CN104775160A - 一种单晶石榴石厚膜的制备方法 - Google Patents

一种单晶石榴石厚膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104775160A
CN104775160A CN201510204731.2A CN201510204731A CN104775160A CN 104775160 A CN104775160 A CN 104775160A CN 201510204731 A CN201510204731 A CN 201510204731A CN 104775160 A CN104775160 A CN 104775160A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
monocrystalline
thick film
film
garnets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510204731.2A
Other languages
English (en)
Inventor
杨青慧
田晓洁
张怀武
梅兵
文岐业
贾利军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201510204731.2A priority Critical patent/CN104775160A/zh
Publication of CN104775160A publication Critical patent/CN104775160A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供了一种单晶石榴石厚膜的制备方法，属于石榴石厚膜制备领域。具体包括以下步骤：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12，混料，熔料；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。本发明得到的单晶石榴石厚膜与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态；薄膜的结构均匀，厚度可达40μm以上；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于磁光器件的良好材料。

Description

一种单晶石榴石厚膜的制备方法
技术领域
本发明涉及石榴石厚膜的制备方法，具体涉及一种液相外延法生长单晶石榴石厚膜的方法。
背景技术
磁光器件是指利用外加磁场的调制方式以及磁光效应的特性得到的光学器件，已广泛应用于光纤通信、计算机技术、光信息处理等领域。目前，常用的磁光器件以体型器件为主，核心部件采用磁光玻璃，使得磁光器件具有体积重量大、稳定性差、无法互联集成等缺点，限制了其广泛应用。随着钇铁石榴石、稀磁半导体等磁光材料的不断发现，磁光薄膜已广泛应用于磁光器件中，实现了磁光器件的平面化。然而，目前制备的磁光薄膜的厚度较薄，整体薄膜的磁光法拉第角无法达到45度，限制了其在磁光器件中的应用，因此，对磁光厚膜的研制技术的需求已迫在眉睫。
传统的薄膜制备方法，如磁控溅射、脉冲激光沉积、金属有机气相沉积等方法均不能实现厚膜的制备，液相外延是由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法，有望实现厚膜的制备。但是液相外延生长厚膜时容易出现表面粗糙、熔体附着、基片碎裂等问题，可实用化的单晶磁光厚膜的制备方法一直是一大研究难点。
发明内容
本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种单晶石榴石厚膜的制备方法，得到的单晶石榴石厚膜可作为磁光厚膜应用。该方法得到的磁光厚膜的厚度为40μm以上，且薄膜结构致密、表面平整，是一种可应用于磁光器件的良好材料。
本发明的技术方案如下：
一种单晶石榴石厚膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；混料；熔料；
步骤2：清洗基片；
步骤3：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
进一步地，步骤1的具体过程为：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；研磨混合后置于铂坩埚中，在1050～1080℃下熔化20～24h，然后在950～960℃下搅拌10～12h，混合均匀，得到熔体。
进一步地，步骤2所述基片为钆镓石榴石(GGG)基片，清洗基片的具体过程为：将钆镓石榴石基片依次在去离子水中超声清洗两次、在丙酮中超声清洗两次、在酒精中超声清洗两次；然后在体积比为1:1的浓硫酸和硝酸的混合液中煮沸10～30min；最后采用去离子水冲洗基片3～5次，烘干备用。
进一步地，步骤3的具体过程为：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在由935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，将基片快速提离熔体液面；将上步得到的基片以180～200转/分的速率高速旋转，以甩掉基片上的残留熔体，然后从外延炉中缓慢取出基片以避免由于热膨胀引起的薄膜开裂；最后将得到的带薄膜的基片在热醋酸中清洗以去除残留的助熔剂，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
进一步地，上述由935℃降到930℃的过程中的降温速率为0.08～0.1℃/min。
本发明还提供了上述方法得到的单晶石榴石厚膜作为磁光薄膜应用于磁光器件中。
本发明的有益效果为：
1、本发明得到的单晶石榴石厚膜与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态；薄膜的结构均匀，厚度可达40μm以上；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于磁光器件的良好材料。
2、本发明在不断降低的温度范围内生长单晶石榴石厚膜，采用调节温度的方法弥补因生长过程中熔体溶质浓度降低引起的生长速率降低的问题，使在整个生长过程中速率基本不变，克服了传统采用温度点生长时可能产生的薄膜与衬底的晶格失配的问题，本发明得到的薄膜与衬底基片的匹配度好，为单晶态。
附图说明
图1为液相外延法采用的液相外延炉的结构示意图。其中，1为电动机；2为GGG基片；3为加热器；4为坩埚；5为熔体；6为陶瓷提拉杆；7为旋转轴。
图2为本发明液相外延法生长厚膜时的生长温度曲线。
图3为本发明实施例制备得到的单晶石榴石厚膜的磁光法拉第角与生长速率关系图。
具体实施方式
一种单晶石榴石厚膜的制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；研磨混合后置于铂坩埚中，在1050～1080℃下熔化20～24h，然后在950～960℃下搅拌10～12h，混合均匀，得到熔体；
步骤2：采用钆镓石榴石(GGG)作为基片，首先将钆镓石榴石基片依次在去离子水中超声清洗两次、在丙酮中超声清洗两次、在酒精中超声清洗两次，在去离子水、丙酮、酒精中的清洗时间均为10～15min；然后在体积比为1:1的浓硫酸和硝酸的混合液中煮沸10～30min；最后采用去离子水冲洗基片3～5次，烘干备用；
步骤3：将步骤2清洗后的基片用铂丝固定在支架上，保持基片与熔体液面有一微小的角度(3～15°)将基片缓慢放入熔体中；外延生长薄膜，控制基片转速为60转/分，在以0.08～0.10℃/min的速率由935℃降到930℃的过程中外延生长薄膜，基片每隔1min改变一次旋转方向，生长完成后，将基片快速提离熔体液面；将上步得到的基片以180～200转/分的速率高速旋转甩掉基片上的残留熔体，然后从外延炉中缓慢提起基片以避免由于热膨胀引起的薄膜开裂；最后将得到的带薄膜的基片在接近沸腾的热醋酸中清洗以去除残留的助熔剂，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
液相外延法生长薄膜时，一般选择在某一具体的温度点进行生长，然而对厚膜而言，薄膜的生长时间很长，一般在60min以上，这就导致在薄膜的生长过程中熔体的溶质浓度会不断降低，液相外延的生长速率下降，使薄膜的成分产生差异，薄膜的晶格常数变化，导致薄膜与衬底之间的晶格失配增加。为了解决生长速率降低带来的问题，本发明采用在不断降温的过程中生长薄膜，通过调节生长温度的方式弥补因溶质浓度降低引起的生长速率降低的问题，使整个生长过程中生长速率基本保持不变；本发明生长薄膜时的生长温度控制为由初始的935℃降到930℃，以温度区间代替常规的单一生长温度点，得到性能优良的单晶厚膜。
实施例
本发明所述单晶石榴石厚膜采用液相外延法制备得到，采用的设备为液相外延炉，如图1所示。其中，1为电动机；2为GGG基片；3为加热器；4为坩埚；5为熔体；6为陶瓷提拉杆；7为旋转轴。
本发明提供的一种单晶石榴石厚膜的液相外延制备方法，具体包括以下步骤：
步骤1、熔体的制备：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；研磨混合后置于铂坩埚中，在1080℃下熔化24h，然后在960℃下搅拌12h，混合均匀，得到熔体；
步骤2、采用钆镓石榴石(GGG)作为基片，首先将钆镓石榴石基片在去离子水中超声清洗2次，每次各15min；在丙酮中超声清洗2次，每次各15min；在酒精中超声清洗2次，每次各15min；然后将基片在体积比为1:1的浓硫酸和硝酸的混合液中煮沸20min；最后采用去离子水冲洗5次，并烘干备用；
步骤3、将步骤2清洗后的基片用铂丝固定在支架上，使基片与熔体的液面保持微小的角度(3～15°)，将基片缓慢放入熔体中，准备外延生长；
步骤4、外延生长薄膜，设置基片转速为60转/分，在以0.10℃/min的降温速率由935℃降到930℃的过程中外延生长薄膜，基片每隔1min改变一次旋转方向，生长完成后，将基片快速提离熔体液面；将上步得到的基片以180转/分的速率高速旋转甩掉基片上的残留熔体，然后从外延炉中缓慢提起基片以避免由于热膨胀引起的薄膜开裂；最后将得到的带薄膜的基片在113℃的热醋酸中清洗以去除残留的助熔剂，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
本发明实施例得到的单晶石榴石厚膜的厚度达到了40μm，且最大的磁光法拉第角能达到45度，可作为磁光厚膜应用于磁光器件中。

Claims (6)

1.一种单晶石榴石厚膜的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；混料；熔料；
步骤2：清洗基片；
步骤3：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
2.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，步骤1的具体过程为：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12；研磨混合后置于铂坩埚中，在1050～1080℃下熔化20～24h，然后在950～960℃下搅拌10～12h，混合均匀，得到熔体。
3.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述基片为钆镓石榴石基片，清洗基片的具体过程为：将钆镓石榴石基片依次在去离子水中超声清洗两次、在丙酮中超声清洗两次、在酒精中超声清洗两次；然后在体积比为1:1的浓硫酸和硝酸的混合液中煮沸10～30min；最后采用去离子水冲洗基片3～5次，烘干备用。
4.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，步骤3的具体过程为：将步骤2清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在由935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，将基片快速提离熔体液面；将上步得到的基片以180～200转/分的速率高速旋转，以甩掉基片上的残留熔体，然后从外延炉中缓慢取出基片以避免由于热膨胀引起的薄膜开裂；最后将得到的带薄膜的基片在热醋酸中清洗以去除残留的助熔剂，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。
5.根据权利要求1所述的单晶石榴石厚膜的制备方法，其特征在于，所述由935℃降到930℃的过程中的降温速率为0.08～0.1℃/min。
6.权利要求1至5中任一项所述方法得到的单晶石榴石厚膜作为磁光薄膜应用于磁光器件中。
CN201510204731.2A 2015-04-27 2015-04-27 一种单晶石榴石厚膜的制备方法 Pending CN104775160A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510204731.2A CN104775160A (zh) 2015-04-27 2015-04-27 一种单晶石榴石厚膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510204731.2A CN104775160A (zh) 2015-04-27 2015-04-27 一种单晶石榴石厚膜的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104775160A true CN104775160A (zh) 2015-07-15

Family

ID=53616916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510204731.2A Pending CN104775160A (zh) 2015-04-27 2015-04-27 一种单晶石榴石厚膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104775160A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104988470A (zh) * 2015-07-30 2015-10-21 哈尔滨工业大学 一步脉冲激光沉积多层磁光薄膜的方法
CN105887201A (zh) * 2016-05-31 2016-08-24 电子科技大学 一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
CN107299394A (zh) * 2017-06-01 2017-10-27 电子科技大学 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法
CN109023527A (zh) * 2018-08-30 2018-12-18 电子科技大学 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法
CN111424317A (zh) * 2020-04-13 2020-07-17 电子科技大学 一种高激光诱导损伤阈值的单晶石榴石薄膜的制备方法
CN114318536A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 长飞光纤光缆股份有限公司 铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件
CN114657631A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 电子科技大学 一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法
CN115491748A (zh) * 2022-11-01 2022-12-20 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101136340A (zh) * 2007-04-25 2008-03-05 中国科学院上海技术物理研究所 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
CN101319390A (zh) * 2008-06-06 2008-12-10 电子科技大学 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
CN101348941A (zh) * 2008-09-02 2009-01-21 中国电子科技集团公司第十一研究所 用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法
CN101764178A (zh) * 2009-04-17 2010-06-30 南安市三晶阳光电力有限公司 一种硅基太阳能薄膜的制备方法
CN101924147A (zh) * 2010-04-02 2010-12-22 中国科学院上海技术物理研究所 一种InAs红外光伏电池及液相外延的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101136340A (zh) * 2007-04-25 2008-03-05 中国科学院上海技术物理研究所 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟
CN101319390A (zh) * 2008-06-06 2008-12-10 电子科技大学 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
CN101348941A (zh) * 2008-09-02 2009-01-21 中国电子科技集团公司第十一研究所 用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法
CN101764178A (zh) * 2009-04-17 2010-06-30 南安市三晶阳光电力有限公司 一种硅基太阳能薄膜的制备方法
CN101924147A (zh) * 2010-04-02 2010-12-22 中国科学院上海技术物理研究所 一种InAs红外光伏电池及液相外延的制备方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104988470A (zh) * 2015-07-30 2015-10-21 哈尔滨工业大学 一步脉冲激光沉积多层磁光薄膜的方法
CN105887201A (zh) * 2016-05-31 2016-08-24 电子科技大学 一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
CN107299394A (zh) * 2017-06-01 2017-10-27 电子科技大学 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法
CN109023527A (zh) * 2018-08-30 2018-12-18 电子科技大学 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法
CN109023527B (zh) * 2018-08-30 2021-03-30 电子科技大学 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法
CN111424317A (zh) * 2020-04-13 2020-07-17 电子科技大学 一种高激光诱导损伤阈值的单晶石榴石薄膜的制备方法
CN111424317B (zh) * 2020-04-13 2021-08-06 电子科技大学 一种高激光诱导损伤阈值的单晶石榴石薄膜的制备方法
CN114318536A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 长飞光纤光缆股份有限公司 铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件
CN114657631A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 电子科技大学 一种铋取代稀土铁石榴石单晶厚膜制备方法
CN115491748A (zh) * 2022-11-01 2022-12-20 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种铋掺钇铁石榴石及其晶体生长方法以及应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104775160A (zh) 一种单晶石榴石厚膜的制备方法
CN105714379B (zh) 一种硅上直接生长高掺杂钇铁石榴石薄膜的制备方法
CN105386124B (zh) 石墨烯单晶及其快速生长方法
CN104831359A (zh) 亚微米级低损耗单晶钇铁石榴石薄膜的液相外延制备方法
CN107146761B (zh) 一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜的制备方法
US11169402B2 (en) Superlattice material, and preparation method and application thereof
CN104831357A (zh) 一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
CN106048726B (zh) 一种钇铁石榴石薄膜的外延生长方法
CN104818518A (zh) 一种面内各向异性Bi代石榴石磁光单晶薄膜的制备方法
CN104775153A (zh) 新型磁光单晶材料生长方法
CN113638045B (zh) 化合物碘化磷酸锡和碘化磷酸锡双折射晶体及制备方法和用途
CN101483219A (zh) Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法
CN101319390B (zh) 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法
CN105887201B (zh) 一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法
CN113388892A (zh) 一种钛扩散制备铌镁酸铅钛酸铅光波导的方法
WO2003000963A1 (fr) Substrat permettant de former une couche mince de monocristal de grenat magnetique, dispositif optique et procede de production associe
CN100510202C (zh) 石榴石单晶的制备方法和由该方法制得的石榴石单晶
CN114318536B (zh) 铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件
WO2022004077A1 (ja) ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法、ファラデー回転子及び光アイソレータ
CN101899706B (zh) 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
CN107299394A (zh) 亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法
CN103243292A (zh) 快速液相沉积膜的系统和方法
CN106498352A (zh) 基于石英衬底的掺杂钇铁石榴石薄膜脉冲激光沉积方法
JPH09202697A (ja) Ｂｉ置換型ガーネットの製造方法
CN116005260A (zh) 一种法拉第旋转片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150715