CN107819475B - 包含单输入双输出路径低噪声放大器的前端接收器及信号处理方法 - Google Patents

包含单输入双输出路径低噪声放大器的前端接收器及信号处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种单输入双输出路径低噪声放大器。本发明针对于一种双输出路径LNA，其可用于打破LNA的输出阻抗与线性度之间的折衷，而不会出现可编程输出阻抗LNA的问题。在实施例中，双输出路径架构包含LNA，所述LNA在低电压增益路径中驱动低阻抗水平，因此在存在大阻挡物的情况下实现高线性度，且在高电压增益路径中驱动高阻抗水平以增加所述LNA的电压增益并将因噪声源、即跟在所述LNA后面的低功率接收器前端链所致的性能降级最小化。本发明进一步针对于一种具有低功率且突波产生得以减少的本机振荡器LO偏移电路。

Description

包含单输入双输出路径低噪声放大器的前端接收器及信号处 理方法
相关申请案交叉参考
本申请案主张2016年9月12日提出申请的第62/393,384号美国临时申请案的权益，所述美国临时申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本申请案大体来说涉及包含低噪声放大器(LNA)及本机振荡器(LO)的收发器前端。
背景技术
接收器前端中的每一组件均会对整体系统引起噪声。组件的噪声可由所述组件的噪声因数(F)表征，噪声因数(F)由组件的输入处的信噪比(SNR)与组件的输出处的SNR之比给出：
F＝SNRIN/SNROUT
接收器前端的噪声随着来自各连续组件的噪声相复合而从输入到输出增加。一般来说，接收器前端的整体噪声因数与每一组件的噪声因数除以前一组件的级联增益所得值之和成比例且由下式给出：
Figure BDA0001405524390000011
其中Fn及An分别表示接收器前端中第n组件的噪声因数及增益。以上方程式表明第一增益组件的噪声因数及增益(即，分别为F1及A1)可对接收器前端的整体噪声因数具有显性影响，因为由每一连续组件引起的噪声会被其后面的组件的级联增益减小。
因此，为提供充足灵敏度，重要的是使接收器前端中的第一增益组件保持低的噪声因数及高的增益。接收器前端的灵敏度决定了可被检测到的最低信号电平且受接收器前端的整体噪声因数限制。因此，在典型的接收器设计中，前端中的第一增益组件是低噪声放大器(LNA)，其可提供高增益同时对整体接收器前端引起低噪声。
无线接收器前端通常需求低的功率消耗，以例如在电池供电式装置中提供较长的电池寿命。但低功率会使得无线接收器前端中的组件成为噪声源。为克服与跟在LNA后面的低功率组件相关联的噪声的增加，LNA可提高其电压增益。可通过增加LNA的输出阻抗而在不使用更多电流的情况下(且因此在不消耗更多功率的情况下)来增加LNA 的电压增益。
然而，LNA电压增益的此种增加具有其自身的相关联缺点。具体来说，对于小输入信号，LNA提供相对线性的增益，但对于大输入信号，LNA可以增益压缩及噪声频带折叠的形式展现出非线性行为。在存在大阻挡物的情况下，所期望信号可因增益压缩而经历较小放大，并且此外，来自电源与偏压块的低频率噪声可因LNA非线性度及频带折叠而与高频率阻挡物混频，从而得到降级的信噪比。因此，通过增加LNA的输出阻抗来增加LNA的电压增益，LNA会因阻挡物而变得更易出现非线性行为。
发明内容
本发明的一方面涉及一种前端接收器，所述前端接收器包括：低噪声放大器(LNA)，其经配置以提供经放大信号；所述LNA的第一输出路径，其包括第一隔离电路及第一阻抗电路；所述LNA的第二输出路径，其包括第二隔离电路及第二阻抗电路；及电路组件，其耦合到所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径两者，且经配置以基于所述前端接收器的当前功率模式而经由所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径中的一者从所述LNA接收所述经放大信号。
在本发明的另一方面中，一种方法包括：确定前端接收器的当前功率模式；基于所述当前功率模式被确定为不是低功率模式，接通低噪声放大器(LNA)的第一输出路径并关断所述LNA的第二输出路径；及基于所述当前功率模式被确定为是低功率模式，接通所述LNA的所述第二输出路径并关断所述LNA的所述第一输出路径，其中所述第二输出路径比所述第一输出路径为所述LNA提供更大的电压增益。
在本发明的又一方面中，一种前端接收器包括：低噪声放大器(LNA)，其经配置以提供经放大信号；所述LNA的第一输出路径，其包括第一阻抗电路；所述LNA的第二输出路径，其包括第二阻抗电路；电路组件，其耦合到所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径两者，且经配置以基于所述前端接收器的当前功率模式而经由所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径中的一者从所述LNA接收所述经放大信号；及控制电路，其经配置以基于所述当前功率模式而接通或关断所述第一输出路径及所述第二输出路径。
附图说明
并入本文中并形成本说明书一部分的附图图解说明本发明，并与本说明一起进一步用于解释本发明的原理且使得相关领域的技术人员能够制作并使用本发明。
图1图解说明根据本发明实施例具有单输入双输出路径LNA的实例性前端。
图2图解说明根据本发明实施例具有单输入双输出路径LNA的另一实例性前端。
图3图解说明根据本发明实施例用于控制单输入双输出路径LNA的方法的实例性流程图。
图4图解说明根据本发明实施例的实例性后端。
图5图解说明根据本发明实施例具有LO偏移电路的实例性后端。
图6图解说明根据本发明实施例的实例性LO偏移电路。
图7图解说明根据本发明实施例用于操作发射器后端的方法的实例性流程图。
将参考附图来描述本发明。元件首次出现在其中的图式通常由对应参考编号中的最左数字表示。
具体实施方式
在以下说明中，陈述众多特定细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将明了，可在没有这些特定细节的情况下实践本发明，包含结构、系统及方法在内。本文中的说明及表示是由所属领域的有经验人员或技术人员用于最有效地向所属领域的其他技术人员传达其工作实质的常见手段。在其它情况中，未详细地描述众所周知的方法、程序、组件及电路，以避免不必要地使本发明的各方面模糊不清。
在说明书中所提及的“一个实施例”、“实施例”、“实例性实施例”等指示所描述的实施例可包含特定特征、结构或特性，但每一实施例可不必包含所述特定特征、结构或特性。而且，此类短语未必指代同一实施例。此外，当结合一实施例描述特定特征、结构或特性时，应认为：无论是否明确描述，结合其它实施例实现此种特征、结构或特性在所属领域的技术人员的知识范围内。
相关领域的技术人员将明了，如本文中所描述的本发明的各种元件及特征可使用模拟电路及/或数字电路而以硬件来实施、通过一或多个通用处理器或专用处理器对指令的执行而以元件来实施、或可被实施为硬件与软件的组合。
1.概述
如上文所提及，可增加LNA的输出阻抗以提供更多电压增益，从而补偿因以低功率模式操作的接收器前端中位于LNA下游的组件所引起的噪声的增加。然而，随着LNA 的输出阻抗增加以提供更多电压增益，LNA的线性度因接收器前端在其中操作的环境中存在大阻挡物而降级。已提出数种技术来减轻LNA的输出阻抗与线性度之间的此种折衷。
一个此种技术涉及通过可切换地并联或串联耦合各阻抗单元而以可编程方式在低阻抗与高阻抗之间调整接收器前端中的LNA的输出阻抗。当接收器前端未以低功率模式操作时，可使用低阻抗，且当接收器前端正以低功率模式操作时，可使用高阻抗。此种技术的问题是，因来自在可编程阻抗电路中使用的有源装置及无源装置的寄生阻抗，难以以可编程方式改变LNA的输出阻抗水平。由于这些寄生阻抗，难以以编程方式使低阻抗组件停运以实现高阻抗值。
本发明针对于一种双输出路径LNA，其可用于打破LNA的输出阻抗与线性度之间的折衷而不会出现可编程输出阻抗LNA的问题。在实施例中，双输出路径架构包含LNA，所述LNA在低电压增益路径中驱动低阻抗水平，因此在存在大阻挡物的情况下实现高线性度，且在高电压增益路径中驱动高阻抗水平以增加所述LNA的电压增益并将因噪声源、即跟在所述LNA后面的低功率接收器前端链所致的性能降级最小化。
本发明进一步针对于一种具有低功率且突波产生得以减少的本机振荡器(LO)偏移电路。
2.单输入双输出路径LNA
图1图解说明根据本发明实施例具有单输入双输出路径LNA的实例性前端100。实例性前端100可例如实施于无线接收器(例如个域网接收器或局域网接收器)中。个域网例如包含蓝牙、Z波、紫峰(Zigbee)、INSTEON等。
如图1中所展示，实例性前端100包含LNA 102、两个隔离电路104-1及104-2、两个阻抗电路106-1及106-2以及控制电路108。LNA 102具有接收射频(RF)信号的单一输入，且在其输出处提供所述RF信号的经放大版本。LNA 102可如图1中所展示具有差分输出或在其它前端实施方案中具有单端输出。LNA 102的输出耦合到两个输出路径：包括隔离电路104-1及低阻抗电路106-1的第一输出路径以及包括隔离电路104-2 及高阻抗电路106-2的第二输出路径。
LNA 102的第一输出路径及LNA 102的第二输出路径两者耦合到实例性前端100中的下一前端电路组件(未展示)。然而，每一输出路径仅在“被接通”时将经放大RF 信号从LNA 102的输出提供到下一前端电路组件。在一个实施例中，取决于实例性前端 100的当前功率模式，LNA 102的两个输出路径中的一者可被接通，同时另一者被关断。
具体来说，当前端100正以低功率模式操作时(例如，当将低电源电压提供到前端100的电路组件时)，LNA 102的第一输出路径可被关断且LNA 102的第二输出路径可被接通。这是因为LNA 102的第二输出路径具有高阻抗电路106-2(即，阻抗大于低阻抗电路106-1的阻抗)，高阻抗电路106-2为LNA 102提供更多电压增益以补偿因位于以低功率模式操作的LNA 102下游的组件所引起的噪声的增加。
另一方面，当前端100未以低功率模式操作时，LNA 102的第一输出路径可被接通且LNA 102的第二输出路径可被关断。这是因为LNA 102的第一输出路径具有低阻抗电路106-2(即，阻抗小于高阻抗电路106-2的阻抗)，低阻抗电路106-2在存在阻挡物的情况下改进LNA 102的输出线性度。
可基于一或多个因数来启用或停用低功率操作模式。举例来说，可基于用于为实例性前端100及其中实施实例性前端100的装置(例如，膝上型计算机、智能电话、平板计算机、可佩戴式装置等)供电的电池的当前电池电量来启用低功率操作模式。在另一实例中，可当在实例性前端100的操作环境中不存在阻挡物或在实例性前端100的操作环境中在某种预定程度上不存在阻挡物时启用低功率操作模式。在又一实例中，可由其中实施前端100的装置的用户来启用低功率操作模式。
隔离电路104-1及104-2经配置以分别接通及关断LNA 102的第一输出路径及第二输出路径。更具体来说，隔离电路104-1可在LNA 102的第一输出路径被关断时将LNA 102的输出与低阻抗电路106-1隔离且在LNA 102的第一输出路径被接通时不将LNA 102的输出与低阻抗电路106-1隔离。类似地，隔离电路104-2可在LNA 102的第二输出路径被关断时将LNA 102的输出与高阻抗电路106-2隔离且在LNA 102的第二输出路径被接通时不将LNA102的输出与高阻抗电路106-2隔离。
控制电路108经配置以如上文所解释基于实例性前端100的当前操作模式来控制隔离电路104-1及104-2分别接通第一输出路径及关断第二输出路径。控制电路108可使用专用电路及/或处理器来实施，所述处理器被使用存储在存储器中的指令而编程。
虽然图1中未展示，但下一或下一些前端电路组件可例如是混频器、滤波器或模/数转换器，此处仅举几个可能的组件。
现在参考图2，其图解说明根据本发明实施例具有单输入双输出路径LNA的另一实例性前端200。实例性前端200可例如实施于无线接收器(例如个域网接收器或局域网接收器)中。个域网包含例如蓝牙、Z波、紫峰、INSTEON等。
实例性前端200具有与上文关于图1所描述的实例性前端100相同的基本配置及功能性。具体来说，实例性前端200包含LNA 202、两个隔离电路204-1及204-2、两个阻抗电路206-1及206-2以及控制电路(出于清晰目的而未展示)。LNA 202被展示为互补金属氧化物半导体(CMOS)LNA，其具有接收RF信号的单一输入且在其输出处提供 RF信号的经放大版本。LNA 202可如图2中所展示具有差分输出或在其它前端实施方案中具有单端输出。LNA202的输出耦合到两个输出路径：包括隔离电路204-1及低阻抗电路206-1的第一输出路径以及包括隔离电路204-2及高阻抗电路206-2的第二输出路径。
LNA 202的第一输出路径及LNA 202的第二输出路径两者耦合到实例性前端200中的下一前端电路组件(未展示)。然而，每一输出路径仅在“被接通”时将经放大RF 信号从LNA 202的输出提供到下一前端电路组件。在一个实施例中，取决于实例性前端 200的当前功率模式，LNA 202的两个输出路径中的一者可被接通，同时另一者被关断。
具体来说，当前端200正以低功率模式操作时(例如，当将低电源电压提供到前端200的电路组件)时，LNA 202的第一输出路径可被关断且LNA 202的第二输出路径可被接通。这是因为LNA 202的第二输出路径具有高阻抗电路206-2(即，阻抗大于低阻抗电路206-1的阻抗)，高阻抗电路206-2为LNA 202提供更多电压增益以补偿因位于以低功率模式操作的LNA 202下游的组件所引起的噪声的增加。如图2中所展示，高阻抗电路206-2包括与下一前端电路组件并联耦合且耦合到电源电压VDD的电感器-电容器串联组合，且低阻抗电路206-1包括在耦合到电源电压VDD的单端侧上具有电容器的平衡不平衡变换器电路。应注意，这两个阻抗电路是实例性的且并不意在为限制性。
另一方面，当前端200未以低功率模式操作时，LNA 202的第一输出路径可被接通且LNA 202的第二输出路径可被关断。这是因为LNA 202的第一输出路径具有低阻抗电路206-1(即，阻抗小于高阻抗电路206-2的阻抗)，低阻抗电路206-1在存在阻挡物的情况下改进LNA 102的输出线性度。
如上文关于图1所解释，可基于一或多个因数来启用或停用低功率模式。举例来说，可基于用于为实例性前端200及其中实施实例性前端200的装置(例如，膝上型计算机、智能电话、平板计算机、可佩戴式装置等)供电的电池的当前电池电量来启用低功率操作模式。在另一实例中，可当在实例性前端200的操作环境中不存在阻挡物或在实例性前端200的操作环境中在某种预定程度上不存在阻挡物时启用低功率操作模式。在又一实例中，可由其中实施前端200的装置的用户来启用低功率操作模式。
隔离电路204-1及204-2经配置以分别接通及关断LNA 202的第一输出路径及第二输出路径。更具体来说，隔离电路204-1可在LNA 202的第一输出路径被关断时将LNA 202的输出与低阻抗电路206-1隔离且在LNA 202的第一输出路径被接通时不将LNA 202的输出与低阻抗电路206-1隔离。类似地，隔离电路204-2可在LNA 202的第二输出路径被关断时将LNA 202的输出与高阻抗电路106-2隔离且在LNA 202的第二输出路径被接通时不将LNA202的输出与高阻抗电路206-2隔离。如图2中所展示，隔离电路204-1及204-2各自是使用共源共栅晶体管配置来实施。对于每一共源共栅，可由控制器(图2中未展示)驱动一对串联耦合的金属氧化物半导体晶体管的栅极以：关断所述对晶体管以提供上述隔离，以及接通所述对晶体管以停用上述隔离。
虽然图2中未展示，但下一或下一些前端电路组件可例如是混频器、滤波器或模/数转换器，此处仅举几例。此外，LNA 202在图2中被展示为具有电感器L1以及电容器C1及C2的实例性匹配网络。然而，可使用具有不同组件及配置的其它匹配网络，此并不背离所属领域的普通技术人员将了解的本发明的范围及精神。
图3图解说明根据本发明实施例用于控制单输入双输出路径LNA(例如上文关于以上图1及2所描述的单输入双输出路径LNA)的方法的实例性流程图300。在一个实施例中，流程图300的方法可由控制电路(例如图1中的控制电路108)实施。
如图3中所展示，流程图300的方法在步骤302处开始。在步骤302处，做出关于其中实施单输入双输出路径LNA的接收器前端或装置当前是否正以低功率模式操作的确定。可基于其中实施单输入双输出路径LNA的接收器前端或装置中的一或多个因数来启用或停用低功率模式。举例来说，可基于用于为其中实施单输入双输出LNA的实例性前端或装置(例如，膝上型计算机、智能电话、平板计算机、可佩戴式装置等)供电的电池的当前电池电量来启用低功率操作模式。在另一实例中，可当在前端的操作环境中不存在阻挡物或在前端的操作环境中在某种预定程度上不存在阻挡物时启用低功率操作模式。在又一实例中，可由其中实施前端的装置的用户来启用低功率操作模式。
如果前端或装置当前未以低功率模式操作，那么流程图300的方法继续进行到步骤 304。在步骤304处，关断单输入双输出路径LNA的高阻抗输出路径，同时接通低阻抗输出路径。上文关于以上图1及2描述了实例性高阻抗输出路径及低阻抗输出路径。举例来说，在图1中，低阻抗输出路径对应于具有隔离电路104-1及低阻抗电路106-1的第一输出路径，而高阻抗输出路径对应于具有隔离电路104-2及高阻抗电路106-2的第二输出路径。
另一方面，如果前端或装置当前正以低功率模式操作，那么流程图300的方法继续进行到步骤306。在步骤306处，接通单输入双输出路径LNA的高阻抗输出路径，同时关断低阻抗输出路径。
3.低功率频谱纯偏移本机振荡器(LO)方案
在无线电发射器中，后端通常被定义为发射器的位于基带系统与天线之间的部分。除其它组件外，后端通常包含用于将基带信号上变频到载波频率的一或多个混频器以及用于在经上变频信号由天线发射之前提升所述经上变频信号的强度的功率放大器。除上文所提及的组件以外，后端在天线之前的某一点处包含数/模转换器(DAC)以将待发射的信号从数字信号转换成模拟信号。
图4图解说明根据本发明实施例的实例性后端400。实例性后端400可例如实施于无线发射器(例如个域网发射器或局域网发射器)中。个域网例如包含蓝牙、Z波、紫峰、INSTEON等。
在操作中，实例性后端400经配置以作为基带信号而接收数据(例如，话音、视频及/或因特网业务)并处理所述基带信号使得所述基带信号可经由信道发射。更具体来说，混频器402将基带信号与由频率合成器404产生的本机振荡器(LO)信号混频，以将基带信号上变频到载波频率。频率合成器404可包含用于产生振荡信号的晶体振荡器，所述振荡信号接着由锁相环路(PLL)进行频率调整以产生处于所期望频率的LO信号。所述 PLL通常使用压控振荡器(VCO)来专门产生LO信号。在上变频之后，经上变频信号由功率放大器(PA)406放大，之后经上变频信号由天线408发射。虽然在图4中被展示为非复合基带信号，但在其它实施例中，基带信号可为复合的。
对于蓝牙发射器中的后端(及在其它类似后端中)产生LO信号时的传统问题是，如果后端中PA的输入信号处于频率合成器中的VCO的约数频率，则PA的输出信号的谐波会拉动VCO，从而损害性能。
为解决此种问题，可使用偏移LO方案以使得PA的输出信号的频率并非处于VCO 频率的约数。更具体来说，频率合成器(及更具体来说其VCO)经配置以提供处于相对于所期望LO信号偏移的LO信号，使得PA的输出信号的频率并非处于VCO频率的约数。接着，在LO信号与基带信号混频之前，使用LO偏移电路将LO信号的频率调整到所期望频率。
图5中使用此种LO偏移方案，图5中展示根据本发明实施例的另一实例性后端500。实例性后端500具有与上文关于图4所描述的大体配置及功能性相同的大体配置及功能性，只不过频率合成器404现在产生相对于所期望LO频率具有偏移的LO信号，且LO 偏移电路502用于校正所述偏移以将处于所期望频率的LO信号提供到混频器402。
虽然LO偏移电路502可有助于减弱PA 406的输出信号的谐波拉动由频率合成器404的PLL实施的VCO，但LO偏移电路502可呈现出其自身的问题。具体来说，可难以以一种提供良好功率性能且不产生由天线408辐射的不利突波的方式来实施LO偏移电路502。
图6图解说明根据本发明实施例具有良好功率性能且突波产生得以减少的LO偏移电路502的一种实例性实施方案。图6中的LO偏移电路502的实施方案呈现2.4GHz 的所期望LO频率(其是蓝牙发射器常用的)以及频率为所期望LO频率的4/3或3.2GHz 的偏移LO信号。应注意，可通过以所属领域的普通技术人员将容易理解的方式调整LO 偏移电路的配置而使用其它所期望频率及偏移频率。
如图6中所展示，LO偏移电路502包含除2电路(DIV2)602、异或(XOR)混频器604、双谐振电感器-电容器(LC)滤波器606及DIV2 608。DIV2 602首先处理处于3.2GHz的偏移LO信号以产生1.6GHz振荡器信号。接着，XOR混频器604将1.6GHz振荡器信号与处于3.2GHz的偏移LO信号混频，此在XOR混频器604的输出处产生具有处于4.8GHz的所期望谐波及处于1.6GHz的非期望谐波的信号。
为防止处于1.6GHz的非期望谐波出现在LO偏移电路502的最终输出中，双谐振 LC滤波器606配置有适于其电容器及电感器的值，以使处于4.8GHz的所需谐波传递到DIV2608，同时滤除(或“陷波除去”)可引起突波的处于1.6GHz的非所需谐波。最终的DIV2 608将具有4.8GHz谐波的滤波器信号下分频以提供具有处于2.4GHz的谐波的所期望LO信号。
应注意，尽管XOR混频器604可提供比常规吉尔伯特(Gilbert)单元混频器高的电流效率，但可在LO偏移电路502中使用任一种类型的混频器(或甚至其它类型)，此并不背离本发明的范围及精神。
图7图解说明根据本发明实施例用于操作发射器后端(例如上文关于以上图5到6所描述的发射器后端500)的方法的实例性流程图700。
在步骤702中，产生偏移本机振荡器(LO)信号。举例来说，参考图5，可由频率合成器404产生偏移本机振荡器(LO)信号。
在步骤704中，以因数2将偏移LO信号的频率进行下分频以产生振荡器信号。举例来说，参考图6，DIV2电路602可以因数2将频率为3.2GHz的偏移LO信号进行下分频，以产生频率为1.6GHz的振荡器信号。
在步骤706中，将振荡器信号与偏移LO信号混频以产生具有所期望谐波及非期望谐波的经频移的偏移LO信号。举例来说，参考图6，XOR混频器603可将频率为1.6GHz 的振荡器信号与频率为3.2GHz的偏移LO信号混频，以产生具有处于4.8GHz的所期望谐波及处于1.6GHz的非期望谐波的经频移的偏移LO信号。
在步骤708中，滤除经频移的偏移LO信号的非期望谐波，且使经频移的偏移LO 信号的所期望谐波通过以供进一步处理。举例来说，参考图6，双谐振滤波器606可经配置以“陷波除去”处于1.6GHz的非期望谐波且使处于4.8GHz的所期望谐波通过以供进一步处理。
在步骤710中，以因数2将经频移的偏移LO信号的所期望谐波进行下分频以提供所期望LO信号。举例来说，参考图6，DIV2电路608可以因数2将经频移的偏移LO 信号的处于4.8GHz的所期望谐波进行下分频以提供频率为2.4GHz的所期望LO信号。
应注意，可将步骤704到710描述/概括为调整偏移LO信号的频率以提供所期望 LO信号，其中所期望LO信号的频率例如是偏移LO信号的频率的3/4。
返回参考流程图700，在步骤712中，将基带信号(例如，数据信号)与所期望LO信号混频以提供经上变频信号。举例来说，混频器402可将基带信号与所期望LO信号混频以提供具有载波频率(例如，2.4GHz)的经上变频信号。
在步骤714中，通过例如功率放大器406放大经上变频信号，之后由天线408发射。
4.总结
上文已借助于功能构建块描述了各实施例，所述功能构建块说明其指定功能及关系的实施方案。为便于说明，已在本文中任意界定了这些功能构建块的边界。可界定替代边界，只要其指定功能及关系被适当执行即可。
对特定实施例的上述说明将充分地揭露本发明的大体性质，使得其他人员可通过应用所属领域的技术内的知识来针对各种应用容易地修改及/或变更此些特定实施例，而无需进行过度实验，此并不背离本发明的一般概念。因此，基于本文中所呈现的教示及指导，此类变更及修改旨在处于所揭露实施例的等效内容的意义及范围内。应理解，本文中的短语或术语用于说明而非限制的目的，使得本说明书的术语或短语应由所属领域的技术人员鉴于所述教示及指导来解释。

Claims (18)

1.一种前端接收器，其包括：
低噪声放大器LNA，其经配置以提供经放大信号；
所述LNA的第一输出路径，其包括第一隔离电路及第一阻抗电路，其中所述第一隔离电路经配置以将所述LNA与所述第一阻抗电路隔离；
所述LNA的第二输出路径，其包括第二隔离电路及第二阻抗电路，其中所述第二隔离电路经配置以将所述LNA与所述第二阻抗电路隔离；及
电路组件，其耦合到所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径两者，且经配置以基于所述前端接收器的当前功率模式而经由所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径中的一者从所述LNA接收所述经放大信号，其中所述第二阻抗电路比所述第一阻抗电路为所述LNA提供更大的电压增益，且
其中所述第二阻抗电路具有比所述第一阻抗电路更高的阻抗。
2.根据权利要求1所述的前端接收器，其中所述第一隔离电路是第一共源共栅电路，且所述第二隔离电路是第二共源共栅电路。
3.根据权利要求1所述的前端接收器，其进一步包括控制电路，所述控制电路经配置以基于所述当前功率模式而控制所述第一隔离电路及所述第二隔离电路。
4.根据权利要求1所述的前端接收器，其中所述电路组件经配置以基于所述当前功率模式为低功率模式而经由所述LNA的所述第二输出路径从所述LNA接收所述经放大信号。
5.根据权利要求1所述的前端接收器，其中所述电路组件是混频器、滤波器或模/数转换器。
6.根据权利要求1所述的前端接收器，其中所述第一隔离电路包括第一晶体管和第二晶体管，且其中所述第一晶体管的漏极被直接连接至所述第二晶体管的漏极。
7.根据权利要求1所述的前端接收器，其中所述第二隔离电路包括第一晶体管和第二晶体管，且其中所述第一晶体管的漏极被直接连接至所述第二晶体管的漏极。
8.一种信号处理方法，其包括：
确定前端接收器的当前功率模式；
基于所述当前功率模式被确定为不是低功率模式，接通低噪声放大器LNA的第一输出路径并关断所述LNA的第二输出路径；及
基于所述当前功率模式被确定为是所述低功率模式，接通所述LNA的所述第二输出路径并关断所述LNA的所述第一输出路径，
其中所述LNA的所述第二输出路径比所述LNA的所述第一输出路径为所述LNA提供更大的电压增益，
其中所述LNA的所述第二输出路径比所述LNA的所述第一输出路径向所述LNA呈现更高的阻抗，
其中所述LNA的所述第一输出路径包括第一隔离电路及第一阻抗电路，所述第一隔离电路经配置以将所述LNA与所述第一阻抗电路隔离，且
其中所述LNA的所述第二输出路径包括第二隔离电路及第二阻抗电路，所述第二隔离电路经配置以将所述LNA与所述第二阻抗电路隔离。
9.根据权利要求8所述的信号处理方法，其中所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径两者经配置以在被接通时将经放大输出信号从所述LNA提供到电路组件。
10.根据权利要求9所述的信号处理方法，其中所述电路组件是混频器、滤波器或模/数转换器。
11.根据权利要求8所述的信号处理方法，其中所述第一隔离电路是第一共源共栅电路，且所述第二隔离电路是第二共源共栅电路。
12.根据权利要求8所述的信号处理方法，其中所述第一隔离电路经配置以在所述LNA的所述第一输出路径被关断时将所述LNA与所述第一阻抗电路隔离，且其中所述第二隔离电路经配置以在所述LNA的所述第二输出路径被关断时将所述LNA与所述第二阻抗电路隔离。
13.根据权利要求8所述的信号处理方法，其中所述第二阻抗电路具有比所述第一阻抗电路更高的阻抗。
14.一种前端接收器，其包括：
低噪声放大器LNA，其经配置以提供经放大信号；
所述LNA的第一输出路径，其包括第一阻抗电路，所述LNA通过第一隔离电路与所述第一阻抗电路隔离；
所述LNA的第二输出路径，其包括第二阻抗电路，所述LNA通过第二隔离电路与所述第二阻抗电路隔离；
电路组件，其耦合到所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径两者，且经配置以基于所述前端接收器的当前功率模式而经由所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径中的一者从所述LNA接收所述经放大信号；及
控制电路，其经配置以基于所述当前功率模式而接通或关断所述LNA的所述第一输出路径及所述LNA的所述第二输出路径，
其中所述第二阻抗电路比所述第一阻抗电路为所述LNA提供更大的电压增益，且
其中所述第二阻抗电路具有比所述第一阻抗电路更高的阻抗。
15.根据权利要求14所述的前端接收器，其中所述控制电路经配置以基于所述前端接收器的所述当前功率模式是高功率模式而接通所述LNA的所述第一输出路径并关断所述LNA的所述第二输出路径。
16.根据权利要求14所述的前端接收器，其中所述控制电路经配置以基于所述前端接收器的所述当前功率模式是低功率模式而接通所述LNA的所述第二输出路径并关断所述LNA的所述第一输出路径。
17.根据权利要求14所述的前端接收器，其中所述LNA的所述第一输出路径经配置以基于所述接收器前端的所述当前功率模式是低功率模式而将所述LNA与所述第一阻抗电路隔离。
18.根据权利要求14所述的前端接收器，其中所述LNA的所述第二输出路径经配置以基于所述接收器前端的所述当前功率模式是高功率模式而将所述LNA与所述第二阻抗电路隔离。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10715194B2 (en) 2017-12-29 2020-07-14 Texas Instruments Incorporated Digital offset frequency generator based radio frequency transmitter
US11539393B2 (en) * 2020-08-07 2022-12-27 Apple Inc. Radio-frequency front end modules with leakage management engines

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103457618A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 联芯科技有限公司 射频芯片前端系统及其信号处理方法
CN104937836A (zh) * 2013-01-25 2015-09-23 高通股份有限公司 每输出有独立增益控制的单输入多输出放大器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5535247A (en) * 1993-09-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Frequency modifier for a transmitter
US6708026B1 (en) * 2000-01-11 2004-03-16 Ericsson Inc. Division based local oscillator for frequency synthesis
US7082292B2 (en) * 2000-04-18 2006-07-25 Sirf Technology, Inc. Mobile communications device with GPS receiver and common clock source
US7424271B2 (en) * 2003-12-04 2008-09-09 Via Technologies Inc. Multi-mode and multi-band RF transceiver and related communications method
US20050266805A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-01 Jensen Henrik T Digital delta sigma modulator and applications thereof
US7773962B2 (en) * 2006-09-13 2010-08-10 Intel Corporation Method and apparatus for efficiently applying frequency correction
US7692486B2 (en) * 2007-10-05 2010-04-06 Qualcomm, Incorporated Configurable feedback for an amplifier
JP4883031B2 (ja) * 2008-03-18 2012-02-22 パナソニック株式会社 受信装置と、これを用いた電子機器
US8275330B1 (en) * 2009-09-30 2012-09-25 Rf Micro Devices, Inc. Radio frequency transmitter energy shifting during ramp-down
US20120013401A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Power amplifier with selectable load impedance and method of amplifying a signal with selectable load impedance
WO2012017572A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発振器
US9112463B2 (en) * 2013-09-30 2015-08-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Pulsed dynamic load modulation power amplifier circuit
US20160169948A1 (en) * 2014-12-10 2016-06-16 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for measuring power in mobile devices to minimize impact on power consumption
US9793857B1 (en) * 2016-03-30 2017-10-17 Keysight Technologies, Inc. Method and apparatus for characterizing local oscillator path dispersion

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103457618A (zh) * 2012-05-30 2013-12-18 联芯科技有限公司 射频芯片前端系统及其信号处理方法
CN104937836A (zh) * 2013-01-25 2015-09-23 高通股份有限公司 每输出有独立增益控制的单输入多输出放大器

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