG模式、或HG-LG模式中被启用以生成RFamp2信号。

输入RF信号可以在低增益放大器电路760b和/或760c中由可编程衰减器762和/或772缩放，由增益晶体管764和/或774放大，并且由共源共栅晶体管766和/或776缓冲，以便为至多两个负载电路生成至多两个经放大RF信号。共源共栅晶体管766可在LG模式、HG-LG模式、或LG-LG模式中被启用以生成RFamp1信号。类似地，共源共栅晶体管776可在LG模式、HG-LG模式、或LG-LG模式中被启用以生成RFamp2信号。

图7B中所示的示例性设计包括分别具有单独的可编程衰减器762和772的两个低增益放大器电路760b和760c。该示例性设计允许在LG-LG模式中RFamp1和RFamp2信号以单独的增益来被生成。在另一示例性设计中，可编程衰减器772可以被省略，并且增益晶体管764和774的栅极可被耦合到可编程衰减器762的输出。在该示例性设计中，RFamp1和RFamp2信号在LG-LG模式中可以用相同增益生成，并且该增益可以经由可编程衰减器762来调节。

图7C示出了对每一个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA 730c的示例性设计的示意图。SIMO LNA 730c是图5中的SIMO LNA 530和图6A中的SIMO LNA 630的另一个示例性设计。SIMO LNA 730c包括高增益放大器电路740b和740c以及低增益放大器电路760b和760c，它们如以上针对图7B所描述的那样耦合到负载电路790a和790b。SIMO LNA 730c进一步包括共源共栅晶体管758，该共源共栅晶体管758的栅极接收Vb3控制信号，其源极耦合到增益晶体管754的漏极，并且其漏极耦合至共源共栅晶体管746的漏极。共源共栅晶体管758是能在共源共栅晶体管758被导通时将电流从增益晶体管754转向至RFamp1信号的共源共栅转向开关。

在图7C中所示的示例性设计中，在HG-HG模式中，共源共栅晶体管746和756可以被导通，并且共源共栅晶体管758可以被截止以生成RFamp1和RFamp2信号。在HG模式或HG-LG模式中，共源共栅晶体管746和758可以被导通，并且共源共栅晶体管756可以被截止以生成RFamp1信号。使用增益晶体管744和754两者以生成一个经放大RF信号可以因转向共源共栅晶体管758所作的RF电流转向而结果得到较高的增益。

在另一示例性设计中，附加共源共栅晶体管(未在图7C中示出)可以使其栅极接收Vb4控制信号，其源极耦合到增益晶体管744的漏极，并且其漏极耦合至共源共栅晶体管756的漏极。在HG模式或HG-LG模式中，该附加共源共栅晶体管和共源共栅晶体管756可以被导通以生成RFamp2信号。该附加共源共栅晶体管可以按与共源共栅晶体管758类同的方式操作，从而改善RFamp2信号的信号增益。

图7D示出了具有共源共栅泄流并且对于每一个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA 730d的示例性设计的示意图。SIMO LNA 730d是图5中的SIMO LNA 530和图6A中的SIMO LNA 630的另一个示例性设计。SIMO LNA730d包括高增益放大器电路740d和740e以及低增益放大器电路760d和760e，它们被耦合到负载电路790a和790b。高增益放大器电路740d包括图7C中的放大器电路740c中的所有电路组件。高增益放大器电路740d进一步包括“泄流”共源共栅晶体管748，该“泄流”共源共栅晶体管748使其栅极接收Vd1控制信号，其源极耦合到增益晶体管744的漏极，并且其漏极耦合到Vdd电源。高增益放大器电路740e进一步包括泄流共源共栅晶体管758，该泄流共源共栅晶体管758使其栅极接收Vd2控制信号，其源极耦合到增益晶体管754的漏极，并且其漏极耦合到Vdd电源。共源共栅晶体管748和758是能够将电流分别从增益晶体管744和754转向到Vdd电源的开关，这可以接着分别降低RFamp1和RFamp2信号的增益。与共源共栅晶体管748和758相关联的信号路径通常被称为“泄流”路径。当放大器电路740d被启用时，RFamp1信号的增益和振幅可以通过更强(或更弱)地导通共源共栅晶体管748来减小(或增大)。类似地，放大器电路740e被启用，RFamp2信号的增益和振幅可以通过更强(或更弱)地导通共源共栅晶体管758来减小(或增大)。

低增益放大器电路760d包括图7C中的放大器电路760b中的所有电路组件。低增益放大器电路760d进一步包括泄流共源共栅晶体管768，该泄流共源共栅晶体管768使其栅极接收Ve1控制信号，其源极耦合到增益晶体管764的漏极，并且其漏极耦合到Vdd电源。低增益放大器电路760e包括图7C中的放大器电路760c中的所有电路组件。低增益放大器电路760e进一步包括泄流共源共栅晶体管778，该泄流共源共栅晶体管778使其栅极接收Ve2控制信号，其源极耦合到增益晶体管774的漏极，并且其漏极耦合到Vdd电源。当放大器电路760d被启用时，RFamp1信号的增益和振幅可以通过更强(或更弱)地导通共源共栅晶体管768来减小(或增大)。类似地，当放大器电路740e被启用时，RFamp2信号的增益和振幅可以通过更强(或更弱)地导通共源共栅晶体管778来减小(或增大)。

图7D示出了每一个放大器电路都包括泄流共源共栅晶体管的示例性设计。通常，泄流共源共栅晶体管可以被用在高增益放大器电路和/或低增益放大器电路中。在另一示例性设计中，泄流共源共栅晶体管可以仅被用在低增益放大器电路中而不用在高增益放大器电路中。高增益放大器电路可以被设计成具有良好的噪声系数。泄流共源共栅晶体管可能会使得噪声系数降级并且可以由此从高增益放大器电路中省去。如以上所描述的，高增益放大器电路的增益可以通过改变偏置电流来被调节。

图7A到7D示出了对每个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA的一些示例性设计。对每个LNA输出有单独增益控制的SIMO LNA也可以用其他方式实现。SIMO LNA可以支持数个操作模式，其可以包括用于生成单个经放大RF信号的单输出模式和用于生成多个经放大RF信号的多输出模式。一些多输出模式可以覆盖对于不同的经放大RF信号有不同增益的多个经放大RF信号的生成，并且一些其他多输出模式可以覆盖对于所有的经放大RF信号有共同增益的多个经放大RF信号的生成。

放大器电路可以支持多个增益设置，其中每个增益设置与不同增益或不同增益范围相关联。在示例性设计中，高增益放大器电路可以支持G0、G1和G2的增益设置，并且低增益放大器电路可以支持G3、G4和G5的增益设置。给定增益设置(例如，G2)也可以由高增益放大器电路和低增益放大器电路两者支持。一般而言，放大器电路可以支持任何数目的增益设置。不同放大器电路可以支持相同或不同组的增益设置。

图8A示出了图7B中的LNA 730b在HG-HG模式中的操作。在该模式中，高增益放大器电路740b可以用所选增益设置(例如，G1)来为负载电路790a生成RFamp1信号，并且高增益放大器电路740c可以用相同的所选增益设置来为负载电路790b生成RFamp2信号。低增益放大器电路760b和760c可以被禁用。

图8B示出了图7B中的LNA 730b在HG-LG模式中的操作。在该模式中，高增益放大器电路740b可以用第一增益设置(例如，G0或G1)来为负载电路790a生成RFamp1信号，并且低增益放大器电路760c可以用第二增益设置(例如，G3、G4或G5)来为负载电路790b生成RFamp2信号。放大器电路740c和760b可以被禁用。LNA 730b的输入阻抗可以由高增益放大器电路740b的输入阻抗来决定。可编程衰减器762和772可以被设置成为低增益放大器电路760b和760c获得高输入阻抗。

图8C示出了图7B中的LNA 730b在LG-LG模式中的操作。在该模式中，低增益放大器电路760b可以用第一增益设置(例如，G3)来为负载电路790a生成RFamp1信号，并且低增益放大器电路760c可以用第二增益设置(例如，G4或G5)来为负载电路790b生成RFamp2信号。相同的增益设置或不同的增益设置可以被用于低增益放大器电路760b和760c。放大器电路740b和740c可以被禁用。LNA 730b的输入阻抗可以由高增益放大器电路740b的输入阻抗来决定。可编程衰减器762和772可被设置成为LNA 730c获得期望的输入阻抗。

图9示出了图7A到7D中的可编程衰减器762的示例性设计的示意图。在可编程衰减器762内，交流(AC)耦合电容器912被耦合在可编程衰减器762的输入与NMOS晶体管914的源极之间。晶体管914使其栅极接收使能信号(Venb)，并且其漏极耦合到可变电阻器916的一端。电阻器916的另一端耦合到节点X。可变电阻器918被耦合在节点X与电路接地之间。AC耦合电容器920被耦合在节点X与可编程衰减器762的输出之间。

在可编程衰减器762内，AC耦合电容器912和920传递输入RF信号而同时又避免扰动耦合到可编程衰减器762的输入和/或输出的增益晶体管的偏置电压。

在示例性设计中，电容器912可作为隔离器件来操作，其减小SIMO LNA的输入阻抗因放大器电路被启用或禁用而产生的变动。例如，图7C中的SIMOLNA 730c可被设计成使得基于高增益放大器电路740b和740c的输入阻抗而获得LNA 730c的期望输入阻抗。可能期望维持LNA 730c的该输入阻抗而不管低增益放大器电路760b和/或760c是被启用还是被禁用。可编程衰减器762和772每一者内的电容器(例如，对应于图9中的电容器912)可作为隔离器件来操作。该电容器可具有较小值，其可被选择以(i)在LNA 730c的输入处呈现小负载，以及(ii)将RFin信号传递到低增益放大器电路760b或760c。该电容器也可以执行DC阻隔。在其他示例性设计中，电阻器、电感器、电容器和/或其他电路组件可被用以隔离放大器电路以免对LNA的输入造成加载。

回到图9，NMOS晶体管914作为在NMOS晶体管914被Venb信号启用时能将输入RF信号从可编程衰减器762的输入传递到输出的开关来操作。电阻器916和918形成能基于电阻器916的电阻和电阻器918的电阻来提供可变衰减量的电阻器分压器电路。节点X处的经衰减RF信号的期望振幅可以用对电阻器916和/或918的恰适电阻设置来获得。向可编程衰减器762看进去的期望输入阻抗(Zin)也可以用对电阻器916和/或918的恰适电阻设置来获得。具体而言，可编程衰减器762的衰减(Attenuation)和输入阻抗可以被表达为：

$Attenuation=\frac{R2}{R1+R2},$ 以及        式(1)

$Zin=R1+\left(\frac{R2*Zg}{R2+Zg}\right),$            式(2)

其中R1是电阻器916的电阻，R2是电阻器918的电阻，并且Zg是向可编程衰减器762所耦合到的增益晶体管的栅极看去的阻抗。

图9示出了可编程衰减器762的示例性设计，其也可以用其他方式实现。可编程衰减器也可基于其他电路设计来实现，例如，用电容性分压器网络而非电阻性分压器网络。图7B和7C中的可编程衰减器772可以用与可编程衰减器762相类似的方式或基于不同设计来实现。可编程衰减器762和772可以是全然相同的，或者可以具有相同的电路设计和相同的电路组件但是具有不同的值，或者可以具有有着不同电路组件的不同电路设计。

在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、IC、电路模块等)可包括第一和第二放大器电路(例如，如图6A和7A到7D中所示的)。第一放大器电路可以接收并基于第一可变增益来放大输入RF信号，并且提供第一经放大RF信号。第二放大器电路可接收并基于第二可变增益来放大该输入RF信号，并且提供第二经放大RF信号。该输入RF信号可包括并发地发送到无线设备/装置的多个所发射信号。例如，该多个所发射信号可以在多个载波上被发送到该无线设备以用于载波聚集，或者可以由同一基站发送到该无线设备以用于并发语音和数据，或者可以由不同基站发送到该无线设备用于CoMP传输，或者可以由不同无线系统发送以用于并发语音和/或数据等。该第一和第二经放大RF信号可以由该装置并发地处理以恢复该多个所发射信号。

在一个示例性设计中，第一可变增益可以是独立于第二可变增益地可调节的。第二可变增益可以不同于(例如，小于)第一可变增益，例如当第一和第二放大器电路分别对应于图7C中的高增益放大器电路740b和低增益放大器电路760b时。在另一示例性设计中，第二可变增益可以等于第一可变增益，例如当第一和第二放大器电路分别对应于图7C中的高增益放大器电路740b和740c时。

在一个示例性设计中，第一放大器电路可以包括第一增益晶体管、第一电感器和第一共源共栅晶体管，例如类似于图7C中的放大器电路740b。第一增益晶体管(例如，增益晶体管744)可以接收输入RF信号。第一电感器(例如，电感器742)可以耦合在第一增益晶体管的源极与电路接地之间。第一共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管746)可以被耦合到第一增益晶体管，并且可以是可配置成提供第一经放大RF信号的。

在示例性设计中，第二共源共栅晶体管(例如，图7A中的共源共栅晶体管756)可以被耦合到第一增益晶体管并且可以是可配置成当第一放大器电路配置成提供第一和第二经放大RF信号两者时提供第二经放大RF信号的。在另一示例性设计中，第二共源共栅晶体管(例如，图7D中的共源共栅晶体管748)可使其源极耦合到第一增益晶体管的漏极并且其漏极耦合到电源电压。第二共源共栅晶体管可以被启用以减小第一放大器电路的第一可变增益。

在一示例性设计中，该装置可以进一步包括可配置成生成用于第一增益晶体管的偏置电压的偏置电路。该偏置电压可决定第一增益晶体管的偏置电流。第一可变增益可以基于第一增益晶体管的偏置电流来确定。

在一示例性设计中，第二放大器电路可以包括第二增益晶体管、第二电感器和第二共源共栅晶体管，例如类似于图7C中的放大器电路740c。第二增益晶体管(例如，增益晶体管754)可以接收输入RF信号。第二电感器(例如，电感器752)可以耦合在第二增益晶体管的源极与电路接地之间。第二共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管756)可以被耦合到第二增益晶体管，并且可以是可配置成提供第二经放大RF信号的。在一示例性设计中，第三共源共栅晶体管(例如，图7C中的共源共栅晶体管758)可使其源极耦合到第二增益晶体管的漏极并且其漏极耦合到第一共源共栅晶体管的漏极。第三共源共栅晶体管可以(i)当第一和第二共源共栅晶体管被启用时被禁用，或者(ii)当第一共源共栅晶体管被启用并且第二共源共栅晶体管被禁用时被启用。

在另一个示例性设计中，第二放大器电路可以包括可编程衰减器、第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，例如类似于图7C中的放大器电路760b。可编程衰减器(例如，可编程衰减器762)可以接收输入RF信号并且提供经衰减RF信号。第二增益晶体管(例如，增益晶体管764)可以被耦合到可编程衰减器并且可以接收经衰减RF信号。第二共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管766)可以被耦合到第二增益晶体管，并且可以是可配置成提供第二经放大RF信号的。

在一示例性设计中，该可编程衰减器可包括第一和第二电阻器、以及开关，例如，如图9中所示。第一电阻器(例如，电阻器916)可以被耦合在可编程衰减器的输入和输出之间。第二电阻器(例如，电阻器918)可以被耦合在第一电阻器与电路接地之间。第一和第二电阻器中的至少一者可以是可调节的以获得对输入RF信号的可变衰减。开关(例如，晶体管914)可以与第一电阻器串联耦合。可编程衰减器可将输入RF信号衰减一可变量，其可以由第一和/或第二电阻器的设置来决定。第二放大器电路的第二可变增益可以基于由该可编程衰减器的可变衰减量来确定。可编程衰减器还可被设置成(i)当第二放大器电路被启用时获得目标输入阻抗，或者(ii)当第二放大器电路被禁用时获得高输入阻抗。

在另一示例性设计中，第一放大器电路可以包括第一可编程衰减器、第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，例如类似于图7C中的放大器电路760b。第一可编程衰减器(例如，可编程衰减器762)可以接收输入RF信号并且提供第一经衰减RF信号。第一增益晶体管(例如，增益晶体管764)可以被耦合到第一可编程衰减器并且可以接收第一经衰减RF信号。第一共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管766)可以被耦合到第一增益晶体管，并且可以是可配置成提供第一经放大RF信号的。

第二放大器电路可以包括第二可编程衰减器、第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，例如类似于图7C中的放大器电路760c。第二可编程衰减器(例如，可编程衰减器772)可以接收输入RF信号并且提供第二经衰减RF信号。第二增益晶体管(例如，增益晶体管774)可以被耦合到第二可编程衰减器并且可以接收第二经衰减RF信号。第二共源共栅晶体管(例如，共源共栅晶体管776)可以被耦合到第二增益晶体管，并且可以是可配置成提供第二经放大RF信号的。

在一示例性设计中，该装置可以进一步包括第三放大器电路，其可以是可配置成接收并用第一可变增益来放大输入RF信号并且提供第二经放大RF信号的。在该示例性设计中，第一和第三放大器电路可以对应于图7C中的具有第一可变增益的放大器电路740b和740c，并且第二放大器电路可以对应于放大器电路760b。第一和第二放大器电路可在第一模式(例如，HG-LG模式)中被启用以生成第一和第二经放大RF信号。第一和第三放大器电路可在第二模式(例如，HG-HG模式)中被启用以生成第一和第二经放大RF信号。

在另一示例性设计中，该装置可以进一步包括第三放大器电路，其可以是可配置成接收并用第三可变增益来放大输入RF信号并且提供第一经放大RF信号的。在该示例性设计中，第一放大器电路可对应于图7C中的放大器电路740b，第二放大器电路可以对应于放大器电路760b，并且第三放大器电路可对应于放大器电路760c。第一和第二放大器电路可在第一模式(例如，HG-LG模式)中被启用以生成第一和第二经放大RF信号。第二和第三放大器电路可在第二模式(例如，LG-LG模式)中被启用以生成第一和第二经放大RF信号。

图10示出了用于接收信号的过程1000的示例性设计。过程1000可由无线设备(如以下所描述的)或由其他某个实体来执行。该无线设备可以用第一放大器电路基于第一可变增益来放大输入RF信号以获得第一经放大RF信号(框1012)。该输入RF信号可包括并发地发送到该无线设备的多个所发射信号。该无线设备可以用第二放大器电路基于第二可变增益来放大该输入RF信号以获得第二经放大RF信号(框1014)。

该无线设备可以用第三放大器电路基于第一可变增益来放大该输入RF信号以获得第二经放大RF信号(框1016)。替换地，该无线设备可以用第三放大器电路基于第三可变增益来放大该输入RF信号以获得第一经放大RF信号(同为框1016)。第一和第二放大器电路可以在第一模式中被启用。第一和第三放大器电路可以在第二模式中被启用。

本文中描述的每输出有独立增益控制的放大器(例如，LNA)可在IC、模拟IC、RFIC、混合信号IC、ASIC、印刷电路板(PCB)、电子设备等上实现。这些放大器也可以用各种IC工艺技术来制造，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)、N沟道MOS(NMOS)、P沟道MOS(PMOS)、双极型结型晶体管(BJT)、双极型CMOS(BiCMOS)、硅锗(SiGe)、砷化镓(GaAs)、异质结双极型晶体管(HBT)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、绝缘体上覆硅(SOI)等。

实现本文中所描述的放大器的装置可以是自立设备或者可以是较大设备的一部分。设备可以是(i)自立的IC，(ii)具有一个或多个IC的集合，其可包括用于存储数据和/或指令的存储器IC，(iii)RFIC，诸如RF接收机(RFR)或RF发射机/接收机(RTR)，(iv)ASIC，诸如移动站调制解调器(MSM)，(v)可嵌入在其他设备内的模块，(vi)接收机、蜂窝电话、无线设备、手持机、或者移动单元，(vii)其他等等。

在一个或多个示例性设计中，所描述的功能可以在硬件、软件、固件、或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者，包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能用于携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。

提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的普适原理可被应用于其他变形而不会脱离本公开的范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (20)

1.一种装置，包括：

第一放大器电路，其能配置成接收并基于第一可变增益来放大输入射频（RF）信号并提供第一经放大RF信号，所述输入RF信号包括正由无线设备接收的多个所发射信号；以及

第二放大器电路，其能配置成接收并基于第二可变增益来放大所述输入RF信号并提供第二经放大RF信号。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一放大器电路包括：

配置成接收所述输入RF信号的第一增益晶体管；

耦合在所述第一增益晶体管的源极与电路接地之间的第一电感器；以及

耦合到所述第一增益晶体管并能配置成提供所述第一经放大RF信号的第一共源共栅晶体管。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第二放大器电路包括：

配置成接收所述输入RF信号的第二增益晶体管；

耦合在所述第二增益晶体管的源极与电路接地之间的第二电感器；以及

耦合到所述第二增益晶体管并能配置成提供所述第二经放大RF信号的第二共源共栅晶体管。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第三共源共栅晶体管，其源极耦合到所述第二增益晶体管的漏极并且其漏极耦合到所述第一共源共栅晶体管的漏极。

5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第二共源共栅晶体管，其耦合到所述第一增益晶体管并能配置成在所述第一放大器电路被配置成提供所述第一和第二经放大RF信号时提供所述第二经放大RF信号。

6.如权利要求2所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第二共源共栅晶体管，其源极耦合到所述第一增益晶体管的漏极并且其漏极耦合到电源电压，所述第二共源共栅晶体管被启用以减小所述第一放大器电路的所述第一可变增益。

7.如权利要求2所述的装置，其特征在于，进一步包括：

偏置电路，其能配置成生成用于所述第一增益晶体管的偏置电压，所述偏置电压决定所述第一增益晶体管的偏置电流，并且所述第一可变增益是基于所述第一增益晶体管的所述偏置电流来确定的。

8.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第二放大器电路包括：

可编程衰减器，其能配置成接收所述输入RF信号并且提供经衰减RF信号；

第二增益晶体管，其耦合到所述可编程衰减器并且配置成接收所述经衰减RF信号；以及

耦合到所述第二增益晶体管并能配置成提供所述第二经放大RF信号的第二共源共栅晶体管。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述可编程衰减器包括：

第一电阻器，其耦合在所述可编程衰减器的输入和输出之间；

第二电阻器，其耦合在所述第一电阻器与电路接地之间，所述第一和第二电阻器中的至少一者是可调节的；以及

与所述第一电阻器串联耦合的开关。

10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述可编程衰减器在所述第二放大器电路被启用时被设置成获得目标输入阻抗，并且在所述第二放大器电路被禁用时被设置成高输入阻抗。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一放大器电路包括：

第一可编程衰减器，其能配置成接收所述输入RF信号并且提供第一经衰减RF信号；

第一增益晶体管，其耦合到所述第一可编程衰减器并且配置成接收所述第一经衰减RF信号；以及

耦合到所述第一增益晶体管并能配置成提供所述第一经放大RF信号的第一共源共栅晶体管。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第二放大器电路包括：

第二可编程衰减器，其能配置成接收所述输入RF信号并且提供第二经衰减RF信号；

第二增益晶体管，其耦合到所述第二可编程衰减器并且配置成接收所述第二经衰减RF信号；以及

耦合到所述第二增益晶体管并能配置成提供所述第二经放大RF信号的第二共源共栅晶体管。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第三放大器电路，其能配置成接收并以第一可变增益来放大所述输入RF信号并提供第二经放大RF信号。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一和第二放大器电路在第一模式中被启用以生成所述第一和第二经放大RF信号，并且所述第一和第三放大器电路在第二模式中被启用以生成所述第一和第二经放大RF信号。

15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括：

第三放大器电路，其能配置成接收并以第三可变增益来放大所述输入RF信号并提供所述第一经放大RF信号。

16.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一和第二放大器电路在第一模式中被启用以生成所述第一和第二经放大RF信号，并且所述第二和第三放大器电路在第二模式中被启用以生成所述第一和第二经放大RF信号。

17.一种方法，包括：

用第一放大器电路基于第一可变增益来放大输入射频（RF）信号以获得第一经放大RF信号，所述输入RF信号包括正由无线设备接收的多个所发射信号；以及

用第二放大器电路基于第二可变增益来放大所述输入RF信号以获得第二经放大RF信号。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括：

用第三放大器电路基于所述第一可变增益来放大所述输入RF信号以获得所述第二经放大RF信号或基于第三可变增益来放大所述输入RF信号以获得所述第一经放大RF信号。

19.一种设备，包括：

用于放大的第一装置，其能配置成基于第一可变增益来放大输入射频（RF）信号以获得第一经放大RF信号，所述输入RF信号包括正由无线设备接收的多个所发射信号；以及

用于放大的第二装置，其能配置成基于第二可变增益来放大所述输入RF信号以获得第二经放大RF信号。

20.如权利要求19所述的设备，其特征在于，进一步包括：

用于放大的第三装置，其能配置成基于所述第一可变增益来放大所述输入RF信号以获得所述第二经放大RF信号或基于第三可变增益来放大所述输入RF信号以获得所述第一经放大RF信号。