CN104880867B - 显示面板 - Google Patents
显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104880867B CN104880867B CN201510291872.2A CN201510291872A CN104880867B CN 104880867 B CN104880867 B CN 104880867B CN 201510291872 A CN201510291872 A CN 201510291872A CN 104880867 B CN104880867 B CN 104880867B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- edge
- pixel electrode
- pixel
- electrode pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 66
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 240000001439 Opuntia Species 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134327—Segmented, e.g. alpha numeric display
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开一种显示面板,包括多个像素单元。每一像素单元包括第一基板、第二基板,以及位于两者之间的显示介质。第一基板包括第一次像素与邻接第一次像素设置的第二次像素。第一次像素包括第一主动元件以及与第一主动元件电连接的第一像素电极,其中第一像素电极具有第一主狭缝以及与第一主狭缝连接在一起的多个第一分支狭缝。第二次像素包括第二主动元件以及与第二主动元件电连接的第二像素电极,其中第二像素电极具有第二主狭缝以及与第二主狭缝连接在一起的多个第二分支狭缝。第二基板上包括分别对应第一像素电极与第二像素电极设置的第一电极图案与第二电极图案,以及位于第一电极图案以及第二电极图案之间以将两者连接在一起的连接部。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示面板,且特别是涉及一种具有高穿透率的显示面板。
背景技术
在显示器的发展上,随着光电技术与半导体制造技术的进步,具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。
液晶显示器包括了背光模块以及液晶显示面板。在液晶显示面板的制造技术方面,目前已提出一种聚合物稳定配向(Polymer Stabilized Alignment,PSA)的技术,此技术是利用聚合物配向搭配具有多个分支狭缝的像素电极以形成多领域配向(multi-domainalignment)。在液晶材料中掺入适当浓度的可聚合分子(单体)(以下称液晶混合物)。接着,对液晶混合物施予一电压。当施加电压使液晶分子排列稳定时,则使用紫外光照射的方式让可聚合分子(单体)键结成聚合物层,以完成稳定配向制作工艺。
现行聚合物稳定配向技术所使用的像素电极图案存在的问题是,当施加电压时,液晶分子会向像素中心倾倒,以形成多区域配向。然而,不同区域的液晶分子在区域边界互相推挤而形成十字暗纹,当十字暗纹的宽度过宽,会造成穿透率下降的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示面板,通过改变聚合物稳定配向模式中液晶分子的倾倒方向,以缩减不同区域的液晶分子在区域边界互相推挤所造成的十字暗纹宽度,达到提高穿透率的效果。
为达上述目的,本发明的一种显示面板,包括多个像素单元。每一像素单元包括第一基板、第二基板以及位于第一基板与第二基板之间的显示介质。第一基板包括第一次像素以及邻接第一次像素设置的第二次像素。第一次像素包括第一主动元件以及与第一主动元件电连接的第一像素电极,其中第一像素电极具有第一主狭缝以及与第一主狭缝连接在一起的多个第一分支狭缝。第二次像素包括第二主动元件以及与第二主动元件电连接的第二像素电极,其中第二像素电极具有第二主狭缝以及与第二主狭缝连接在一起的多个第二分支狭缝。第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间具有最短距离。第二基板位于第一基板的对向,其上包括对应第一像素电极设置的第一电极图案以及对应第二像素电极设置的第二电极图案。第二电极图案与第一电极图案之间具有间隙宽度。连接部则位于第一电极图案以及第二电极图案之间以将第一电极图案以及第二电极图案连接在一起。
在本发明的一实施例中,第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的最短距离为水平方向最短距离W1,且第二电极图案与第一电极图案之间的间隙宽度为水平方向间隙宽度L1。
在本发明的一实施例中,第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的水平方向最短距离W1小于或等于第二电极图案与第一电极图案之间的水平方向间隙宽度L1。
在本发明的一实施例中,第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的最短距离为垂直方向最短距离W2,且第二电极图案与第一电极图案之间的间隙宽度为垂直方向间隙宽度L2。
在本发明的一实施例中,第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的垂直方向最短距离W2小于或等于第二电极图案与第一电极图案之间的垂直方向间隙宽度L2。
基于上述,在本发明所提出的显示面板中,第一像素电极具有第一主狭缝与多个第一分支狭缝,第二像素电极具有第二主狭缝与多个第二分支狭缝。再者,第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的水平方向最短距离W1小于或等于第二电极图案与第一电极图案之间的水平方向间隙宽度L1;第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的垂直方向最短距离W2小于或等于第二电极图案与第一电极图案之间的垂直方向间隙宽度L2。如此一来,对应次像素中心的液晶分子具有向外倾倒的趋势,且对应次像素边缘的液晶分子也具有向外倾倒的趋势。像素内液晶分子整体向外倾倒可达到缩减十字暗纹宽度以提高穿透率的效果。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明一实施例的显示面板的剖面示意图;
图2A为本发明一实施例的像素阵列层的上视示意图;
图2B为本发明一实施例的电极层的上视示意图;
图3为图2A的像素阵列层与图2B的电极层重叠的示意图;
图4A为图3剖面线A-A’施加电场后的剖面示意图;
图4B为图3剖面线B-B’施加电场后的剖面示意图;
图5A为本发明另一实施例的像素阵列层的上视示意图;
图5B为本发明另一实施例的电极层的上视示意图;
图6为图5A的像素阵列层与图5B的电极层重叠的示意图;
图7A为本发明又一实施例的像素阵列层的上视示意图;
图7B为本发明又一实施例的电极层的上视示意图;
图8为图7A的像素阵列层与图7B的电极层重叠的示意图;
图9为本发明再一实施例的电极层的上视示意图。
符号说明
100:显示面板
102:第一基板
104:像素阵列层
110:第二基板
112:滤光层
114:电极层
120:显示介质
130:像素单元
212、222、232、242:主狭缝
214、224、234、244:分支狭缝
302、304、306、308:连接部
312、322、332、342:电极图案
412、422、432、442:边缘狭缝
502:液晶分子
CH1、CH2、CH3、CH4:通道层
D1、D2、D3、D4:漏极
DL1、DL2:数据线
E:电场
G1、G2、G3、G4:栅极
P1、P2、P3、P4:次像素
PE1、PE2、PE3、PE4:像素电极
S1、S2、S3、S4:源极
SL1、SL2:扫描线
T1、T2、T3、T4:主动元件
W1:水平方向最短距离
W2:垂直方向最短距离
L1:水平方向间隙宽度
L2:垂直方向间隙宽度
具体实施方式
图1是根据本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。请先参照图1,本实施例的显示面板100包括第一基板102、第二基板110以及显示介质120。
第一基板102的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。第一基板102上包括设置有像素阵列层104。像素阵列层104中的详细组成结构将于后续段落说明。
第二基板110是位于第一基板102的对向。第二基板110的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。第二基板110上包括设置有电极层114。电极层114为透明导电层,其材质包括金属氧化物,例如是铟锡氧化物或者是铟锌氧化物。电极层114的图案设计将于后续段落作详细说明。第二基板110上可还包括设置有滤光层112,其包括红、绿、蓝色滤光图案。
显示介质120位于第一基板102与第二基板110之间。显示介质120包括液晶分子。由于本实施例的显示面板为使用PSA技术的显示面板,因此在显示介质120中除了液晶分子之外,还包括单体化合物。换言之,在此显示面板尚未进行单体化合物的熟化程序时,显示介质120中包含有液晶分子以及单体化合物。当此显示面板于进行单体化合物的熟化程序时,单体化合物会进行聚合反应而于像素阵列层104以及电极层114的表面形成聚合物薄膜。因此当此显示面板于进行单体化合物的熟化程序之后,此时显示介质120主要为液晶分子。
图2A是根据本发明一实施例的像素阵列层的上视示意图。图2B是根据本发明一实施例的电极层的上视示意图。图3是图2A的像素阵列层与图2B的电极层重叠的示意图。
请参照图2A,像素阵列层104包括扫描线SL1、数据线DL1、DL2以及次像素P1、P2。在本实施例中,扫描线SL1与数据线DL1、DL2彼此不平行设置,且扫描线SL1与数据线DL1、DL2之间夹有绝缘层。换言之,扫描线SL1的延伸方向与数据线DL1、DL2的延伸方向不平行,较佳的是,扫描线SL1的延伸方向与数据线DL1、DL2的延伸方向垂直。基于导电性的考虑,扫描线SL1与数据线DL1、DL2一般是使用金属材料。然而,本发明不限于此,根据其他实施例,扫描线SL1与数据线DL1、DL2也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导材料的堆叠层。
次像素P1、P2分别具有主动元件T1、T2以及像素电极PE1、PE2。主动元件T1是与扫描线SL1以及数据线DL1电连接,而主动元件T2是与扫描线SL1以及数据线DL2电连接。在此,主动元件T1与T2例如是薄膜晶体管,其分别包括栅极G1与G2、通道层CH1与CH2、源极S1与S2以及漏极D1与D2。栅极G1、G2与扫描线SL1电连接。源极S1与数据线DL1电连接,源极S2与数据线DL2电连接。通道层CH1、CH2位于栅极G1、G2的上方并且位于源极S1、S2与漏极D1、D2的下方。本实施例的主动元件T1、T2是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。在其他的实施例中,主动元件T1、T2也可以是顶部栅极型薄膜晶体管。
像素电极PE1、PE2分别与主动元件T1、T2电连接。在本实施例中,像素电极PE1、PE2是分别与主动元件T1、T2的漏极D1、D2电连接。更详细而言,在像素电极PE1、PE2与主动元件T1、T2的漏极D1、D2两者重叠之处更分别设置有接触窗C1、C2,以使像素电极PE1、PE2与漏极D1、D2电连接。另外,在图2A中,像素电极PE1、PE2与扫描线SL1以及数据线DL1、DL2之间未重叠,但本发明不限于此。亦即,像素电极PE1、PE2也可与扫描线SL1以及数据线DL1、DL2重叠设置。
值得注意的是,像素电极PE1具有主狭缝212以及与主狭缝212连接在一起的多个分支狭缝214。此外,像素电极PE2也具有主狭缝222以及与主狭缝222连接在一起的多个分支狭缝224。主狭缝212、222以及分支狭缝214、224为不具有导电材料的空隙区域。如图2A所示,主狭缝212、222都为十字形狭缝,而分支狭缝214、224分别自主狭缝212、222往四个方向延伸,且分支狭缝214、224与主狭缝212、222之间的夹角θ1、θ2不等于0度或90度。
请参照图2B,电极层114包括多个电极图案312、322。在本实施例中,电极图案312、322都为块状电极。特别是,电极图案312是对应像素电极PE1设置,且电极图案322是对应像素电极PE2设置。此外,在本实施例中,电极层114还包括连接部302。如图2B所示,连接部302位于电极图案312与电极图案322之间以将电极图案312与电极图案322连接在一起。
图3主要是用以说明像素电极PE1、PE2与电极图案312、322之间的重叠情形,为了清楚表示,故省略绘示扫描线、数据线、主动元件等元件。请参照图3,由于电极图案312、322是分别对应像素电极PE1、PE2配置,因此,像素电极PE1、PE2与电极图案312、322重叠设置。另外,位于电极图案312、322之间的连接部302未与像素电极PE1、PE2重叠。在本实施例中,图2A、图2B以及图3所绘示的是图1的显示面板100中的一个像素单元130。一般来说,显示面板100是由多个像素单元130重复排列而构成。
更详细来说,请参照图2A,像素电极PE1的边缘与像素电极PE2的边缘之间具有水平方向最短距离W1。具体而言,像素电极PE1的边缘与像素电极PE2的边缘之间具有相等的水平方向间隙,且所述水平方向等距间隙等于W1。另外,请参照图2B,电极图案312与电极图案322之间具有水平方向间隙宽度L1。更具体而言,电极图案312与电极图案322之间具有相等的水平方向间隙,且所述水平方向等距间隙等于L1。值得注意的是,依据本发明的一实施例,像素电极PE1的边缘与像素电极PE2的边缘之间的水平方向最短距离W1小于或是等于电极图案312与电极图案322之间的水平方向间隙宽度L1。
图4A是绘示图3剖面线A-A’施加电场后的剖面示意图。图4B是绘示图3剖面线B-B’施加电场后的剖面示意图。图4A为对应次像素的中央部位(剖面线A-A’)之处。图4B为(剖面线B-B’)对应电极图案312与像素电极PE1的边缘以及电极图案322与像素电极PE2的边缘之间的位置。
请参照图4A,位于电极图案312与像素电极PE1之间的显示介质120包括液晶分子502,且当于电极图案312与像素电极PE1之间形成电场E时,显示介质120的液晶分子502具有自次像素中心向外倾倒的趋势。由于液晶分子502会从次像素中心向外倾倒,如此可以降低次像素的十字暗纹的宽度,以增加显示面板的穿透度。
此外,请参照图4B,电极图案312与电极图案322之间具有水平方向间隙宽度L1,且像素电极图案PE1与像素电极图案PE2之间具有水平方向最短距离W1,且水平方向最短距离W1小于水平方向间隙宽度L1。当于电极图案312与像素电极PE1之间形成电场E时,液晶分子502往子像素的边缘外侧倾倒。由于位于字像素边缘的液晶分子502也会往子像素的外侧倾倒,因此可以降低字像素边缘的暗纹宽度,以增加显示面板的穿透度。
值得一提的是,上述图4A以及图4B的实施例是以水平方向最短距离W1小于水平方向间隙宽度L1为例来说明,但本发明不限于此。根据其他实施例,上述的水平方向最短距离W1也可以等于水平方向间隙宽度L1。无论电极图案312与电极图案322之间具有水平方向间隙宽度L1大于像素电极图案PE1与像素电极图案PE2之间具有水平方向最短距离W1,或是电极图案312与电极图案322之间具有水平方向间隙宽度L1等于像素电极图案PE1与像素电极图案PE2之间具有水平方向最短距离W1,都可以达到降低次像素的十字暗纹宽度以及边缘暗纹宽度以增加显示面板穿透度的目的。
图5A是根据本发明另一实施例的像素阵列层的上视示意图。图5B是根据本发明另一实施例的电极层的上视示意图。图6是图5A的像素阵列层与图5B的电极层重叠的示意图。图5A、图5B以及图6所示的实施例相似于图2A、图2B以及图3所示的实施例,相同元件以相同标号表示且在此不予赘述。图5A、图5B以及图6所示的实施例与图2A、图2B以及图3所示的实施例不同之处在于,像素单元包括位于像素阵列层104的扫描线SL1与SL2、数据线DL1、次像素P1、P3以及位于电极层114的电极图案312、332以及连接部304。
如图5A所示,次像素P3具有主动元件T3以及像素电极PE3。主动元件T3是与扫描线SL2以及数据线DL1电连接。在此,主动元件T3例如是薄膜晶体管,其包括栅极G3、通道层CH3、源极S3以及漏极D3。栅极G3与扫描线SL2电连接。源极S3与数据线DL1电连接。通道层CH3位于栅极G3的上方并且位于源极S3与漏极D3的下方。本实施例的主动元件T3是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。在其他的实施例中,主动元件T3也可以是顶部栅极型薄膜晶体管。
请参照图5A,像素电极PE3与主动元件T3电连接。在本实施例中,像素电极PE3是与主动元件T3的漏极D3电连接。更详细而言,在像素电极PE3与主动元件T3的漏极D3两者重叠之处更分别设置有接触窗C3,以使像素电极PE3与漏极D3电连接。另外,在图5A中,像素电极PE3与扫描线SL2以及数据线DL1之间未重叠,但本发明不限于此,亦即像素电极PE3也可与扫描线SL2以及数据线DL1重叠。像素电极PE3具有主狭缝232以及与主狭缝232连接在一起的多个分支狭缝234。需说明的是,主狭缝232以及分支狭缝234为不具有导电材料的空隙区域。如图5A所示,主狭缝232为十字形狭缝,而分支狭缝234自主狭缝232往四个方向延伸,且分支狭缝234与主狭缝232之间的夹角θ3不等于0度或90度。
请参照图5B,电极层114的电极图案312、332都为块状电极,其中电极图案312是对应像素电极PE1设置,且电极图案332是对应像素电极PE3设置。此外,在本实施例中,电极层114还包括连接部304,连接部304位于电极图案312与电极图案332之间以将电极图案312与电极图案332连接在一起。
图6主要是用以说明像素电极PE1、PE3与电极图案312、332之间的重叠情形,其中为求清楚表示,故省略绘示扫描线SL1与SL2、数据线DL1、主动元件T1与T3以及介于像素阵列层104与电极层114之间的显示介质120。请参照图6,由于电极图案312、332是分别对应像素电极PE1、PE3配置,因此像素电极PE1、PE3与电极图案312、332重叠。另外,连接部304未与像素电极PE1、PE3重叠。在本实施例中,图5A、图5B以及图6所绘示的是图1的显示面板100中的一个像素单元130。一般来说,显示面板100是由多个像素单元130重复排列而构成。
更详细而言,如图5A所示,像素电极PE1的边缘与像素电极PE3的边缘之间具有垂直方向最短距离W2。具体而言,像素电极PE1的边缘与像素电极PE3的边缘之间具有相等的垂直方向间隙,且所述垂直方向等距间隙等于W2。另外,如图5B所示,电极图案312与电极图案332之间具有垂直方向间隙宽度L2。更具体而言,电极图案312与电极图案332之间具有相等的垂直方向间隙,且所述垂直方向等距间隙等于L2。值得注意的是,依据本发明的一实施例,像素电极PE1的边缘与像素电极PE3的边缘之间的垂直方向最短距离W2小于或是等于电极图案312与电极图案332之间的垂直方向间隙宽度L2。
图7A是根据本发明另一实施例的像素阵列层的上视示意图。图7B是根据本发明另一实施例的电极层的上视示意图。图8是图7A的像素阵列层与图7B的电极层重叠的示意图。图7A、图7B以及图8所示的实施例相似于图2A、图2B以及图3所示的实施例,相同元件以相同标号表示且在此不予赘述。图7A、图7B以及图8所示的实施例与图2A、图2B以及图3所示的实施例不同之处在于,像素单元包括位于像素阵列层104的扫描线SL1与SL2、数据线DL1与DL2、次像素P1、P2、P3、P4以及位于电极层114的电极图案312、322、332、342以及连接部302、304、306、308。
请参照图7A,次像素P4具有主动元件T4以及像素电极PE4。主动元件T4是与扫描线SL2以及数据线DL2电连接。在此,主动元件T4例如是薄膜晶体管,其包括栅极G4、通道层CH4、源极S4以及漏极D4。栅极G4与扫描线SL2电连接。源极S4与数据线DL2电连接。通道层CH4位于栅极G4的上方并且位于源极S4与漏极D4的下方。本实施例的主动元件T4是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。在其他的实施例中,主动元件T4也可以是顶部栅极型薄膜晶体管。
请参照图7A,像素电极PE4与主动元件T4电连接。在本实施例中,像素电极PE4是与主动元件T4的漏极D4电连接。更详细而言,在像素电极PE4与主动元件T4的漏极D4两者重叠之处更分别设置有接触窗C4,以使像素电极PE4与漏极D4电连接。另外,像素电极PE4与扫描线SL2以及数据线DL2之间未重叠,但本发明不限于此,亦即像素电极PE4也可与扫描线SL2以及数据线DL2重叠。此外,像素电极PE4具有主狭缝242以及与主狭缝242连接在一起的多个分支狭缝244。需说明的是,主狭缝242以及分支狭缝244为不具有导电材料的空隙区域。如图7A所示,主狭缝242为十字形狭缝,而分支狭缝244自主狭缝242往四个方向延伸,且分支狭缝244与主狭缝242之间的夹角θ4不等于0度或90度。
请参照图7B,电极层114的电极图案312、322、332与342都为块状电极。电极图案312是对应像素电极PE1设置,电极图案322是对应像素电极PE2设置,电极图案332是对应像素电极PE3设置,电极图案342是对应像素电极PE4设置。此外,在本实施例中,除了连接部302、304之外,电极层114还包括连接部306、308。如图5B所示,连接部306位于电极图案332与电极图案342之间以将电极图案332与电极图案342连接在一起,连接部308位于电极图案322与电极图案342之间以将电极图案322与电极图案342连接在一起。
图8是图7A的像素阵列层与图7B的电极层重叠的示意图。图8主要是用以说明像素电极PE1、PE2、PE3、PE4与电极图案312、322、332、342之间的重叠情形,其中为求清楚表示,故省略绘示扫描线SL1与SL2、数据线DL1与DL2、主动元件T1、T2、T3、T4以及介于像素阵列层104与电极层114之间的显示介质120。请参照图8,由于电极图案312、322、332、342是分别对应像素电极PE1、PE2、PE3、PE4配置,因此,像素电极PE1、PE2、PE3、PE4与部分电极图案312、322、332、342重叠。另外,连接部302、304、306、308未与像素电极PE1、PE2、PE3、PE4重叠。在本实施例中,图7A、图7B以及图8所绘示的是图1的显示面板100中的一个像素单元130。一般来说,显示面板100是由多个像素单元130重复排列而构成。
更详细而言,请参照图7A,像素电极PE1的边缘与像素电极PE2的边缘之间具有水平方向最短距离W1。像素电极PE1的边缘与像素电极PE3的边缘之间具有垂直方向最短距离W2。请参照图7B,电极图案312与电极图案322之间具有水平方向间隙宽度L1。电极图案312与电极图案332之间具有垂直方向间隙宽度L2。上述的水平方向最短距离W1小于或是等于上述的水平方向间隙宽度L1,垂直方向最短距离W2小于或是等于上述的垂直方向间隙宽度L2。
在上述的各实施例中,电极层114的电极图案的边缘都为直线轮廓,但本发明不限于此。根据其他实施例,电极层114的各电极图案的边缘也可以包含边缘狭缝,如下说明。
请参照图9,图9的电极层与上述图7B的电极层不同之处在于,电极图案312的边缘具有多个边缘狭缝412,电极图案322的边缘具有多个边缘狭缝422,电极图案332的边缘具有多个边缘狭缝432,且电极图案342的边缘具有多个边缘狭缝442。在本实施例中,边缘狭缝412、422、432、442的延伸方向分别与像素电极中的分支狭缝(如图7A所示分支狭缝214、224、234、244)的延伸方向平行。亦即,边缘狭缝412的延伸方向与分支狭缝214的延伸方向平行,边缘狭缝422的延伸方向与分支狭缝224的延伸方向平行,边缘狭缝432的延伸方向与分支狭缝234的延伸方向平行,边缘狭缝442的延伸方向与分支狭缝244的延伸方向平行。
实验例
表1列出不同显示面板的穿透率与其穿透率的增加率,其中比较例的显示面板中的像素单元为传统聚合物稳定配向技术的像素单元。实例1至实例2的显示面板中的像素单元如图7A、图7B以及图8所示在实例1的显示面板的像素单元中,水平方向最短距离W1小于水平方向间隙宽度L1。在实例2的显示面板的像素单元中,最短距离W1等于间隙宽度L1。实例3的显示面板中的像素单元如图7A以及图9所示,亦即电极图案为边缘具有多个边缘狭缝的块状电极,且最短距离W1等于间隙宽度L1。必须说明的是,在实例1、实例2与实例3中,水平方向最短距离W1等于垂直方向最短距离W2,且水平方向间隙宽度L1等于垂直方向间隙宽度L2,但本发明并不以此为限。
表1
条件 | 穿透率(%) | 增加率(%) | |
比较例 | 无 | 26.08% | - |
实例1 | L1>W1 | 28.99% | 11.16% |
实例2 | L1=W1 | 30.27% | 16.07% |
实例3 | L1=W1 | 31.09% | 19.21% |
从上方表1可得知,比较例的显示面板的穿透率为26.08%。相较之下,实例1的显示面板的穿透率为28.99%,穿透率增加了11.16%。实例2的显示面板的穿透率为30.27%,穿透率增加了16.07%。实例3的显示面板的穿透率为31.09%,穿透率增加了19.21%。此外,当水平方向最短距离W1等于水平方向间隙宽度L1时,穿透率比水平方向最短距离W1小于水平方向间隙宽度L1时更高。再者,当电极图案为边缘具有多个边缘狭缝的块状电极,则能够更进一步改善显示面板的穿透率。
基于上述,在本发明所提出的显示面板中,第一像素电极具有第一主狭缝与多个第一分支狭缝,第二像素电极具有第二主狭缝与多个第二分支狭缝。再者,第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的水平方向最短距离W1小于或等于第二电极图案与第一电极图案之间的水平方向间隙宽度L1;第一像素电极的边缘与第二像素电极的边缘之间的垂直方向最短距离W2小于或等于第二电极图案与第一电极图案之间的垂直方向间隙宽度L2。如此一来,对应次像素中心的液晶分子具有向外倾倒的趋势,且对应次像素边缘的液晶分子亦具有向外倾倒的趋势,因此,像素内液晶分子整体向外倾倒可达到缩减十字暗纹宽度以提高显示面板的穿透率。
虽然结合以上实施例公开了本发明,然而其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。
Claims (16)
1.一种显示面板,包括多个像素单元,每一像素单元包括:
第一基板,该第一基板包括:
第一次像素,包括第一主动元件以及与该第一主动元件电连接的第一像素电极,其中该第一像素电极具有第一主狭缝以及与该第一主狭缝连接在一起的多个第一分支狭缝;
第二次像素,邻接该第一次像素设置,该第二次像素包括第二主动元件以及与该第二主动元件电连接的第二像素电极,其中该第二像素电极具有第二主狭缝以及与该第二主狭缝连接在一起的多个第二分支狭缝,且该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间具有一最短距离;
第二基板,位于该第一基板的对向,该第二基板上包括:
第一电极图案,对应该第一像素电极设置;
第二电极图案,对应该第二像素电极设置,其中该第二电极图案与该第一电极图案之间具有一间隙宽度;
连接部,位于该第一电极图案以及该第二电极图案之间以将该第一电极图案以及该第二电极图案连接在一起;以及
显示介质,位于该第一基板与该第二基板之间,
其中该第一像素电极的该第一主狭缝为十字形狭缝,且该第一像素电极的该些第一分支狭缝自该第一主狭缝往四个方向延伸,
其中该第一电极图案为一块状电极,且该块状电极的边缘具有多个边缘狭缝,
其中该些边缘狭缝的延伸方向与该些第一分支狭缝的延伸方向平行。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间的该最短距离为一水平方向最短距离W1,且该第二电极图案与该第一电极图案之间的该间隙宽度为一水平方向间隙宽度L1。
3.如权利要求2所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间的该水平方向最短距离W1小于该第二电极图案与该第一电极图案之间的该水平方向间隙宽度L1。
4.如权利要求2所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间的该水平方向最短距离W1等于该第二电极图案与该第一电极图案之间的该水平方向间隙宽度L1。
5.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间的该最短距离为一垂直方向最短距离W2,且该第二电极图案与该第一电极图案之间的该间隙宽度为一垂直方向间隙宽度L2。
6.如权利要求5所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间的该垂直方向最短距离W2小于该第二电极图案与该第一电极图案之间的该垂直方向间隙宽度L2。
7.如权利要求5所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间的该垂直方向最短距离W2等于该第二电极图案与该第一电极图案之间的该垂直方向间隙宽度L2。
8.如权利要求1所述的显示面板,其中该些第一分支狭缝与该第一主狭缝之间的夹角不等于0度或90度。
9.如权利要求1所述的显示面板,其中该第二像素电极的该第二主狭缝为十字形狭缝,且该第二像素电极的该些第二分支狭缝自该第二主狭缝往四个方向延伸。
10.如权利要求9所述的显示面板,其中该些第二分支狭缝与该第二主狭缝之间的夹角不等于0度或90度。
11.如权利要求9所述的显示面板,其中该第二电极图案为一块状电极,且该块状电极的边缘具有多个边缘狭缝。
12.如权利要求11所述的显示面板,其中该第二电极图案的该些边缘狭缝的延伸方向与该些第二分支狭缝的延伸方向平行。
13.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间具有一水平方向等距间隙,且该水平方向等距间隙等于W1。
14.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一像素电极的边缘与该第二像素电极的边缘之间具有一垂直方向等距间隙,且该垂直方向等距间隙等于W2。
15.如权利要求1所述的显示面板,其中该第二电极图案与该第一电极图案之间有一水平方向等距间隙,且该水平方向等距间隙等于L1。
16.如权利要求1所述的显示面板,其中该第二电极图案与该第一电极图案之间有一垂直方向等距间隙,且该垂直方向等距间隙等于L2。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW104111597 | 2015-04-10 | ||
TW104111597A TWI540369B (zh) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | 顯示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104880867A CN104880867A (zh) | 2015-09-02 |
CN104880867B true CN104880867B (zh) | 2018-06-19 |
Family
ID=53948419
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510291872.2A Active CN104880867B (zh) | 2015-04-10 | 2015-06-01 | 显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9746721B2 (zh) |
CN (1) | CN104880867B (zh) |
TW (1) | TWI540369B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160313611A1 (en) * | 2015-04-27 | 2016-10-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal panel and display apparatus |
CN105572983A (zh) * | 2016-03-11 | 2016-05-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素电极结构及液晶显示面板 |
TWI584034B (zh) * | 2016-09-14 | 2017-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN112540485B (zh) * | 2020-12-02 | 2022-04-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 子像素结构和显示面板 |
TWI738590B (zh) * | 2020-12-16 | 2021-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN113703231B (zh) * | 2021-08-30 | 2022-12-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
CN113703232B (zh) * | 2021-08-30 | 2022-07-12 | 惠州华星光电显示有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202330961U (zh) * | 2011-11-21 | 2012-07-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素电极及液晶面板 |
CN102662280A (zh) * | 2012-04-26 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其像素电极 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1096926A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
TWI372292B (en) | 2007-10-25 | 2012-09-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device having the same |
KR101430639B1 (ko) * | 2008-03-17 | 2014-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP5228562B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-07-03 | 株式会社ニコン | 液晶パネル、表示装置およびプロジェクタ |
KR101494316B1 (ko) * | 2008-07-14 | 2015-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 이의 제조방법 |
KR101549962B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2015-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US8493540B2 (en) * | 2008-12-15 | 2013-07-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing the same |
KR20100089248A (ko) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101620529B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8865274B2 (en) * | 2010-04-02 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device, alignment film, and methods for manufacturing the same |
KR20120083163A (ko) * | 2011-01-17 | 2012-07-25 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
TWI479241B (zh) | 2011-03-02 | 2015-04-01 | Innolux Corp | 液晶顯示器 |
CN102305983A (zh) | 2011-08-29 | 2012-01-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其应用的显示装置 |
KR20130025066A (ko) * | 2011-09-01 | 2013-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR20130034360A (ko) * | 2011-09-28 | 2013-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR20130110922A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101961145B1 (ko) * | 2012-10-17 | 2019-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20140088808A (ko) * | 2013-01-03 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
2015
- 2015-04-10 TW TW104111597A patent/TWI540369B/zh active
- 2015-06-01 CN CN201510291872.2A patent/CN104880867B/zh active Active
- 2015-07-30 US US14/813,133 patent/US9746721B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN202330961U (zh) * | 2011-11-21 | 2012-07-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种像素电极及液晶面板 |
CN102662280A (zh) * | 2012-04-26 | 2012-09-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其像素电极 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104880867A (zh) | 2015-09-02 |
TWI540369B (zh) | 2016-07-01 |
US20160299383A1 (en) | 2016-10-13 |
TW201636714A (zh) | 2016-10-16 |
US9746721B2 (en) | 2017-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104880867B (zh) | 显示面板 | |
KR101965305B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN104880871B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN106569366B (zh) | 显示面板 | |
CN105045012B (zh) | 像素结构、阵列基板及液晶显示面板 | |
CN102937767B (zh) | 阵列基板、显示装置和阵列基板的制作方法 | |
CN103645589B (zh) | 显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
CN104570517A (zh) | 像素结构 | |
TW201346410A (zh) | 顯示面板 | |
CN106842746A (zh) | 主动元件阵列基板和液晶面板 | |
US11662633B2 (en) | Display panel | |
CN107463044B (zh) | 像素结构及主动开关阵列基板 | |
CN104375340A (zh) | 像素结构 | |
CN107422562A (zh) | 主动开关阵列基板 | |
CN104007589A (zh) | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 | |
CN103617777A (zh) | 阵列基板、彩膜基板及制造方法、显示面板和显示装置 | |
WO2020088279A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
KR20050021135A (ko) | 에프.에프.에스 모드의 액정표시장치 | |
CN107422523A (zh) | 彩膜基板及显示面板 | |
CN105700255A (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN107505791A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
CN107490915A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
CN109143696A (zh) | 一种像素结构及显示装置 | |
CN107436519A (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
TW201708913A (zh) | 畫素陣列 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |