CN104752291B - 一种传输装置及等离子体加工设备 - Google Patents

一种传输装置及等离子体加工设备 Download PDF

Info

Publication number
CN104752291B
CN104752291B CN201310750803.4A CN201310750803A CN104752291B CN 104752291 B CN104752291 B CN 104752291B CN 201310750803 A CN201310750803 A CN 201310750803A CN 104752291 B CN104752291 B CN 104752291B
Authority
CN
China
Prior art keywords
supporting part
substrate
transmitting device
chamber
thimble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310750803.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104752291A (zh
Inventor
文莉辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201310750803.4A priority Critical patent/CN104752291B/zh
Publication of CN104752291A publication Critical patent/CN104752291A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104752291B publication Critical patent/CN104752291B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种传输装置及等离子体加工设备，该传输装置用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送，传输装置包括承载部和旋转驱动机构，其中承载部用于承载基片；旋转驱动机构的驱动轴与承载部相连接，旋转驱动机构用于驱动承载部围绕驱动轴旋转，以使承载部在旋转的过程中可分别位于工艺腔室内设置的预设位置和装卸腔室内设置的取放片位置。本发明提供的传输装置，其可以降低投入成本，从而可以提高经济效益。

Description

一种传输装置及等离子体加工设备
技术领域
本发明属于半导体设备制造技术领域，具体涉及一种传输装置及等离子体加工设备。
背景技术
物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，以下简称PVD）设备是应用比较广泛的等离子体加工设备，主要用于在基片的表面上沉积薄膜。
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图。请参阅图1，该等离子体加工设备包括工艺腔室10、传输腔室11和装卸腔室12，并且传输腔室11与工艺腔室10和装卸腔室12分别连通，且在相邻的两个腔室之间还设置有门阀13，用于控制相邻两个腔室的连通或者断开。其中，传输腔室11内设置有真空机械手111，真空机械手用于将位于装卸腔室12内未进行工艺的基片传输至工艺腔室10内以及将位于工艺腔室10内已完成工艺的基片传输至装卸腔室12；工艺腔室10用于对位于其内的基片进行工艺；装卸腔室12内设置有片盒121，该片盒121在竖直方向上设置多个用于承载基片的承载位，因此，通常借助真空机械手111和/或片盒121的升降来实现对每个承载位传输基片，并且在装卸腔室12的一侧还设置有开门122，经由该开门122以实现对装卸腔室12内的基片进行装卸。
然而，采用上述的等离子体加工设备在实际应用中不可避免的会存在以下技术问题：由于真空机械手111成本高，这会导致等离子体加工设备的成本大大升高。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种传输装置及离子体加工设备，其可以采用简单结构的传输装置代替现有的高成本的真空机械手，从而可以降低投入成本，进而可以提高经济效益。
本发明提供一种传输装置，用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送，所述传输装置包括承载部和旋转驱动机构，所述承载部用于承载基片；所述旋转驱动机构的驱动轴与所述承载部相连接，所述旋转驱动机构用于驱动所述承载部围绕所述驱动轴旋转，以使所述承载部在旋转的过程中可分别位于所述工艺腔室内设置的预设位置和所述装卸腔室内设置的取放片位置。
其中，所述承载部相对所述驱动轴为摆臂结构，所述承载部包括固定端和延伸端，所述固定端与所述驱动轴固定；所述延伸端用于承载所述基片，所述延伸端沿水平方向朝远离所述驱动轴的方向延伸。
其中，在所述装卸腔室内设置片盒，所述片盒在竖直方向上设置有多个用于承载所述基片的承载位，每个所述承载位包括位于所述基片的边缘区域且沿其周向间隔设置的至少三个承载件，并且所述片盒在位于每个承载位上的所述基片的外周壁的外侧且沿所述基片的周向间隔形成有至少三个固定件，所述承载部的延伸端设置为：在所述承载部的延伸端旋转至所述装卸腔室的所述取放片位置的过程中，所述延伸端的任意位置处不与所述固定部和所述承载件相接触。
其中，在所述装卸腔室内设置有用于承载所述基片至少三个顶针，所述承载部的延伸端设置为：在所述承载部的延伸端旋转至所述装卸腔室的所述取放片位置的过程中，所述延伸端的任意位置处不与所述顶针相接触。
其中，在所述装卸腔室内还设置有装卸升降机构，所述装卸升降机构用于驱动所述片盒进行升降，以实现将位于每个所述承载位上的基片装载至位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上，以及将位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上的所述基片卸载至每个所述承载位上。
其中，在所述装卸腔室内还设置有装卸升降机构，所述装卸升降机构用于驱动所述顶针进行升降，以实现将位于所述顶针上的基片装载至位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上，以及将位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上的所述基片卸载至所述顶针上。
其中，在所述工艺腔室内设置有用于承载所述基片的至少三个顶针，所述承载部的延伸端设置为：在所述承载部的延伸端旋转至所述工艺腔室的所述预设位置的过程中，所述延伸端的任意位置处不与所述顶针相接触。
其中，所述工艺腔室内还设置有顶针升降机构，所述顶针升降机构用于驱动所述顶针升降，以实现将位于所述预设位置处的承载部上的基片装载至所述顶针上，以及将位于所述顶针上的基片卸载至位于所述预设位置处的承载部上。
其中，在所述工艺腔室内还设置有基座升降装置，所述基座升降装置包括用于承载所述基片的基座和基座升降机构，每个所述顶针自所述基座的下表面贯穿至所述基座的上表面，并可在所述基座内进行升降，所述基座升降机构用于驱动所述基座升降，以实现将位于所述顶针上的基片装载至所述基座上，并带动所述基片位于所述工艺腔室内设置的工艺位置，以及将位于所述基座上的基片卸载至所述顶针上。
其中，所述传输装置还包括传输升降机构，所述传输升降机构用于驱动所述承载部进行升降，以带动位于所述承载部上的基片进行升降。
其中，在所述工艺腔室和所述装卸腔室之间还设置有门阀，所述门阀用于控制所述工艺腔室和所述装卸腔室的连通或者断开，以使所述承载部在所述工艺腔室和所述装卸腔室连通时经由所述门阀在二者之间移动。
本发明还提供一种等离子体加工设备，包括工艺腔室、装卸腔室和传输装置，所述工艺腔室用于对位于其内的基片进行工艺；所述装卸腔室用于放置完成工艺和未完成工艺的基片；所述传输装置用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送，所述传输装置采用本发明提供的上述传输装置。
其中，所述传输装置设置在所述工艺腔室或者所述装卸腔室内。
本发明具有下述有益效果：
本发明提供的传输装置，其包括用于承载基片的承载部和旋转驱动机构，旋转驱动机构的驱动轴与承载部相连接，旋转驱动机构用于驱动承载部围绕驱动轴旋转，以使承载部在旋转的过程中可分别位于工艺腔室内设置的预设位置和装卸腔室内设置的取放片位置，由上可知，该传输装置的结构简单，这相对现有技术中高成本的真空机械手，从而可以降低投入成本，进而可以提高经济效益。
本发明提供的等离子体加工设备，其通过采用本发明提供的传输装置，可以降低投入成本，从而可以提高经济效益。
附图说明
图1为现有的等离子体加工设备的结构示意图；
图2为本发明实施例提供传输装置的结构示意图；
图3为图2所示的传输装置的俯视图；
图4为图2所示的传输装置的运动轨迹图；
图5a为未完成工艺的基片位于装卸腔室的顶针上的结构示意图；
图5b为基片位于承载部的延伸端上的结构示意图；
图5c为顶针将位于延伸端的基片顶起的结构示意图；
图5d为位于顶针上的基片位于基座的上表面上的结构示意图；
图5e为已完成工艺的基片位于承载部的延伸端的结构示意图；
图5f为装卸升降机构驱动位于取放片位置下方的顶针上升将位于承载部上的完成工艺的基片顶起的结构示意图；
图5g为旋转驱动机构驱动空载的承载部经由门阀旋转至工艺腔室内的存放位置的结构示意图；
图6为装卸腔室内设置片盒的结构示意图；以及
图7为本发明实施例提供的等离子体加工设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的传输装置及等离子体加工设备进行详细描述。
为便于描述，将承载部41未旋转至工艺腔室20和装卸腔室30所处的原始位置称为“存放位置A”；将承载部41在工艺腔室20内装卸基片S的位置称为“预设位置B”；将基片S位于工艺腔室20内进行工艺的位置称为“工艺位置”；将承载部41在装卸腔室30内装卸基片S的位置称为“取放片位置C”。
图2为本发明实施例提供传输装置的结构示意图。图3为图2所示的传输装置的俯视图。请一并参阅图2和图3，本实施例提供的传输装置40用于实现工艺腔室20和装卸腔室30之间的基片S的传送，即，传输装置40用于实现将装卸腔室30内的未完成工艺的基片S传输至工艺腔室20内，待在工艺腔室20内完成工艺之后，将工艺腔室20内已完成工艺的基片S传输至装卸腔室30内；传输装置40设置在工艺腔室20或者装卸腔室30内，在本实施例中，如图2和图3所示，传输装置40设置在工艺腔室20内，传输装置40包括承载部41和旋转驱动机构42，其中，承载部41用于承载基片S；旋转驱动机构42的驱动轴43与承载部41相连接，旋转驱动机构42用于驱动承载部41围绕驱动轴43旋转，以使承载部41在旋转的过程中可分别位于工艺腔室20内设置的预设位置B和装卸腔室30内设置的取放片位置C。具体地，旋转驱动机构42设置在工艺腔室20的外部，且其驱动轴43贯穿工艺腔室20的底壁与位于工艺腔室20内的承载部41相连接，为保证工艺腔室20为密闭空间，在驱动轴43与工艺腔室20的底壁相接触的位置处设置有磁流体44。容易理解，由于在工艺腔室20或装卸腔室30内增设传输装置，这就需要相应地增大工艺腔室20或装卸腔室30的腔室大小，如图2和图3所示，在工艺腔室20内增设了用于放置承载部41的车库60。
在本实施例中，承载部41相对驱动轴43为摆臂结构，承载部41包括固定端411和延伸端412，其中固定端411与驱动轴43固定；延伸端412用于承载基片S，延伸端412沿水平方向朝远离驱动轴43的方向延伸。如图3所示，承载部41在水平截面的轮廓形状为“勾”形，固定端411在水平上的截面积小于延伸端412的截面积。在实际应用中，该承载部41也可以采用其他结构方式，例如，承载部41可以为圆盘式结构，驱动轴43在该圆盘式结构的承载部41的中心位置处于该承载部41相连接，基片S承载至承载部41的边缘区域。
在装卸腔室30内设置片盒31，片盒31在竖直方向上设置有多个用于承载基片S的承载位，每个承载位包括位于基片S的边缘区域且沿其周向间隔设置的至少三个承载件（32-1，32-2，32-3），并且片盒21在位于每个承载位上的基片S的外周壁的外侧且沿基片S的周向间隔形成有至少三个固定件（33-1，33-2，33-3）。在装卸腔室30内还设置有装卸升降机构34，装卸升降机构34用于驱动片盒31进行升降，以实现将位于每个承载位上的基片S装载至位于取放片位置C处的传输装置40的承载部41上，以及将位于取放片位置C处的传输装置40的承载部41上的基片S卸载至每个承载位上。
请参阅图4，承载部41的延伸端412带动基片S在半径为R2的圆周轨迹上运动，并且基片S的最外沿的运动轨迹为半径为R4的圆周轨迹，最内沿的运动轨迹为半径为R1的圆周轨迹，因此固定件（33-1，33-2，33-3）等的其他部件不能设计在半径为R4的圆周轨迹上，并且，每个固定件在水平方向上与半径为R4的圆周轨迹之间预留一定的距离；承载部41的延伸端412的最外沿的运动轨迹为半径为R3的圆周轨迹，为了避免承载部41的延伸端412与固定件（33-1，33-2，33-3）、承载件（32-1，32-2，32-3）接触对片盒31的升降产生不良影响，从而对基片S的传输产生不良影响，因此，承载部41的延伸端412设置为：在承载部41的延伸端412旋转至装卸腔室30的取放片位置C的过程中，延伸端412的任意位置处不与固定部（33-1，33-2，33-3）和承载件（32-1，32-2，32-3）相接触。换言之，固定部（32-1，32-2，32-3）和承载件（32-1，32-2，32-3）的设置方式为：在承载部41的延伸端412位于装卸腔室30的取放片位置C时，且承载件和固定部在保证稳定支撑基片S的前提下，不与承载部41的延伸端412相接触。并且，在满足上述条件下，为了保证承载部41的延伸端412能够稳固承载基片S，则尽可能的增大延伸端412的承载基片S的表面积。
在本实施例中，在工艺腔室20内设置有用于承载基片S的至少三个顶针（21-1，21-2，21-3）和顶针升降机构22，以实现将位于预设位置B处的承载部41上的基片S装载至顶针（21-1，21-2，21-3）上，以及将位于顶针（21-1，21-2，21-3）上的基片S卸载至位于预设位置B处的承载部41上，基于同上的理由，为了避免承载部41的延伸端412与顶针（21-1，21-2，21-3）接触对顶针（21-1，21-2，21-3）的升降产生不良影响，从而对基片S的传输产生不良影响，因此，承载部41的延伸端412设置为：在承载部41的延伸端412旋转至工艺腔室20的预设位置B的过程中，延伸端412的任意位置处不与顶针（21-1，21-2，21-3）相接触。换言之，顶针（21-1，21-2，21-3）的设置方式为：在承载部41的延伸端412位于工艺腔室20的预设位置B时，且顶针（21-1，21-2，21-3）在保证稳定支撑基片S的前提下，不与承载部41的延伸端412相接触。
在工艺腔室20内还设置有基座升降装置，基座升降装置包括用于承载基片S的基座23和基座升降机构24，每个顶针自基座23的下表面贯穿至基座23的上表面，并可在基座23内进行升降，基座升降机构24用于驱动基座23升降，以实现将位于顶针（21-1，21-2，21-3）上的基片S装载至基座23上，并带动基片S位于工艺腔室20内设置的工艺位置，以及将位于基座23上的基片S卸载至顶针（21-1，21-2，21-3）上。
另外，在本实施例中，在工艺腔室20和装卸腔室30之间还设置有门阀50，门阀50用于控制工艺腔室20和装卸腔室30的连通或者断开，以使承载部41在工艺腔室20和装卸腔室30连通时经由门阀50在二者之间移动。容易理解，为便于传输装置40经由该门阀50传输基片S，则要求承载部41与该门阀50等高（即，在同一水平面上）。而且，在装卸腔室30的一侧还设置有开门35，经由该开门35以实现对装卸腔室30内的基片S进行装卸。
下面结合图5a～图5g详细地描述采用本实施例提供的传输装置的工作过程：以装卸腔室30内设置的用于承载基片S的顶针（36-1，36-2，36-3）为例，包括以下步骤：
步骤S1，初始状态如图5a所示，其中，旋转驱动机构42驱动承载部41位于存放位置A，门阀50关闭，未完成工艺的基片S位于装卸腔室30的顶针（36-1，36-2，36-3）上；
步骤S2，如图5b所示，装卸升降机构34驱动顶针（36-1，36-2，36-3）上升，以带动基片S上升至取放片位置C的上方，将门阀50打开，旋转驱动机构42驱动承载部41逆时针经由门阀50旋转至装卸腔室30的取放片位置C；装卸升降机构34驱动顶针（36-1，36-2，36-3）下降，以使基片S位于承载部41的延伸端412上，
步骤S3，如图5c所示，工艺腔室20内的初始状态为基座23和顶针（21-1，21-2，21-3）均位于预设位置B的下方，旋转驱动机构42驱动承载有基片S的承载部41顺时针经由门阀50旋转至工艺腔室20的预设位置B，将门阀50关闭，顶针升降机构22驱动顶针（21-1，21-2，21-3）上升，将位于延伸端412的基片S顶起；
步骤S4，如图5d所示，旋转驱动机构42驱动空载的承载部41顺时针经由门阀50旋转至存放位置A，基座升降机构24驱动基座23上升，使得位于顶针（21-1，21-2，21-3）上的基片S位于基座23的上表面上，并继续上升至工艺位置，在该工艺位置处对位于基座23上的未完成工艺的基片S进行工艺过程；
步骤S5，如图5e所示，在工艺完成之后，基座升降机构24驱动基座23下降至预设位置B的下方，位于预设位置B上方的顶针（21-1，21-2，21-3）将位于基座23上的已完成工艺的基片S顶起，旋转驱动机构42驱动空载的承载部41逆时针经由门阀50、基座23上表面与基片S之间的间隙旋转至预设位置B，顶针升降机构22驱动顶针（21-1，21-2，21-3）下降，以使已完成工艺的基片S位于承载部41的延伸端412；
步骤S6，如图5f所示，将门阀50打开，旋转驱动机构42驱动承载有完成工艺的基片S的承载部41逆时针经由门阀50旋转至装卸腔室30的取放片位置C，装卸升降机构34驱动位于取放片位置C下方的顶针（36-1，36-2，36-3）上升，将位于承载部41上的完成工艺的基片S顶起；
步骤S7，如图5g所示，旋转驱动机构42驱动空载的承载部41经由门阀50旋转至工艺腔室20内的存放位置A，将门阀50关闭；
步骤S8，打开装卸腔室30的开门35，将位于顶针（36-1，36-2，36-3）上的已完成工艺的基片S取出。
由于当装卸腔室30内设置的片盒31时，其工作过程与在装卸腔室30内设置顶针（36-1，36-2，36-3）的工作过程相类似，在此不再详细描述，并且，为了便于取放片盒31，则开门35设置在如图6所示的位置。另外，以上的工作过程只是采用本实施例提供的传输装置的一种工作过程，在实际应用中，可以根据实际情况应用本实施例提供的传输装置进行不同的工作过程。
需要说明的是，可以在装卸腔室30内设置有至少三个顶针（36-1，36-2，36-3），如图3和图2所示，顶针（36-1，36-2，36-3）用于承载基片S，装卸升降机构34用于驱动顶针（36-1，36-2，36-3）进行升降，以实现将位于顶针（36-1，36-2，36-3）上的基片S装载至位于取放片位置C处的传输装置40的承载部41上，以及将位于取放片位置C处的传输装置40的承载部41上的基片S卸载至顶针（36-1，36-2，36-3）上。在这种情况下，为了避免承载部41的延伸端412与顶针（36-1，36-2，36-3）接触对顶针（36-1，36-2，36-3）的升降产生不良影响，从而对基片S的传输产生不良影响，承载部41的延伸端412设置为：在承载部41的延伸端412旋转至装卸腔室30的取放片位置C的过程中，延伸端412的任意位置处不与顶针（36-1，36-2，36-3）相接触。换言之，顶针（36-1，36-2，36-3）的设置方式为：在承载部41的延伸端412位于装卸腔室30的取放片位置C时，且顶针（36-1，36-2，36-3）在保证稳定支撑基片S的前提下，不与承载部41的延伸端412相接触。
还需要说明的是，传输装置40还包括传输升降机构，该传输升降机构用于驱动承载部41升降，以带动位于承载部41上的基片S进行升降，这使得借助该传输装置40的旋转驱动机构42和传输升降机构就可以实现在装卸腔室30和工艺腔室20内装卸基片S，因而可以省去装卸腔室30内的装卸升降机构34以及工艺腔室20内的顶针升降机构22，从而可以降低投入成本，进而可以提高经济效益。当然，在实际应用中，也可以不省去装卸腔室30内的装卸升降机构34以及工艺腔室20内的顶针升降机构22，即，传输升降机构和装卸升降机构34、顶针升降机构22相互配合使用，这可以提高传输基片S的效率。
综上所述，本实施例提供的传输装置，其包括用于承载基片S的承载部41和旋转驱动机构42，旋转驱动机构42的驱动轴43与承载部41相连接，旋转驱动机构42用于驱动承载部41围绕驱动轴43旋转，以使承载部41在旋转的过程中可分别位于工艺腔室20内设置的预设位置B和装卸腔室30内设置的取放片位置C，由上可知，该传输装置40的结构简单，这相对现有技术中高成本的真空机械手，从而可以降低投入成本，进而可以提高经济效益。
作为另外一个技术方案，本发明还提供一种等离子体加工设备，图7为本发明实施例提供的等离子体加工设备的结构示意图。请参阅图7，该等离子体加工设备包括工艺腔室20、装卸腔室30和传输装置40，工艺腔室20用于对位于其内的基片S进行刻蚀、沉积等工艺；装卸腔室30用于放置完成工艺和未完成工艺的基片S；传输装置40用于实现工艺腔室20和装卸腔室30之间的基片S的传送，传输装置40采用上述本发明提供的传输装置40。
在本实施例中，传输装置40设置在装卸腔室30内，在这种情况下，当装卸腔室30内设置的片盒31时，装卸腔室30应该设置为其腔室内部的竖直方向上的空间较大，这样才能满足在传输装置40在传输基片S的过程中，通过片盒31的升降以实现不会阻挡该传输装置40的传输通道。但是，在实际应用中，传输装置40也可以设置在工艺腔室20内，如上述实施例中的图2和图3所示。
容易理解，借助传输装置40设置在工艺腔室20或者装卸腔室30内，这与现有技术中专门设置的传输腔室相比，从而可以减小等离子体加工设备的占地面积，进而可以提高经济效益。
需要说明的是，本实施例提供的等离子体加工设备可以为磁控溅射设备，以实现对基片S完成沉积或者溅射工艺，也可以为等离子增强化学气相沉积设备，以实现对基片S完成化学气相沉积工艺。
本实施例提供的等离子体加工设备，其通过采用上述实施例提供的传输装置，可以降低投入成本，从而可以提高经济效益。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种传输装置，用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送，其特征在于，所述传输装置包括承载部和旋转驱动机构，
所述承载部用于承载基片；
所述旋转驱动机构的驱动轴与所述承载部相连接，所述旋转驱动机构用于驱动所述承载部围绕所述驱动轴旋转，以使所述承载部在旋转的过程中可分别位于所述工艺腔室内设置的预设位置和所述装卸腔室内设置的取放片位置；
所述承载部相对所述驱动轴为摆臂结构，所述承载部包括固定端和延伸端，所述固定端与所述驱动轴固定，所述延伸端用于承载所述基片，所述延伸端沿水平方向朝远离所述驱动轴的方向延伸。
2.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，在所述装卸腔室内设置片盒，所述片盒在竖直方向上设置有多个用于承载所述基片的承载位，每个所述承载位包括位于所述基片的边缘区域且沿其周向间隔设置的至少三个承载件，并且所述片盒在位于每个承载位上的所述基片的外周壁的外侧且沿所述基片的周向间隔形成有至少三个固定件，
所述承载部的延伸端设置为：在所述承载部的延伸端旋转至所述装卸腔室的所述取放片位置的过程中，所述延伸端的任意位置处不与所述固定部和所述承载件相接触。
3.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，在所述装卸腔室内设置有用于承载所述基片的至少三个顶针，
所述承载部的延伸端设置为：在所述承载部的延伸端旋转至所述装卸腔室的所述取放片位置的过程中，所述延伸端的任意位置处不与所述顶针相接触。
4.根据权利要求2所述的传输装置，其特征在于，在所述装卸腔室内还设置有装卸升降机构，所述装卸升降机构用于驱动所述片盒进行升降，以实现将位于每个所述承载位上的基片装载至位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上，以及将位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上的所述基片卸载至每个所述承载位上。
5.根据权利要求3所述的传输装置，其特征在于，在所述装卸腔室内还设置有装卸升降机构，所述装卸升降机构用于驱动所述顶针进行升降，以实现将位于所述顶针上的基片装载至位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上，以及将位于所述取放片位置处的所述传输装置的承载部上的所述基片卸载至所述顶针上。
6.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，在所述工艺腔室内设置有用于承载所述基片的至少三个顶针，
所述承载部的延伸端设置为：在所述承载部的延伸端旋转至所述工艺腔室的所述预设位置的过程中，所述延伸端的任意位置处不与所述顶针相接触。
7.根据权利要求6所述的传输装置，其特征在于，所述工艺腔室内还设置有顶针升降机构，所述顶针升降机构用于驱动所述顶针升降，以实现将位于所述预设位置处的承载部上的基片装载至所述顶针上，以及将位于所述顶针上的基片卸载至位于所述预设位置处的承载部上。
8.根据权利要求7所述的传输装置，其特征在于，在所述工艺腔室内还设置有基座升降装置，所述基座升降装置包括用于承载所述基片的基座和基座升降机构，每个所述顶针自所述基座的下表面贯穿至所述基座的上表面，并可在所述基座内进行升降，
所述基座升降机构用于驱动所述基座升降，以实现将位于所述顶针上的基片装载至所述基座上，并带动所述基片位于所述工艺腔室内设置的工艺位置，以及将位于所述基座上的基片卸载至所述顶针上。
9.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，所述传输装置还包括传输升降机构，所述传输升降机构用于驱动所述承载部进行升降，以带动位于所述承载部上的基片进行升降。
10.根据权利要求1所述的传输装置，其特征在于，在所述工艺腔室和所述装卸腔室之间还设置有门阀，所述门阀用于控制所述工艺腔室和所述装卸腔室的连通或者断开，以使所述承载部在所述工艺腔室和所述装卸腔室连通时经由所述门阀在二者之间移动。
11.一种等离子体加工设备，包括工艺腔室、装卸腔室和传输装置，所述工艺腔室用于对位于其内的基片进行工艺；所述装卸腔室用于放置完成工艺和未完成工艺的基片；所述传输装置用于实现工艺腔室和装卸腔室之间的基片的传送，其特征在于，所述传输装置采用权利要求1-10任意一项所述的传输装置。
12.根据权利要求11所述的等离子体加工设备，其特征在于，所述传输装置设置在所述工艺腔室或者所述装卸腔室内。
CN201310750803.4A 2013-12-31 2013-12-31 一种传输装置及等离子体加工设备 Active CN104752291B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310750803.4A CN104752291B (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种传输装置及等离子体加工设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310750803.4A CN104752291B (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种传输装置及等离子体加工设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104752291A CN104752291A (zh) 2015-07-01
CN104752291B true CN104752291B (zh) 2018-05-08

Family

ID=53591780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310750803.4A Active CN104752291B (zh) 2013-12-31 2013-12-31 一种传输装置及等离子体加工设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104752291B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106558520A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 晶片传输系统及晶片传输方法
CN108807215B (zh) * 2017-04-28 2021-01-29 苏州均晟豪智能科技有限公司 处理装置
CN112133657B (zh) * 2020-09-25 2024-09-20 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及传输晶片的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203284464U (zh) * 2013-05-06 2013-11-13 南方科技大学 一种pecvd镀膜系统

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07221163A (ja) * 1994-02-04 1995-08-18 Nissin Electric Co Ltd 基板搬送装置
US20060251499A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Lunday Andrew P Linear substrate delivery system with intermediate carousel
JP4451854B2 (ja) * 2006-03-20 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理装置における移載機構の制御方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203284464U (zh) * 2013-05-06 2013-11-13 南方科技大学 一种pecvd镀膜系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN104752291A (zh) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI606542B (zh) Process chamber and semiconductor processing apparatus
US20170040204A1 (en) Substrate processing apparatus
CN103299413B (zh) 真空处理设备和制造方法
CN104752291B (zh) 一种传输装置及等离子体加工设备
CN111696882B (zh) 腔室及半导体加工设备
CN105355581B (zh) 一种反应腔室、半导体加工设备及被加工工件的传输方法
JPH0261064A (ja) メリーゴーランド方式によつて基板を被膜する装置
US20130051957A1 (en) Substrate Processing System and Substrate Transferring Method
TW201824428A (zh) 基板的連續處理裝置以及方法
JP5595202B2 (ja) 処理装置およびそのメンテナンス方法
CN111081603B (zh) 晶圆清洗设备及晶圆清洗方法
CN107958864A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN108884561A (zh) 真空处理装置
JP6282983B2 (ja) 基板処理装置
KR20150095311A (ko) 기판 이송 로봇 및 이를 이용한 기판 처리 장치
CN106078676B (zh) 工业用机器人以及制造系统
CN102299046B (zh) 基板处理装置
JP2017038041A (ja) ウエハ形状物品を処理するためのデュアルモードチャンバ
JP2021022638A (ja) 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
CN105097606B (zh) 一种遮挡盘及反应腔室
JP3822481B2 (ja) スパッタリング方法
TWI740301B (zh) 負載鎖定室
KR101597776B1 (ko) 기판 이송 로봇
JPH1191943A (ja) 基板搬送システム
JP6296164B2 (ja) ロボットシステムおよび搬送方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 100176 No. 8 Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone

Applicant after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No.

Applicant before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant