CN104762498A - 一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法,目的在于解决采用现有方法制备钼铜合金时,存在相对密度较低,成分分布不均,样品尺寸较小等缺陷,影响材料热导率、器件气密性的问题。本发明将称取的原料球磨后,先制备出冷压坯,然后采用氢气还原去除低密度氧化物相,通过高真空热等静压致密化烧结的方法,成功解决了钼铜合金的致密度问题,同时大大降低了烧结温度,有效的控制了材料的界面结构,实现了成分的均匀分布,优化了材料的导热性能。采用本发明能够成功制备出高致密、高铜含量、大尺寸的钼铜合金,满足电子封装和热沉材料对材料强度和热导率等性能的要求,具有较好的市场应用前景,值得大规模推广和应用。
Description
技术领域
本发明涉及材料领域,尤其是电子封装与热沉材料领域,具体为一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法。采用本发明能够制备出高致密、高铜含量、大尺寸的钼铜合金,尤其适用于行波管的收集极部件,具有较好的应用前景。
背景技术
传统的电子封装材料主要有Invar(中文名:因瓦合金,即含有35.4%镍的铁合金)、Kovar(中文名:可伐合金)、纯Mo、纯W、Cu、Al等。其中,Invar、Kovar的导热性能差;而纯Mo、纯W加工困难、密度大;Cu、Al的热膨胀系数过大,容易产生热应力问题。基于上述缺点,现有的电子封装材料已经难以满足现代信息化发展的需求。
钼铜合金是由Mo与Cu组成的一种假合金材料,其既有Mo高强度、低热膨胀的特点,又综合了Cu优异的导热导电性。同时,可以通过调节Mo/Cu的比例,设计出膨胀系数及导电导热率不同的Mo/Cu材料,这种特性使钼铜合金既能与硅基片、砷化镓等材料很好的匹配封接,又具有良好的导热性能。因此,钼铜合金被广泛应用于电子封装、热沉材料以及一些大功率基础电流模块上。
然而,Mo与Cu之间不相溶,润湿性极差,且二者的熔点相差很大,这给钼铜合金的制备带来了难题。目前,国内有关钼铜合金的研制主要针对Cu含量质量百分比30%以下的钼铜合金开展的,其制备方法主要为液相烧结或熔渗。采用液相烧结制备钼铜合金时,难以较高的致密化要求,活化剂的添加又会影响合金的导热导电性能;而采用熔渗法制备钼铜合金时,难以实现高Cu含量合金的制备,如果存在Cu含量过高,就会产生液相外溢,分布不均等问题,因此,仅能用于Cu含量30wt%以下钼铜合金的制备。
综上,采用现有方法制备普通钼铜合金时,存在相对密度较低,成分分布不均,样品尺寸较小等问题。而钼铜合金的致密度与均匀性直接影响材料的热导率、器件的气密性,因此,目前迫切需要一种新的方法以有效解决上述问题。
发明内容
本发明的发明目的在于:针对采用现有方法制备钼铜合金时,存在相对密度较低,成分分布不均,样品尺寸较小等缺陷,影响材料热导率、器件气密性的问题,提供一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法。本发明先制备出冷压坯,然后采用氢气还原去除低密度氧化物相,通过高真空热等静压致密化烧结的方法,成功解决了钼铜合金的致密度问题,同时大大降低了烧结温度,有效的控制了材料的界面结构,实现了成分的均匀分布,优化了材料的导热性能。采用本发明能够成功制备出高致密、高铜含量、大尺寸的钼铜合金,满足电子封装和热沉材料对材料强度和热导率等性能的要求,具有较好的市场应用前景,值得大规模推广和应用。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法,包括如下步骤:
(1)称取原料
按如下质量百分比称取合金原料:40~60%的钼、40~60%的铜;
(2)球磨
将步骤1称取的合金原料放入球磨罐中进行球磨,以乙醇作为研磨介质,并向球磨罐中充入氩气保护,球磨15~25h,得到混合粉末;
(3)冷等静压成型
将步骤2制备的混合粉末置于软模中,再采用冷等静压成型,压力为180~260MPa,时间5~20min,得到冷压坯;
(4)预烧脱氧
将步骤3得到的冷压坯进行氢气还原以去除氧化物相,还原温度为200~800℃,还原结束后,完成冷压坯的预烧;
(5)热等静压烧结
将步骤4预烧后的冷压坯装入金属包套中,经加热除气后,在氩气或氮气气氛下进行热等静压烧结,压力为70~150MPa,温度为800~1100℃,时间为50~120min,即得初产品;
(6)脱模
将步骤6制备的初产品脱除包套后,即得钼铜合金。
所述步骤2中,球磨罐为不锈钢球磨罐,磨球为钨合金球。
所述步骤3中,软模为塑料软膜。
所述步骤3中,软模为PVC软膜。
所述步骤4中,还原时间为0.5~10h。
所述步骤4中,将步骤3得到的冷压坯进行氢气两段还原,先在200~400℃下保温0.2~5h,完成一段还原,再在550~800℃下保温0.3~5h,完成二段还原。
所述步骤5中,在氩气或氮气气氛下进行热等静压烧结,压力为70~150MPa,先在800~950℃下保温20~40min,再在1000~1100℃下保温30~80min,即得初产品。
所述步骤6中,采用机械加工进行包套脱除处理。
Mo与Cu之间互不相溶,且润湿性极差,而钼铜合金作为一种假合金材料,高度致密化是最难解决的问题。此外,钼和铜的氧化物的存在也会严重影响材料的致密性。为此,本发明提供一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其能够用于高致密、高铜含量、大尺寸钼铜合金的制备,尤其适用于收集极材料的制备。该方法包括称料、球磨、冷等静压成型、氢气还原预烧、热等静压烧结、脱模等步骤。
本发明中,首先称取合金原料(即40~60%钼和40~60%铜,铜和钼的质量百分比之和为100%)。再将称取的合金原料进行球磨,球磨时采用乙醇作为研磨介质,采用氩气进行保护,球磨15~25h,得到混合粉末。再将得到的混合粉末置于塑料软膜中,对软膜依次进行抽真空、封口处理后,在180~260MPa的压力下进行冷等静压成型,时间5~20min,得到冷压坯。软模的材料可选用PVC,根据样品的形状、大小,将PVC做成模具进行冷等静压成型。然后,再将得到的冷压坯在200~800℃的高温下进行氢气还原,在还原的过程中,高温同时完成对冷压坯的预烧,还原结束后,完成冷压坯的预烧。该步骤通过氢气还原处理,能充分还原样品中的氧化物,获得低氧含量的压坯。再将预烧后的冷压坯装入金属包套中,经加热除气后,再在氩气或氮气气氛下进行热等静压烧结,热等静压烧结的压力为70~150MPa,温度为800~1100℃,时间为50~120min,即得初产品。该步骤中,可采用高温真空除气。最后,将得到的初产品脱除金属包套后,即得综合性能良好的钼铜合金。
本发明中,先制备出冷压坯,然后采用氢气还原去除低密度氧化物相,通过高真空热等静压致密化烧结的方法,成功解决了钼铜合金的致密度问题,同时大大降低了烧结温度,有效的控制了材料的界面结构,实现了成分的均匀分布,优化了材料的导热性能。
经测定,本发明制备的钼铜合金中,钼相和铜相相互嵌入,形成空间网络结构。图1、2分别为本发明制备的钼铜合金的SEM、XRD图。本发明能够保证制备的钼铜合金物相纯净、成分均匀,并且在高铜含量(合金中,铜的质量百分比达40~60wt%)的同时,样品致密度达99.7%以上。
进一步,将冷压坯进行两段氢气还原,先在200~400℃下保温0.2~5h,完成一段还原,再在550~800℃下保温0.3~5h,完成二段还原。热等静压烧结分为二段,压力为70~150MPa,先在800~950℃下保温20~40min,再在1000~1100℃下保温30~80min,即得初产品。
综上,本发明能够用于制备致密化程度高、两相分布均匀、导热性能良好、气密性好、样品尺寸大的钼铜合金,可满足工程应用的要求,特别适用于收集极材料。本发明制备的钼铜合金具有高致密度、良好的导热性能、高铜含量、大尺寸的优点,能满足电子封装和热沉材料对材料强度和热导率等性能的要求,具有较好的应用前景。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明,其中:
图1本发明制备的钼铜合金的SEM图。
图2本发明制备的钼铜合金的XRD图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
本说明书中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
实施例1
按如下重量百分比称取原料:钼粉50%、铜粉50%。将称取的原料(即钼粉和铜粉)装入不锈钢球磨罐中进行球磨,磨球采用钨合金球,球磨时间18h,得到混合粉末。将得到的混合粉末装入软模内进行冷等静压成型,冷等静压压力为240MPa,温度18℃、时间10min,得到冷压坯。将冷压坯从软膜取出,进行氢气还原,同时完成预烧结的过程。氢气还原工艺为:280℃保温1h,700℃保温0.5h。将还原后的压坯装入金属包套中,经加热除气后,夹封于真空包套内。将其置于热等静压设备中,进行热等静压致密化烧结,热等静压气体为氩气,先在800℃下保温25min,再在1025℃下保温70min,热等静压压力为130MPa,即得初产品。将热等静压后的初产品机械加工去除包套后,即可制备出Mo-50Cu复合材料。
所得样品尺寸为Φ100×150。经测定,该样品只有Mo和Cu两相,材料致密均匀,相对密度达99.8%,室温屈服强度为400MPa,热导率为245W·m-1K-1。
实施例2
按如下重量百分比称取原料:钼粉55%、铜粉45%。将称取的原料装入不锈钢球磨罐中进行球磨,磨球采用钨合金球,球磨时间20h,得到混合粉末。将得到的混合粉末装入软模内进行冷等静压成型,冷等静压压力为260MPa,温度20℃、时间15min,得到冷压坯。将冷压坯从软膜取出,进行氢气还原,同时完成预烧结的过程。氢气还原工艺为:350℃保温1h,700℃保温1h。将还原后的压坯装入金属包套中,经加热除气后,夹封于真空包套内。将含有金属包套的冷压坯置于热等静压设备中,进行热等静压致密化烧结,热等静压气体为氩气,热等静压工艺为:900℃保温30min,1100℃保温50min,压力为140MPa,即得初产品。将热等静压后的初产品机械加工去除包套后,即可制备出Mo-45Cu复合材料。
所得样品尺寸为Φ100×150。经测定,该样品只有Mo和Cu两相,材料致密均匀,相对密度达99.8%,室温屈服强度为420MPa,热导率为230W·m-1K-1。
实施例3
按如下重量百分比称取原料:钼粉45%、铜粉55%。将称取的原料装入不锈钢球磨罐中进行球磨,磨球采用钨合金球,球磨时间16h,得到混合粉末。将得到的混合粉末装入软模内进行冷等静压成型,冷等静压压力为250MPa,温度20℃、时间8min,得到冷压坯。将冷压坯从软膜取出,进行氢气还原,同时完成预烧结的过程。氢气还原工艺为:300℃保温1h,730℃保温1h。将还原后的压坯装入金属包套中,经加热除气后,夹封于真空包套内。将其置于热等静压设备中,进行热等静压致密化烧结,热等静压气体为氩气,先在920℃下保温30min,再在1075℃下保温50min,热等静压压力为130MPa,即得初产品。将热等静压后的初产品机械加工去除包套后,即可制备出Mo-55Cu复合材料。
所得样品尺寸为Φ100×150。经测定,该样品只有Mo和Cu两相,材料致密均匀,相对密度达99.7%,室温屈服强度为370MPa,热导率为255W·m-1K-1。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
Claims (8)
1.一种高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)称取原料
按如下质量百分比称取合金原料:40~60%的钼、40~60%的铜;
(2)球磨
将步骤1称取的合金原料放入球磨罐中进行球磨,以乙醇作为研磨介质,并向球磨罐中充入氩气保护,球磨15~25h,得到混合粉末;
(3)冷等静压成型
将步骤2制备的混合粉末置于软模中,再采用冷等静压成型,压力为180~260MPa,时间5~20min,得到冷压坯;
(4)预烧脱氧
将步骤3得到的冷压坯进行氢气还原以去除氧化物相,还原温度为200~800℃,还原结束后,完成冷压坯的预烧;
(5)热等静压烧结
将步骤4预烧后的冷压坯装入金属包套中,经加热除气后,在氩气或氮气气氛下进行热等静压烧结,压力为70~150MPa,温度为800~1100℃,时间为50~120min,即得初产品;
(6)脱模
将步骤6制备的初产品脱除包套后,即得钼铜合金。
2.根据权利要求1所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤2中,球磨罐为不锈钢球磨罐,磨球为钨合金球。
3.根据权利要求1或2所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤3中,软模为塑料软膜。
4.根据权利要求1-3任一项所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤3中,软模为PVC软膜。
5.根据权利要求1所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤4中,还原时间为0.5~10h。
6.根据权利要求1-5任一项所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤4中,将步骤3得到的冷压坯进行氢气两段还原,先在200~400℃下保温0.2~5h,完成一段还原,再在550~800℃下保温0.3~5h,完成二段还原。
7.根据权利要求1-6任一项所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤5中,在氩气或氮气气氛下进行热等静压烧结,压力为70~150MPa,先在800~950℃下保温20~40min,再在1000~1100℃下保温30~80min,即得初产品。
8.根据权利要求1-7任一项所述高致密钼铜合金的热等静压制备方法,其特征在于,所述步骤6中,采用机械加工进行包套脱除处理。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106735189A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种颗粒增强金属基复合材料的熔融金属包覆热等静压制备方法 |
CN108080631A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-29 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 收集极电极材料、其制备、表面处理方法及包含其的收集极 |
CN108165789A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-15 | 无锡乐普金属科技有限公司 | 一种钼铜合金板的静压渗透制备方法 |
CN110885946A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-03-17 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种钼铜合金的制备方法 |
CN110938760A (zh) * | 2019-12-28 | 2020-03-31 | 泰州市华诚钨钼制品有限公司 | 采用纳米钇粉弥散强化钼铜复合材料的制备方法 |
CN111945121A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-17 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钽铝合金溅射靶材及其制备方法 |
CN112620631A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-04-09 | 四川大学 | 一种场辅助活化烧结制备Mo-Cu合金的方法 |
CN112708862A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨钛合金靶坯的制备方法 |
CN115383105A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-25 | 洛阳爱科麦钨钼科技股份有限公司 | 一种高致密钼铜合金材料及其制备方法 |
CN115418517A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种电子封装用钼铜合金的制备方法 |
CN115466913A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-12-13 | 盐城工学院 | 一种互不相溶的Cu-Mo合金的制备方法及Cu-Mo合金 |
CN114890678B (zh) * | 2022-04-27 | 2023-05-02 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种大尺寸低膨胀玻璃基复合材料及其注浆成型方法 |
CN115418517B (zh) * | 2022-09-15 | 2024-05-14 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种电子封装用钼铜合金的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5292478A (en) * | 1991-06-24 | 1994-03-08 | Ametek, Specialty Metal Products Division | Copper-molybdenum composite strip |
JP2000026926A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-25 | Tokyo Tungsten Co Ltd | リードフレーム用複合材とそれを用いた半導体パッケージ |
CN1948528A (zh) * | 2006-11-03 | 2007-04-18 | 北京科技大学 | 近全致密高W或Mo含量W-Cu或Mo-Cu复合材料的制备方法 |
CN102268566A (zh) * | 2010-12-25 | 2011-12-07 | 河南科技大学 | 一种高导电高耐磨的铜钼合金材料及其制备方法 |
CN103170616A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 北京有色金属研究总院 | 一种钼铜合金箔片及其制备方法 |
-
2015
- 2015-04-14 CN CN201510172908.5A patent/CN104762498B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5292478A (en) * | 1991-06-24 | 1994-03-08 | Ametek, Specialty Metal Products Division | Copper-molybdenum composite strip |
JP2000026926A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-25 | Tokyo Tungsten Co Ltd | リードフレーム用複合材とそれを用いた半導体パッケージ |
CN1948528A (zh) * | 2006-11-03 | 2007-04-18 | 北京科技大学 | 近全致密高W或Mo含量W-Cu或Mo-Cu复合材料的制备方法 |
CN102268566A (zh) * | 2010-12-25 | 2011-12-07 | 河南科技大学 | 一种高导电高耐磨的铜钼合金材料及其制备方法 |
CN103170616A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 北京有色金属研究总院 | 一种钼铜合金箔片及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
江崇经: "等静压技术的应用", 《电瓷避雷器》 * |
韩凤麟等: "《粉末冶金技术手册》", 31 July 2009, 北京:化学工业出版社 * |
高广瑞等: "电子封接用钼铜材料的制备", 《钛工业进展》 * |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106735189A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种颗粒增强金属基复合材料的熔融金属包覆热等静压制备方法 |
CN106735189B (zh) * | 2016-11-24 | 2019-01-15 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种颗粒增强金属基复合材料的熔融金属包覆热等静压制备方法 |
CN108080631A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-29 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 收集极电极材料、其制备、表面处理方法及包含其的收集极 |
CN108165789A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-15 | 无锡乐普金属科技有限公司 | 一种钼铜合金板的静压渗透制备方法 |
CN108165789B (zh) * | 2018-01-18 | 2019-12-17 | 无锡乐普金属科技有限公司 | 一种钼铜合金板的静压渗透制备方法 |
CN110938760A (zh) * | 2019-12-28 | 2020-03-31 | 泰州市华诚钨钼制品有限公司 | 采用纳米钇粉弥散强化钼铜复合材料的制备方法 |
CN110885946A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-03-17 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种钼铜合金的制备方法 |
CN111945121A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-17 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钽铝合金溅射靶材及其制备方法 |
CN112620631A (zh) * | 2020-11-20 | 2021-04-09 | 四川大学 | 一种场辅助活化烧结制备Mo-Cu合金的方法 |
CN112708862A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-27 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种钨钛合金靶坯的制备方法 |
CN114890678B (zh) * | 2022-04-27 | 2023-05-02 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种大尺寸低膨胀玻璃基复合材料及其注浆成型方法 |
CN115383105A (zh) * | 2022-08-10 | 2022-11-25 | 洛阳爱科麦钨钼科技股份有限公司 | 一种高致密钼铜合金材料及其制备方法 |
CN115466913A (zh) * | 2022-09-06 | 2022-12-13 | 盐城工学院 | 一种互不相溶的Cu-Mo合金的制备方法及Cu-Mo合金 |
CN115418517A (zh) * | 2022-09-15 | 2022-12-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种电子封装用钼铜合金的制备方法 |
CN115418517B (zh) * | 2022-09-15 | 2024-05-14 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种电子封装用钼铜合金的制备方法 |
Also Published As
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CN104762498B (zh) | 2017-03-01 |
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