CN104931187A - 物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体 - Google Patents

物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体 Download PDF

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Abstract

物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体。提供具有优异的检测精度的物理量传感器、具有该物理量传感器且可靠性高的高度计、电子设备以及移动体。物理量传感器(1)具有：膜片，其能够挠曲变形(24)；周围壁部(26)，其配置在膜片(24)的周围，沿远离膜片(24)的方向而增加厚度；挠曲量传感器(3)，其检测膜片(24)的挠曲量；以及温度传感器(6)，其配置于周围壁部(26)。

Description

物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体。
背景技术
以往，作为压力传感器，公知有如下结构，该结构具有：因受压而挠曲变形的膜片(diaphragm)；压力检测用桥电路，其具有配置于膜片的4个压电电阻元件；以及温度检测用桥电路，其具有配置于膜片的周围的4个压电电阻元件(例如参照专利文献1)。根据这样的压力传感器，能够根据来自温度检测用桥电路的输出，对来自压力检测用桥电路的输出进行校正，提高压力的检测精度。
但是，在引用文献1的压力传感器中，不能将压力检测用桥电路具有的压电电阻元件与温度检测用桥电路具有的压电电阻元件接近地配置。此外，温度检测用桥电路具有的压电电阻元件被配置在位于膜片的周围且厚度远远大于膜片的部分，因此，与压力检测用桥电路具有的压电电阻元件相比，难以传导来自外部的热。因此，在温度检测用桥电路中，不能高精度地检测出压力检测用桥电路具有的压电电阻元件的温度。
因此，在专利文献1的压力传感器中，存在如下问题：不能高精度地进行与来自温度检测用桥电路的输出对应的来自压力检测用桥电路的输出的校正，不能发挥优异的压力检测精度。
专利文献1：日本特开2007-271379号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供具有优异的检测精度的物理量传感器、具有该物理量传感器且可靠性高的高度计、电子设备以及移动体。
本发明是为了解决上述的问题的至少一部分而完成的，可以作为以下的应用例来实现。
[应用例1]
本应用例的物理量传感器的特征在于，具有：膜片，其能够挠曲变形；周围壁部，其配置在所述膜片的周围，该周围壁部的厚度沿远离所述膜片的方向而增加；挠曲量检测元件，其配置于所述膜片，检测所述膜片的挠曲量；以及温度检测元件，其配置于所述周围壁部。
由此，能够减轻因膜片的变形而产生的应力传导到温度检测元件，能够缩短温度检测元件与挠曲量检测元件的间隔距离。因此，得到具有优异检测精度的物理量传感器。
[应用例2]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，所述周围壁部的厚度沿远离所述膜片的方向而连续增加。
由此，能够减轻膜片发生挠曲变形时的应力集中。即，能够有效地使应力分散。
[应用例3]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，所述温度检测元件沿着所述膜片的周围进行配置。
由此，能够进一步缩短温度检测元件与挠曲量检测元件的间隔距离。此外，能够实现物理量传感器的小型化。
[应用例4]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，在俯视时，所述膜片呈矩形，所述温度检测元件在俯视时配置在所述膜片的对角线的延长线上。
与其它部位相比，这样的部位是刚性高且难以挠曲的部位，因此，温度检测元件难以变形，温度检测元件的温度检测精度提高。
[应用例5]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，所述温度检测元件具有沿着所述膜片的周围弯曲的部分。
由此，能够沿着呈矩形的膜片的周围来配置温度检测元件，因此，能够进一步缩短温度检测元件与挠曲量检测元件的间隔距离。此外，能够实现物理量传感器的小型化。
[应用例6]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，所述温度检测元件配置有多个。
由此，温度检测精度提高。
[应用例7]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，在俯视时，所述膜片、所述温度检测元件以及压力基准室重合。
由此，能够将挠曲量检测元件以及温度检测元件配置在压力基准室中，因此，能够将挠曲量检测元件放置在与温度检测元件大致相同的环境中。因此，温度检测元件的温度检测精度提高。
[应用例8]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，在俯视时，所述膜片与压力基准室重合，所述温度检测元件与所述压力基准室错开。
由此，能够将温度检测元件设置在刚性更高的位置，因此，温度检测元件难以变形，温度检测元件的温度检测精度提高。
[应用例9]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，所述挠曲量检测元件是压电电阻元件。
由此，挠曲量检测元件的结构变得简单。
[应用例10]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，所述温度检测元件是压电电阻元件。
由此，温度检测元件的结构变得简单。
[应用例11]
在本应用例的物理量传感器中，优选的是，该物理量传感器是检测压力的压力传感器。
由此，能够检测膜片受到的压力。
[应用例12]
本应用例的高度计的特征在于具有上述应用例的物理量传感器。
由此，得到可靠性高的高度计。
[应用例13]
本应用例的电子设备的特征在于具有上述应用例的物理量传感器。
由此，得到可靠性高的电子设备。
[应用例14]
本应用例的移动体的特征在于具有上述应用例的物理量传感器。
由此，得到可靠性高的移动体。
附图说明
图1是示出本发明的物理量传感器的第一实施方式的剖视图。
图2是示出图1所示的物理量传感器具有的挠曲量传感器以及温度传感器的俯视图。
图3是对包含图2所示的挠曲量传感器的电路进行说明的图。
图4是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图5是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图6是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图7是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图8是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图9是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图10是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图11是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图12是示出本发明的物理量传感器的第二实施方式的俯视图。
图13是对包含图12所示的温度传感器的电路进行说明的图。
图14是示出本发明的物理量传感器的第三实施方式的剖视图。
图15是示出本发明的物理量传感器的第四实施方式的剖视图。
图16是示出本发明的高度计的一例的立体图。
图17是示出本发明的电子设备的一例的正面图。
图18是示出本发明的移动体的一例的立体图。
标号说明
1 物理量传感器；2 基板；21 半导体基板；211 第一Si层；212 SiO2层；213 第二Si层；22 第一绝缘膜；23 第二绝缘膜；24 膜片；24a 受压面；241、242、243、244 边；245、246、247、248 角部；25 凹部；26 周围壁部；261 第一锥部；262 厚度固定部；263 第二锥部；27 厚壁部；3 挠曲量传感器；30 桥电路；31、32、33、34 压电电阻元件；311、321、331、341 压电电阻部；313、323、333、343 布线；332、342 连接部；4 元件周围结构体；41、43 层间绝缘膜；42、42a、42b、44、44a、44b 布线层；441 覆盖层；442 细孔；45 表面保护膜；46 封闭层；49 膜；51 壁部；52 覆盖部；6 温度传感器；60 桥电路；61、62、63、64 压电电阻元件；611、621、631、641 压电电阻部；613、623、633、643 布线；7 空洞部；9 半导体电路；91 MOS晶体管；911 栅极电极；200 高度计；201 显示部；300 导航系统；301 显示部；400移动体；401 车体；402 车轮；L 延长线
具体实施方式
以下，基于附图所示的实施方式，对本发明的物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体进行详细说明。
1.物理量传感器
＜第一实施方式＞
图1是示出本发明的物理量传感器的第一实施方式的剖视图。图2是示出图1所示的物理量传感器具有的挠曲量传感器以及温度传感器的俯视图。图3是对包含图2所示的挠曲量传感器的电路进行说明的图。图4～图11分别是对图1所示的物理量传感器的制造方法进行说明的剖视图。此外，在以下的说明中，将图1中的上侧记作“上”，将下侧记作“下”。
物理量传感器1是能够检测压力的压力传感器。通过将物理量传感器1作为压力传感器，例如，能够将其安装在各种电子设备中而用于计测高度。
如图1所示，物理量传感器1具有基板2、挠曲量传感器(压力检测传感器)3、温度传感器6、元件周围结构体4、空洞部7、半导体电路9。以下，依次对这各部分进行说明。
<<基板>>
基板2呈板状，是在由SOI基板(依次层叠第一Si层211、SiO2层212、第二Si层213而成的基板)构成的半导体基板21上依次层叠由氧化硅膜(SiO2膜)构成的第一绝缘膜22和由氮化硅膜(SiN膜)构成的第二绝缘膜23而构成的。不过，半导体基板21不限于SOI基板，例如，也可以使用硅基板。此外，作为第一绝缘膜22以及第二绝缘膜23的材料，只要在制造时能够保护半导体基板21并使半导体基板21、挠曲量传感器3以及温度传感器6之间绝缘，则没有特别限定。此外，基板2的平面形状没有特别限定，例如，可以设为大致正方形、大致长方形等矩形或圆形，在本实施方式中，为大致正方形。
此外，在半导体基板21上设置有膜片24，该膜片24比周围的部分薄，因受压而挠曲变形。该膜片24是在半导体基板21的下表面(第二Si层213)设置带底的凹部25而形成的，其下表面(凹部25的底面)为受压面24a。这样的膜片24的平面形状没有特别限定，例如，可以设为大致正方形、大致长方形等矩形或圆形，而在本实施方式中，为大致正方形。此外，膜片24的宽度没有特别限定，例如，可以设为400μm以上且600μm以下的范围内。此外，膜片24的厚度没有特别限定，但例如优选为10μm以上且50μm以下的范围内，更优选为15μm以上且25μm以下的范围内。由此，能够使膜片24足够柔软，能够充分进行挠曲变形。
此外，半导体基板21具有：框状的周围壁部26，其沿着膜片24的周围进行配置，其厚度沿着远离膜片24的方向增加；以及框状的厚壁部27，其沿着周围壁部26的周围进行配置，其厚度大于膜片24。
周围壁部26的下表面(即凹部25的内周面)261为相对于膜片24的厚度方向倾斜的倾斜面，因此，周围壁部26成为从膜片24侧朝向厚壁部27侧(即，远离膜片24的方向)而逐渐增加厚度(连续地增加)的锥状。这样，通过将周围壁部26设为锥状，能够使朝向周围壁部26的应力集中下降，能够使周围壁部26更难以挠曲。此外，例如，在利用湿式蚀刻形成凹部25时，凹部25的内周面自然地成为倾斜面，因此，还具有能够简单形成周围壁部26的优点。
在这样的半导体基板21上及其上方安装有半导体电路(电路)9。在该半导体电路9中，包含根据需要而形成的MOS晶体管91等有源元件、电容器、电感、电阻、二极管以及布线等电路要素。这样，通过将半导体电路9装入基板2中，与将半导体电路9与基板2分开地设置的情况相比，能够实现物理量传感器1的小型化。此外，在图1中，为了便于说明，仅示出了MOS晶体管91。
<<挠曲量传感器>>
如图2所示，挠曲量传感器3具有配置于膜片24的4个压电电阻元件(挠曲量检测元件)31、32、33、34。其中，压电电阻元件31、32在俯视时对应地配置在呈四边形的膜片24的彼此相对的1对边241、242，压电电阻元件33、34在俯视时对应地配置在呈四边形的膜片24的其它彼此相对的1对边243、244。
压电电阻元件31具有配置在膜片24的外缘部(边241附近)的压电电阻部311。压电电阻部311呈沿着与边241平行的方向延伸的长条形状。此外，该压电电阻部311的两端部分别与布线313连接。
同样，压电电阻元件32具有配置在膜片24的外缘部(边242附近)的压电电阻部321。压电电阻部321呈沿着与边242平行的方向延伸的长条形状。此外，该压电电阻部321的两端部分别与布线323连接。
另一方面，压电电阻元件33具有：配置在膜片24的外缘部(边243附近)的1对压电电阻部331；以及使1对压电电阻部331彼此连接的连接部332。1对压电电阻部331彼此平行，并呈沿着与边243垂直的方向(与压电电阻部311、321相同的方向)延伸的长条形状。这样的1对压电电阻部331的一端部彼此经由连接部332连接，1对压电电阻部331的另一端部分别与布线333连接。
同样，压电电阻元件34具有：配置在膜片24的外缘部(边244附近)的1对压电电阻部341；以及使1对压电电阻部341彼此连接的连接部342。1对压电电阻部341彼此平行，且呈沿着与边244垂直的方向(与压电电阻部311、321相同的方向)延伸的长条形状。这样的1对压电电阻部341的一端部彼此经由连接部342连接，1对压电电阻部341的另一端部分别与布线343连接。
以上的压电电阻部311、321、331、341例如分别通过在半导体基板21的第一Si层211中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成。此外，布线313、323、333、343以及连接部332、342例如分别通过在第一Si层211中以比压电电阻部311、321、331、341更高的浓度掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成。
不过，以外，压电电阻部311、321、331、341例如也可以以如下方式构成：在膜片24上，利用溅射法、CVD法等形成多晶硅膜，利用蚀刻对该多晶硅膜进行构图，在其中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质。这对于布线313、323、333、343以及连接部332、342也相同。
此外，压电电阻元件31、32、33、34构成为自然状态下的电阻值彼此相等。进而，这些压电电阻元件31、32、33、34经由布线313、323、333、343等而彼此电连接，如图3所示，构成桥电路30(惠斯通桥电路)。该桥电路30与提供驱动电压AVDC的驱动电路(未图示)连接。而且，桥电路30输出与压电电阻元件31、32、33、34的电阻值对应的信号(电压)。
在这样的挠曲量传感器3中，即使使用极薄的膜片24，也不会如使用谐振器那样的振动元件作为传感器元件的情况那样，出现因膜片24的振动泄漏而使Q值下降的问题。此外，通过在第一Si层211中掺杂磷、硼等杂质来构成压电电阻元件31、32、33、34，例如，与在膜片24的上表面重叠地设置压电电阻元件31、32、33、34的情况相比，能够实现物理量传感器1的厚度降低(薄型化)。
<<温度传感器>>
如图2所示，温度传感器6具有压电电阻元件(温度检测元件)61。压电电阻元件61具有压电电阻部611，压电电阻部611的两端部分别与布线613连接。压电电阻部611配置于周围壁部26。此外，压电电阻部611沿着膜片24的周围进行配置。由此，能够防止压电电阻部611向外侧过度扩展，相应地，能够实现物理量传感器1的小型化。
尤其是，在本实施方式中，压电电阻部611在俯视时配置在膜片的角部245附近(即膜片24的对角线的延长线L上)，沿着与角部245相连的边241、243(膜片24的周围)，以在中途弯曲为大致直角的方式延伸。即，可以说，压电电阻部611具有：沿着边241延伸的第一部分；以及从第一部分的一端延伸而沿着边243延伸的第二部分。这样，通过将压电电阻部611配置为在角部245附近弯曲，能够在不牺牲挠曲量传感器3的配置空间(或抑制得较小)的情况下，将压电电阻部611配置得更长。即，能够高效灵活地运用配置挠曲量传感器3之后的剩余空间来配置温度传感器6。因此，能够在不损害挠曲量传感器3的检测灵敏度的情况下，成为精度更高的温度传感器6。
这样的压电电阻元件61具有电阻值随温度而变化的性质，因此，基于压电电阻元件61的电阻值变化，能够检测位于其附近的挠曲量传感器3的温度。
尤其是，在物理量传感器1中，将压电电阻元件61设置于周围壁部26，因而能够发挥如下效果。
第一，周围壁部26比膜片24厚，比膜片24更难以挠曲。通过这样将压电电阻元件61配置于比膜片24更难以挠曲的周围壁部26，能够减轻压电电阻元件61的挠曲引起的电阻值变化，能够利用温度传感器6高精度地检测挠曲量传感器3的温度。此外，由于周围壁部26配置在膜片24的周围，因此，能够将压电电阻元件61配置在挠曲量传感器3的附近。基于该点，能够利用温度传感器6高精度地检测挠曲量传感器3的温度。
第二，将周围壁部26设为锥状(换言之，比厚壁部27薄)，使得热容量下降，因此，能够使周围壁部26的热容量与膜片24的热容量接近。因此，例如，在压电电阻元件31、32、33、34以及压电电阻元件61因来自基板2的下表面侧的热而升温的情况下，能够减小压电电阻元件61的温度变化与压电电阻元件31、32、33、34的温度变化之差。因此，基于该点，也能够利用温度传感器6高精度地检测挠曲量传感器3的温度。
这样的压电电阻部611例如通过在第一Si层211中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成。此外，布线613例如通过在第一Si层211中以比压电电阻部611更高的浓度掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成。通过在第一Si层211中掺杂磷、硼等杂质来构成压电电阻元件61，由此，能够简单地设置温度传感器6，与例如在膜片24的上表面重叠地设置热电偶等独立的部件的情况相比，能够实现物理量传感器1的高度降低(薄型化)。
其中，压电电阻部611例如还可以以如下方式构成：在周围壁部26上，利用溅射法、CVD法等形成多晶硅膜，利用蚀刻对该多晶硅膜进行构图，在其中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质。对于布线313、323、333、343以及连接部332、342也相同。
<<元件周围结构体4>>
元件周围结构体4形成为划分出空洞部7。该元件周围结构体4具有：环状的壁部51，其以包围挠曲量传感器3以及温度传感器6的方式形成在基板2上；以及覆盖部52，其密封被壁部51的内壁围着的空洞部7的开口。
这样的元件周围结构体4具有：层间绝缘膜41；在层间绝缘膜41上形成的布线层42；在布线层42和层间绝缘膜41上形成的层间绝缘膜43；在层间绝缘膜43上形成的布线层44；在布线层44和层间绝缘膜43上形成的表面保护膜45；以及密封层46。布线层44具有覆盖层441，该覆盖层441具有使空洞部7的内外连通的多个细孔442，配置在覆盖层441上的密封层46密封细孔442。在这样的元件周围结构体4中，由层间绝缘膜41、布线层42、层间绝缘膜43、布线层44(其中，除去覆盖层441以外的部分)以及表面保护膜45构成上述壁部51，由覆盖层441以及密封层46构成上述覆盖部52。
此外，布线层42、44包含：以围着空洞部7的方式形成的布线层42a、44a；以及构成半导体电路9的布线的布线层42b、44b。因此，半导体电路9通过布线层42b、44b而引出到物理量传感器1的上表面。此外，在布线层42a与第二绝缘膜23之间，例如设置有由多晶硅膜构成的膜49。
层间绝缘膜41、43没有特别限定，例如，可以使用氧化硅膜(SiO2膜)等绝缘膜。此外，布线层42、44没有特别限定，例如，可以使用铝膜等金属膜。此外，密封层46没有特别限定，可以使用Al、Cu、W、Ti、TiN等金属膜。此外，表面保护膜45没有特别限定，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、聚酰亚胺膜、环氧树脂膜等、用于保护元件免于水分、污物、损伤等的具有耐受性的膜。
<<空洞部>>
由基板2以及元件周围结构体4划分出的空洞部7是密闭的空间，作为物理量传感器1检测的压力的基准值的压力基准室发挥作用。空洞部7与膜片24重合地配置，膜片24构成划分空洞部7的壁部的一部分。空洞部7内的状态没有特别限定，但优选为真空状态(例如10Pa以下)。由此，可以使用物理量传感器1作为以真空状态为基准而检测压力的“绝对压传感器”。因此，物理量传感器1的方便性提高。不过，空洞部7内的状态也可以不是真空状态，例如，也可以是大气压状态、气压比大气压低的减压状态或者气压比大气压高的加压状态。此外，在空洞部7内也可以封入有氮气、稀有气体等惰性气体。
在本实施方式中，在俯视时，温度传感器6具有的压电电阻元件61位于空洞部7的内侧。即，膜片24、压电电阻元件61以及空洞部7位于重合的位置。由此，在俯视时，挠曲量传感器3具有的压电电阻元件31、32、33、34以及温度传感器6具有的压电电阻元件61分别位于空洞部7的内侧，因此，能够使压电电阻元件31、32、33、34与压电电阻元件61的热环境(更具体而言，例如从物理量传感器1的上表面侧传导的热的量)大致相同。因此，能够利用温度传感器6高精度地检测挠曲量传感器3的温度。
以上，对物理量传感器1的结构进行了简单说明。
在这样的物理量传感器1中，根据膜片24的受压面24a受到的压力，膜片24进行挠曲变形，由此，压电电阻元件31、32、33、34发生扭曲，根据其挠曲量，压电电阻元件31、32、33、34的电阻值发生变化。电桥电路30的输出随之变化。此处，压电电阻元件31、32、33、34具有如下性质(电阻值的温度关联性)：电阻值除了因自身的挠曲而变化以外，还因自身的温度(环境温度)而变化。因此，电桥电路30的输出的变化是由压电电阻元件31、32、33、34的挠曲以及压电电阻元件31、32、33、34的温度引起的，根据这样的输出(信号)，不能高精度地求出在受压面24a受到的压力(绝对压)的大小。因此，在物理量传感器1中，利用温度传感器6来检测挠曲量传感器3的温度，基于检测出的温度，对从电桥电路30得到的信号进行校正(去除压电电阻元件31、32、33、34的由于温度而引起的变化部分)，基于校正后的信号，求出在受压面24a受到的压力(绝对压)的大小。由此，能够高精度地求出在受压面24a受到的压力。
在以上的物理量传感器1中，将空洞部7以及半导体电路9设置半导体基板21的同一面侧，形成空洞部7的元件周围结构体4不会从半导体基板21的与半导体电路9相反的一侧伸出，能够减小高度。此外，元件周围结构体4是利用与层间绝缘膜41、43以及布线层42、44中的至少一方相同的成膜而形成的。由此，能够利用CMOS工艺(尤其是形成层间绝缘膜41、43及布线层42、44的工序)，与半导体电路9一同形成元件周围结构体4。因此，能够简化物理量传感器1的制造工序，其结果是，能够实现物理量传感器1的低成本化。此外，即使在如本实施方式这样将空洞部7密封的情况下，也能够使用成膜法将空洞部7密封，不需要贴合以往那样的基板来密封空腔，基于该点，也能够简化物理量传感器1的制造工序，其结果是，能够实现物理量传感器1的低成本化。
此外，如上所述，挠曲量传感器3包含压电电阻元件31、32、33、34，温度传感器6包含压电电阻元件61，而且挠曲量传感器3、温度传感器6以及半导体电路9位于半导体基板21的同一面侧，因此，能够利用CMOS工艺与半导体电路9一同形成挠曲量传感器3以及温度传感器6。因此，基于该点，能够进一步简化物理量传感器1的制造工序。
此外，由于挠曲量传感器3以及温度传感器6配置在膜片24的元件周围结构体4侧，因此，能够将挠曲量传感器3以及温度传感器6收纳在空洞部7内，因此，能够防止挠曲量传感器3以及温度传感器6的劣化，减轻挠曲量传感器3以及温度传感器6的特性下降。
接下来，对物理量传感器1的制造方法进行简单说明。
图4～图11分别是示出图1所示的物理量传感器1的制造工序的图。以下，基于这些图进行说明。
[挠曲量传感器/温度传感器形成工序]
首先，如图4所示，准备由SOI基板(依次层叠第一Si层211、SiO2层212、第二Si层213而成的基板)构成的半导体基板21，对表面进行热氧化，形成第一绝缘膜(氧化硅膜)22。接下来，如图5所示，经由未图示的掩模，在第一Si层211中掺杂磷、硼等杂质(离子注入)，由此形成挠曲量传感器3(压电电阻元件31～34)以及温度传感器6(压电电阻元件61)及MOS晶体管91的源极电极以及漏极电极。在该离子注入中，调整离子注入条件等，使得针对压电电阻部311、321、331、341、611的杂质掺杂量多于连接部332、342以及布线313、323、333、343、613。
接下来，如图6所示，在第一绝缘膜22上，利用溅射法、CVD法等形成第二绝缘膜(氮化硅膜)23。第二绝缘膜23对在之后进行的空洞部形成工序中实施的蚀刻具有耐受性，作为所谓蚀刻阻挡层而发挥作用。接下来，如图7所示，在基板2的上表面，利用溅射法、CVD法等形成多晶硅膜(或非晶硅膜)，利用蚀刻对该多晶硅膜进行构图，由此形成MOS晶体管91的栅极电极911以及膜49。
[层间绝缘膜/布线层形成工序]
如图8所示，在基板2的上表面形成层间绝缘膜41、43以及布线层42、44。由此，挠曲量传感器3、温度传感器6以及MOS晶体管91等成为被层间绝缘膜41、43以及布线层42、44覆盖的状态。层间绝缘膜41、43的形成是以如下方式进行的：利用溅射法、CVD法等形成氧化硅膜，并利用蚀刻对该氧化硅膜进行构图。层间绝缘膜41、43各自的厚度没有特别限定，例如为1500nm以上且5000nm以下左右。此外，布线层42、44的形成是以如下方式进行的：在层间绝缘膜41、43上，利用溅射法、CVD法等形成例如由铝构成的层，然后，进行构图处理。此处，布线层42、44各自的厚度没有特别限定，例如300nm以上且900nm以下左右。
此外，在俯视时，布线层42a、44a以包围挠曲量传感器3以及温度传感器6的方式呈环状。此外，布线层42b、44b与在半导体基板21之上及其上方形成的布线(例如构成半导体电路9的一部分的布线)电连接。
这样的层间绝缘膜41、43以及布线层42、44的层叠结构可由通常的CMOS工艺形成，其层叠数根据需要而适当设定。即，根据需要，有时隔着层间绝缘膜而层叠更多的布线层。
[空洞部形成工序]
如图9所示，在利用溅射法、CVD法等形成表面保护膜45之后，利用蚀刻形成空洞部7。表面保护膜45由包含一种以上的材料的多个膜层构成，且形成为不密封覆盖层441的细孔442。此外，作为表面保护膜45的结构材料，由氧化硅膜、氮化硅膜、聚酰亚胺膜、环氧树脂膜等、用于保护元件免于水分、污物、损伤等的具有耐受性的膜形成。表面保护膜45的厚度没有特别限定，例如为500nm以上且2000nm以下左右。
此外，空洞部7的形成是以如下方式进行的：利用蚀刻去除层间绝缘膜41、43的一部分，其中，所述蚀刻贯通在覆盖层441中形成的多个细孔442。在使用湿式蚀刻作为此处的蚀刻的情况下，从多个细孔442提供氟酸、缓冲氟酸等蚀刻液，在使用干式蚀刻的情况下，从多个细孔442提供氢氟酸气体等蚀刻气体。
[密封工序]
接下来，如图10所示，在覆盖层441上，利用溅射法、CVD法等形成由Al、Cu、W、Ti、TiN等的金属膜等构成的密封层46，将各细孔442密封。由此，空洞部7被密封层46密封，并形成覆盖部52。密封层46的厚度没有特别限定，例如为1000nm以上且5000nm以下左右。
[膜片形成工序]
最后，如图11所示，利用湿式蚀刻，将半导体基板21的下表面(第二Si层213)的一部分去除。由此，形成膜片24、周围壁部26以及厚壁部27。此外，在进行湿式蚀刻时，SiO2层212作为蚀刻阻挡层而发挥作用。因此，能够高精度地控制膜片24的厚度。由此，得到物理量传感器1。
利用以上这样的工序，能够制造出物理量传感器1。此外，在上述的适当的工序中(例如挠曲量传感器/温度传感器形成工序、层间绝缘膜/布线层形成工序、密封工序)，能够在中途安装半导体电路具有的MOS晶体管以外的有源元件、电容器、电感、电阻、二极管、布线等电路要素。
＜第二实施方式＞
接下来，对本发明的物理量传感器的第二实施方式进行说明。
图12是示出本发明的物理量传感器的第二实施方式的俯视图。图13是对包含图12所示的温度传感器的电路进行说明的图。
以下，对本发明的物理量传感器的第二实施方式进行说明，以与上述实施方式的不同之处为中心说明，省略相同事项的说明。
第二实施方式除了温度传感器的结构不同以外，与上述第一实施方式相同。
如图12所示，本实施方式的温度传感器6具有4个压电电阻元件(温度检测元件)61、62、63、64。此外，这些压电电阻元件61、62、63、64具有压电电阻部611、621、631、641，压电电阻部611、621、631、641的两端部分别与布线613、623、633、643连接。
在俯视时，压电电阻部611、621、631、641位于膜片24的外侧且配置于周围壁部26。此外，在俯视时，压电电阻部611、621、631、641沿着膜片24的周围进行配置。具体而言，压电电阻部611配置在膜片的角部245附近，沿着与角部245相连的边241、243，以在中途弯曲为大致直角的方式延伸。此外，压电电阻部621配置在膜片的角部246附近，沿着与角部246相连的边242、244，以在中途弯曲为大致直角的方式延伸。此外，压电电阻部631配置在膜片的角部247附近，沿着与角部247相连的边242、243，以在中途弯曲为大致直角的方式延伸。此外，压电电阻部641配置在膜片的角部248附近，沿着与角部248相连的边241、244，以在中途弯曲为大致直角的方式延伸。
这样的压电电阻部611、621、631、641例如分别通过在第一Si层211中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成。此外，布线613、623、633、643分别例如通过在第一Si层211中以比压电电阻部611、621、631、641更高的浓度掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而构成。
此外，压电电阻元件61、62、63、64构成为自然状态下的电阻值彼此相等。而且，这些压电电阻元件61、62、63、64经由布线613、623、633、643等彼此电连接，如图13所示那样构成电桥电路60(惠斯通电桥电路)。该电桥电路60与提供驱动电压AVDC的驱动电路(未图示)连接。而且，电桥电路60输出与压电电阻元件61、62、63、64的电阻值对应的信号(电压)。根据这样的温度传感器6，能够更高精度地检测温度。
根据这样的第二实施方式，也能够发挥与上述第一实施方式相同的效果。
此外，温度传感器6具有的压电电阻元件的数量不限于4个，例如，也可以是2个或3个。此外，温度传感器6也可以不构成电桥电路60。
＜第三实施方式＞
接下来，对本发明的物理量传感器的第三实施方式进行说明。
图14是示出本发明的物理量传感器的第三实施方式的剖视图。
以下，对本发明的物理量传感器的第三实施方式进行说明，以与上述实施方式的不同之处为中心进行说明，省略相同事项的说明。
第三实施方式除了温度传感器的配置不同以外，与上述第一实施方式相同。
如图14所示，在本实施方式的物理量传感器1中，在俯视时，温度传感器6具有的压电电阻元件61(压电电阻部611)位于空洞部7的外侧。即，在俯视时，膜片24与空洞部7重合，压电电阻元件61与空洞部7错开位置。此外，压电电阻元件61配置在与元件周围结构体4的壁部51重合的位置。换言之，可以说，在俯视时，壁部51的内周比压电电阻元件61更靠膜片侧。通过这样的结构，利用壁部51加强了周围壁部26，因此，周围壁部26变得更难以挠曲。因此，能够更有效地减轻压电电阻元件61的变形导致的电阻值变化，能够利用温度传感器6高精度地检测挠曲量传感器3的温度。
根据这样的第三实施方式，也能够发挥与上述第一实施方式相同的效果。
＜第四实施方式＞
接下来，对本发明的物理量传感器的第四实施方式进行说明。
图15是示出本发明的物理量传感器的第四实施方式的剖视图。
以下，对本发明的物理量传感器的第四实施方式进行说明，以与上述实施方式的不同之处为中心进行说明，省略相同事项的说明。
第四实施方式除了周围壁部的形状不同以外，与上述第一实施方式相同。
如图15所示，在本实施方式的物理量传感器1中，周围壁部26具有：第一锥部261，其与膜片24的外周连接，朝向厚壁部27而逐渐增加厚度；厚度固定部262，其与第一锥部261的外周连接，厚度大致固定；以及第二锥部263，其与厚度固定部262的外周连接，朝向厚壁部27而逐渐增加厚度。而且，在俯视时，温度传感器6的压电电阻元件61(压电电阻部611)定位为与厚度固定部262重合。不过，压电电阻元件61的位置不限于此，例如，也可以定位为与第一锥部261重合，或定位为与第二锥部263重合。
根据这样的第四实施方式，也能够发挥与上述第一实施方式相同的效果。
2.高度计
接下来，对具有本发明的物理量传感器的高度计的一例进行说明。图16是示出本发明的高度计的一例的立体图。
高度计200可以如手表那样佩戴于手腕。此外，在高度计200的内部，安装有物理量传感器1，在显示部201中，可以显示当前位置的海拔高度、当前位置的气压等。
此外，在该显示部201中，还可以显示当前时刻、使用者的心跳数、天气等各种信息。
3.电子设备
接下来，对应用了具有本发明的物理量传感器的电子设备的导航系统进行说明。图17是示出本发明的电子设备的一例的正面图。
导航系统300具有：未图示的地图信息；来自GPS(全地球定位系统：GlobalPositioning System)的位置信息的取得单元；基于陀螺仪传感器、加速度传感器以及车速数据的独立导航单元；物理量传感器1；以及显示规定的位置信息或行驶信息的显示部301。
根据该导航系统，除了取得的位置信息以外，还能够取得高度信息。例如，当行驶于在位置信息上表示与一般道路大致同一位置的高架道路的情况下，在不具有高度信息的情况下，在导航系统中不能判断是行驶于一般道路还是行驶于高架道路，而将一般道路的信息作为优先信息提供给使用者。因此，在本实施方式的导航系统300中，能够利用物理量传感器1取得高度信息，能够检测出从一般道路进入高架道路而导致的高度变化，能够将高架道路的行驶状态下的导航信息提供给使用者。
此外，显示部301例如为液晶面板显示器或有机EL(OrganicElectro-Luminescence：有机电致发光)显示器等能够进行小型化且薄型化的结构。
此外，具有本发明的物理量传感器的电子设备不限于上述设备，例如，还可以应用于个人计算机、便携电话、医疗设备(例如，电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
4.移动体
接下来，对具有本发明的物理量传感器的移动体进行说明。图18是示出本发明的移动体的一例的立体图。
如图18所示，移动体400构成为具有车体401以及4个车轮402，并利用设置在车体401中的未图示的动力源(发动机)使车轮402旋转。在这样的移动体400中，内置有导航系统300(物理量传感器1)。
以上，基于图示的各实施方式，对本发明的物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体进行了说明，但本发明不限于此，各部分的结构可以置换为具有相同功能的任意结构。此外，也可以附加其它任意结构物或工序。
此外，在上述实施方式中，以使用压电电阻元件作为挠曲量传感器具有的挠曲量检测元件的情况为例进行了说明，但本发明不限于此，例如，也可以使用襟翼型(flap)振子、梳齿电极等其它MEMS振子或石英振子等振动元件。
此外，在上述实施方式中，对挠曲量传感器具有4个压电电阻元件的情况进行了说明，但本发明不限于此，压电电阻元件的数量也可以是1个以上且3个以下，或者5个以上。

Claims (14)

1.一种物理量传感器，其特征在于，具有：
膜片，其能够挠曲变形；
周围壁部，其配置在所述膜片的周围，该周围壁部的厚度沿远离所述膜片的方向而增加；
挠曲量检测元件，其配置于所述膜片，检测所述膜片的挠曲量；以及
温度检测元件，其配置于所述周围壁部。
2.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述周围壁部的厚度沿远离所述膜片的方向而连续增加。
3.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述温度检测元件沿着所述膜片的周围进行配置。
4.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
在俯视时，所述膜片呈矩形，
所述温度检测元件在俯视时配置在所述膜片的对角线的延长线上。
5.根据权利要求4所述的物理量传感器，其中，
所述温度检测元件具有沿着所述膜片的周围弯曲的部分。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的物理量传感器，其中，
所述温度检测元件配置有多个。
7.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
在俯视时所述膜片、所述温度检测元件以及压力基准室重合。
8.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
在俯视时，所述膜片与压力基准室重合，所述温度检测元件与所述压力基准室错开。
9.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述挠曲量检测元件是压电电阻元件。
10.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
所述温度检测元件是压电电阻元件。
11.根据权利要求1所述的物理量传感器，其中，
该物理量传感器是检测压力的压力传感器。
12.一种高度计，其特征在于，该高度计具有权利要求1所述的物理量传感器。
13.一种电子设备，其特征在于，该电子设备具有权利要求1所述的物理量传感器。
14.一种移动体，其特征在于，该移动体具有权利要求1所述的物理量传感器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108291847A (zh) * 2015-11-18 2018-07-17 罗伯特·博世有限公司 用于压力传感器的传感器元件
CN108291795A (zh) * 2015-11-13 2018-07-17 株式会社村田制作所 压电挠曲传感器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016095284A (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
JP2016095267A (ja) * 2014-11-17 2016-05-26 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体
US20190234820A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Nxp Usa, Inc. Piezoresistive transducer with jfet-based bridge circuit

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046782A (en) * 1959-04-28 1962-07-31 Baldwin Lima Hamilton Corp Strain gage transducer circuit
JPS5817421B2 (ja) * 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
US5295395A (en) * 1991-02-07 1994-03-22 Hocker G Benjamin Diaphragm-based-sensors
IL106790A (en) * 1992-09-01 1996-08-04 Rosemount Inc A capacitive pressure sensation consisting of the bracket and the process of creating it
US5432372A (en) * 1993-01-14 1995-07-11 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Semiconductor pressure sensor
FR2705781B1 (fr) * 1993-05-25 1995-08-25 Schlumberger Services Petrol Capteur de pression à membrane comportant un système de protection anti-choc, et gradiomanomètre incorporant un tel capteur.
US5483834A (en) * 1993-09-20 1996-01-16 Rosemount Inc. Suspended diaphragm pressure sensor
US5454270A (en) * 1994-06-06 1995-10-03 Motorola, Inc. Hermetically sealed pressure sensor and method thereof
US5438877A (en) * 1994-06-13 1995-08-08 Motorola, Inc. Pressure sensor package for reducing stress-induced measurement error
US6006607A (en) * 1998-08-31 1999-12-28 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm
DE19848362A1 (de) * 1998-10-21 2000-04-27 Bosch Gmbh Robert Schaltungsanordnung zur Kompensation der Temperaturnichtlinearität der Kennlinien von in einer Brückenschaltung geschalteter piezoresistiver Meßwiderstände
JP2000162066A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Denso Corp センサ装置
US6528340B2 (en) * 2001-01-03 2003-03-04 Honeywell International Inc. Pressure transducer with composite diaphragm
JP4045979B2 (ja) * 2003-02-26 2008-02-13 株式会社デンソー 圧力検出装置
US7082834B2 (en) * 2003-06-18 2006-08-01 New Jersey Institute Of Technology Flexible thin film pressure sensor
FR2883372B1 (fr) * 2005-03-17 2007-06-29 Commissariat Energie Atomique Dispositif de mesure de force par detection resistive a double pont de wheastone
JP4739164B2 (ja) * 2006-10-20 2011-08-03 三菱電機株式会社 車両用エンジンの吸入空気圧力測定用の半導体感歪センサ
KR100964971B1 (ko) * 2007-12-05 2010-06-21 한국전자통신연구원 초소형 압저항형 압력 센서 및 그 제조 방법
NL2003385A (en) * 2008-10-23 2010-04-26 Asml Holding Nv Fluid assisted gas gauge proximity sensor.
FR2946775A1 (fr) * 2009-06-15 2010-12-17 St Microelectronics Rousset Dispositif de detection d'amincissement du substrat d'une puce de circuit integre
DE112011104403T5 (de) * 2010-12-15 2013-09-19 Panasonic Corporation Halbleiterdrucksensor
US20120211805A1 (en) * 2011-02-22 2012-08-23 Bernhard Winkler Cavity structures for mems devices
DE102012206531B4 (de) * 2012-04-17 2015-09-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats
JP5454628B2 (ja) * 2012-06-29 2014-03-26 株式会社デンソー 圧力センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108291795A (zh) * 2015-11-13 2018-07-17 株式会社村田制作所 压电挠曲传感器
CN108291847A (zh) * 2015-11-18 2018-07-17 罗伯特·博世有限公司 用于压力传感器的传感器元件

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