CN104838671A - 半导体器件连接构造、超声波模块以及搭载有超声波模块的超声波内视镜系统 - Google Patents

半导体器件连接构造、超声波模块以及搭载有超声波模块的超声波内视镜系统 Download PDF

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Abstract

提供一种半导体器件连接构造，能够不对半导体元件的性能产生影响，而通过简单的方法提高粘合强度。本发明的半导体器件连接构造的特征在于，具备：硅衬底，成为板状，在表面具有外部连接电极；支撑部件，粘合于硅衬底的背面，粘合面成为与硅衬底大致相同形状的柱状，其厚度比硅衬底厚；以及挠性基板，内部具有与外部连接电极连接的内导线，挠性基板配置在硅衬底的侧面，并且挠性基板通过粘合剂与支撑部件粘合。

Description

半导体器件连接构造、超声波模块以及搭载有超声波模块的超声波内视镜系统
技术领域
本发明涉及将半导体元件与挠性基板连接的半导体器件连接构造、超声波模块以及搭载有超声波模块的超声波内视镜系统。
背景技术
以往，公开有一种技术，在将具有内导线以及基底膜的挠性基板与具有外部连接电极的基板进行连接的半导体器件中，在该基板的侧面侧通过粘合剂来粘合基底膜(例如，参照专利文献1)。
此外，公开有一种技术，在具有摄像元件和挠性基板的摄像模块中，通过具有沿着摄像元件的背面延伸的部分的引导部件，对上述摄像元件和上述挠性基板进行固定(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4100965号公报
专利文献2：日本特开2009-188802号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，近年来，半导体元件具有薄型化的趋势，因此在侧面进行粘合的专利文献1记载的技术中，有时粘合强度不充分。
另一方面，在专利文献2的技术中，在作为引导部件而使用粘合剂的情况下，虽然通过沿着摄像元件的背面延伸的部分能够扩大粘合面积，但是由于粘合剂会绕到半导体元件表面，因此有可能对半导体元件的性能产生负面影响。
本发明是鉴于上述情况而进行的，其目的在于提供一种半导体器件连接构造，能够不对半导体元件的性能产生影响，而通过简单的方法提高粘合强度。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题并实现目的，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，具备：半导体元件，形成板状，在表面具有外部连接电极；支撑部件，层叠于上述半导体元件而与上述半导体元件粘合，粘合面成为与上述半导体元件大致相同形状的柱状，层叠方向的厚度比上述半导体元件厚；以及挠性基板，与上述外部连接电极连接，上述挠性基板配置于上述半导体元件以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，在上述支撑部件的与上述半导体元件粘合的粘合面附近设置有粘合剂存积部。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，上述支撑部件的粘合面的不与上述挠性基板相接的边的长度，比上述半导体元件的不与上述挠性基板相接的边的长度短。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，在上述支撑部件和上述挠性基板上形成有对准标记。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，在上述支撑部件形成有电路。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，上述对准标记为电极。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，上述支撑部件具有中空部。
此外，本发明的半导体器件连接构造的特征在于，在上述发明中，上述半导体元件为超声波振子，在上述支撑部件内部的中空部配置对超声波的传播进行吸收的衬底材料。
此外，本发明的超声波模块的特征在于，具备：多个超声波元件，在表面具有外部连接电极，成为棱柱状；支撑部件，层叠于在与长边方向正交的方向上排列有多个的上述多个超声波振子而与该超声波元件粘合，层叠方向的厚度比上述超声波振子厚；以及挠性基板，与上述外部连接电极连接，上述挠性基板配置在上述超声波振子以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。
此外，本发明的超声波内视镜系统的特征在于，在前端部搭载有上述超声波模块。
发明的效果
根据本发明，通过将配置在半导体元件以及支撑部件的侧面的挠性基板、与层叠于半导体元件而粘合的支撑部件进行粘合，由此能够不对半导体元件的性能产生影响而提高粘合强度。
附图说明
图1是本发明的实施方式1的半导体器件连接构造的立体图。
图2是图1的半导体器件连接构造的A-A线截面图。
图3是本发明的实施方式1的变形例1的半导体器件连接构造的立体图。
图4是图3的半导体器件连接构造的B-B线截面图。
图5是本发明的实施方式1的变形例2的半导体器件连接构造的截面图。
图6是本发明的实施方式1的变形例3的半导体器件连接构造的截面图。
图7是本发明的实施方式2的半导体器件连接构造的立体图。
图8是图7的半导体器件连接构造的C-C线截面图。
图9是本发明的实施方式3的半导体器件连接构造的立体图。
图10是表示本发明的实施方式3的半导体器件连接构造的挠性基板粘合前的构造的立体图。
图11是图9的半导体器件连接构造的D-D线截面图。
图12是对本发明的实施方式3的变形例的半导体器件连接构造进行说明的立体图。
图13是本发明的实施方式4的半导体器件连接构造的立体图。
图14是图13的半导体器件连接构造的E-E线截面图。
图15是本发明的实施方式4的变形例的半导体器件连接构造的截面图。
图16是表示本发明的实施方式5的超声波模块所使用的超声波振子的构成的示意图。
图17是示意性地表示本发明的实施方式5的超声波模块的立体图。
图18是使用了超声波模块的超声波内视镜系统的整体构成图。
图19是表示图18的超声波内视镜系统的插入部的前端部的构造的图。
图20是表示图19的前端部的超声波模块的构造的图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式(以下，称为“实施方式”)进行说明。此外，不通过该实施方式来限定本发明。此外，在附图的记载中，对于相同部分赋予相同的符号。此外，附图是示意图，需要留意各部件的厚度与宽度的关系、各部件的比率等与现实不同。即使在附图的相互间，也包括相互的尺寸的关系、比率不同的部分。
(实施方式1)
图1是本发明的实施方式1的半导体器件连接构造的立体图。图2是图1的半导体器件连接构造的A-A线截面图。本发明的实施方式1的半导体器件连接构造100具备硅衬底1、支撑部件2以及挠性基板3。
硅衬底1成为板状，在表面具备外部连接电极4。在图1中表示具有2个外部连接电极4的硅衬底1，但外部连接电极4的数量不限定于此。此外，硅衬底1包含于本发明的半导体元件。
支撑部件2层叠于硅衬底1而与硅衬底1粘合，支撑部件2的与硅衬底1粘合的粘合面，为与硅衬底1的粘合面大致相同形状的柱状。在本实施方式1中，支撑部件2的层叠方向的厚度形成为比硅衬底1的层叠方向的厚度更厚。支撑部件2的厚度优选为0.5mm程度以上的厚度。
支撑部件2例如由树脂等形成，将加工为规定形状的支撑部件2通过粘合剂与硅衬底1层叠而粘合。或者，也可以在使未固化的树脂固化而形成支撑部件2时，与硅衬底1粘合。此外，支撑部件2的材料只要是能够担保绝缘性的材料，则不限定于树脂。
挠性基板3在内部具有内导线5，通过能够弯曲的绝缘性薄膜6覆盖内导线5而成。挠性基板3配置在硅衬底1以及支撑部件2的侧面，将未被绝缘性薄膜6覆盖的内导线5折弯，由此与硅衬底1的外部连接电极4连接。内导线5与外部连接电极4的连接例如通过焊锡那样的导电性接合材料来电连接。
支撑部件2与挠性基板3通过粘合剂7粘合。在本实施方式1中，将支撑部件2的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底1的层叠方向的厚度，因此粘合面积变大，能够使固定强度提高。
此外，在本实施方式1中，未将硅衬底1的侧面与挠性基板3进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底1的表面，不会对硅衬底1的性能产生影响。
在上述实施方式1的半导体器件连接构造100中，在硅衬底1的一个侧面配置挠性基板3并进行连接，但在对置的2个侧面配置个别的挠性基板3而不进行连接。
图3是本发明的实施方式1的变形例1的半导体器件连接构造的立体图。图4是图3的半导体器件连接构造的B-B线截面图。在变形例1的半导体器件连接构造100A中，在硅衬底1A的对置的侧面配置个别的挠性基板3，各挠性基板3通过粘合剂7粘合在层叠于硅衬底1A而粘合的支撑部件2的侧面。
在实施方式1的变形例1中，与实施方式1同样，通过将支撑部件2的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底1A的层叠方向的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高。此外，在变形例1中，与实施方式1同样，粘合剂7不会绕到硅衬底1A的表面，因此起到不对硅衬底1A的性能产生影响这种效果。
此外，为了防止粘合剂绕到硅衬底，也可以在支撑部件形成粘合剂存积部。图5是本发明的实施方式1的变形例2的半导体器件连接构造的截面图。变形例2的半导体器件连接构造100B为，在支撑部件2B的与硅衬底1A接触的面侧形成有槽状的粘合剂存积部8。
根据实施方式1的变形例2，通过将支撑部件2B的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底1A的层叠方向的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，此外，通过形成粘合剂存积部8，由此能够有效地抑制粘合剂7绕到硅衬底1表面，因此能够起到不对硅衬底1A的性能产生影响这种效果。
并且，此外，为了防止粘合剂绕到硅衬底，而形成为，使支撑部件比硅衬底小，例如使支撑部件的与硅衬底粘合的粘合面的不与挠性基板相接的边的长度比硅衬底短。图6是本发明的实施方式1的变形例3的半导体器件连接构造的截面图。在实施方式1的变形例3中形成为，使支撑部件2C的与硅衬底1A粘合的粘合面的不与挠性基板3相接的边的长度r2短于硅衬底1A的不与挠性基板3相接的边的长度r1。
根据实施方式1的变形例3，通过将支撑部件2C的层叠方向的厚度形成得厚于硅衬底1A的层叠方向的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，通过使支撑部件2C的与硅衬底1A粘合的粘合面的不与挠性基板3相接的边的长度r2短于硅衬底1A的不与挠性基板3相接的边的长度r1，由此硅衬底1A与挠性基板3形成的间隔变狭，因此能够有效地抑制粘合剂7绕到硅衬底1A表面，起到不对硅衬底1A的性能产生影响这种效果。此外，在图6中，在硅衬底1A与挠性基板3之间不具有间隙，但在硅衬底1A与挠性基板3之间也可以具有间隙。
(实施方式2)
图7是本发明的实施方式2的半导体器件连接构造的立体图。图8是图7的半导体器件连接构造的C-C线截面图。本实施方式2的半导体器件连接构造200与实施方式1的不同点在于，在支撑部件2D上形成有用于对挠性基板3D进行对位的对准标记。
在支撑部件2D上，作为对准标记而形成有对位用突起9。此外，在挠性基板3D上，形成有供对位用突起9嵌合的对位用孔部10。
根据实施方式2，通过将支撑部件2D的厚度形成得厚于硅衬底1的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将硅衬底1的侧面与挠性基板3D进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底1的表面，不对硅衬底1的性能产生影响。并且，通过使对位用突起9与对位用孔部10对位而嵌合，由此能够容易地进行对位，能够容易地进行连接。此外，在图8中，在硅衬底1与挠性基板3D之间不具有间隙，但在硅衬底1与挠性基板3D之间也可以具有间隙。
(实施方式3)
图9是本发明的实施方式3的半导体器件连接构造的立体图。图10是表示本发明的实施方式3的半导体器件连接构造的挠性基板粘合前的构造的立体图。图11是图9的半导体器件连接构造的D-D线截面图。本实施方式3的半导体器件连接构造300与实施方式1以及2的不同点在于，在支撑部件2E上形成有电路。
如图9以及图10所示那样，在支撑部件2E上形成有布线11以及连接电极12等电路。支撑部件2E能够通过形成有电路的硅衬底、在树脂上形成有电路的MID(Molded Interconnect Device：模塑互连器件)、以及形成有电路的玻璃钢板基板或者陶瓷基板等制成。
此外，如图11所示那样，连接电极12与挠性基板3E上所形成的连接电极13连接。
根据实施方式3，通过将支撑部件2E的厚度形成得厚于硅衬底1的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将硅衬底1的侧面与挠性基板3E进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底1的表面，不会对硅衬底1的性能产生影响。并且，在支撑部件2E上形成有电路，因此布线走线的自由度较高。此外，由于还能够在支撑部件2E上安装电子部件，因此能够有效利用空间，由此还能够小型化。此外，在图11中，在硅衬底1与挠性基板3E之间不具有间隙，但在硅衬底1与挠性基板3E之间也可以具有间隙。
此外，如图12所示那样，通过将支撑部件2F上所形成的对位用电极12A以及挠性基板3F上所形成的对位用电极13A形成为对准标记，由此对位变得容易，能够容易地制造半导体器件连接构造300F。
(实施方式4)
图13是本发明的实施方式4的半导体器件连接构造的立体图。图14是图13的半导体器件连接构造的E-E线截面图。本发明的实施方式的半导体器件连接构造400的支撑部件2G与实施方式1的不同点在于，内部为中空。
半导体器件连接构造400为，通过使支撑部件2G的内部成为中空，由此能够将电子部件15等安装于该空间。
根据实施方式4，通过将支撑部件2G的厚度形成得厚于硅衬底1的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将硅衬底1的侧面与挠性基板3进行粘合，因此粘合剂7不会绕到硅衬底1的表面，不会对硅衬底1的性能产生影响。并且，通过使支撑部件2G的内部成为中空，由此还能够安装电子部件15，因此能够有效利用空间，由此还能够小型化。
此外，在作为半导体器件而使用超声波振子的情况下，能够在支撑部件内的中空部分配置衬底材料。图15是本发明的实施方式4的变形例1的半导体器件连接构造的截面图。在此，衬底材料16配置在超声波振子14的超声波振动产生部的正背面。
变形例1的半导体器件连接构造400H为，通过使对超声波振子14进行支撑的支撑部件2H的内部成为中空，并在该空间中配置衬底材料16，由此能够确保所需要的振动的衰减，超声波特性变得良好，因此能够实现超声波图像的高画质化。
并且，根据变形例1，通过将支撑部件2H的厚度形成得厚于超声波振子14的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将超声波振子14的侧面与挠性基板3进行粘合，因此不会阻碍超声波振子14的机械的变形。
(实施方式5)
图16是表示本发明的实施方式5的超声波模块所使用的超声波振子的构成的示意图。图17是示意地表示本发明的实施方式5的超声波模块的立体图。此外，图17仅表示超声波模块500的连接构造部分，省略超声波模块500的下方部分。
如图16以及图17所示那样，在本实施方式5的超声波模块500中，超声波振子14I成为棱柱状，多个超声波振子14I在与长边方向正交的方向上排列有多个，并与支撑部件2I粘合。通过将支撑部件2I的超声波振子14I所粘合的面形成为弯曲形状，由此多个超声波振子14I配置为弯曲形状。支撑部件2I与实施方式4的支撑部件2H同样，优选内部形成为中空，并在该中空内部配置衬底材料。
在超声波振子14I的两端分别形成有外部连接电极4，外部连接电极4与形成为规定形状的挠性基板3I内的内导线5连接。
根据实施方式5，通过将支撑部件2I的厚度形成得厚于超声波振子14I的厚度，由此粘合面积变大，能够使固定强度提高，由于不将超声波振子14I的侧面与挠性基板3I进行粘合，因此能够阻碍超声波振子14I的机械的变形。此外，通过将超声波振子14I成为棱柱状并配置多个，由此能够容易地制造所希望的形状的超声波模块500。
此外，上述的本实施方式5的超声波模块500，例如设置于图18所示的超声波内视镜系统20的超声波内视镜30的前端。图18是使用了超声波模块的超声波内视镜系统的整体构成图。图19是表示图18的超声波内视镜系统的插入部的前端部的构造的图。图20是表示图19的前端部的超声波模块的构造的图。
首先，对超声波内视镜系统20的整体构成进行说明。图18所示的超声波内视镜系统20构成为，具备超声波内视镜30、超声波观测装置40以及监视器50。此外，超声波内视镜30构成为，具备向体内插入的细长的插入部60、与插入部60的基端连续设置的操作部70、以及从操作部70的侧部延伸的综合电缆80。
在此，在综合电缆80的基端部配设有与光源装置(未图示)连接的连接器81。从连接器81延伸出：经由连接器82a与摄像机控制单元(未图示)连接的电缆82；以及经由连接器83a与超声波观测装置40装卸自如地连接的电缆83。然后，在超声波内视镜30上经由连接器83a连接有超声波观测装置40，并且经由超声波观测装置40连接有监视器50。
插入部60为，从前端侧依次连续设置有：前端硬质部(以下，称为“前端部”)61；位于前端部61的后端的弯曲部62；以及挠性管部63，细径且长条，具有挠性，位于弯曲部62的后端而达到操作部70；而构成主要部分。
如图19所示那样，在前端部61的前端侧配设有超声波模块500A。超声波模块500A是实施方式5的变形例的超声波模块。此外，在比超声波模块500A更靠基部一侧，在前端部61上配设有构成照明光学系统的照明用透镜66以及观察光学系统的观察用透镜67，兼作吸引口的前端开口即钳子口68是手术工具插入路的导出口。在钳子口68配设有手术工具提升台(未图示)。手术工具提升台上连接有未图示的操作线，通过对未图示的钳子提升手柄进行操作，由此对操作线进行牵引，能够机械能从手术工具插入路导出的穿刺针69的导出角度的调整。
在操作部70配设有：角度手柄71，将弯曲部62向所希望的方向进行弯曲控制；送气送水按钮72，进行送气以及送水操作；吸引按钮73，进行吸引操作；以及手术工具插入口74，成为向体内导入的手术工具的入口。
在此，手术工具插入口74经由设置于插入部60的内部的手术工具插入通道(未图示)与钳子口68连通。在该手术工具插入口74，能够插入超声波用手术工具(未图示)的护套。然后，通过使插入护套内的穿刺针69从钳子口68突出，由此能够使穿刺针69能够进退地配置在超声波模块500A的观察视野内。
如图20所示那样，超声波模块500A的超声波振子阵列45例如具有俯视成为矩形状的多个超声波振子要素46，并由这些超声波振子要素46的长边相互连结而弯曲配置为圆弧形状的凸面型振子组构成。即，在超声波振子阵列45中，例如，在半径5mm的圆弧的侧面，沿180度方向配设有100个短边为0.1mm以下的超声波振子要素46。此外，图20所示的超声波振子阵列45采用凸面型，但是例如也能够采用实施了二维排列的放射型、不弯曲的直线型振子组。
在圆弧状的超声波振子阵列45的一端部排列有设置在各超声波振子要素46的一端部的电极端子41，这些电极端子41经由挠性基板(FPC基板)与从同轴电缆束47分支的各信号线48分别连接。另一方面，在超声波振子阵列45的另一端部排列有设置在各超声波振子要素46的另一端部的电极端子42，这些电极端子42与从同轴电缆束47分支的地线49分别连接。
通过如上述那样构成的超声波内视镜系统20，在插入部60的前端设置进行超声波的收发的超声波模块500A，使将该插入部60插入被检体的体内而得到的脏器等的超声波图像显示于监视器50的显示部，并且使通过内视镜观察功能摄像的体内图像显示于显示部，由此能够进行诊断对象的观察·诊断等。
工业上的可利用性
如以上那样，本发明的半导体器件连接构造对于安装各种半导体元件的半导体器件有用，特别是适合于具备用于对被检者的脏器内部进行观察的超声波探触子的内视镜系统等。
符号的说明
1、1A  硅衬底
2、2B、2C、2D、2E、2F、2G、2H、2I  支撑部件
3、3D、3E、3F、3I  挠性基板
4  外部连接电极
5  内导线
6  绝缘性薄膜
7  粘合剂
8  粘合剂存积部
9  对位用突起
10 对位用孔部
11 布线
12、13 连接电极
12A、13A 对位用电极
14、14I 超声波振子
15 电子部件
16 衬底材料
20 超声波内视镜系统
30 超声波内视镜
40 超声波观测装置
41、42 电极端子
45 超声波振子阵列
46 超声波振子要素
47 同轴电缆束
48 信号线
49 地线
50 监视器
60 插入部
61 前端硬质部
62 弯曲部
63 挠性管部
66 照明用透镜
67 观察用透镜
68 钳子口
69 穿刺针
70 操作部
71 角度手柄
72 送气送水按钮
73 吸引按钮
74 手术工具插入口
80 综合电缆
81、82a、83a 连接器
82、83 电缆
100、100A、100B、100C、200、300、300F、400、400H 半导体器件连接构造
500、500A 超声波模块
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种半导体器件连接构造，其特征在于，具备：
半导体元件，形成板状，在表面具有外部连接电极；
支撑部件，层叠于上述半导体元件并与上述半导体元件粘合，粘合面成为与上述半导体元件大致相同形状的柱状，层叠方向的厚度比上述半导体元件厚；以及
挠性基板，与上述外部连接电极电连接，
上述挠性基板配置于上述半导体元件以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂仅与上述支撑部件的侧面粘合。
2.如权利要求1记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
在上述支撑部件的与上述半导体元件粘合的粘合面附近设置有粘合剂存积部。
3.(修改后)如权利要求1记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
将上述支撑部件相对于上述半导体元件配置为，上述半导体元件侧面与上述挠性基板之间的间隔比上述支撑部件侧面与上述挠性基板之间的间隔窄。
4.如权利要求1～3任一项记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
在上述支撑部件和上述挠性基板上形成有对准标记。
5.如权利要求1～4任一项记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
在上述支撑部件形成有电路。
6.如权利要求4记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述对准标记为电极。
7.如权利要求1～6任一项记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述支撑部件具有中空部。
8.如权利要求7记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述半导体元件为超声波振子，
在上述支撑部件内部的中空部配置对超声波的传播进行吸收的衬底材料。
9.一种超声波模块，特征在于，具备：
多个超声波元件，在表面具有外部连接电极，成为棱柱状；
支撑部件，层叠于在与长边方向正交的方向上排列有多个的上述多个超声波振子并与该超声波元件粘合，层叠方向的厚度比上述超声波振子厚；以及
挠性基板，与上述外部连接电极连接，
上述挠性基板配置在上述超声波振子以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。
10.一种超声波内视镜系统，其特征在于，
具备权利要求9记载的超声波模块。
11.(追加)、如权利要求7记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
具有在上述中空部内的上述支撑部件上自动力移动的电子部件。

Claims (10)

1.一种半导体器件连接构造，其特征在于，具备：
半导体元件，形成板状，在表面具有外部连接电极；
支撑部件，层叠于上述半导体元件并与上述半导体元件粘合，粘合面成为与上述半导体元件大致相同形状的柱状，层叠方向的厚度比上述半导体元件厚；以及
挠性基板，与上述外部连接电极连接，
上述挠性基板配置于上述半导体元件以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。
2.如权利要求1记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
在上述支撑部件的与上述半导体元件粘合的粘合面附近设置有粘合剂存积部。
3.如权利要求1记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述支撑部件的粘合面的不与上述挠性基板相接的边的长度，比上述半导体元件的不与上述挠性基板相接的边的长度短。
4.如权利要求1～3任一项记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
在上述支撑部件和上述挠性基板上形成有对准标记。
5.如权利要求1～4任一项记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
在上述支撑部件形成有电路。
6.如权利要求4记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述对准标记为电极。
7.如权利要求1～6任一项记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述支撑部件具有中空部。
8.如权利要求7记载的半导体器件连接构造，其特征在于，
上述半导体元件为超声波振子，
在上述支撑部件内部的中空部配置对超声波的传播进行吸收的衬底材料。
9.一种超声波模块，特征在于，具备：
多个超声波元件，在表面具有外部连接电极，成为棱柱状；
支撑部件，层叠于在与长边方向正交的方向上排列有多个的上述多个超声波振子并与该超声波元件粘合，层叠方向的厚度比上述超声波振子厚；以及
挠性基板，与上述外部连接电极连接，
上述挠性基板配置在上述超声波振子以及上述支撑部件的侧面，并且通过粘合剂与上述支撑部件粘合。
10.一种超声波内视镜系统，其特征在于，
具备权利要求9记载的超声波模块。
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