CN104925735B - 电子装置、电子模块、电子设备以及移动体 - Google Patents

电子装置、电子模块、电子设备以及移动体 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电子装置、电子模块、电子设备以及移动体。电子装置具备对第一基材和第二基材之间进行密封而形成的收纳空间和被收纳于收纳空间内的第一功能元件和第二功能元件，收纳空间在俯视观察时被配置在第一基材和所述第二基材被接合的框状的接合部的内部区域内，接合部包含设置于一方的第一接合区域和设置于另一方的第二接合区域，所述电子装置还具备第一布线部和第二布线部，第一布线部与第一功能元件连接，并具有从内部区域经由第一接合区域而朝向收纳空间的外部的第一方向，第二布线部与第二功能元件电连接，并具有从内部区域经由第二接合区域而朝向收纳空间的外部的第二方向。

Description

电子装置、电子模块、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及电子装置、电子模块、电子设备以及移动体。
背景技术
近年来，作为小型传感器装置，开发了一种电子装置，其具备通过精密加工技术之一的使用了半导体制造方法的MEMS(Micro Electronics Mechanical Systems，微机电系统)技术而被形成的对物理量进行检测的功能元件。作为功能元件，例如，已知一种物理量传感器元件，其具有被固定配置的固定电极和隔着预定的间隔而与固定电极对置并且以可位移的方式而被设置的可动电极，根据固定电极和可动电极之间的静电电容，对加速度或者角速度之类的物理量进行检测。
作为使这些物理量传感器复合的复合传感器元件，提出一种使加速度传感器和角速度传感器复合的复合传感器元件，并作为运动检测传感器而被公开(专利文献1)。
另外，在基于MEMS技术的功能元件的制造方法中，功能元件例如被固定安装在玻璃等绝缘性基板上，并被实施微细加工。公开了一种如下的技术，即，虽然在所形成的功能元件上，连接有用于输入对功能元件进行驱动的驱动信号或者用于输出与所检测的物理量相对应的检测信号的导电布线，但是将该导电布线以引导于被形成在绝缘性基板的一侧的槽部中的方式而进行配置(专利文献2)。
如专利文献1以及专利文献2所公开的那样，功能元件被配置于在基板与接合于基板上的盖部件之间形成的收纳空间内，收纳空间内被保持气密。但是，如专利文献2所公开的那样，通过采用在形成于基板上的槽中配置导电布线的结构而将布线引导至成为与外部电连接的连接部的电极，从而在基板与盖部件的接合部处产生使收纳空间与外部连通的部分(间隙)(参照专利文献2，图6)，通过粘合剂进行填充从而保持气密性。
但是，如专利文献2所公开的那样，在俯视观察基板时，仅在一侧设置有多个布线，该多个布线在基板与盖部件的接合部处使收纳空间和外部连通。另外，在将基板与盖部件接合的位置处与在基板和盖部件之间具有布线的位置处，接合状态容易不同。因此，基板和盖部件的接合状态有可能变得不稳定，从而降低气密性。
另外，传感器装置通过与具备对复合传感器进行驱动并对检测信号进行运算的电路部的半导体元件、所谓的IC进行复合从而构成电子模块。此时，复合传感器装置和IC一般在电连接中使用导电线，但是，在专利文献1公开的复合传感器装置中，例如当与角速度传感器连接的IC和与加速度传感器连接的IC被复合在一起时，导电线有可能变长。因此，将导致导电线的布线电阻的增加或者寄生电容的增加，从而引起具备复合传感器装置的电子装置的性能的降低。
因此，本发明的目的在于，获得一种电子装置，其能够在维持电子装置的功能元件收纳空间的较高的气密性的同时，将与半导体元件连接的导电线等电连接部的长度形成得较短，从而能够减少电子装置的性能降低。
专利文献1：日本特开2002－5950号公报
专利文献2：日本特开2012－98208号公报
发明内容
本发明为用于解决上述的课题的至少一部分而被完成的，并能够作为以下的方式或应用例而实现。
应用例1
本应用例的电子装置的特征在于，具备：第一基材；第二基材，在其与所述第一基材之间形成收纳空间，并且所述第二基材通过接合部而与所述第一基材接合；第一功能元件和第二功能元件，被收纳于所述收纳空间内，所述接合部包含第一接合区域和第二接合区域，在所述第一基材或所述第二基材上配置有第一布线部和第二布线部，所述第一布线部与所述第一功能元件电连接，并具有经由所述第一接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第一方向，所述第二布线部与所述第二功能元件电连接，并具有经由所述第二接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第二方向。
根据本应用例的装置，布线被分散为第一布线部和第二布线部，从而能够减少第一接合区域以及第二接合区域中的第一基材与第二基材的接合强度的降低，第一布线部与第一功能元件连接并向第一基材延伸设置，且经由第一接合区域而向收纳空间的外部延伸设置，第二布线部与第二功能元件连接，并经由第二接合区域而向收纳空间的外部延伸设置。
应用例2
在上述的应用例中，其特征在于，所述第一基材或所述第二基材具备隔壁部，所述收纳空间通过所述隔壁部而被划分第一收纳空间和第二收纳空间，所述隔壁部的延伸设置方向至少沿着所述第一接合区域以及所述第二接合区域中的一方的延伸设置方向而被配置，在所述第一收纳空间内收纳有所述第一功能元件，在所述第二收纳空间内收纳有所述第二功能元件，所述第一收纳空间与所述第二收纳空间的空间环境不同。
根据上述的应用例，能够获得使功能不同的功能元件复合的电子装置。但是，虽然由于使功能元件复合，从而经由第一接合区域以及第二接合区域而从收纳空间向外部延伸设置的布线变得更多，但是，即使为多个的布线，也由于能够被分散配置在第一接合区域和第二接合区域内，因此能够均衡地配置第一基材与第二基材的接合区域内的接合强度。
应用例3
在上述的应用例中，其特征在于，在所述第一收纳空间内收纳有作为所述第一功能元件的角速度传感器元件，在所述第二收纳空间内收纳有作为所述第二功能元件的加速度传感器元件，所述第一收纳空间的空间环境为减压气氛，所述第二收纳空间的空间环境为大气压气氛。
根据上述的应用例，能够将搭载于例如姿态控制系统或者测位系统等设备中的角速度传感器元件以及加速度传感器元件作为一个装置而构成。另外，由于使角速度传感器元件和加速度传感器元件复合，从而经由第一接合区域以及第二接合区域而从收纳空间向外部延伸设置的布线变得更多。但是，即使为多个的布线，也由于能够被分散配置于第一接合区域和第二接合区域内，因此能够均衡地配置第一基材与第二基材的接合区域内的接合强度。
应用例4
在上述的应用例中，其特征在于，所述角速度传感器元件以及所述加速度传感器元件的至少一方至少具有正交的两个方向的检测轴。
根据上述的应用例，由于使角速度传感器以及加速度传感器具备多个检测轴，从而使向外部延伸设置的布线的数量增加。但是，即使为多个的布线，也由于能够被分散配置于第一接合区域和第二接合区域内，因此能够均衡地配置第一基材与第二基材的接合区域内的接合强度。
应用例5
本应用例的电子模块的特征在于，具备：电子装置，所述电子装置具备：第一基材；第二基材，在其与所述第一基材之间形成收纳空间，并且所述第二基材通过接合部而与所述第一基材接合；第一功能元件和第二功能元件，被收纳于所述收纳空间内，所述接合部包含第一接合区域和第二接合区域，在所述第一基材或所述第二基材上配置有第一布线部和第二布线部，所述第一布线部与所述第一功能元件电连接，并具有经由所述第一接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第一方向，所述第二布线部与所述第二功能元件电连接，并具有经由所述第二接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第二方向，电路元件，其以在俯视观察时使至少一部分与所述电子装置重叠的方式而被配置，所述电路元件具备与所述第一布线部电连接的第一端子部和与所述第二布线部电连接的第二端子部，所述第一端子部被配置在所述电子装置的所述第一接合区域侧，所述第二端子部被配置在所述电子装置的所述第二接合区域侧。
根据本应用例的电子模块，在电子装置所具备的布线部和电路元件所具备的端子部中，第一布线部和第一端子部被配置在第一接合区域侧、即第一方向侧，第二布线部和第二端子部被配置在第二接合区域侧、即第二方向侧。因此，能够以较短的长度来配置对各布线部和各端子部进行连接的例如接合引线等连接部件。由此，能够抑制连接部件的电阻或者寄生电容，从而能够获得精度较高的电子模块。
应用例6
在上述的应用例中，其特征在于，所述第一基材或所述第二基材具备隔壁部，所述收纳空间通过所述隔壁部而被划分为第一收纳空间和第二收纳空间，所述隔壁部的延伸设置方向至少沿着所述第一接合区域以及所述第二接合区域中的一方的延伸设置方向而被配置，在所述第一收纳空间内收纳有所述第一功能元件，在所述第二收纳空间内收纳有所述第二功能元件，所述第一收纳空间与所述第二收纳空间的空间环境不同。
根据上述的应用例，能够获得使功能不同的功能元件复合的电子装置。但是，由于使功能元件复合，从而经由第一接合区域以及第二接合区域而从收纳空间向外部延伸设置的布线变得更多，但即使为多个的布线，也由于能够被分散配置于第一接合区域和第二接合区域内，因此能够均衡地配置第一基材与第二基材的接合区域内的接合强度。而且，在电子装置所具备的布线部和电路元件所具备的端子部中，第一布线部和第一端子部被配置在第一接合区域侧、即第一方向侧，第二布线部和第二端子部被配置在第二接合区域侧、即第二方向侧。因此，能够以较短的长度配置对各布线部和各端子部进行连接的例如接合引线等连接部件。由此，能够抑制连接部件的电阻或者寄生电容，从而能够获得精度较高的具备复合功能元件的电子模块。
应用例7
在上述的应用例中，其特征在于，在所述第一收纳空间内收纳有作为所述第一功能元件的角速度传感器元件，在所述第二收纳空间内收纳有作为所述第二功能元件的加速度传感器元件，所述第一收纳空间的空间环境为减压气氛，所述第二收纳空间的空间环境为大气压气氛。
根据上述的应用例，例如，能够使搭载于姿态控制系统或者测位系统等设备中的角速度传感器元件以及加速度传感器元件作为一个装置而构成。另外，由于使角速度传感器元件和加速度传感器元件复合，从而经由第一接合区域以及第二接合区域而从收纳空间向外部延伸设置的布线变得更多。但是，即使为多个的布线，也由于能够被分散配置于第一接合区域和第二接合区域内，因此能够均衡地配置第一基材与第二基材的接合区域内的接合强度。
应用例8
在上述的应用例中，其特征在于，所述角速度传感器元件以及所述加速度传感器元件中的至少一方至少具备正交的两个方向的检测轴。
根据上述的应用例，由于使角速度传感器以及加速度传感器具备多个检测轴，从而使向外部延伸设置的布线的数量增加。但是，即使为多个的布线，也由于能够被分散配置于第一接合区域和第二接合区域内，因此能够均衡地配置第一基材与第二基材的接合区域内的接合强度。而且，能够以较短的长度配置对各布线部和各端子部进行连接的例如接合引线等连接部件。由此，能够抑制连接部件的电阻或者寄生电容，从而能够获得精度较高的具备复合功能元件的电子模块。
应用例9
在上述的应用例中，其特征在于，所述第一布线部和所述第一端子部通过导线而被电连接，所述第二布线部和所述第二端子部通过导线而被电连接。
根据上述的应用例，由于通过导线、所谓的接合引线而使各布线部和各端子部连接，因此能够容易地构成电子装置，而且，由于能够通过较短的长度的接合引线而使各布线部和各端子部连接，因此能够抑制接合引线的电阻或者寄生电容，从而能够获得精度较高的具备复合功能元件的电子模块。
应用例10
本应用例的电子设备的特征在于，具备上述的应用例中的任意一个应用例所述的电子装置。
根据本应用例的电子设备，布线被分散为第一布线部和第二布线部，从而能够减少第一接合区域以及第二接合区域中的第一基材与第二基材的接合强度的降低，第一布线部与第一功能元件连接并向第一基材延伸设置，且经由第一接合区域而向收纳空间的外部延伸设置，第二布线部与第二功能元件连接，并经由第二接合区域而向收纳空间的外部延伸设置。
应用例11
本应用例的电子设备的特征在于，具备上述的应用例中的任意一个应用例所述的电子模块。
根据本应用例的电子设备，能够以较短的长度配置对各布线部和各端子部进行连接的例如接合引线等连接部件。由此，能够抑制连接部件的电阻或者寄生电容，从而能够获得精度较高的电子设备。
应用例12
本应用例的移动体的特征在于，具备上述的应用例中的任意一个应用例所述的电子装置。
根据本应用例的移动体，布线被分散为第一布线部和第二布线部，从而能够减少第一接合区域以及第二接合区域中的第一基材与第二基材的接合强度的降低，进而能够维持收纳空间的较高的气密性，由此能够获得以较高的精度而被控制的移动体，第一布线部与第一功能元件连接并向第一基材延伸设置，且经由第一接合区域而向收纳空间的外部延伸设置，第二布线部与第二功能元件连接，并经由第二接合区域而向收纳空间的外部延伸设置。
应用例13
本应用例的移动体的特征在于，具备上述的应用例中的任意一个应用例所述的电子模块。
根据本应用例的移动体，能够以较短的长度配置对各布线部和各端子部进行连接的例如接合引线等连接部件。由此，能够抑制连接部件的电阻或者寄生电容，从而能够获得以较高的精度而被控制的移动体。
附图说明
图1表示第一实施方式所涉及的电子装置，(a)为省略了第二基材的状态下的俯视图，(b)为(a)所示的A－A′部的剖视图。
图2表示第一实施方式所涉及的电子装置，(a)为图1(a)所示的B－B′部的放大剖视图，(b)为图1(a)所示的C－C′部的放大剖视图，(c)为图1(a)所示的D－D′部的放大剖视图。
图3表示现有技术的传感器装置，(a)为省略了第二基材的状态下的俯视图，(b)为(a)所示的E－E′部的剖视图。
图4为表示第二实施方式所涉及的电子装置的省略了第二基材的俯视图。
图5表示第二实施方式所涉及的电子装置，5(a)为图4所示的F－F′部的剖视图，(b)为图4所示的G－G′部以及H－H′部的剖视图。
图6表示第二实施方式所涉及的电子装置，(a)为图4所示的J－J′部的剖视图，(b)为图4所示的K－K′部的剖视图。
图7表示第三实施方式所涉及的电子装置，(a)为省略了第二基材的俯视图，(b)为(a)所示的L－L′部的剖视图。
图8表示第四实施方式所涉及的电子装置，(a)为省略了模制部件的俯视图，(b)为(a)所示的M－M′部的剖视图。
图9为表示作为第五实施方式所涉及的电子设备的智能手机的外观图。
图10为表示作为第五实施方式所涉及的电子设备的数码照相机的外观图。
图11为作为第六实施方式所涉及的移动体的汽车的外观图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明所涉及的实施方式进行说明。
第一实施方式
图1表示本实施方式所涉及的电子装置，(a)为省略了第二基材的状态下的俯视图，(b)为(a)所示的A－A′部的剖视图。
如图1(b)所示，作为第一实施方式所涉及的电子装置的传感器装置100具备第一基材10、第二基材20、作为第一功能元件的角速度传感器元件31、作为第二功能元件的加速度传感器元件32。第二基材20具备被形成在第二基材20的一个面即主面20a侧的第一凹部20b、第二凹部20c、由第一凹部20b和第二凹部20c形成的隔壁部20d，第一基材10的一个面即主面10a和第二基材20的主面20a被接合在一起。
第一基材10和第二基材20被接合在一起，通过第一基材10的主面10a和第二基材20的第一凹部20b而构成了第一收纳空间100a，在第一收纳空间100a内收纳有角速度传感器元件31，在第一基材10的主面10a上固定安装有角速度传感器元件31。同样，通过第一基材10的主面10a和第二基材20的第二凹部20c而构成了第二收纳空间100b，在第二收纳空间100b内收纳有加速度传感器元件32，在第一基材10的主面10a上固定安装有加速度传感器元件32。也就是说，将在重叠了(接合了)第一基材10和第二基材20时，由第一基材10的主面10a和第二基材20的第一凹部20b形成的空间设为收纳空间100a，将由主面10a和第二基材20的第二凹部20c形成的空间设为第二收纳空间100b。换言之，第二基材20与第一基材10接合，从而在第二基材20与第一基材10之间形成第一收纳空间100a、第二收纳空间100b。并且，虽然这些收纳空间为，通过接合第一基材10和第二基材20而附随形成的空间，但是，为了便于说明，而标记编号进行说明。或者，也可以称为收纳空间部。在后文叙述的实施方式中，也同样如此。
传感器装置100所具备的角速度传感器元件31具备多个检测轴。在图示的X轴、Y轴、Z轴上，角速度传感器元件31具备对绕X轴的角速度进行检测的X轴传感检测部31X、对绕Y轴的角速度进行检测的Y轴传感检测部31Y、对绕Z轴的角速度进行检测的Z轴传感检测部31Z，从而能够对绕X轴、Y轴、Z轴的角速度进行检测。另外，加速度传感器元件32具备对X轴方向的加速度进行检测的X方向传感检测部32X、对Y轴方向的加速度进行检测的Y方向传感检测部32Y、对Z轴方向的加速度进行检测的Z方向传感检测部32Z，从而能够对X轴、Y轴、Z轴的方向上的加速度进行检测。
如图1(b)所示，与角速度传感器元件31的各轴传感检测部31X、31Y、31Z相对应，在第一基材10的主面10a侧形成有第一凹部10b，与加速度传感器元件32的各方向传感检测部32X、32Y、32Z相对应，在第一基材10的主面10a侧形成有第二凹部10c。第一凹部10b以及第二凹部10c形成能够使各轴传感检测部31X、31Y、32Z、32X、32Y、32Z的未图示的驱动部进行工作的空间部。并且，虽然在本实施方式所示的传感器装置100中，第一基材10的第一凹部10b以及第二凹部10c与各轴传感检测部31X、31Y、32Z、32X、32Y、32Z相对应而被单独地配置，但是，例如，第一凹部10b的各凹部可以连通，第二凹部10c的各凹部也可以连通。
在与第二收纳空间100b相对应的第二基材20的第二凹部20c上形成有密封孔20e，第二收纳空间100b被第二密封部件62气密密封。即，在使第一基材10和第二基材20在减压环境下被接合之后，将传感器装置100设为大气压环境的状态，通过密封孔20e而向第二收纳空间100b内部导入气体成分，而后，密封孔20e被第二密封部件62密封，从而第二收纳空间100b被气密密封。在本实施方式中，作为第二密封部件62，使用了焊锡球，向焊锡球照射激光，从而使焊锡球熔融，从而对密封孔20e进行气密密封。作为焊锡球的材料，使用Au、Ge、Zn、Sn、Sb等金属或者这些金属的合金，优选为，使用Au和Ge的合金。
如图1(a)所示，具备通过图1(a)所图示的点阴影来表示的接合区域40，在接合区域40中，第一基材10的主面10a和第二基材20的主面20a被阳极接合。在接合区域40中，形成有隔着隔壁部20d而对置配置的第一收纳空间100a侧的第一接合区域41和第二收纳空间100b侧的第二接合区域42，并以与接合区域41、42交叉的方式而形成有第三接合区域43和第四接合区域44，而且形成有隔壁接合区域45，在隔壁接合区域45中接合有第二基材20的隔壁部20d，接合区域41、42、43、44连续而构成了框状的接合区域。另外，通过从第三接合区域43向第四接合区域44延伸的隔壁接合区域45，还分割为第一收纳空间100a和第二收纳空间100b。也就是说，通过隔壁20d而使收纳空间被划分(分割)为第一收纳空间100a和第二收纳空间100b。
在第一基材10上，为了使未图示的外部电子部件、角速度传感器元件31、加速度传感器元件32电连接，而配置有引导布线。如图1(a)所示，在角速度传感器元件31中，多个布线经由第一接合区域41而向外侧、即成为Y(+)方向的图示的箭头标记d1方向(以下，称为第一方向d1)延伸设置。使多个连接布线51a与多个朝向外部的连接端子51b连接的多个布线51从X轴传感检测部31X起延伸设置。使多个连接布线52a与多个朝向外部的连接端子52b连接的多个布线52从Y轴传感检测部31Y起延伸设置。使多个连接布线53a和多个朝向外部的连接端子53b连接的多个布线53从Z轴传感检测部31Z起延伸设置。
另外，在加速度传感器元件32中，多个布线经由第二接合区域42而向外侧、即成为Y(－)方向的图示的箭头标记d2方向(以下，称为第二方向d2)延伸设置。使多个连接布线54a与多个朝向外部的连接端子54b连接的多个布线54从X方向传感检测部32X起延伸设置。使多个连接布线55a与多个朝向外部的连接端子55b连接的多个布线55从Y方向传感检测部32Y起延伸设置。使多个连接布线56a与多个朝向外部的连接端子56b连接的多个布线56从Z方向传感检测部32Z起延伸设置。
图2(a)为图1(a)所示的传感器装置100的B－B′部的放大剖视图，图2(b)为图1(a)所示的传感器装置100的C－C′部的放大剖视图，图2(c)为图1(a)所示的传感器装置100的D－D′部的放大剖视图。
如图2(b)所示，在第一基材10的主面10a侧形成有槽10d，在槽10d中配置有连接布线51a、52a、53a。第一基材10使用了电绝缘性的材料，例如玻璃、硅等，在第一基材10的主面10a上固定安装角速度传感器元件31的原料基材，使用MEMS技术，形成了各轴传感检测部31X、31Y、31Z。因此，由于在第一基材10的主面10a上形成有布线51、52、53的状态下，难以使角速度传感器元件31的原料基材接合在第一基材10的主面10a上，因此形成槽10d，并在槽10d的底面上形成布线51、52、53。另外，布线54、55、56也被配置在同样形成的槽10d的底面上。
如上所述，第一基材10例如由玻璃、硅等电绝缘性基材形成，第二基材20由硅基材形成。该第一基材10和第二基材20在接合区域40内通过阳极接合而被接合，并保持了气密性。但是，如图1(a)所示，从角速度传感器元件31起，多个连接布线51a、52a、53a经由第一接合区域41而向第一方向d1延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子51b、52b、53b连接，从而作为多个布线51、52、53而被配置。同样，从加速度传感器元件32起，连接布线54a、55a、56a经由第二接合区域42而向第二方向d2延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子54b、55b、56b连接，从而作为多个布线54、55、56而被配置。
如图2(a)以及图2(c)所示，在与第一接合区域41交叉配置的连接布线51a、52a、53a以及与第二接合区域42交叉配置的连接布线54a、55a、56a的向收纳空间100a、100b的外侧延伸设置的交叉部分处，在配置有布线51、52、53、54、55、56的第一基材10的槽10d和第二基材20的主面20a之间产生间隙。在具有该间隙的状态下，在减压环境下通过第一密封部件61而对传感器装置100进行气密密封，从而第一收纳空间100a被维持在减压环境。另一方面，由于如图1(b)所示在第二基材20上具备气密密封前的密封孔20e，因此在由第一密封部件61进行的气密密封之后，返回大气压环境。然后，在大气压环境下，上述的密封孔20e通过第二密封部件62而被气密密封，从而第二收纳空间100b被保持气密。
作为第一密封部件61，例如，通过等离子CVD法使TEOS(TetraethylOrthosilicate：正硅酸乙酯＜Si(OC2H5)4>)成膜而形成，通过使第二基材20的主面20a接合，从而能够对槽10d与第二基材20的主面20a之间的间隙进行密封。并且，第一密封部件61也可以为具备电绝缘性的金属氧化膜，例如SiO2、Al2O3等。
如上所述，第一基材10和第二基材20在接合区域40处被阳极接合。阳极接合作为使本实施方式所涉及的传感器装置100所具备的由玻璃基材形成的第一基材10和由硅基材形成的第二基材20在保持气密性的同时进行接合的方法而被使用，当在施加400～500V程度的电压的同时进行加热时，玻璃中的离子将向接合界面移动而产生共价键，从而被牢固地接合。但是，填埋第一基材10的槽10d并使之密封的第一密封部件61使用了与第一基材10或者第二基材20不同的材料。由此，配置了第一密封部件61的区域即槽10d中的第一基材10与第二基材20的接合强度有可能低于，接合区域40中的第一基材10的主面10a和第二基材20的主面20a被直接接合的区域的接合强度。
例如，在图3所示的现有技术的传感器装置1中，如作为省略了第二基材3的状态下的俯视图的图3(a)所示，在图3(b)所示的第一基材2的主面2a和第二基材3的主面3a被接合的接合区域4中的一侧的第一接合区域4a内，角速度传感器元件31的与X轴传感检测部31X连接的布线5a、与Y轴传感检测部31Y连接的布线5b、与Z轴传感检测部31Z连接的布线5c的全部布线与第一接合区域4a交叉，并向X(－)方向、即图示的箭头标记d1方向并向外部延伸设置。另外，同样地，在第一接合区域4a内，加速度传感器元件32的与X方向传感检测部32X连接的布线5d、与Y方向传感检测部32Y连接的布线5e、与Z方向传感检测部32Z连接的布线5f的全部布线与第一接合区域4a交叉，并向X(－)方向、即图示的箭头标记d方向并向外部延伸设置。
因此，如作为图3(a)所示的第一接合区域4a部分的截面(E－E′部截面)的剖视图的图3(b)所示，配形成于第一基材2上的配置有布线5a、5b、5c、5d、5e、5f的全部槽2b与第一接合区域4a重叠配置，对槽2b进行密封的密封部件6与第二基材3的主面3a的接合区域占据第一接合区域4a的大部分。即，上述的阳极接合区域变窄，从而第一接合区域4a的接合强度有可能降低。另外，在各接合区域中，接合强度差变大，从而有可能使接合强度的均衡恶化。由此，当向传感器装置1附加外部的负载应力等时，存在密封部件6与第二基材3的主面3a的接合被破坏，从而传感器装置1的内部环境发生劣化的可能性。另外，由于向第一基材2或第二基材3施加不均匀的力，从而使第一基材2或第二基材3产生翘曲或应力，由此向第一功能元件31或第二功能元件32传递了无用的力，在功能元件上，初始应力增大，从而有可能使功能元件的基本频率产生变化，或者对基于温度的灵敏度特性等带来影响。
但是，在本实施方式所涉及的传感器装置100中，如上所述，与角速度传感器元件31连接的连接布线51a、52a、53a经由第一接合区域41而朝向第一方向d1的外部延伸设置，与加速度传感器元件32连接的连接布线54a、55a、56a经由第二接合区域42而向第二方向d2的外部延伸设置。即，被配置在传感器装置100中的布线51、52、53、54、55、56以被分配在第一接合区域41和第二接合区域42中的方式而被配置。因此，第一接合区域41以及第二接合区域42中的、填充于第一基材10的槽10d内的第一密封部件61与第二基材20的主面20a的接合区域所占的比例变少，被阳极接合的第一基材10的主面10a和第二基材20的主面20a直接接合的区域变宽，即，能够获得较高的接合强度。
而且，如图1(a)所示的本实施方式所涉及的传感器装置100那样，隔着隔壁部20d而配置第一收纳空间100a和第二收纳空间100b。即，通过在相对于隔壁接合区域45而被配置在第一方向d1上的第一接合区域41内配置有连接布线51a、52a、53a，在相对于隔壁接合区域45而被配置在第二方向d2上的第二接合区域42内配置有连接布线54a、55a、56a，从而被配置在隔着隔壁接合区域45而对置的第一接合区域41和第二接合区域42内的布线的数量大致相等，由此，能够使第一接合区域41和第二接合区域42的接合强度均衡，从而能够使接合区域40的接合强度均衡分布。
另外，在图3(a)所示的现有技术的传感器装置1中，在距第一接合区域4a最远的位置所配置的角速度传感器元件31的Z轴传感检测部31Z中，布线5c引导了较长的距离，同样，在距第一接合区域4a最远的位置所配置的加速度传感器元件32的Z方向传感检测部32Z中，布线5f引导了较长的距离。但是，在图1(a)所示的本实施方式所涉及的传感器装置100中，连接布线51a、52a、53a从角速度传感器元件31起与最近的位置的第一接合区域41交叉而向第一方向d1延伸设置，并且，连接布线54a、55a、56a从加速度传感器元件32起与最近的第二接合区域42交叉而向第二方向d2延伸设置。因此，能够使从传感器元件31、32延伸设置的连接布线51a、52a、53a、54a、55a、56a以较短的距离的引导被配置，从而能够抑制在连接布线51a、52a、53a、54a、55a、56a中产生的布线电阻值，而将寄生电容抑制在较低的水平上，并能够维持传感器装置100的灵敏度而不使其降低。
第二实施方式
图4为表示第二实施方式所涉及的电子装置的省略了第二基材的状态的俯视图。作为图4所示的本实施方式所涉及的电子装置的传感器装置200，在以与隔壁接合区域45交叉的方式配置有第一实施方式所涉及的传感器装置100中的第一接合区域41和第二接合区域42，且布线51、52、53、54、55、56延伸的第一方向d1和第二方向d2沿着隔壁接合区域45的延伸方向这一点上不同。因此，对与第一实施方式所涉及的传感器装置相同的结构要素标记相同的符号，并省略说明。
如作为图4所示的F－F′部的剖视图的图5(a)所示，通过第一基材210的主面210a和第二基材20所具备的第一凹部20b而构成了第一收纳空间200a，通过第一基材210的主面210a和第二基材20所具备的第二凹部20c而构成了第二收纳空间200b。而且，在第一收纳空间200a内收纳有作为第一功能元件的角速度传感器元件31，在第二收纳空间200b内收纳有作为第二功能元件的加速度传感器元件32，角速度传感器元件31和加速度传感器元件32分别被接合在第一基材210的主面210a上。
收纳有角速度传感器元件31的第一收纳空间200a以及收纳有加速度传感器元件32的第二收纳空间200b与上述的第一实施方式所涉及的传感器装置100相同，第一收纳空间200a被维持在减压环境、所谓的真空状态，第二收纳空间200b被维持在填充了作为可动阻力的气体成分、例如空气(氮气、氧等)或者惰性气体的大气压环境或加压环境。如此，为了使第一收纳空间200a和第二收纳空间200b被维持在不同的内部空间环境，如图4所示，在第二收纳空间200b中具备用于对第二收纳空间200b进行气密密封的密封孔20e。如图5(a)所示，密封孔20e以在第二基材220的至少一处与第二收纳空间200b连通的方式而被形成，即以贯穿至第二凹部20c的方式而被形成。
密封孔20e在第一基材210和第二基材20以减压环境下被接合之后，将传感器装置200设为大气压环境的状态，并通过密封孔20e而向第二收纳空间200b内部导入气体成分，而后，被第二密封部件62气密密封。作为第二密封部件62，在本实施方式中，向焊锡球照射激光，而使焊锡球熔融，从而对密封孔20e进行气密密封。作为焊锡球的材料，使用了Au、Ge、Zn、Sn、Sb等金属或者这些金属的合金，优选为，使用Au和Ge的合金。
并且，虽然未图示，但是，在密封孔220e的表面上成膜有金属化掩膜，以获得与第二密封部件62之间的紧贴性，在惰性气体气氛中，通过使AuGe焊锡球即第二密封部件62熔融，从而能够获得与金属化掩膜之间的较高的紧贴性，由此能够获得密封孔220e中的较高的气密性。
本实施方式所涉及的传感器装置200，如图5(a)所示，具备由图4图示的点阴影所示的框状的接合区域240，在接合区域240中，第一基材210的主面210a和第二基材20的主面20a被阳极接合。接合区域240形成有对置配置的第一接合区域241和第二接合区域242，并以与接合区域241、242交叉的方式而形成有第三接合区域243和第四接合区域244，且形成有与第二基材20的隔壁部20d接合的隔壁接合区域245，接合区域241、242、243、244连续而构成了框状的接合区域。
在本实施方式所涉及的传感器装置200中，第一接合区域241和第二接合区域242与隔壁接合区域245交叉连接。而且，通过从第一接合区域241向第二接合区域242延伸的隔壁接合区域245，从而形成有第一收纳空间200a和第二收纳空间200b。
在第一基材210上，为了使未图示的外部电子部件、角速度传感器元件31、加速度传感器元件32电连接，而配置有引导布线。如图4所示，在角速度传感器元件31中，配置有多个布线251，在多个布线251中，从X轴传感检测部31X起，用于输入对X轴传感检测部31X进行激励驱动的信号以及输出角速度检测信号的多个连接布线251a经由第一接合区域241而向外侧、即向成为X(－)方向的图示的箭头标记d11方向(以下，称为第一方向d11)延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子251b连接。同样，配置有多个布线252Y，在多个布线252中，从Y轴传感检测部31Y起，用于输入对Y轴传感检测部31Y进行激励驱动的信号以及输出角速度检测信号的多个连接布线252a经由第一接合区域241而向第一方向d11延伸设置，并且经由第二接合区域242而向外侧、即向成为X(+)方向的图示的箭头标记d12方向(以下，称为第二方向d12)延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子252b连接。而且，配置有多个布线253，在多个布线253中，从Z轴传感检测部31Z起，用于输入对Z轴传感检测部31Z进行激励驱动的信号以及输出角速度检测信号的多个连接布线253a经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子253b连接。
另外，在加速度传感器元件32中，配置有多个布线254，在多个布线254中，从X方向传感检测部32X起，用于输出X方向的加速度检测信号的多个连接布线254a经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子254b连接。同样，配置有多个布线255，在多个布线255中，从Y方向传感检测部32Y起，用于输出Y方向的加速度检测信号的多个连接布线255a经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11延伸设置，并且经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子255b连接。而且，配置有多个布线256，在多个布线256中，从Z方向传感检测部32Z起，用于输出Z方向的加速度检测信号的多个连接布线256a经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子256b。
即，与角速度传感器元件31以及加速度传感器元件32连接的布线251、252、253、254、255、256以被分配为经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11的方向，经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12的方向的方式而延伸。换言之，连接端子251b、252b、253b、254b、255b、256b以被分配为分别向第一接合区域241的延伸方向以及第二接合区域242的延伸方向的方式而被配置。
图5(b)为图4所示的G－G′部以及H－H′部的剖视图。并且，由于H－H′部的截面结构与G－G′部的截面结构相同，因此，以G－G′部的截面部为例进行说明。
如图5(b)所示，第一基材210的主面210a和第二基材20的主面20a在接合区域240处被连接，并通过第二基材20的第一凹部20b而形成第一收纳空间200a。另外，在第一基材210的主面210a侧，形成有与角速度传感器元件31的各轴传感检测部31X、31Y、31Z所具备的驱动部(可动部)相对应的第一凹部210b。同样，第一基材210的主面210a和第二基材20的主面20a在接合区域240处被连接，并通过第二基材20的第二凹部20c而形成第二收纳空间200b。另外，在第一基材210的主面220a侧，形成有与加速度传感器元件32的各方向传感检测部32X、32Y、32Z所具备的驱动部(可动部)相对应的第二凹部210c。
图6(a)为图4所示的J－J′部的剖视图。如图6(a)所示，用于使利用图4进行说明的传感器元件31、32和未图示的外部电子部件电连接的布线251、252、253、254、255、256被引导至第一基材210。虽然在第一实施方式所涉及的传感器装置100中进行了说明，但是，在第一基材210的主面210a侧，形成有槽210d，在槽210d中配置有连接布线252a、253a、255a、256a。第一基材210使用了电绝缘性的材料，例如玻璃、硅等，在第一基材210的主面210a上固定安装角速度传感器元件31以及加速度传感器元件32的原料基板，使用MEMS技术而形成各轴传感检测部31X、31Y、31Z、32X、32Y、32Z。因此，由于在第一基材210的主面210a上形成有布线251、252、253、254、255、256的状态下，难以将角速度传感器元件31以及加速度传感器元件32的原料基板接合在第一基材210的主面210a上，因此，形成槽210d，并在槽210d的底面上形成布线251、252、253、254、255、256。
如上所述，第一基材210例如由玻璃、硅等电绝缘性基材形成，第二基材20由硅基材形成。该第一基材210和第二基材20在接合区域240处通过阳极接合而被接合，并保持了气密性。但是，如图4所示，在为角速度传感器元件31的情况下，多个连接布线251a从X轴传感检测部31X起经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子251b连接，从而作为多个布线251而被配置。同样，多个连接布线252a从Y轴传感检测部31Y起，经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11延伸设置，并经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，且与多个朝向外部的连接端子252b连接，从而作为多个布线252而被配置。而且，连接布线253a从Z轴传感检测部31Z起经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子253b连接，从而作为多个布线253而被配置。
同样，在为加速度传感器元件32的情况下，多个连接布线254a从X方向传感检测部32X起经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子254b连接，从而作为多个布线254而被配置。同样，多个连接布线255a从Y方向传感检测部32Y起经由第一接合区域241而向外侧的第一方向d11延伸配置，并经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，且与多个朝向外部的连接端子255b连接，从而作为多个布线255而被配置。而且，连接布线256a从Z方向传感检测部32Z起经由第二接合区域242而向外侧的第二方向d12延伸设置，并与多个朝向外部的连接端子256b连接，从而作为多个布线256而被配置。
如图5(b)以及作为图4所示的K－K′部的剖视图的图6(b)所示，各连接布线251a、252a、253a、254a、255a、256a的与第一接合区域241以及第二接合区域242交叉而向收纳空间200a、200b的外侧延伸设置的交叉部分处，在槽210d与第二基材20的主面20a之间产生间隙。在具有该间隙的状态下，使传感器装置200在减压环境下被第一密封部件261气密密封，从而第一收纳空间200a被维持在减压环境。另一方面，第二收纳空间200b如上所述在第二基材20上具备气密密封前的密封孔20e，因此在利用第一密封部件261进行的气密密封之后，返回大气压环境。然后，使上述的密封孔20e在大气压环境下被第二密封部件62气密密封，从而使第二收纳空间200b保持气密。
作为第一密封部件261，例如，通过等离子CVD法使TEOS(TetraethylOrthosilicate：正硅酸乙酯＜Si(OC2H5)4＞)成膜而形成，通过使第二基材20的主面20a接合，从而能够对槽210d与第二基材20的主面20a之间的间隙进行密封。并且，第一密封部件261也可以为具备电绝缘性的金属氧化膜，例如SiO2、Al2O3等。
在本实施方式所涉及的传感器装置200中，与第一实施方式所涉及的传感器装置100相同，配置了第一密封部件261的区域即槽210d中的第一基材210与第二基材20的接合强度有可能低于，接合区域240中的第一基材210的主面210a和第二基材20的主面20a被直接接合的区域的接合强度。而且，在本实施方式所涉及的传感器装置200中，成为由作为功能元件的角速度传感器元件31和加速度传感器元件32构成的复合传感器装置，从而与各传感器元件31、32连接并与接合区域240交叉而向外部延伸设置的布线251、252、253、254、255、256的数量变多，由此第一密封部件261与第一基材210以及第二基材20的接合区域也变多。
因此，如图4所示的传感器装置200那样，通过在第一接合区域241和第二接合区域242中，以成为大致相同的数量的方式而配置连接布线251a、252a、253a、254a、255a、256a，从而能够使第一接合区域241和第二接合区域242的接合强度均衡，并使接合区域240的接合强度均衡分布。
另外，如图4所示，通过以第一接合区域241和第二接合区域242隔着第一收纳空间200a以及第二收纳空间200b而对置配置，第一方向d11和第二方向d12朝向相互相反的方向的方式来配置布线251、252、253、254、255、256，从而更加均衡地配置了接合区域240的接合强度。因此，能够理想地维持接合区域240整体的接合强度均衡，并稳定且较高地维持收纳空间200a、200b的气密性。
并且，虽然在第一实施方式所涉及的传感器装置100以及第二实施方式所涉及的传感器装置200中，对具备角速度传感器元件31和加速度传感器元件32这两种功能元件的方式进行了说明，但是并不限定于此。例如，也可以具备三种以上的功能元件。另外，也可以具备多个相同的功能元件。
第三实施方式
图7表示第三实施方式所涉及的电子模块，(a)为省略了模制部件的俯视图，(b)为(a)所示的L－L′部的剖视图。图7所示的电子模块1000具备与底基板1100接合的第一实施方式所涉及的传感器装置100，传感器装置100具备对绕三个轴的角速度进行检测的作为第一功能元件的角速度传感器元件31和对三个轴的轴方向上的加速度进行检测的作为第二功能元件的加速度传感器元件32。
而且，第一半导体元件1210和第二半导体元件1220例如通过环氧类粘合剂等接合部件而被接合在传感器装置100的第二基材20上。第一半导体元件1210至少具有未图示的驱动电路部和未图示的角速度运算电路部，驱动电路部对传感器装置100所具备的角速度传感器元件31进行驱动，角速度运算电路部根据来自角速度传感器元件31的检测信号而对角速度进行运算。另外，第二半导体元件1220至少具备未图示的加速度运算电路部，加速度运算电路部根据来自传感器装置100所具备的加速度传感器元件32的检测信号而对加速度进行运算。
相对于传感器装置100而在相对位置上，第一半导体元件1210被接合并配置在图示的第一方向d1的方向上，第二半导体元件1220被接合并配置在第二方向d2的方向上。即，在本实施方式中，以在俯视观察时(在向图示的Z轴方向观察时)与收纳有作为第一功能元件的角速度传感器元件31的第一收纳空间100a(参照图1)重叠的方式而配置有第一半导体元件1210，以在俯视观察时与收纳有作为第二功能元件的加速度传感器元件32的第二收纳空间100b(参照图1)重叠的方式而配置有第二半导体元件1220。而且，以覆盖底基板1100所具备的传感器装置100和半导体元件1210、1220的方式而形成有模制部件1300。
如图7(a)所示，底基板1100为具有矩形形状的平面形状的板状的基板，优选为电绝缘性的基板，例如陶瓷基板、环氧树脂基板、印刷基板等。在本实施方式所涉及的电子模块1000中，以陶瓷的底基板1100为例进行说明。在载置并接合有传感器装置100的底基板1100的面1100a(以下，称为载置面1100a)上，利用环氧类的树脂粘合剂等而接合有传感器装置100。另外，在载置面1100a上形成有多个第一基板连接端子1111和第二基板连接端子1112，在成为与载置面1100a相反的面的外表面1100b上，形成有用于与未图示的外部基板所具备的电极连接的外部连接端子1120。并且，第一基板连接端子1111和第二基板连接端子1112通过未图示的被形成于底基板1100的内部中的布线而与外部连接端子1120电连接。
在第一半导体元件1210中，具备多个连接衬垫1211，多个连接衬垫1211通过接合引线1411而电连接于与传感器装置100所具备的角速度传感器元件31连接的布线51、52、53的连接端子51b、52b、53b。而且，具备多个连接衬垫1212，多个连接衬垫1212通过接合引线1412而与第一基板连接端子1111电连接。如图所示，在电子模块1000中，这些连接衬垫1211、1212在作为与角速度传感器元件31连接的布线51、52、53的延伸方向的第一方向d1侧，沿着第一接合区域41的延伸方向、即X方向(参照图1)而并排配置。
在第二半导体元件中，具备多个连接衬垫1221，多个连接衬垫1221通过接合引线1421而电连接于与传感器装置100所具备的加速度传感器元件32连接的布线54、55、56的连接端子54b、55b、56b。而且，具备多个连接衬垫1222，多个连接衬垫1222通过接合引线1422而电连接于第二基板连接端子1112。如图所示，在电子模块1000中，这些连接衬垫1212、1222在作为与加速度传感器元件32连接的布线54、55、56的延伸方向的第二方向d2侧，沿着第二接合区域42的延伸方向、即X方向(参照图1)而并排配置。
如上所述，在本实施方式所涉及的电子模块1000中，在靠近电子模块1000所具备的第一实施方式所涉及的传感器装置100中，与作为第一功能元件的角速度传感器元件31连接并向第一方向d1的方向延伸的布线51、52、53所具备的连接端子51b、52b、53b的位置处，配置有第一半导体元件1210所具备的连接衬垫1211、1212以及底基板1100所具备的第一基板连接端子1111。由此，能够更加缩短使连接端子51b、52b、53b和连接衬垫1211连接的接合引线1411的长度。而且，还能够更加缩短使连接衬垫1212和第一基板连接端子1111连接的接合引线1412的长度。
同样，在靠近与作为第二功能元件的加速度传感器元件32连接并向方向d2延伸的布线54、55、56所具备的连接端子54b、55b、56b的位置处，配置有第二半导体元件1220所具备的连接衬垫1221、1222以及底基板1100所具备的第二基板连接端子1112。由此，能够更加缩短使连接端子54b、55b、56b与连接衬垫1221连接的接合引线1421的长度。而且，还能够更加缩短使连接衬垫1222与第二基板连接端子1112连接的接合引线1422的长度。
这样，由于能够缩短接合引线1411、1412、1421、1422的长度，从而能够抑制接合引线1411、1412、1421、1422的电阻以及寄生电容。因此，能够获得稳定的较高精度的电子模块1000。并且，虽然在本实施方式所涉及的电子模块1000中，对具备传感器装置100的示例进行了说明，但也可以具备第二实施方式所涉及的传感器装置200。
第四实施方式
图8表示第四实施方式所涉及的电子模块，(a)为省略了模制部件的俯视图，(b)为(a)所示的M－M′部的剖视图。图8所示的电子模块2000具备与底基板2100接合的第二实施方式所涉及的传感器装置200，传感器装置200具备对绕三个轴的角速度进行检测的作为第一功能元件的角速度传感器元件31和作为对三个轴的轴方向上的加速度进行检测的作为第二功能元件的加速度传感器元件32。
而且，第一半导体元件2210和第二半导体元件2220通过例如环氧类粘合剂等接合部件而被接合在传感器装置200的第二基材20上。第一半导体元件2210至少具备未图示的驱动电路部和未图示的角速度运算电路部，驱动电路部对传感器装置200所具备的角速度传感器元件31进行驱动，角速度运算电路部根据来自角速度传感器元件31的检测信号而对角速度进行运算。另外，第二半导体元件2220至少具备未图示的加速度运算电路部，加速度运算电路部根据来自传感器装置200所具备的加速度传感器元件32的检测信号而对加速度进行运算。
对于第一半导体元件2210和第二半导体元件2220相对于传感器装置200的配置，在本实施方式中，以在俯视观察时(从图示的Z轴方向观察时)与收纳有作为第一功能元件的角速度传感器元件31的第一收纳空间200a(参照图4)重叠的方式而配置有第一半导体元件2210，以在俯视观察时与收纳有作为第二功能元件的加速度传感器元件32的第二收纳空间200b(参照图4)重叠的方式而配置有第二半导体元件2220。而且，以覆盖底基板2100所具备的传感器装置200和半导体元件2210、2220的方式而形成有模制部件1300。
如图8(a)所示，底基板2100为具有矩形形状的平面形状的板状的基板，优选为电绝缘性的基板、例如陶瓷基板、环氧树脂基板等。在本实施方式所涉及的电子模块2000中，以陶瓷的底基板2100为例进行说明。传感器装置200利用环氧类的树脂粘合剂等而被接合在底基板2100的面2100a(以下，称为载置面2100a)上。另外，在载置面2100a上，形成有多个第一基板连接端子2111、第二基板连接端子2112、第三基板连接端子2113以及第四基板连接端子2114，在成为与载置面2100a的相反的面的外表面2100b上，形成有用于与未图示的外部基板所具备的电极连接的外部连接端子2120。并且，第一基板连接端子2111、第二基板连接端子2112、第三基板连接端子2113以及第四基板连接端子2114通过未图示的被形成于底基板2100的内部中的布线而与外部连接端子2120电连接。
在第一半导体元件2210中具备多个连接衬垫2211、2212，多个连接衬垫2211、2212通过接合引线2411、2412而电连接于与传感器装置200所具备的角速度传感器元件31连接的布线251、252、253的连接端子251b、252b、253b。如上所述，在第二实施方式所涉及的传感器装置200中，与角速度传感器元件31连接的布线251和一部分布线252向图示的第一方向d11的方向延伸设置，连接端子251b和一部分连接端子252b在传感器装置200的第一方向d11的侧沿着Y方向而并排配置。而且，与角速度传感器元件31连接的布线253和一部分布线252向图示的第二方向d12的方向延伸设置，连接端子253b和一部分连接端子252b在传感器装置200的第二方向d12的侧沿着Y方向而并排配置。
而且，第一半导体元件2210所具备的连接衬垫2211按照在第一方向d11的方向上沿着Y方向并排配置的连接端子251b和一部分连接端子252b的配置的方式，而在第一半导体元件2210的第一方向d11的方向侧被并排配置。另外，第一半导体元件2210所具备的连接衬垫2212按照在第二方向d12上沿着Y方向并排配置的连接端子253b和一部分连接端子252b的配置的方式，而在第一半导体元件2210的第二方向d12侧被并排配置。而且，被配置于第一方向d11侧的传感器装置200的连接端子251b和一部分连接端子252b通过接合引线2411而与连接衬垫2211电连接，连接端子253b和一部分连接端子252b通过接合引线2412而与连接衬垫2212电连接。
而且，在第一半导体元件2210上，以沿着连接衬垫2211的方式而配置有连接衬垫2213，以沿着连接衬垫2212的方式而配置有连接衬垫2214。连接衬垫2213通过接合引线2413而与被配置于传感器装置200的第一方向d11的外侧的第一基板连接端子2111电连接，连接衬垫2214通过接合引线2414而与被配置在传感器装置200的第二方向d12的外侧的第二基板连接端子2112电连接。
同样，在第二半导体元件2220上具备多个连接衬垫2221、2222，多个连接衬垫2221、2222通过接合引线2421、2422而电连接于与传感器装置200所具备的加速度传感器元件32连接的布线254、255、256的连接端子254b、255b、256b。如上所述，在第二实施方式所涉及的传感器装置200中，与加速度传感器元件32连接的布线254和一部分布线255向图示的第一方向d11的方向延伸设置，连接端子254b和一部分连接端子255b在传感器装置200的第一方向d11侧沿着Y方向而并排配置。而且，与加速度传感器元件32连接的布线256和一部分布线255向图示的第二方向d12的方向延伸设置，连接端子256b和一部分连接端子255b在传感器装置200的第二方向d12侧沿着Y方向而并排配置。
而且，第二半导体元件2220所具备的连接衬垫2221以按照在第一方向d11的方向上沿着Y方向并排配置的连接端子255b和一部分连接端子256b的配置的方式，而在第二半导体元件2220的第一方向d11侧被并排配置。另外，第二半导体元件2220所具备的连接衬垫2222以按照在第二方向d12的方向上沿着Y方向并排配置的连接端子256b和一部分连接端子255b的配置的方式，而在第二半导体元件2220的第二方向d12侧被并排配置。而且，被配置于第一方向d11侧的传感器装置200的连接端子254b和一部分连接端子255b通过接合引线2421而与连接衬垫2221电连接，连接端子256b和一部分连接端子255b通过接合引线2422而与连接衬垫2222电连接。
而且，在第二半导体元件2220上，以沿着连接衬垫2221的方式而配置有连接衬垫2223，以沿着连接衬垫2222的方式而配置有连接衬垫2224。连接衬垫2223通过接合引线2423而与被配置在传感器装置200的第一方向d11的外侧的第三基板连接端子2113电连接，连接衬垫2224通过接合引线2424而与被配置在传感器装置200的第二方向d12的外侧的第四基板连接端子2114电连接。
如上所述，在本实施方式所涉及的电子模块2000中，在靠近电子模块2000所具备的第二实施方式所涉及的传感器装置200中，与作为第一功能元件的角速度传感器元件31连接并向第一方向d11的方向延伸的布线251和一部分布线252所具备的连接端子251b和一部分连接端子252b的位置处，配置有第一半导体元件2210所具备的连接衬垫2211、2213以及底基板2100所具备的第一基板连接端子2111。由此，能够缩短使连接端子和连接衬垫电连接的接合引线2411、2413的长度。
同样，在第二方向d12侧，也能够缩短接合引线2412、2414的长度。另外，在第二半导体元件2220中，也能够缩短被配置在第一方向d11侧的接合引线2421、2423以及被配置在第二方向d12侧的接合引线2422、2424的长度。
这样，由于能够缩短接合引线2411、2412、2413、2414、2421、2422、2423、2424的长度，从而能够抑制接合引线2411、2412、2413、2414、2421、2422、2423、2424的电阻以及寄生电容。因此，能够获得稳定的高精度的电子模块2000。
虽然在第三实施方式以及第四实施方式中，半导体元件被设置在第二基材20的与收纳空间侧相反的一侧的面上，但是，并不限定于此，例如，半导体元件也可以被设置在第一基材10的与收纳空间侧相反的一侧的面上。另外，半导体元件也可以被设置在底基板1100上。连接端子和半导体元件的电连接并不限定于利用接合引线进行连接，还可以利用引线框架或凸块等进行连接。
第五实施方式
作为第五实施方式所涉及的电子设备，对具备第一实施方式所涉及的传感器装置100、第二实施方式所涉及的传感器装置200、第三实施方式所涉及的电子模块1000或第四实施方式所涉及的电子模块2000的智能手机以及数码照相机进行说明。
图9为表示智能手机3000的外观图。在智能手机3000中，组装有对智能手机3000的姿态进行检测的第三实施方式所涉及的电子模块1000。通过组装电子模块1000，从而实施所谓的运动传感检测，由此能够对智能手机3000的姿态进行检测。电子模块1000的检测信号例如被供给至微型计算机芯片3100(以下，称为MPU3100)，MPU3100能够根据运动传感检测而执行各种各样的处理。此外，运动传感检测能够通过在手机、便携式游戏机、游戏控制器、汽车导航系统、指示系统、头戴式显示器、平板电脑等电子设备中组装电子模块1000从而进行利用。
图10为表示数码照相机4000(以下，称为照相机4000)的外观图。在照相机4000中组装有对照相机4000的姿态进行检测的第三实施方式所涉及的电子模块1000。所组装的电子模块1000的检测信号被供给至手抖修正装置4100。手抖修正装置4100根据电子模块1000的检测信号，例如使透镜组件4200内的特定的透镜移动，从而能够抑制由于手抖而导致的图像不良。另外，通过将电子模块1000以及手抖修正装置4100组装到数码摄像机中，从而能够与照相机4000同样地实施手抖的修正。
第六实施方式
作为具备第一实施方式所涉及的传感器装置100、第二实施方式所涉及的传感器装置200、第三实施方式所涉及的电子模块1000或第四实施方式所涉及的电子模块2000的第六实施方式所涉及的移动体的具体示例，对汽车进行说明。图11为第六实施方式所涉及的汽车5000的外观图。如图11所示，在汽车5000中组装有第三实施方式所涉及的电子模块1000。电子模块1000对车身5100的姿态进行检测。电子模块1000的检测信号被供给至车身姿态控制装置5200。车身姿态控制装置5200根据所供给的信号而对车身5100的姿态状态进行运算，例如，能够对与车身5100的姿态相对应的缓冲装置(所谓的悬架)的硬软进行控制，或者对各个车轮5300的制动力进行控制。使用了这种电子模块1000的姿态控制能够被利用于双足步行机器人、飞机或者无线电遥控直升机等玩具中。
符号说明
10…第一基材；20…第二基材；31…角速度传感器元件(第一功能元件)；32…加速度传感器元件(第二功能元件)；40…接合区域；51、52、53、54、55、56…布线；61、62…密封部件；100…传感器装置。

Claims (13)

1.一种电子装置，其特征在于，
具备：
第一基材；
第二基材，在其与所述第一基材之间形成收纳空间，并且所述第二基材通过接合部而与所述第一基材接合；
第一功能元件和第二功能元件，被收纳于所述收纳空间内，
所述接合部包含第一接合区域和第二接合区域，
在所述第一基材或所述第二基材上配置有第一布线部和第二布线部，所述第一布线部与所述第一功能元件电连接，并具有经由所述第一接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第一方向，所述第二布线部与所述第二功能元件电连接，并具有经由所述第二接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第二方向。
2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，
所述第一基材或所述第二基材具备隔壁部，所述收纳空间通过所述隔壁部而被划分为第一收纳空间和第二收纳空间，
所述隔壁部的延伸设置方向至少沿着所述第一接合区域以及所述第二接合区域中的一方的延伸设置方向而被配置，
在所述第一收纳空间内收纳有所述第一功能元件，在所述第二收纳空间内收纳有所述第二功能元件，
所述第一收纳空间与所述第二收纳空间的空间环境不同。
3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，
在所述第一收纳空间内收纳有作为所述第一功能元件的角速度传感器元件，在所述第二收纳空间内收纳有作为所述第二功能元件的加速度传感器元件，
所述第一收纳空间的空间环境为减压气氛，所述第二收纳空间的空间环境为大气压气氛。
4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，
所述角速度传感器元件以及所述加速度传感器元件中的至少一方至少具有正交的两个方向的检测轴。
5.一种电子模块，其特征在于，
具备：
电子装置，所述电子装置具备：第一基材；第二基材，在其与所述第一基材之间形成收纳空间，并且所述第二基材通过接合部而与所述第一基材接合；第一功能元件和第二功能元件，被收纳于所述收纳空间内，所述接合部包含第一接合区域和第二接合区域，在所述第一基材或所述第二基材上配置有第一布线部和第二布线部，所述第一布线部与所述第一功能元件电连接，并具有经由所述第一接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第一方向，所述第二布线部与所述第二功能元件电连接，并具有经由所述第二接合区域而朝向所述收纳空间的外部的第二方向；
电路元件，其以在俯视观察时使至少一部分与所述电子装置重叠的方式而被配置，
所述电路元件具备与所述第一布线部电连接的第一端子部和与所述第二布线部电连接的第二端子部，
所述第一端子部被配置在所述电子装置的所述第一接合区域侧，所述第二端子部被配置在所述电子装置的所述第二接合区域侧。
6.如权利要求5所述的电子模块，其特征在于，
所述第一基材或所述第二基材具备隔壁部，所述收纳空间通过所述隔壁部而被划分为第一收纳空间和第二收纳空间，
所述隔壁部的延伸设置方向至少沿着所述第一接合区域以及所述第二接合区域中的一方的延伸设置方向而被配置，
在所述第一收纳空间内收纳有所述第一功能元件，在所述第二收纳空间内收纳有所述第二功能元件，
所述第一收纳空间与所述第二收纳空间的空间环境不同。
7.如权利要求5或6所述的电子模块，其特征在于，
在所述第一收纳空间内收纳有作为所述第一功能元件的角速度传感器元件，
在所述第二收纳空间内收纳有作为所述第二功能元件的加速度传感器元件，
所述第一收纳空间的空间环境为减压气氛，所述第二收纳空间的空间环境为大气压气氛。
8.如权利要求7所述的电子模块，其特征在于，
所述角速度传感器元件以及所述加速度传感器元件中的至少一方至少具备正交的两个方向的检测轴。
9.如权利要求5所述的电子模块，其特征在于，
所述第一布线部和所述第一端子部通过导线而被电连接，
所述第二布线部和所述第二端子部通过导线而被电连接。
10.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1至4中任一项所述的电子装置。
11.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求5至9中任一项所述的电子模块。
12.一种移动体，其特征在于，
具备权利要求1至4中任一项所述的电子装置。
13.一种移动体，其特征在于，
具备权利要求5至9中任一项所述的电子模块。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6641899B2 (ja) * 2015-11-04 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
US10144636B2 (en) * 2016-09-26 2018-12-04 MEAS Switzerland S.a.r.l. Method of manufacturing a sensor
US10548492B2 (en) 2016-12-08 2020-02-04 MEAS Switzerland S.a.r.l. Pressure sensor
JP6922325B2 (ja) 2017-03-28 2021-08-18 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP7139661B2 (ja) * 2018-04-02 2022-09-21 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、複合センサーデバイス、慣性計測装置、電子機器および移動体
DE102019102836B4 (de) * 2019-02-05 2023-02-02 Infineon Technologies Ag Verfahren mit panel-bonding-handlungen und elektronische vorrichtungen mit hohlräumen
JP2020134369A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー、電子機器および移動体
JP2020139879A (ja) 2019-02-28 2020-09-03 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー、電子機器および移動体
JP7375522B2 (ja) * 2019-12-20 2023-11-08 セイコーエプソン株式会社 センサーユニット、電子機器および移動体

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1183886A (ja) 1997-09-11 1999-03-26 Zexel Corp 静電容量型マイクロフローセンサ及び静電容量型マイクロフローセンサの製造方法並びに静電容量型マイクロフローセンサの外付け用固定具
JP4206185B2 (ja) * 2000-01-28 2009-01-07 京セラ株式会社 高周波半導体装置
JP3435665B2 (ja) 2000-06-23 2003-08-11 株式会社村田製作所 複合センサ素子およびその製造方法
JP3519720B2 (ja) 2001-06-11 2004-04-19 松下電器産業株式会社 電子デバイス
US6890834B2 (en) 2001-06-11 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic device and method for manufacturing the same
WO2003086034A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically insulating body, and electronic device
US6822326B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-23 Ziptronix Wafer bonding hermetic encapsulation
US7159459B2 (en) 2005-01-06 2007-01-09 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple microelectromechanical (MEM) devices formed on a single substrate and sealed at different pressures and method therefor
JP4916241B2 (ja) * 2006-07-28 2012-04-11 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5319122B2 (ja) 2008-01-21 2013-10-16 日立オートモティブシステムズ株式会社 慣性センサ
JP4858547B2 (ja) 2009-01-09 2012-01-18 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
US8429969B2 (en) 2009-04-17 2013-04-30 Hitachi, Ltd. Inertial sensor and method of manufacturing the same
JP5298047B2 (ja) 2010-02-26 2013-09-25 日立オートモティブシステムズ株式会社 複合センサの製造方法
JP5750867B2 (ja) 2010-11-04 2015-07-22 セイコーエプソン株式会社 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器
JP5444199B2 (ja) 2010-12-06 2014-03-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 複合センサ
JP5599062B2 (ja) 2010-12-06 2014-10-01 株式会社リガク Ｘ線回折装置及びｘ線回折測定方法
JP5425824B2 (ja) 2011-02-16 2014-02-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 複合センサ
JP5605347B2 (ja) 2011-11-01 2014-10-15 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
JP5983912B2 (ja) * 2012-02-09 2016-09-06 セイコーエプソン株式会社 電子デバイスおよびその製造方法、並びに電子機器
JP2013232626A (ja) * 2012-04-04 2013-11-14 Seiko Epson Corp 電子デバイス及びその製造方法、電子機器、並びに移動体
JP6331535B2 (ja) * 2014-03-18 2018-05-30 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体

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