CN104868345A - 光导天线、拍摄装置、成像装置以及测量装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供光导天线、拍摄装置、成像装置以及测量装置。上述光导天线与以往相比能够提高载流子迁移率从而产生强度较大的太赫兹波。本发明所涉及的光导天线(100)被光脉冲(P)照射而产生太赫兹波(T)，所述光导天线(100)包括：载流子产生层(10)，其被光脉冲(P)照射而形成载流子，并且由半绝缘性基板构成；绝缘层(40)，其位于载流子产生层(10)上并能够使光脉冲(P)透过；以及第一电极(20)和第二电极(30)，它们位于载流子产生层(10)的上方并对载流子产生层(10)施加电压，绝缘层(40)俯视时设置于被第一电极(20)与第二电极(30)之间的光脉冲(P)照射的区域(12)。
Description
技术领域
本发明涉及光导天线、拍摄装置、成像装置以及测量装置。
背景技术
近年来，具有100GHz以上30THz以下的频率的电磁波亦即太赫兹波受到瞩目。太赫兹波例如能够用于成像、光谱测量等各种测量、无损检测等。
产生该太赫兹波的太赫兹波产生装置例如具有：产生具有亚皮秒(数百飞秒)左右的脉冲宽度的光脉冲的光脉冲产生装置；和通过被光脉冲产生装置所产生的光脉冲照射而产生太赫兹波的光导天线(PhotoConductive Antenna：PCA)。
例如在专利文献1中，记载了一种具备半绝缘性GaAs基板、在半绝缘性GaAs基板上通过低温MBE(分子束外延)法而形成的GaAs(LT-GaAs)层、以及在LT-GaAs层上形成的一对电极的光导天线。并且，在专利文献1中，记载了如下内容：在LT-GaAs层被激发的自由载流子在偏置电压所形成的电场中被加速，从而有电流流动，通过该电流的变化来产生太赫兹波。
优选上述那样的光导天线中产生的太赫兹波的强度较大，由此，例如能够实现检测灵敏度较高的拍摄装置或成像装置以及测量装置。
专利文献1：日本特开2009-124437号公报
众所周知，光导天线中产生的太赫兹波的强度取决于光导天线中供载流子移动(行进)的层的载流子迁移率。即，该层的载流子迁移率越大，则光导天线中产生的太赫兹波的强度越大。
在专利文献1所涉及的光导天线中，由于LT-GaAs层的载流子迁移率(电子迁移率)为100cm2/Vs～150cm2/Vs，较小，所以光电流的时间变化较小，存在无法产生强度较大的太赫兹波的情况。因此，存在无法实现检测灵敏度高的拍摄装置或成像装置以及测量装置的情况。
发明内容
本发明的几个方式的目的之一在于，提供一种与以往相比能够提高载流子迁移率从而产生强度较大的太赫兹波的光导天线。另外，本发明的几个方式的目的之一还在于，提供包括上述光导天线的拍摄装置、成像装置以及测量装置。
本发明所涉及的光导天线是被光脉冲照射而产生太赫兹波的光导天线，包括：
载流子产生层，其被上述光脉冲照射而形成载流子，上述载流子产生层由半绝缘性基板构成；
绝缘层，其位于上述载流子产生层上并能够使上述光脉冲透过；以及
第一电极和第二电极，它们位于上述载流子产生层的上方并对上述载流子产生层施加电压，
上述绝缘层俯视时设置于被上述第一电极与上述第二电极之间的上述光脉冲照射的区域。
在这种光导天线中，与载流子产生层由LT-GaAs层构成的情况相比，能够提高载流子迁移率，从而产生(放射)强度较大的太赫兹波。因此，在这种光导天线中，能够实现高输出化。
此外，在本发明的记载中，在将“上方”这样的用语例如用为“在特定的部件(以下，称为“A”)的“上方”形成其他特定的部件(以下，称为“B”)”等情况下，将“上方”这样的用语用为上述情况包括在A上直接形成B的情况、以及在A上经由其他部件而形成B的情况。
在本发明所涉及的光导天线中，也可以构成为，
上述第一电极和上述第二电极设置在上述绝缘层上。
在这种光导天线中，能够抑制在第一电极与第二电极之间有漏电流流动，从而能够实现耐压性的提高。
在本发明所涉及的光导天线中，也可以构成为，
上述绝缘层以位于上述载流子产生层的表面的悬空键为终端。
在这种光导天线中，能够抑制在载流子产生层的表面附近行进的载流子被悬空键捕获。因此，在这种光导天线中，能够实现高输出化。
在本发明所涉及的光导天线中，也可以构成为，
上述绝缘层由氧化硅、氮化硅、或者砷化铝镓与氧的化合物中的任一种构成。
在这种光导天线中，构成绝缘层的原子能够通过载流子产生层中不参与结合的悬空键，而与构成载流子产生层的表面的原子结合。因此，在这种光导天线中，能够抑制在载流子产生层的表面附近行进的载流子被悬空键捕获。因此，在这种光导天线中，能够实现高输出化。
本发明所涉及的太赫兹波产生装置包括：
光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；和
本发明所涉及的光导天线，其被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波。
在这种太赫兹波产生装置中，由于包括本发明所涉及的光导天线，所以能够实现高输出化。
本发明所涉及的拍摄装置包括：
光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；
本发明所涉及的光导天线，其被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波；
太赫兹波检测部，其对从上述光导天线射出而透过对象物的上述太赫兹波或者被对象物反射的上述太赫兹波进行检测；以及
存储部，其存储上述太赫兹波检测部的检测结果。
在这种拍摄装置中，由于包括本发明所涉及的光导天线，所以能够具有较高的检测灵敏度。
本发明所涉及的成像装置包括：
光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；
本发明所涉及的光导天线，其被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波；
太赫兹波检测部，其对从上述光导天线射出而透过对象物的上述太赫兹波或者被对象物反射的上述太赫兹波进行检测；以及
图像形成部，其根据上述太赫兹波检测部的检测结果来生成上述对象物的图像。
在这种成像装置中，由于包括本发明所涉及的光导天线，所以能够具有较高的检测灵敏度。
本发明所涉及的测量装置包括：
光脉冲产生装置，其产生上述光脉冲；
本发明所涉及的光导天线，其被上述光脉冲照射而产生上述太赫兹波；
太赫兹波检测部，其对从上述光导天线射出而透过对象物的上述太赫兹波或者被对象物反射的上述太赫兹波进行检测；以及
测量部，其根据上述太赫兹波检测部的检测结果来测量上述对象物。
在这种测量装置中，由于包括本发明所涉及的光导天线，所以能够具有较高的检测灵敏度。
附图说明
图1是示意性地表示本实施方式所涉及的光导天线的剖视图。
图2是示意性地表示本实施方式所涉及的光导天线的俯视图。
图3是示意性地表示本实施方式所涉及的光导天线的俯视图。
图4是示意性地表示本实施方式所涉及的光导天线的制造工序的剖视图。
图5是示意性地表示本实施方式所涉及的第一变形例的光导天线的剖视图。
图6是示意性地表示本实施方式所涉及的第二变形例的光导天线的剖视图。
图7是表示本实施方式所涉及的太赫兹波产生装置的结构的图。
图8是表示本实施方式所涉及的成像装置的框图。
图9是示意性地表示本实施方式所涉及的成像装置的太赫兹波检测部的俯视图。
图10是表示对象物在太赫兹波段下的光谱的图表。
图11是表示对象物的物质A、B以及C的分布的图像的图。
图12是表示本实施方式所涉及的测量装置的框图。
图13是表示本实施方式所涉及的拍摄装置的框图。
图14是示意性地表示本实施方式所涉及的拍摄装置的立体图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式没有不当地限定权利要求书所记载的本发明的内容。另外，未必以下所说明的结构的全部均是本发明的必须构成要件。
1.光导天线
首先，参照附图对本实施方式所涉及的光导天线进行说明。图1是示意性地表示本实施方式所涉及的光导天线100的剖视图。图2以及图3是示意性地表示本实施方式所涉及的光导天线100的俯视图。此外，图1是图2的I-I线剖视图。另外，图3是图2所示的区域III的放大图。另外，为了便于说明，在图3中省略了绝缘层40的图示。
如图1～图3所示，光导天线100包括：载流子产生层10、第一电极20、第二电极30、以及绝缘层40。光导天线100被光脉冲P照射而产生太赫兹波T。
此外，光脉冲是指强度在短时间内急剧地变化的光。光脉冲的脉冲宽度(半峰全宽FWHM)虽然没有特别地限定，但是例如为1fs(飞秒)以上800fs以下。另外，太赫兹波是指频率在100GHz以上30THz以下的电磁波，特别是指频率在300GHz以上3THz以下的电磁波。
载流子产生层10由半绝缘性基板构成。这里，半绝缘性基板是由化合物半导体构成的基板，即指高电阻(例如，比电阻在107Ω·cm以上)的基板。具体而言，构成载流子产生层10的半绝缘性基板是不包含杂质(未被掺入杂质)的GaAs基板。构成载流子产生层10的GaAs也可以是化学计量状态。即，构成载流子产生层10的Ga与As也可以以1：1的比例存在。此外，构成载流子产生层10的半绝缘性基板也可以是InP基板、InAs基板以及InSb基板。
载流子产生层10被光脉冲P照射而形成载流子C。具体而言，载流子产生层10形成多个(大量)载流子C。在载流子产生层10由半绝缘性GaAs基板构成的情况下，载流子产生层10的载流子迁移率(电子迁移率)例如为3000cm2/Vs以上8500cm2/Vs以下。
此外，载流子迁移率是载流子(电子以及空穴)在固体物质中移动时，单位电场强度下每单位时间移动的距离，即指载流子在固体物质中移动的容易程度。
第一电极20以及第二电极30位于载流子产生层10上。第一电极20以及第二电极30是对载流子产生层10施加电压的电极。电极20、30对载流子产生层10可以施加直流(DC)电压，也可以施加交流(AC)电压。电极20、30也可以与载流子产生层10欧姆接触。
第一电极20以及第二电极30例如为Au层、Pt层、Ti层、Al层、Cu层、Cr层、或者它们的层叠体。在作为电极20、30而使用Au层与Cr层的层叠体的情况下，Cr层能够提高载流子产生层10与Au层的紧贴性。
第一电极20具有第一电压施加部22、第一焊盘部24以及第一线部26。第二电极30具有第二电压施加部32、第二焊盘部34以及第二线部36。
第一电压施加部22以及第二电压施加部32是对载流子产生层10施加电压的部分。第一电压施加部22与第二电压施加部32之间的距离例如为1μm以上100μm以下，更具体而言，为5μm左右。在图示的例子中，电压施加部22、32的平面形状(从载流子产生层10与绝缘层40的层叠方向观察的形状)为矩形。即，光导天线100是偶极型的PCA。
此外，第一电压施加部22也可以具有朝向第二电压施加部32侧宽度变窄的梯形的平面形状，但对此未作图示。同样，第二电压施加部32也可以具有朝向第一电压施加部22侧的宽度变窄的梯形的平面形状。即，光导天线100也可以是蝴蝶结型的PCA。
第一焊盘部24以及第二焊盘部34是与外部配线(未图示)连接的部分。在图示的例子中，焊盘部24、34的平面形状为矩形。第一焊盘部24例如设置有2个。第二焊盘部34例如也设置有2个。
第一线部26将第一电压施加部22与第一焊盘部24连接。第二线部36将第二电压施加部32与第二焊盘部34连接。线部26、36具有俯视时呈带状的形状，线部26、36的长边方向例如是平行的。第一电压施加部22从第一线部26向与第一线部26的长边方向正交的方向突出。第一电压施加部22从第一线部26向第二电极30侧突出。第二电压施加部32从第二线部36向与第二线部36的长边方向正交的方向突出。第二电压施加部32从第二线部36向第一电极20侧突出。
绝缘层40位于载流子产生层10上。具体而言，绝缘层40设置于俯视时(从载流子产生层10与绝缘层40的层叠方向观察时)被第一电极20与第二电极30之间的光脉冲P照射的区域12。区域12是载流子产生层10的表面14的一部分。表面14是载流子产生层10的上表面。在图示的例子中，绝缘层40设置在载流子产生层10上以及电极20、30上。在绝缘层40设置有开口部42。开口部42设置于俯视时与焊盘部24、34重叠的位置，焊盘部24、34从绝缘层40露出。
绝缘层40的厚度例如为100nm以上500nm以下。绝缘层40能够使光脉冲P透过。具体而言，光脉冲P的波长为700nm以上800nm以下，绝缘层40能够使这种波长的光脉冲P透过80％以上。绝缘层40例如由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、砷化铝镓(AlGaAs)与氧的化合物、聚酰亚胺中的任一种构成。砷化铝镓与氧的化合物例如是将砷化铝镓氧化后得到的物质。
绝缘层40以位于载流子产生层10的表面14的悬空键为终端。这里，“位于载流子产生层的表面的悬空键”是指不参与构成载流子产生层10的表面14的原子间结合(例如镓与砷的结合)的电子(未成对电子)所占的结合键。并且，“以悬空键为终端”是指与位于载流子产生层10的表面14的悬空键结合。即，构成绝缘层40的原子能够与不参与构成载流子产生层10的表面14的原子间结合的电子所占的结合键结合。具体而言，构成绝缘层40的原子(例如硅、氧)能够与载流子产生层10的具有未成对电子的原子(例如镓、砷)共价结合。
接下来，对光导天线100的动作进行说明。在利用电极20、30对载流子产生层10施加电压的状态下，向电极20、30间(向电压施加部22、32间)照射光脉冲P。光脉冲P透过绝缘层40并照射载流子产生层10的区域12。
由于光脉冲P的照射，从而在载流子产生层10中瞬时生成载流子(例如电子)C。载流子C借助电极20、30所施加的电压而加速并在载流子产生层10中移动(行进)，从而在载流子产生层10中瞬间流过电流(光电流)。然后，产生具有与光电流的时间变化成比例的强度的太赫兹波T。光电流的时间变化与载流子产生层10的载流子迁移率成比例。因此，在光导天线100产生具有与载流子产生层10的载流子迁移率成比例的强度的太赫兹波T。
此外，在图示的例子中，载流子C从第一电极20侧向第二电极30侧移动，但是也可以从第二电极30侧向第一电极20侧移动。另外，对于光脉冲P所照射的位置、面积而言，只要利用光脉冲P来照射区域12即可，并不特别地限定。
光导天线100例如具有以下的特征。
在光导天线100中，包括被光脉冲P照射而形成载流子C、并且由半绝缘性基板构成的载流子产生层10。载流子产生层10中产生的载流子C能够在载流子产生层10中行进。半绝缘性基板与LT-GaAs层相比能够具有较高的载流子迁移率(电子迁移率)。因此，在光导天线100中，与载流子产生层由LT-GaAs层构成的情况相比，能够提高载流子迁移率，从而产生(放射)强度较大的太赫兹波。因此，在光导天线100中，能够实现高输出化。
并且，在光导天线100中，绝缘层40设置于俯视时被第一电极20与第二电极30之间的光脉冲P照射的区域12。这里，由于构成载流子产生层10的表面14的原子具有悬空键，所以会有在载流子产生层10的表面14附近行进的载流子C被悬空键捕获的情况。因此，若未在载流子产生层的表面(区域12)设置绝缘层，则存在如下情况：例如在光导天线的使用中，在载流子产生层的表面附着杂质，并且该杂质与载流子产生层发生反应，由此，载流子被悬空键捕获的程度产生变化。即，存在如下情况：因杂质与载流子产生层的反应而导致载流子产生层10的表面14的状态随时间变化，由此载流子被悬空键捕获的程度产生变化。因此，存在需要进行光导天线的校正的情况。构成载流子产生层10的表面14的原子具有悬空键，因此反应性较高，容易与附着的杂质发生反应。
针对上述那样的问题，在光导天线100中，能够利用绝缘层40，抑制载流子产生层10的区域12附着杂质。其结果是，光导天线100能够抑制因杂质而导致载流子被捕获的程度产生变化，从而具有较高的可靠性。
在光导天线100中，绝缘层40以位于载流子产生层10的表面14的悬空键为终端。因此，在光导天线100中，能够抑制在载流子产生层10的表面14附近行进的载流子C被悬空键捕获。因此，在光导天线100中，能够实现高输出化。
在光导天线100中，绝缘层40由氧化硅、氮化硅、或者砷化铝镓与氧的化合物中的任一种构成。因此，构成绝缘层40的原子能够通过载流子产生层10中不参与结合的悬空键，与构成载流子产生层10的表面14的原子结合。由此，在光导天线100中，能够抑制在载流子产生层10的表面14附近行进的载流子C被悬空键捕获。因此，在光导天线100中，能够实现高输出化。
2.光导天线的制造方法
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的光导天线100的制造方法进行说明。图4是示意性地表示本实施方式所涉及的的光导天线100的制造工序的剖视图，并且与图1对应。
如图4所示，在载流子产生层10上形成第一电极20以及第二电极30。电极20、30例如通过真空蒸镀法以及剥离法的组合等而形成。
如图1所示，在载流子产生层10上以及电极20、30上形成绝缘层40。具体而言，在载流子产生层10上以及电极20、30上，例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法、溅射法、EB蒸镀法等而成膜出绝缘层(未图示)，并通过对该绝缘层刻画图案来形成绝缘层40。刻画图案例如通过光刻以及蚀刻来进行。
通过以上的工序，能够制造光导天线100。
3.光导天线的变形例
3.1.第一变形例
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的第一变形例的光导天线进行说明。图5是示意性地表示本实施方式所涉及的第一变形例的光导天线200的剖视图，并且与图1对应。
以下，在本实施方式所涉及的第一变形例的光导天线200中，对于具有与本实施方式所涉及的光导天线100的构成部件相同的功能的部件，标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。这对于以下所示的本实施方式所涉及的第二变形例的光导天线也是相同的。
在上述光导天线100中，如图1所示，第一电极20以及第二电极30设置在载流子产生层10上。与此相对，在光导天线200中，如图5所示，第一电极20的一部分以及第二电极30的一部分设置在绝缘层40上。具体而言，第一电压施加部22的一部分以及第二电压施加部32的一部分设置在绝缘层40上。绝缘层40可以仅设置于区域12，还可以设置于区域12以外的表面14。
首先，在载流子产生层10上形成绝缘层40，接下来，在载流子产生层10上以及绝缘层40上形成电极20、30，从而制造光导天线200。
3.2.第二变形例
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的第二变形例的光导天线进行说明。图6是示意性地表示本实施方式所涉及的第二变形例的光导天线300的剖视图，并且与图1对应。
在上述光导天线100中，如图1所示，第一电极20以及第二电极30设置在载流子产生层10上。与此相对，在光导天线300中，如图6所示，第一电极20以及第二电极30设置在绝缘层40上。在图示的例子中，第一电极20的全部以及第二电极30的全部设置在绝缘层40上。
在光导天线300中，绝缘层40例如设置于载流子产生层10的表面14整个面。绝缘层40的厚度为能够利用电极20、30来对载流子产生层10施加电压的程度的厚度。
首先，在载流子产生层10上形成绝缘层40，接下来，在绝缘层40上形成电极20、30，从而制造光导天线300。
在光导天线300中，第一电极20以及第二电极30设置在绝缘层40上。因此，在光导天线300中，能够抑制在电极20、30间有漏电流流动，从而能够实现耐压性的提高。其结果是，光导天线300能够具有较高的可靠性，并能够提高成品率。并且，能够减少消耗电力。
4.太赫兹波产生装置
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的太赫兹波产生装置1000进行说明。图7是表示本实施方式所涉及的太赫兹波产生装置1000的结构的图。
如图7所示，太赫兹波产生装置1000包括光脉冲产生装置1010和本发明所涉及的光导天线。以下，作为本发明所涉及的光导天线，对使用光导天线100的例子进行说明。
光脉冲产生装置1010产生作为激发光的光脉冲(例如图1所示的光脉冲P)。光脉冲产生装置1010对光导天线100进行照射。光脉冲产生装置1010产生的光脉冲的宽度例如为1fs以上800fs以下。作为光脉冲产生装置1010，例如，使用飞秒光纤激光器、钛蓝宝石激光器。
如上所述，光导天线100被光脉冲照射而能够产生太赫兹波。
太赫兹波产生装置1000包括光导天线100，因此能够实现高输出化。
5.成像装置
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的成像装置1100进行说明。图8是表示本实施方式所涉及的成像装置1100的框图。图9是示意性地表示本实施方式所涉及的成像装置1100的太赫兹波检测部1120的俯视图。图10是表示对象物在太赫兹波段下的光谱的图表。图11是表示对象物的物质A、B以及C的分布的图像的图。
如图8所示，成像装置1100包括：产生太赫兹波的太赫兹波产生部1110；对从太赫兹波产生部1110射出、并透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部1120；以及根据太赫兹波检测部1120的检测结果来生成对象物O的图像、即生成图像数据的图像形成部1130。
作为太赫兹波产生部1110，能够使用本发明所涉及的太赫兹波产生装置。这里，对作为本发明所涉及的太赫兹波产生装置而使用太赫兹波产生装置1000的情况进行说明。
如图9所示，作为太赫兹波检测部1120，使用具备让目标波长的太赫兹波通过的滤波器80、以及对通过了滤波器80的上述目标波长的太赫兹波进行检测的检测部84的部件。另外，作为检测部84，例如使用将太赫兹波转换为热量来进行检测的部件、即使用将太赫兹波转换为热量，而能够检测该太赫兹波的能量(强度)的部件。作为这种检测部，例如列举热电传感器、辐射热测量计等。此外，太赫兹波检测部1120的结构并不限定于上述结构。
另外，滤波器80具有二维地配置的多个像素(单元滤波器部)82。即，各像素82呈矩阵状地配置。
另外，各像素82具有使相互不同的波长的太赫兹波通过的多个区域、即具有所通过的太赫兹波的波长(以下，也称为“通过波长”)相互不同的多个区域。此外，在图示的结构中，各像素82具有第一区域821、第二区域822、第三区域823以及第四区域824。
另外，检测部84具有分别与滤波器80的各像素82的第一区域821、第二区域822、第三区域823以及第四区域824对应的设置的第一单元检测部841、第二单元检测部842、第三单元检测部843以及第四单元检测部844。各第一单元检测部841、各第二单元检测部842、各第三单元检测部843以及各第四单元检测部844分别将通过了各像素82的第一区域821、第二区域822、第三区域823以及第四区域824的太赫兹波转换为热量来进行检测。由此，在各像素82的每一个中，能够分别可靠地检测4个目标波长的太赫兹波。
接下来，对成像装置1100的使用例进行说明。
首先，作为光谱成像的对象的对象物O由3种物质A、B以及C构成。成像装置1100进行该对象物O的光谱成像。另外，这里，作为一个例子，太赫兹波检测部1120对被对象物O反射的太赫兹波进行检测。
另外，在太赫兹波检测部1120的滤波器80的各像素82中，使用第一区域821以及第二区域822。在将第一区域821的通过波长设为λ1，将第二区域822的通过波长设为λ2，将被对象物O反射的太赫兹波的波长λ1的成分的强度设为α1，并将波长λ2的成分的强度设为α2时，以能够在物质A、物质B以及物质C中相互显著地区分上述强度α2与强度α1的差量(α2－α1)的方式，设定第一区域821的通过波长λ1以及第二区域822的通过波长λ2。
如图10所示，在物质A中，被对象物O反射的太赫兹波的波长λ2的成分的强度α2与波长λ1的成分的强度α1的差量(α2－α1)为正值。另外，在物质B中，强度α2与强度α1的差量(α2－α1)为零。另外，在物质C中，强度α2与强度α1的差量(α2－α1)为负值。
在利用成像装置1100进行对象物O的光谱成像时，首先，利用太赫兹波产生部1110产生太赫兹波，并向对象物O照射该太赫兹波。然后，利用太赫兹波检测部1120，将被对象物O反射的太赫兹波作为α1以及α2来进行检测。将该检测结果向图像形成部1130送出。此外，太赫兹波对该对象物O的照射以及被对象物O反射的太赫兹波的检测是针对对象物O的整体来进行的。
在图像形成部1130中，根据上述检测结果，求出通过了滤波器80的第二区域822的太赫兹波的波长λ2的成分的强度α2、与通过了第一区域821的太赫兹波的波长λ1的成分的强度α1的差量(α2－α1)。然后，判断并确定在对象物O中，上述差量为正值的部位是物质A，上述差量为零的部位是物质B，上述差量为负值的部位是物质C。
另外，如图11所示，在图像形成部1130中，生成对对象物O的物质A、B以及C的分布进行表示的图像的图像数据。将该图像数据从图像形成部1130向未图示的显示器送出，并且在该显示器中，显示对对象物O的物质A、B以及C的分布进行表示的图像。在该情况下，例如，区分颜色地将对象物O的物质A的分布区域显示为黑色、物质B的分布区域显示为灰色、物质C的分布区域显示为白色。在该成像装置1100中，如上所述，能够同时进行构成对象物O的各物质的鉴定和该各物质的分布测定。
此外，成像装置1100的用途并不限定于上述用途，例如，通过对人照射太赫兹波，并检测透过该人或者被该人反射的太赫兹波，而在图像形成部1130中进行处理，也能够辨别该人是否持有手枪、刀、违法药物等。
在成像装置1100中，包括能够实现高输出化的光导天线100。因此，成像装置1100能够具有较高的检测灵敏度。
6.测量装置
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的测量装置1200进行说明。图12是表示本实施方式所涉及的测量装置1200的框图。在以下说明的本实施方式所涉及的测量装置1200中，对于具有与上述成像装置1100的构成部件相同的功能的部件标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
如图12所示，测量装置1200包括：产生太赫兹波的太赫兹波产生部1110；对从太赫兹波产生部1110射出、并透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部1120；以及测量部1210，其根据太赫兹波检测部1120的检测结果来测量对象物O。
接下来，对测量装置1200的使用例进行说明。在利用测量装置1200进行对象物O的光谱测量时，首先，利用太赫兹波产生部1110来产生太赫兹波，并向对象物O照射该太赫兹波。然后，利用太赫兹波检测部1120对透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射的太赫兹波进行检测。将该检测结果向测量部1210送出。此外，太赫兹波对该对象物O的照射以及透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射的太赫兹波的检测是针对对象物O的整体来进行的。
在测量部1210中，从上述检测结果掌握通过了滤波器80的各像素82的第一区域821、第二区域822、第三区域823以及第四区域824的太赫兹波各自的强度，并进行对象物O的成分及其分布的分析等。
在测量装置1200中，包括能够实现高输出化的光导天线100。因此，测量装置1200能够具有较高的检测灵敏度。
7.拍摄装置
接下来，参照附图对本实施方式所涉及的拍摄装置1300进行说明。图13是表示本实施方式所涉及的拍摄装置1300的框图。图14是示意性地表示本实施方式所涉及的拍摄装置1300的立体图。在以下说明的本实施方式所涉及的拍摄装置1300中，对于具有与上述成像装置1100的构成部件相同的功能的部件标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
如图13以及图14所示，拍摄装置1300具有：产生太赫兹波的太赫兹波产生部1110；对从太赫兹波产生部1110射出、并透过对象物O的太赫兹波或者被对象物O反射的太赫兹波进行检测的太赫兹波检测部1120；以及存储部1301。而且，上述各部1110、1120、1301收纳于拍摄装置1300的筐体1310。另外，拍摄装置1300具备：使被对象物O反射的太赫兹波汇聚(成像)于太赫兹波检测部1120的透镜(光学系统)1320；以及用于使太赫兹波产生部1110所产生的太赫兹波向筐体1310的外部射出的窗部1330。透镜1320、窗部1330由使太赫兹波透过、折射的硅、石英、聚乙烯等部件构成。此外，窗部1330也可以是像狭缝那样仅设置有开口的结构。
接下来，对拍摄装置1300的使用例进行说明。在利用拍摄装置1300拍摄对象物O时，首先，利用太赫兹波产生部1110产生太赫兹波，并向对象物O照射该太赫兹波。然后，利用透镜1320使被对象物O反射的太赫兹波汇聚(成像)于太赫兹波检测部1120，从而进行检测。向存储部1301送出该检测结果，以进行存储。此外，针对对象物O的整体进行太赫兹波的朝向该对象物O的照射以及被对象物O反射的太赫兹波的检测。另外，例如也可以将上述检测结果发送至个人计算机等外部装置。在个人计算机中，能够根据上述检测结果来进行各处理。
在拍摄装置1300中，包括能够实现高输出化的光导天线100。因此，拍摄装置1300能够具有较高的检测灵敏度。
上述实施方式以及变形例为一个例子，而并不限定于这些实施方式以及变形例。例如，也能够适当地组合各实施方式以及各变形例。
本发明包括与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构，或者目的以及效果相同的结构)。另外，本发明包括对在实施方式中说明的结构的非本质的部分进行了置换的结构。另外，本发明包括能够起到与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或者能够实现相同的目的的结构。另外，本发明包括对在实施方式中说明的结构附加了公知技术的结构。
附图标记说明：10…载流子产生层；12…区域；14…表面；20…第一电极；22…第一电压施加部；24…第一线部；26…第一焊盘部；30…第二电极；32…第二电压施加部；34…第二线部；36…第二焊盘部；40…绝缘层；42…开口部；80…滤波器；82…像素；84…检测部；100、200、300…光导天线；821…第一区域；822…第二区域；823…第三区域；824…第四区域；841…第一单元检测部；842…第二单元检测部；843…第三单元检测部；844…第四单元检测部；1000…太赫兹波产生装置；1010…光脉冲产生装置；1100…成像装置；1110…太赫兹波产生部；1120…太赫兹波检测部；1130…图像形成部；1200…测量装置；1210…测量部；1300…拍摄装置；1301…存储部；1310…筐体；1320…透镜；1330…窗部。
Claims (8)
1.一种光导天线，其特征在于，
所述光导天线是被光脉冲照射而产生太赫兹波的光导天线，所述光导天线包括：
载流子产生层，其被所述光脉冲照射而形成载流子，所述载流子产生层由半绝缘性基板构成；
绝缘层，其位于所述载流子产生层上并能够使所述光脉冲透过；以及
第一电极和第二电极，它们位于所述载流子产生层的上方并对所述载流子产生层施加电压，
所述绝缘层俯视时设置于被所述第一电极与所述第二电极之间的所述光脉冲照射的区域。
2.根据权利要求1所述的光导天线，其特征在于，
所述第一电极和所述第二电极设置在所述绝缘层上。
3.根据权利要求1或2所述的光导天线，其特征在于，
所述绝缘层以位于所述载流子产生层的表面的悬空键为终端。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光导天线，其特征在于，
所述绝缘层由氧化硅、氮化硅、或者砷化铝镓与氧的化合物中的任一种构成。
5.一种太赫兹波产生装置，其特征在于，包括：
光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲；和
权利要求1～4中任一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波。
6.一种拍摄装置，其特征在于，包括：
光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲；
权利要求1～4中任一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波；
太赫兹波检测部，其对从所述光导天线射出而透过对象物的所述太赫兹波或者被对象物反射的所述太赫兹波进行检测；以及
存储部，其存储所述太赫兹波检测部的检测结果。
7.一种成像装置，其特征在于，包括：
光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲；
权利要求1～4中任一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波；
太赫兹波检测部，其对从所述光导天线射出而透过对象物的所述太赫兹波或者被对象物反射的所述太赫兹波进行检测；以及
图像形成部，其根据所述太赫兹波检测部的检测结果来生成所述对象物的图像。
8.一种测量装置，其特征在于，包括：
光脉冲产生装置，其产生所述光脉冲；
权利要求1～4中任一项所述的光导天线，所述光导天线被所述光脉冲照射而产生所述太赫兹波；
太赫兹波检测部，其对从所述光导天线射出而透过对象物的所述太赫兹波或者被对象物反射的所述太赫兹波进行检测；以及
测量部，其根据所述太赫兹波检测部的检测结果来测量所述对象物。
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP6789049B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-11-25 | 株式会社日立製作所 | 検査装置及び検査方法 |
| US11804839B1 (en) * | 2020-01-28 | 2023-10-31 | Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force | Integrated trigger photoconductive semiconductor switch |
| CN114397243B (zh) * | 2021-12-31 | 2024-03-29 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种用于近场测试的太赫兹收发处理方法和探头 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101464608A (zh) * | 2007-12-20 | 2009-06-24 | Ncr公司 | 光导器件 |
| US20100052083A1 (en) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive device |
| CN102842839A (zh) * | 2011-06-24 | 2012-12-26 | 精工爱普生株式会社 | 太赫兹波产生装置、相机、成像装置和测量装置 |
| CN103219631A (zh) * | 2012-01-18 | 2013-07-24 | 精工爱普生株式会社 | 光导天线、太赫兹波产生装置、拍摄装置、成像装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11330504A (ja) | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Advantest Corp | Ｍｓｍフォトコンダクター素子 |
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Patent Citations (4)
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