CN202330961U - 一种像素电极及液晶面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种像素电极及液晶面板，所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝，狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口；狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，狭缝的端部区域还设置有多个由像素电极外向内部的方向深度递减的渐变切口，所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。本实用新型通过改变像素电极上边缘切口深度，缓解共用电极的延伸结构上切口间及切口端部的异常电场，同时在边缘切口的一侧形成渐变切口，以使边缘处的电场渐渐变化过渡到像素内部的电场，从而避免此处区域的液晶分子发生异常排列，减少此处的暗纹产生，从而提高像素的穿透率。

Description

一种像素电极及液晶面板

技术领域

本实用新型涉及液晶显示领域，更具体的说，涉及一种像素电极及液晶面板。 

背景技术

液晶显示装置已被广泛应用于人类的生活和工作中，其中液晶显示装置的液晶面板攸关到液晶显示装置的显示效果，包括视角、明暗程度以及颜色等。 

如图1所示为现有一种液晶面板的一个像素区域内共用电极200与像素电极100叠合的情况，其中，如图3所示，像素电极100上设置有两条对称的与像素电极100的边缘相对倾斜的狭缝10，所述狭缝10的两端延伸到所述像素电极100的边缘；所述狭缝10两侧设置有多个深度相同的等切口11；如图1所示，狭缝10在边缘的交接处，也是共用电极200与像素电极100的边缘交接处，即如图1所示，第一交接处1、第二交接处2、第三交接处3和第四交接处4，这几处的结构与像素内部结构具有差异，导致像素边缘电场分布异于内部，对LC(液晶)产生边缘场效应，使得这几处液晶分子产生异常排列(disclination)，从而使得像素的此几处穿透率低。为解决这个问题，常在共用电极200侧边缘也添加切口(slit)，如图2所示以第二交接处2为例，在共用电极200与像素电极100的边缘交接处，设置有延伸结构210，并在该延伸结构210上形成翅状的切口(slit)图案，利用该延伸结构210在边缘处形成切口，以缓解边缘场效应对此处液晶分子的影响；但在切口间和切口端部的电场仍然异于像素的内部电场，导致液晶分子仍会产生异常排列(disclination)，如图1所示，第一交接处1、第二交接处2、第三交接处3和第四交接处4依然存在液晶分子异常排列(disclination)，从而使得这4处穿透率降低，进而使得整个像素的穿透率降低。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种可提高液晶面板穿透率的像素电极以及液晶面板。 

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种像素电极，所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝，所述狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；所述狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口；所述狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，所述狭缝的端部区域还设置有多个由像素电极外向内部的方向深度递减的渐变切口，所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。 

优选的，所述边缘切口的底部与所述像素电极的边缘平行并且处于一条直线上。使边缘切口以一个相等的深度差排列在像素电极边缘，避免产生异常电场。 

优选的，沿像素电极由外向内的方向上，所述渐变切口深度逐渐递减。以使渐变切口可以将边缘处的异常电场渐渐过渡到像素的内部，避免造成液晶分子异常排列。 

优选的，所述渐变切口按深度差相等的方式深度递减排列。使得边缘处的电场以较为平缓的方式过渡到内部电场，从而避免液晶分子异常排列造成暗纹。 

优选的，所述深度差为S/N，其中，所述N为渐变切口的个数，所述S为液晶面板中一个像素区域内共用电极上的切口开口端对应于像素电极上的等切口的底部的距离。根据需要设置等深度差的值以及渐变切口的个数，以达到最佳的优化方式。 

优选的，所述N＝3。N＝3为较优的渐变切口数目，能够获得较好的电场过渡，并且不会增加新的异常电场。 

优选的，所述渐变切口按深度差递增的方式深度递减排列。以获得更为平缓的过渡方式，其要优于等深度差不便的方式。 

优选的，所述渐变切口的数量为4个。较优的渐变切口数目，能够获得较好的电场过渡，并且不会增加新的异常电场。 

优选的，所述像素电极包括两条对称排布的狭缝。较优的狭缝排布方式，以获得多个方向的液晶倾倒，从而改善视角的范围。 

优选的，所述狭缝在像素电极上呈》或《形排布。较优的排布形状，可以形成多个方向的液晶倾倒，从而改善视角的范围。 

一种液晶面板，包括共用电极及多个对置的如上任一所述的像素电极。 

优选的，所述共用电极上对应的设置有与所述像素电极对应错开的共用电极切口，所述共用电极与像素电极的边缘交接处设置有用于在边缘处设置切口的延伸结构；所述的像素电极的边缘切口与所述共用电极的延伸结构相对应；所述的像素电极的渐变切口的底部与对应的共用电极切口之间的距离逐渐减小。边缘切口与延伸结构上的切口相对应，以消除延伸结构上的切口之间和切口端部的异常电场，同时，渐变切口与对应的共用电极之间的切口的距离逐渐减小，进而起到一个过渡的作用，使得边缘处的电场慢慢变化到与内部一致，从而避免液晶的异常翻转，进而使得像素的穿透率得以提高。 

优选的，所述边缘切口具有一个深度最大的界点切口，所述界点切口的深度大于所述等切口的深度。边缘切口的深度大于等切口的深度，才能有效的消除延伸结构上的切口。 

优选的，所述界点切口的深度大于S+D，所述S为液晶面板中一个像素区域内共用电极上的切口开口端对应于像素电极上的等切口的底部的距离；所述D为等切口的深度。这样界点切口以及包括其它切口能一直延伸向像素电极的边缘以对应共用电极上过渡段的切口，才能更有效的缓解此处切口间及切口端的异常电场，由于边缘切口的底部平行并处于一条线上。 

一种液晶面板，包括共用电极及多个对置像素电极，所述共用电极上对应的设置有与所述像素电极对应错开的共用电极切口，相邻的共用电极切口之间形成锯齿，所述共用电极与像素电极的边缘交接处设置有用于在边缘处设置切口的延伸结构；所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝，所述狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；所述狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，所述的像素电极的边缘切口与所述共用电极的延伸结构相对应；所述延伸结构及靠近该延伸结构上的锯齿延伸向所述像素电极上与之对应的所述等切口，使所述齿与所述像素电极切口之间的距离逐渐减小。 

本实用新型由于通过改变像素电极上边缘处也是狭缝的端部两侧的切口深度，使得此处区域的一部分切口延伸到像素电极的边缘形成边缘切口 以对应液晶面板的共用电极上的延伸结构上的切口，缓解此处的切口间及切口端部的异常电场，同时在边缘切口的一侧形成渐变切口，以使边缘处的电场渐渐变化过渡到像素内部的电场，从而避免此处区域的液晶分子发生异常排列，减少此处的暗纹产生，从而提高像素的穿透率。 

附图说明

图1是现有液晶面板的共用电极与像素电极叠合的结构简图， 

图2是图1中第二交接处2的结构放大图， 

图3是现有液晶面板中像素电极的结构简图， 

图4是图1中第二交接处2对应的像素电极结构放大图， 

图5是本实用新型第一种实施例液晶面板的共用电极与像素电极叠合的结构简图， 

图6是图5中第二交接处2的结构放大图， 

图7是本实用新型第一种实施例中像素电极的结构简图， 

图8是图7的第二交接处2的放大图， 

图9是本实用新型第二种实施例液晶面板的共用电极与像素电极叠合的结构简图， 

图10是图9中第二交接处2的放大图， 

图11是本实用新型第二种实施例中像素电极的结构简图， 

图12是图11的第二交接处2的放大图， 

图13是现有液晶面板的穿透率模拟仿真图， 

图14是第一种实施例的穿透率模拟仿真图， 

图15是第二种实施例的穿透率模拟仿真图。 

其中：1、第一交接处；2、第二交接处；3、第三交接处；4、第四交接处；10、狭缝；11、等切口；12、渐变切口；13、边缘切口；14、界点切口；17、连接部；100、像素电极；200、共用电极；210、延伸结构。 

具体实施方式

下面结合附图和较佳的实施例对本实用新型作进一步说明。 

本实用新型的像素电极包括：设置在其上的至少一条与像素电极边缘 相对倾斜的狭缝，所述狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；所述狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口；所述狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，所述边缘切口的底部与所述像素电极的边缘平行并且处于一条直线上；所述狭缝的端部区域还设置有多个由外向像素电极内部的方向深度递减的渐变切口，所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。在液晶面板中，共用电极上也设置有与像素电极上的等切口、边缘切口以及渐变切口相对应的并且相互错开的共用电极切口。 

如图5-8为本实用新型优选的实施例，首先看图7，像素电极100上设置有两条对称的狭缝10，狭缝10一直延伸到像素电极100的边缘处，在狭缝10的两侧分别设置有多个深度相同的等切口11，在狭缝10的端部处的两侧有多个底部与像素电极100边缘平行并且处于一条直线上的边缘切口13，边缘切口13的内侧(即由像素电极100外向内的方向)，设置有多个渐变切口12。如图8所示以第二交接处2为例，该处为狭缝10的端部处，设置有三个按深度差为S/3递减排列的渐变切口12，其中第三个渐变切口13(即深度最小的渐变切口)的深度与等切口11的深度相同，其中，如图5所示S为在平面上像素电极100的等切口11的底部到共用电极200上的与之对应共用电极切口的开口端的距离。 

在本实施例中，如图6所示，边缘切口13的数量对应于共用电极200的延伸结构210上的切口，用于缓解边缘场效应以及该延伸结构210上的切口之间以及切口端部的异常电场。边缘切口13包括一个深度最大的界点切口14，该界点切口14的深度大于S+D小于L，其中如图5所示L为在平面上像素电极100的等切口的开口端到共用电极200上的与之对应的共用电极切口的底部的距离，而D为像素电极上的等切口的深度。在该界点切口14的外侧(由像素电极内部向外的方向)为边缘切口13的排布区域，并且边缘切口13起始于连接部17，该连接部17位于狭缝的端头，它使像素电极100被狭缝分开的部分连接起来，在该界点切口的内侧是渐变切口的排布区域。 

在本实施例中，渐变切口的个数可根据需要而设定，即深度差可变为S/N，其中N为渐变切口的个数。 

本实施例中，所述的像素电极100在第一交接处1、第二交接处2、第三交接处3和第四交接处4进行了结构优化，以第二交接处为例，边缘切 口13一直延伸到像素电极100的边缘，从而缓解此处边缘场效应的影响以及共用电极200的延伸结构210上的切口之间以及切口端部的异常电场；另外，利用渐变切口12形成一个较为缓和的电场渐变区域，进而减小垂直于切口的电场对液晶的影响，同样的，其它交接处(第一交接处1、第三交接处3和第四交接处4)也是如此，通过缓解边缘场效应以及形成渐变电场的方式，使得这几处的液晶分子发生异常排列的情况得以减少，进而增加像素的穿透率，如图14为使用本实施例的像素电极后像素的穿透率的模拟仿真情况，与图13现有液晶面板的穿透率模拟仿真情况相比，经过优化改进的穿透率提高了7.93％。 

如图9-12所示为本实用新型的第二种实施例，与实施例一不同的是，狭缝10的端部的渐变切口是按深度差渐渐减小的方式进行深度递减排布，如图9所示，仍然以第二交接处2为例，此处是狭缝10的端部处，在界点切口14的内侧，排布着多个渐变切口12，在本实施例中，渐变切口12的个数优选为4个，其中：第一个渐变切口与界点切口14处于最近的位置，其深度小于界点切口14的深度，并小于S+D，第二个渐变切口的深度与第一个渐变切口的深度差为d1，第二个渐变切口与第三个渐变切口的深度差为d2，第三个渐变切口与第四个渐变切口的深度差为d3，其中有d1＞d2＞d3，形成深度差由像素结构外向内的方向递减的排布。在此种排布下，渐变切口形成比深度差为固定值的第一种实施例的排布更为缓和，进而在液晶面板中，此区域的电场渐变则更缓和，从而能够更进一步减小垂直于切口方向的电场对液晶的影响。本实施例中像素的穿透率模拟仿真结果如图15所示，与现有技术模拟仿真结果(即图13)相比，在本实施例所述改进的基础下像素的穿透率提高了8.42％，与图14的第一种实施例的结果相比，本第二种实施方式的基础下像素的穿透率提高了0.45％。 

在本实用新型的两个实施例中，像素电极包括两条对称的并呈》或《形在像素电极内排布的狭缝，使得液晶分子的倾倒形成多个不同的方向而提高视角的广度。当然，狭缝的排布方式并不限于此种方式。 

当然，除了在像素电极上设计相应的延伸到所述延伸结构上以缓解延伸结构上的切口之间及切口端部的异常电场外，也可以对共用电极作相应的设计。在液晶面板中，共用电极上也设置有与像素电极上的各类切口向对应并且错开的共用电极切口形成锯齿状图案，其中相邻两个切口之间为锯齿，在所述延伸结构上的锯齿可以作在平面上向像素电极对应的切口的 方向进行延伸，同时，将靠近所述延伸结构的共用电极上的锯齿作向与之对应的像素电极的等切口的设计。在此种设置下，也可以消除延伸结构上的切口间及切口端部的异常电场，同时也能将该区域的电场进行缓慢变化过渡到像素的内部电场。但是此种方式相对于前述实施例来说，工艺上的改变较大，相对来说，前述实施例的方式更容易实施，降低生产成本。 

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。 

Claims (15)

1.一种像素电极，其特征在于：

所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝，所述狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；

所述狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口；

所述狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，

所述狭缝的端部区域还设置有多个渐变切口，所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。

2.如权利要求1所述的一种像素电极，其特征在于，所述边缘切口的底部与所述像素电极的边缘平行并且处于一条直线上。

3.如权利要求1所述的一种像素电极，其特征在于，沿像素电极由外向内的方向上，所述渐变切口深度逐渐递减。

4.如权利要求3所述的一种像素电极，其特征在于，所述渐变切口按深度差相等的方式深度递减排列。

5.如权利要求4所述的一种像素电极，其特征在于，所述深度差为S/N，其中，所述N为渐变切口的个数，所述S为液晶面板中一个像素区域内共用电极上的切口开口端对应于像素电极上的等切口的底部的距离。

6.如权利要求5所述的一种像素电极，其特征在于，所述N＝3。

7.如权利要求3所述的一种像素电极，其特征在于，所述渐变切口按深度差递增的方式深度递减排列。

8.如权利要求7所述的一种像素电极，其特征在于，所述渐变切口的数量为4个。

9.如权利要求1所述的一种像素电极，其特征在于，所述像素电极包括两条对称排布的狭缝。

10.如权利要求9所述的一种像素电极，其特征在于，所述狭缝在像素电极上呈》或《形排布。

11.一种液晶面板，包括共用电极及多个对置的如权利要求1-10任一所述的像素电极。

12.如权利要求11所述的一种液晶面板，其特征在于，所述共用电极上对应的设置有与所述像素电极对应错开的共用电极切口，所述共用电极与像素电极的边缘交接处设置有用于在边缘处设置切口的延伸结构；所述的像素电极的边缘切口与所述共用电极的延伸结构相对应；所述的像素电极的渐变切口的底部与对应的共用电极切口之间的距离逐渐减小。

13.如权利要求12所述的一种液晶面板，其特征在于，所述边缘切口具有一个深度最大的界点切口，所述界点切口的深度大于所述等切口的深度。

14.如权利要求13所述的一种液晶面板，其特征在于，所述界点切口的深度大于S+D，所述S为液晶面板中一个像素区域内共用电极上的切口开口端对应于像素电极上的等切口的底部的距离；所述D为等切口的深度。

15.一种液晶面板，包括共用电极及多个对置像素电极，

所述共用电极上对应的设置有与所述像素电极对应错开的共用电极切口，相邻的共用电极切口之间形成锯齿，所述共用电极与像素电极的边缘交接处设置有用于在边缘处设置切口的延伸结构；

所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝，所述狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘；所述狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口，所述的像素电极的边缘切口与所述共用电极的延伸结构相对应；

所述延伸结构及靠近该延伸结构上的锯齿延伸向所述像素电极上与之对应的所述等切口，使所述齿与所述像素电极切口之间的距离逐渐减小。

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