CN104808377A - 显示对位标记位置的方法,阵列基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示对位标记位置的方法,阵列基板及其制备方法。显示对位标记位置的方法包括如下步骤:在衬底基板的第一板面形成对位标记;形成覆盖所述对位标记的第一隔离层;在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。阵列基板的制造方法,其包括显示对位标记位置的方法。阵列基板的制造方法制造出的阵列基板。上述与现有技术相比,本发明解决了不能显示出对位标记的位置的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及阵列基板的制备领域,特别涉及一种显示对位标记位置的方法,阵列基板及其制备方法。
背景技术
现有的液晶显示面板中,已经存在将彩膜层直接形成在阵列基板上(Colorfilter On Array,简称COA)的技术,该技术能够提高液晶显示面板的开口率,进而提高液晶显示面板的亮度和画面品质。这样的阵列基板的制备过程,包括如下步骤:
步骤1:在衬底基板之上形成对位标记和薄膜晶体管开关;在对位标记,薄膜晶体管开关和衬底基板之上形成第一隔离层;
步骤2:在第一隔离层的表面涂覆黑矩阵材料,形成黑矩阵材料膜层,即对位标记之上覆盖有第一隔离层和黑矩阵材料膜层,这样,对位标记被第一隔离层和黑矩阵材料膜层遮盖住,不能显示出对位标记的位置;
步骤3:曝光机以对位标记进行对位,对黑矩阵材料膜层进行曝光,形成与前序工艺的其他图形相对位的黑矩阵图形。现有的曝光机与对位标记的对位是透射光方式。由于黑矩阵材料膜层的光密度较高,会导致曝光机无法清晰的识别黑矩阵材料膜层下的对位标记。
发明内容
本发明提供了一种显示对位标记位置的方法,阵列基板及其制备方法,与现有技术相比,解决了不能显示出对位标记的位置的技术问题。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示对位标记位置的方法,包括如下步骤:
在衬底基板的第一板面形成对位标记;
形成覆盖所述对位标记的第一隔离层;
在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;
在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;
在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。
优选的,所述第一极性涂料是亲水性涂料,所述第二极性材料是疏水性黑色材料。
优选的,所述亲水性涂料是超亲水性涂料,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。
本发明还提供以下技术方案:
一种阵列基板的制备方法,包括如下步骤:
在衬底基板的第一板面形成对位标记和薄膜晶体管开关;
形成覆盖所述对位标记,薄膜晶体管开关和衬底基板的第一隔离层;
在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;
在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;
在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆第二极性黑矩阵材料,所述第二极性黑矩阵材料在所述第一极性涂料表面无法附着,所述第二极性黑矩阵材料和第一极性涂料图形之间形成边界,显示出所述对位标记的位置。
优选的,所述第一极性涂料是亲水性涂料,所述第二极性黑矩阵材料是疏水性黑矩阵材料。
优选的,所述亲水性涂料是超亲水性涂料,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。
优选的,所述第一极性涂料是曝光机可透过的亲水性涂料;
所述阵列基板的制备方法还包括以下步骤:
曝光机透过所述第一极性涂料识别所述对位标记,根据对位标记进行对位,对所述黑矩阵材料进行曝光,形成黑矩阵图形。
优选的,还包括如下步骤:
在所述黑矩阵图形形成的空间内形成像素。
优选的,所述在衬底基板的第一板面形成薄膜晶体管开关具体包括如下步骤:
在衬底基板的第一板面形成与所述对位标记位于同一层的栅极;
形成覆盖所述栅极,对位标记和衬底基板的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层的表面且位于栅极上方的位置形成有源层;
在所述有源层和栅极绝缘层的表面形成跨接在所述有源层表面的源极和漏极;所述第一隔离层覆盖所述源极,漏极,有源层和栅极绝缘层。
本发明还提供以下技术方案:
一种阵列基板,采用所述的阵列基板的制备方法制备的阵列基板。
本发明提供的显示对位标记位置的方法,对位标记形成在衬底基板的第一板面且位于第一隔离层的过孔内;在过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;在第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。这样,虽然对位标记被第一极性涂料图形覆盖,但是由于第一极性涂料图形的表面没有第二极性材料,而第一隔离层表面除过孔处的位置形成第二极性涂料膜层,使得所述第二极性材料膜层和第一极性涂料图形之间形成边界,通过边界可以显示出对位标记的位置。
附图说明
图1为本发明的一个实施例的显示对位标记位置的方法的流程图;
图2为本发明的一个实施例的阵列基板的制备方法的流程图;
图3为图2所示的在衬底基板的第一板面形成对位标记和薄膜晶体管开关的示意图;
图4为图2所示的形成覆盖所述对位标记,薄膜晶体管开关和衬底基板的第一隔离层的示意图;
图5为图2所示的在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记的示意图;
图6为图2所示的在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形的示意图;
图7为图2所示的在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性黑矩阵材料,形成第二极性黑矩阵涂料膜层的示意图。
主要元件附图标记说明:
100衬底基板,200对位标记,310栅极,320栅极绝缘层,330有源层,
400第一隔离层,410过孔,
510第一极性涂料图形,520第二极性黑矩阵涂料膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
本发明的一个实施例的显示对位标记位置的方法,如图1所示,包括如下步骤:
步骤S101:在衬底基板的第一板面形成对位标记;
步骤S102:形成覆盖所述对位标记的第一隔离层;
步骤S103:在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;
步骤S104:在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;
步骤S105:在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。
本实施例的显示对位标记位置的方法,对位标记形成在衬底基板的第一板面且位于第一隔离层的过孔内;在过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;在第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。这样,虽然对位标记被第一极性涂料图形覆盖,但是由于第一极性涂料图形的表面没有第二极性材料,而第一隔离层表面除过孔处的位置形成第二极性涂料膜层,使得所述第二极性材料膜层和第一极性涂料图形之间形成边界,通过边界可以显示出对位标记的位置。
作为一种优选的方式,所述第一极性涂料是亲水性涂料,所述第二极性材料是疏水性材料。
为了更好地使第二极性涂料不附着在第一极性涂料的表面,所述第一极性涂料采用超亲水性涂料,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。这样,第一极性涂料图形的表面附着第二极性涂料几率更小,第二极性涂料膜层和第一极性涂料图形之间形成的边界更加清晰,能更清晰的显示出对位标记的位置。
作为一种优选的方式,第一极性涂料是由纳米二氧化碳,碳纳米管等多组分纳米单元经改性后复配而成的流动性乳液,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。
实施例二
本发明的第二个实施例的阵列基板的制备方法,如图2所示,包括如下步骤:
步骤S201:如图3所示,在衬底基板100的第一板面形成对位标记200和薄膜晶体管开关;
步骤S202:如图4所示,形成覆盖所述对位标记200,薄膜晶体管开关和衬底基板的第一隔离层400;
步骤S203:如图5所示,在所述第一隔离层400形成过孔410,露出所述对位标记200;
步骤S204:如图6所示,在所述过孔410处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形510;
步骤S205:如图7所示,在所述第一极性涂料图形510和第一隔离层400的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性黑矩阵材料,形成第二极性黑矩阵涂料膜层520。
本实施例的阵列基板的制备方法,对位标记形成在衬底基板的第一板面且位于第一隔离层形成的过孔内;在过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;在第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性黑矩阵材料,形成第二极性黑矩阵涂料膜层。这样,虽然对位标记被第一极性涂料图形覆盖,第二极性黑矩阵材料光密度较高,但是,由于第一极性涂料图形的表面没有第二极性黑矩阵材料,对对位标记和第一极性涂料图形没有遮盖作用;只有第一隔离层表面除过孔处的位置附着有第二极性黑矩阵材料,形成第二极性黑矩阵涂料膜层,使得第二极性黑矩阵涂料膜层和第一极性涂料图形之间形成边界,通过边界可以显示出对位标记的位置。这样,为曝光机快捷的找到对位标记的位置提供了条件。
作为一种优选的方式,第一极性涂料采用亲水性涂料,第二极性黑矩阵材料采用疏水性黑矩阵材料。
为了更好地使第二极性黑矩阵涂料不附着在第一极性涂料的表面,所述亲水性涂料是超亲水性涂料,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。这样,第一极性涂料图形的表面附着第二极性涂料几率更小,第二极性黑矩阵涂料膜层和第一极性涂料图形之间形成的边界更加清晰,能更清晰的显示出对位标记的位置。
作为一种优选的方式,第一极性涂料是由纳米二氧化碳,碳纳米管等多组分纳米单元经改性后复配而成的流动性乳液,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。
所述阵列基板的制备方法,在显示出所述对位标记的位置之后,还包括以下步骤:
曝光机透过所述第一极性涂料识别所述对位标记,根据对位标记进行对位,对所述黑矩阵材料进行曝光,形成黑矩阵图形;其中,所述第一极性涂料是曝光机可透过的亲水性涂料;
在所述黑矩阵图形形成的空间内形成像素,其中,像素形成彩膜层。这样,就制备出了形成有彩膜层的阵列基板。
在阵列基板的制备方法中,涂覆第二极性黑矩阵材料后会进行低压干燥,使第二极性黑矩阵材料的溶剂挥发,此时第一极性涂料也会挥发,就剩下少量固物质;曝光后就是显影水洗,由于固物质的亲水性也就溶解了,因此第一极性材料在整个曝光工艺内就去除了。
作为一种可选的方式,所述在衬底基板的第一板面形成薄膜晶体管开关具体包括如下步骤:如图7所示,
在衬底基板的第一板面形成与所述对位标记位于同一层的栅极310;
形成覆盖所述栅极310,对位标记200和衬底基板的栅极绝缘层320;
在所述栅极绝缘层320的表面且位于栅极310上方的位置形成有源层330;
在所述有源层330和栅极绝缘层320的表面形成跨接在所述有源层表面的源极和漏极;所述第一隔离层400覆盖所述源极,漏极,有源层330和栅极绝缘层320。
需要说明的是,上述在衬底基板的第一板面形成薄膜晶体管开关的具体步骤仅用于举例说明,不限于上述具体的方法,只要可以形成薄膜晶体管开关即可。
在液晶显示面板的制造过程中,对位标记所在的区域会被切除。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示对位标记位置的方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底基板的第一板面形成对位标记;
形成覆盖所述对位标记的第一隔离层;
在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;
在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;
在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性材料,形成第二极性涂料膜层。
2.根据权利要求1所述的显示对位标记位置的方法,其特征在于,所述第一极性涂料是亲水性涂料,所述第二极性材料是疏水性黑色材料。
3.根据权利要求2所述的显示对位标记位置的方法,其特征在于,所述亲水性涂料是超亲水性涂料,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。
4.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底基板的第一板面形成对位标记和薄膜晶体管开关;
形成覆盖所述对位标记,薄膜晶体管开关和衬底基板的第一隔离层;
在所述第一隔离层形成过孔,露出所述对位标记;
在所述过孔处涂覆第一极性涂料,形成第一极性涂料图形;
在所述第一极性涂料图形和第一隔离层的表面涂覆无法附着在第一极性涂料表面的第二极性黑矩阵材料,形成第二极性黑矩阵涂料膜层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一极性涂料是亲水性涂料,所述第二极性黑矩阵材料是疏水性黑矩阵材料。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述亲水性涂料是超亲水性涂料,持续亲水角小于5度,原生粒径为5~50纳米,比表面积大于200平方米每克。
7.根据权利要求4至6任一所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一极性涂料是曝光机可透过的亲水性涂料;
所述阵列基板的制备方法还包括以下步骤:
曝光机透过所述第一极性涂料识别所述对位标记,根据对位标记进行对位,对所述黑矩阵材料进行曝光,形成黑矩阵图形。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:
在所述黑矩阵图形形成的空间内形成像素。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板的第一板面形成薄膜晶体管开关具体包括如下步骤:
在衬底基板的第一板面形成与所述对位标记位于同一层的栅极;
形成覆盖所述栅极,对位标记和衬底基板的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层的表面且位于栅极上方的位置形成有源层;
在所述有源层和栅极绝缘层的表面形成跨接在所述有源层表面的源极和漏极;所述第一隔离层覆盖所述源极,漏极,有源层和栅极绝缘层。
10.一种阵列基板,其特征在于,采用权利要求4至9任一所述的阵列基板的制备方法制备的阵列基板。
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
CN106054482A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
CN107507822A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN107966865A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板 |
CN108117043A (zh) * | 2016-11-28 | 2018-06-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 |
CN108919582A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-11-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 黑色矩阵的制作方法及boa基板 |
WO2022183602A1 (zh) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板 |
Families Citing this family (1)
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130222719A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Japan Display East Inc. | Three-dimensional display device |
CN104317451A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-01-28 | 昆山龙腾光电有限公司 | 触控显示装置的制造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130222719A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Japan Display East Inc. | Three-dimensional display device |
CN103293755A (zh) * | 2012-02-24 | 2013-09-11 | 株式会社日本显示器东 | 立体显示装置 |
CN104317451A (zh) * | 2014-10-27 | 2015-01-28 | 昆山龙腾光电有限公司 | 触控显示装置的制造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106054482A (zh) * | 2016-08-17 | 2016-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
CN108117043A (zh) * | 2016-11-28 | 2018-06-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 |
CN108117043B (zh) * | 2016-11-28 | 2020-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 |
CN107507822A (zh) * | 2017-08-24 | 2017-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
CN107966865A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-04-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板 |
CN108919582A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-11-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 黑色矩阵的制作方法及boa基板 |
WO2022183602A1 (zh) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种Mini LED背光板的制作方法及Mini LED背光板 |
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