CN104804742B - 一种白光led用红色荧光粉及其制备方法 - Google Patents
一种白光led用红色荧光粉及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104804742B CN104804742B CN201510150338.XA CN201510150338A CN104804742B CN 104804742 B CN104804742 B CN 104804742B CN 201510150338 A CN201510150338 A CN 201510150338A CN 104804742 B CN104804742 B CN 104804742B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ion
- compound
- fluorescent powder
- preparation
- red fluorescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Abstract
本发明涉及一种白光LED用红色荧光粉及其制备方法。这种红色荧光粉的化学通式为Na2M gR2‑2xEu2xSi4O12F2，式中x是Eu3+掺杂R3+位的摩尔掺杂量，0.0001≤x≤1,其中，R3+为第三副族离子Gd3+、La3+、Y3+、Lu3+、Sc3+、Yb3+中的一种，采用固相烧结方法，在空气气氛中800～1100℃下灼烧4～10小时，冷却后即得到所述的白光LED用红色荧光粉。本发明公开的材料能被波长为250～420纳米的紫外光以及455～465纳米的蓝光有效激发，发射出中心波长在620纳米附近的红色荧光，发光强度高、热稳定性好，发光色度纯正，样品的结晶性好，颗粒细小，分布均匀，可用于白光LED及相关显示、照明器件，且其制备方法简单易行，合成温度低，明显降低生产能耗，无废水废气排放，对环境友好。
Description
技术领域
本发明涉及一种荧光粉及其制备方法，具体涉及一种白光LED用红色荧光粉及其制备方法，属于固体发光技术领域。
背景技术
白光LED是新型固态照明电光源(SSL)，是一种将电能转换为白光的固态半导体器件，又称半导体照明，其原理和结构不同于以往的白炽灯、荧光灯等真空电光源。SSL光源有许多优点，特别是光电效率高、寿命长、体积小、功率低、固态节能及绿色环保等优点，是公认的新型照明光源，因而在照明和显示领域具有巨大的应用前景。
目前，生产白光LED的技术主要有两种，一是利用超高亮度In-GaN蓝色LED，其管芯上加上少许的钇铝石榴石(YAG)为主体的荧光粉，发光粉的黄色荧光与LED芯片的蓝光混合而成，稳定性较好，但其发光较剌眼，同时由于光谱成分中缺少红光，造成色温偏高和显色性较差。还有一种是紫光LED芯片与三基色荧光材料组合，采用紫光LED芯片与三基色荧光材料组合的白光LED显色性得到明显提高，但是高效率荧光材料还比较缺乏，荧光材料之间存在颜色再吸收和配比调控问题。近年来，人们开始尝试采用近紫外-紫外发射的InGaN管芯激发三基色荧光粉以实现白光LED，
以获得高显色性、低色温的白光LED。紫外或近紫外LED与三基色荧光粉的组合，其显色性最好，荧光材料发光效率较高。但能被350～420纳米波长近紫外光有效激发的红色荧光粉很少，特别是综合其物理化学、发光效率、热稳定性后，能用于近紫外白光LED的红色荧光粉就更加缺少。因此开发性能较好的红色荧光材料，对于白光LED的应用具有非常重要的意义。目前LED用商业红色荧光粉主要是Y2O2S:Eu3+，该红色荧光粉为硫代物，因此其制备过程中需用到硫化物作为原料，并在保护气氛或还原气氛下进行煅烧，防止硫与空气中的氧反应，制备方法非常复杂；硫化物体系效率较低，化学稳定性差，易产生H2S气体而腐蚀LED芯片。
发明内容
针对上述现有技术存在的不足，本发明的目的是提供一种发光效率高、稳定性好、合成简单、环境友好的白光LED用红色荧光粉及其制备方法。
为了达到以上目的，本发明采用的技术方案是：一种白光LED用红色荧光粉，
化学式为Na2MgR2-2xEu2xSi4O12F2，
式中x是Eu3+掺杂R3+位的摩尔掺杂量，0.0001≤x≤1,其中，R3+为第三副族离子Gd3 +、La3+、Y3+、Lu3+、Sc3+、Yb3+中的一种。
如上所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，采用高温固相法，包括以下步骤：
(1)以含有镁离子Mg2+的化合物、含有第三副族离子R3+的化合物、含有铕离子Eu3+的化合物、含有硅离子Si4+的化合物为原料，按分子式Na2MgR2-2xEu2xSi4O12F2中对应元素的化学计量比称取各原料，其中x是Eu3+掺杂R3+位的摩尔掺杂量，0.0001≤x≤1；将称取的原料分别研磨，
再混合均匀，得到混合物，所述的第三副族离子R3+为Gd3+、La3+、Y3+、Lu3+、Sc3+、Yb3+中的一种；
(2)将上述混合物在空气气氛下煅烧，煅烧温度为300～700℃，煅烧时间为1～12小时；
(3)自然冷却后，按分子式中对应元素的摩尔比向混合物中加入含有氟离子F-的化合物与含有钠离子Na+的化合物，其中含有氟离子F-的化合物应过量20％～40％，研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度为700～1100℃，煅烧时间为2～11小时；将煅烧后的混合物自然冷却，再研磨混合均匀，即得到红色荧光粉。
本发明高温固相法的技术方案中，含有镁离子Mg2+的化合物为硝酸镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁中的一种；含有第三副族离子R3+的化合物为R的氧化物、硝酸盐中的一种；含有铕离子Eu3+的化合物为氧化铕、硝酸铕中的一种；含有硅离子Si4+的化合物为二氧化硅；含有氟离子F-的化合物为氟化铵；含有钠离子Na+的化合物为氟化钠。
本发明高温固相法的一个优选方案是，步骤(2)的煅烧温度为400～600℃，煅烧时间为3～10小时；步骤(3)的煅烧温度为800～1100℃，煅烧时间为4～10小时。
与现有技术相比，本发明技术方案的优点在于：
1、本发明制备的红色荧光粉与传统的该系列荧光粉相比，激发波长范围更宽，容易被250～420纳米的紫外光以及455～465纳米的蓝光高效激发，具有发光强度强、发光效率高等优点，将其配合适量的绿色、蓝色荧光粉，涂敷和封装于InGaN二极管外，可制备高效率的白光LED照明器件；
2、本发明制备的红色荧光粉，与其它硫化物、卤化物相比，具有很好的化学稳定性和热稳定性；
3、本发明制备的荧光粉制备工艺简单，易于操作，合成温度低(800～1100℃)，从而明显降低产品成本和能源消耗，材料制备对于设备的要求远远低于同类荧光粉；同时配合使用一定量的助剂，样品的结晶性好，颗粒细小，分布均匀，发光色度纯正；其基质原料来源丰富，价格低廉，无废水废气排放，对环境友好。
附图说明
图1是按本发明实施例1技术方案制备的材料样品的X射线粉末衍射图谱；
图2是按本发明实施例1技术方案制备的材料样品的扫描电镜图谱；
图3是按本发明实施例1技术方案制备的材料样品在395纳米的光激发下的发光光谱图；
图4是按本发明实施例1技术方案制备的材料样品在615纳米的光监测下得到的激发光谱图；
图5是按本发明实施例1技术方案制备的材料样品在激发光波长为355纳米，监测光波长为615纳米的发光衰减曲线；
图6是按本发明实施例4技术方案制备的材料样品的X射线粉末衍射图谱；
图7是按本发明实施例4技术方案制备的材料样品的扫描电镜图谱；
图8是按本发明实施例4技术方案制备的材料样品在395纳米的光激发下的发光光谱图；
图9是按本发明实施例4技术方案制备的材料样品在615纳米的光监测下得到的激发光谱图；
图10是按本发明实施例4技术方案制备的材料样品在激发光波长为355纳米，监测光波长为615纳米的发光衰减曲线。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案作进一步描述。
实施例1：
制备Na2MgGd1.9998Eu0.0002Si4O12F2，根据化学式Na2MgGd1.9998Eu0.0002Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取碱式碳酸镁C4Mg4O12·H2MgO2·5H2O：0.648克，氧化钆Gd2O3：2.417克，氧化铕Eu2O3：0.036克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是400℃，煅烧时间10小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.099克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度1100℃，煅烧时间4小时，然后自然冷却至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
参见附图1，它是按本实施例技术方案制备的材料样品X射线粉末衍射图谱，XRD测试结果显示，所制备的材料主相为Na2MgGd2Si4O12F2材料，具有纯相的结晶结构。
参见附图2，是按本实施例技术方案制备的材料样品的扫描电镜图谱，从图中可以看出，荧光粉颗粒分布主要在1～6微米，结晶性好，表明该固相反应进行完全。
参见附图3，它是荧光粉在近紫外光395纳米激发下得到的发光光谱，该材料主要为红色发光波段，同时其CIE坐标是x＝0.6445,y＝0.3518，也处在红色区域，发光效率高，它可以很好适用于近紫外光为激发光源的白光LED中。
参见附图4，是本实施例技术方案制备的材料样品在615纳米的光监测下得到的激发光谱图，可以看出，该材料红色发光的激发来源主要在波长为250～420纳米的紫外光区域以及455～465纳米的蓝光区域，可以很好地匹配紫外和蓝光LED芯片。
参见附图5，它是按本实施例技术方案制备的材料样品在激发光波长为355纳米，监测光波长为615纳米的发光衰减曲线，从图中可以计算出这种红色荧光粉的衰减时间为2.1毫秒。
实施例2：
制备Na2MgLa1.98Eu0.02Si4O12F2，根据化学式Na2MgLa1.98Eu0.02Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取氢氧化镁Mg(OH)2：0.389克，硝酸镧La(NO3)3·6H2O：5.716克，硝酸铕Eu(NO3)3·6H2O：0.060克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是450℃，煅烧时间9小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.198克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度850℃，煅烧时间7小时，然后自然冷却至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
本实施例制备的荧光粉，其物相是纯的Na2MgLa2Si4O12F2，其主要的颗粒形貌、激发光谱、发光光谱和衰减曲线与实施例1相似。
实施例3：
制备Na2MgYb1.6Eu0.4Si4O12F2，根据化学式Na2MgYb1.6Eu0.4Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取硝酸镁Mg(NO3)2·6H2O：1.709克，氧化镱Yb2O3：2.102克，氧化铕Eu2O3：0.470克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是700℃，煅烧时间1小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.127克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中再次烧结，温度700℃，煅烧时间11小时，然后自然冷却至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
本实施例制备的荧光粉，其主要的颗粒形貌、激发光谱、发光光谱和衰减曲线与实施例1相似。
实施例4：
制备Na2MgY1.2Eu0.8Si4O12F2，根据化学式Na2MgY1.2Eu0.8Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取碱式碳酸镁C4Mg4O12·H2MgO2·5H2O：0.648克，氧化钇Y2O3：0.904克，硝酸铕Eu(NO3)3·6H2O：2.379克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是600℃，煅烧时间3小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.172克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度800℃，煅烧时间10小时，然后自然冷却至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
参见附图6，是本实施例制备样品的X射线粉末衍射图谱，测试结果显示，所制备的材料主相为Na2MgY2Si4O12F2材料，具有纯相的结晶结构。
参见附图7，是按本实施例制备样品的扫描电镜图谱，图中可以看出，荧光粉颗粒分布主要在1～6微米，结晶性好，固相反应进行完全。
参见附图8，它是本实施例制备的荧光粉在近紫外光395纳米激发下得到的发光光谱图，图中可看出该材料主要的发光波长为615纳米附近的红色发光波段，其CIE坐标是x＝0.5944,y＝0.3177，也处在红色区域。
参见附图9，是按本实施例技术方案制备的样品在615纳米的光监测下得到的激发光谱图，该材料红色发光的激发来源主要在波长为250～420纳米的紫外光区域，可以很好地匹配紫外LED芯片。
参见附图10，它是按本实施例技术方案制备的材料样品在激发光波长为355纳米，监测光波长为615纳米的发光衰减曲线，从图中可以计算出这种红色荧光粉的衰减时间为1.95毫秒。
实施例5：
制备Na2MgLu0.8Eu1.2Si4O12F2，根据化学式Na2MgLu0.8Eu1.2Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取氢氧化镁Mg(OH)2：0.389克，硝酸镥Lu(NO3)3·H2O：2.022克，氧化铕Eu2O3：1.408克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是550℃，煅烧时间6小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.138克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度950℃，煅烧时间6小时，然后自然冷却至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
本实施例制备的荧光粉，其主要的结构性能、激发光谱、发光光谱和衰减曲线与实施例4相似。
实施例6：
制备Na2MgSc0.4Eu1.6Si4O12F2，根据化学式Na2MgSc0.4Eu1.6Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取硝酸镁Mg(NO3)2·6H2O：1.709克，氧化钪Sc2O3：0.185克，硝酸铕Eu(NO3)3·6H2O：4.758克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是300℃，煅烧时间12小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.154克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度1100℃，煅烧时间2小时，然后自然冷却至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
本实施例制备的荧光粉，其主要的结构性能、激发光谱、发光光谱和衰减曲线与实施例4相似。
实施例7：
制备Na2MgEu2Si4O12F2，根据化学式Na2MgEu2Si4O12F2中各元素的化学计量比分别称取氢氧化镁Mg(OH)2：0.389克，氧化铕Eu2O3：2.347克，二氧化硅SiO2：1.603克，分别在玛瑙研钵中研磨，混合均匀后，选择空气气氛煅烧，煅烧温度是450℃，煅烧时间8小时，然后自然冷却至室温，取出样品；并按化学式中对应元素的化学计量比加入氟化钠NaF：0.560克和过量的氟化铵NH4F：0.173克，一起研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度1050℃，煅烧时间7小时，然后自然冷至室温，取出样品，研磨并混合均匀，即得到粉体状荧光粉。
本实施例制备的荧光粉，其主要的结构性能、激发光谱、发光光谱和衰减曲线与实施例4相似。
Claims (9)
1.一种白光LED用红色荧光粉，其特征在于：化学式为Na2MgR2-2xEu2xSi4O12F2，式中x是Eu3+掺杂的摩尔含量，0.0001≤x≤1,其中，R3+为第三副族离子Gd3+、La3+、Y3+、Lu3+、Sc3+、Yb3+中的一种。
2.一种如权利要求1所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于采用高温固相法，包括以下步骤：
(1)以含有镁离子Mg2+的化合物、含有第三副族离子R3+的化合物、含有铕离子Eu3+的化合物、含有硅离子Si4+的化合物为原料，按分子式Na2MgR2-2xEu2xSi4O12F2中对应元素的化学计量比称取各原料，其中x是Eu3+掺杂的摩尔含量，0.0001≤x≤1；将称取的原料分别研磨，再混合均匀，得到混合物，所述的第三副族离子R3+为Gd3+、La3+、Y3+、Lu3+、Sc3+、Yb3+中的一种；
(2)将上述混合物在空气气氛下煅烧，煅烧温度为300～700℃，煅烧时间为1～12小时；
(3)自然冷却后，按分子式中对应元素的摩尔比向混合物中加入含有氟离子F-的化合物与含有钠离子Na+的化合物，其中含有氟离子F-的化合物应过量20％～40％，研磨并混合均匀，在空气气氛中煅烧，煅烧温度为700～1100℃，煅烧时间为2～11小时；将煅烧后的混合物自然冷却，再研磨混合均匀，即得到红色荧光粉。
3.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述的含有镁离子Mg2+的化合物为硝酸镁、氢氧化镁、碱式碳酸镁中的一种。
4.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述的含有第三副族离子R3+的化合物为R的氧化物、硝酸盐中的一种。
5.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述的含有铕离子Eu3+的化合物为氧化铕、硝酸铕中的一种。
6.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述的含有硅离子Si4+的化合物为二氧化硅。
7.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述的含有氟离子F-的化合物为氟化铵。
8.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述的含有钠离子Na+的化合物为氟化钠。
9.根据权利要求2所述的白光LED用红色荧光粉的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)的煅烧温度为400～600℃，煅烧时间为3～10小时；步骤(3)的煅烧温度为800～1100℃，煅烧时间为4～10小时。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510150338.XA CN104804742B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 一种白光led用红色荧光粉及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510150338.XA CN104804742B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 一种白光led用红色荧光粉及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104804742A CN104804742A (zh) | 2015-07-29 |
| CN104804742B true CN104804742B (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=53689950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510150338.XA Active CN104804742B (zh) | 2015-03-31 | 2015-03-31 | 一种白光led用红色荧光粉及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104804742B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112500161A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-16 | 华南理工大学 | 一种激光显示用钼酸盐发光陶瓷材料及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2021052A1 (de) * | 1970-04-29 | 1971-11-11 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Entfernen von Verunreinigungen |
| JPS4915688A (zh) * | 1972-06-06 | 1974-02-12 | ||
| US3794597A (en) * | 1972-06-07 | 1974-02-26 | Gte Sylvania Inc | Method of increasing brightness of y2o2s:eu luminescent material |
| JPH0915688A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nikon Corp | シンクロ撮影モードを有するカメラ |
| CN1652361A (zh) * | 2004-02-05 | 2005-08-10 | 李坤锥 | 白光发光装置 |
| CN100334184C (zh) * | 2005-11-28 | 2007-08-29 | 常熟市江南荧光材料有限公司 | 白光led用钇铝石榴石发光材料的合成方法 |
| CN101294302A (zh) * | 2007-04-25 | 2008-10-29 | 宁波大学 | 掺杂稀土的镥铝石榴石晶体制备工艺 |
| CN102191062B (zh) * | 2010-03-12 | 2014-03-19 | 长春师范学院 | 一种白光led用的红光荧光粉及其制备方法 |
| CN102604638A (zh) * | 2012-01-19 | 2012-07-25 | 苏州大学 | 一种Eu3+激活的磷酸盐红色荧光粉、制备方法及应用 |
| CN102585831B (zh) * | 2012-01-19 | 2013-10-09 | 苏州大学 | 一种铕离子激活的氟钼酸盐红色荧光粉、制备方法及应用 |
| CN104212457B (zh) * | 2014-06-30 | 2017-01-11 | 苏州大学 | 一种氟硼硅酸盐基红色荧光粉、制备方法及其应用 |
-
2015
- 2015-03-31 CN CN201510150338.XA patent/CN104804742B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104804742A (zh) | 2015-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102533266A (zh) | 白光led用铕激活的钨钼酸盐红色荧光粉及其制备方法 | |
| CN103627392A (zh) | 一种锑酸盐基红色荧光粉及其制备方法和应用 | |
| CN103242830B (zh) | 一种氟硅酸盐基蓝绿色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN101307228B (zh) | 氯铝硅酸盐荧光粉及其制备方法 | |
| CN108300467A (zh) | 一种白光led用蓝光荧光粉及制备方法和白光led发光装置 | |
| CN103059849B (zh) | 一种Eu2+激活的硅磷酸盐绿色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN110003908A (zh) | 白光led用硅酸盐红色荧光粉及制备方法和白光led发光装置 | |
| CN107129805B (zh) | 一种铕离子掺杂的硅酸盐白光荧光粉及其制备方法 | |
| CN103305216A (zh) | 一种硼酸盐基红色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN103275713A (zh) | 一种稀土钼酸盐红色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN103396800B (zh) | 一种硼铝酸盐基蓝色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN102604633A (zh) | 一种四钨酸盐红色荧光粉及其制备方法 | |
| CN103468249B (zh) | 一种Eu2+激活的硅酸钠钙绿色荧光粉、制备及应用 | |
| CN103289698B (zh) | 一种铕离子Eu3+激活的磷酸盐基红色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN102838989B (zh) | 一种紫外光激发的硼酸盐基白光荧光粉及其制备方法 | |
| CN104962286A (zh) | 石榴石结构的复相荧光材料及其制备方法 | |
| KR101331302B1 (ko) | 알루민산염 화합물 형광체 | |
| CN108034423B (zh) | 一种Mn2+离子掺杂的硅酸盐红色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN102492422A (zh) | 一种白光led用绿色荧光粉及其制备方法 | |
| CN103320131B (zh) | 一种磷酸盐基红色荧光粉、制备方法及应用 | |
| CN115873595A (zh) | 一种可调控红光与近红外稀土发光材料及制备方法和红外led装置 | |
| CN104804742B (zh) | 一种白光led用红色荧光粉及其制备方法 | |
| CN104804731B (zh) | 一种Eu2+激活的硅酸镁钾蓝绿色荧光粉及其制备方法和应用 | |
| CN102994075A (zh) | 一种硅基氮氧化物绿色荧光粉 | |
| CN105820817A (zh) | 一种钪酸盐绿色荧光粉及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190815 Address after: 221300 No. 88 Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: SU Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute (Pizhou) Co., Ltd. Address before: 221100 Shanghai Road, Copper Mt. New District, Jiangsu, No. 101, No. Patentee before: Jiangsu Normal University |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220518 Address after: 221300 506, block B, electronic industrial park, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Xuzhou Bochuang Construction Development Group Co.,Ltd. Address before: No.88 Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee before: SU Normal University Semiconductor Materials and Equipment Research Institute (Pizhou) Co.,Ltd. |