CN104751880A - 非易失性存储器部份擦洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种非易失性存储器部份擦洗方法，用以擦洗目标擦洗区域，其中非易失性存储器分为目标擦洗区域以及非选择区域，一擦洗周期的步骤包括：界定目标擦洗区域，其中非选择区域为非易失性存储器上除了目标擦洗区域的区域；擦洗目标擦洗区域的目标存储器单元，其中目标存储器单元设定为具有不大于擦洗验证电压的临限电压；软编程目标存储器单元，其中目标存储器单元设定为具有不小于软编程验证电压的临限电压，软编程验证电压小于擦洗验证电压；以及刷新非选择区域的既定部份，其中在擦洗周期中被刷新的既定部份小于非选择区域，以此使得擦洗方法更为有效率，降低了不必要的擦洗时间且降低每一周期的擦洗时间。

Description

非易失性存储器部份擦洗方法

技术领域

本发明有关于刷新非易失性存储器元件，特别有关于一种部份刷新非易失性存储器元件的方法，以降低所需的擦洗时间。

背景技术

快闪式存储器为非易失性存储器中一种特殊的型式，其逻辑数据储存于存储器单元中。一组存储器单元为一字元(word)，一组字元为一分页(page)，一组分页为一扇区(sector)，数据通过字元或分页存取而进行读取以及编程的动作，而擦洗时则必须存取整个扇区。通常快闪式存储器将存储器单元以行列放置，其中每一行代表数据的一位元线(bit line)。

快闪式存储器利用施加电压至存储器单元以设定临限电压(可编程的临限电压)以代表逻辑“1”或逻辑“0”，临限电压的位准也代表存储器单元中所储存的数据、验证存储器单元是否被编程、验证存储器单元已被擦洗以及验证存储器单元并未被过度擦洗(over-erased)时的逻辑值“0”或“1”。当施加于栅极的电压足以超过临限电压时，晶体管导通且产生电流；相反的，当施加于栅极的电压无法超越临限电压时，晶体管保持于不导通状态且不产生电流。典型的快闪式存储器设计中，导通状态代表逻辑“1”，而不导通状态代表逻辑“0”。例如，于已被编程的存储器单元的读取周期中，施加至栅极的电压值并未大于临限电压，存储器单元因而没有产生电流。相反的，因为栅极电压大于临限电压，已被擦洗的存储器单元于读取周期中将会产生电流。因此，已被编程的存储器单元代表逻辑“0”，而已被擦洗的存储器单元代表逻辑“1”。

众所皆知，在快闪式存储器元件不再能够可靠地储存数据前，快闪式存储器元件具有有限的擦洗/编程周期次数。更具体的说，由于不断的编程以及擦洗动作而产生快闪式存储器渐进式的退化，快闪存储器单元因而承受擦洗/编程周期的磨耗。本领域相关技术人员知道，存储器区块总是在编程数据前先进行擦洗，因此此周期可视为进行编程与擦洗的周期。本领域相关技术人员也知道，只要实体区块(physical block)的非选择部份确实反相偏压(counter-biased)，部份擦洗一实体区块为可行的。然而依然需要刷新非选择部份以确保存储器单元的完整性。当存储器单元退化时，需要使用较高的编程以及擦洗电压来对存储器单元编程或擦洗至想要的临限电压。最后，存储器单元将无法正确地保存数据，也就是无法被编程或擦洗至特定的临限电压。

由于快闪存储器元件的区块大小不断增加而储存的数据档案大小相对维持固定，因而产生此问题。举例来说，目前高密度快闪存储器元件的区块大小为256kB的范围内，而未来高密度快闪存储器元件将具有接近512kB的区块大小。若储存于区块的数据档案很小，当修改数据档案时，与具有与数据档案大小相同的区块相比，将会有更多的存储器单元遭受不必要的编程/擦洗周期。

因此，为了延展快闪存储器的寿命，需要一种有效率的擦洗方法以降低不必要的擦洗时间且降低每一周期的擦洗时间。

发明内容

为了解决所述的问题，本发明目的在于提出一种方法，利用部份刷新以进一步节省部份区块擦洗(partial block erase)流程的时间，用以降低整体的擦洗时间(erase time)。

有鉴于此，本发明提出一种非易失性存储器部份擦洗方法，适用于擦洗一非易失性存储器的一目标擦洗区域，其中所述非易失性存储器分为所述目标擦洗区域以及一非选择区域，一擦洗周期的步骤包括：界定所述非易失性存储器的所述目标擦洗区域，其中所述非选择区域为所述非易失性存储器上除了所述目标擦洗区域的区域；擦洗所述目标擦洗区域的多个目标存储器单元，其中所述目标存储器单元设定为具有不大于一擦洗验证电压的临限电压；软编程所述目标存储器单元，其中所述目标存储器单元设定为具有不小于一软编程验证电压的临限电压，所述软编程验证电压小于所述擦洗验证电压；以及刷新所述非选择区域的一既定部份，其中在所述擦洗周期中被刷新的所述既定部份小于所述非选择区域。

根据本发明的一实施例，其中所述非选择区域的所述既定部份为所述非选择区域于X方向上的一半区域。

根据本发明的一实施例，其中所述非选择区域的所述既定部份为所述非选择区域于Y方向上的一半区域。

根据本发明的一实施例，其中所述非选择区域分为分别被编号为奇数以及偶数的多个非选择子区域，所述非选择子区域分别对应至一奇数区域以及一偶数区域，而所述既定部份对应至所述奇数区域以及所述偶数区域之一。

根据本发明的一实施例，其中位于所述非易失性存储器的一非易失性计数器交替输出一第一状态以及一第二状态之一，其中当所述非易失性计数器输出所述第一状态以及所述第二状态之一时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域之一，所述第一状态以及所述第二状态之一储存于所述非易失性计数器中以记录所述奇数区域以及所述偶数区域之一已被刷新直到下一次刷新。

根据本发明的一实施例，其中在下一次刷新时，所述非易失性计数器输出所述第一状态以及所述第二状态的另一者，所述奇数区域以及所述偶数区域的另一者因而被刷新。

根据本发明的一实施例，其中当所述非易失性计数器输出4个状态或8个状态时，所述非选择区域分别划分为4或8个非选择子区域。

根据本发明的一实施例，其中位于所述非易失性存储器的一易失性计数器交替输出一第一状态以及一第二状态之一，所述易失性计数器具有一任意初始值，所述第一状态代表刷新所述奇数区域，所述第二状态代表刷新所述偶数区域。

根据本发明的一实施例，其中当上电时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域之一，当断电时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域的另一者。

根据本发明的一实施例，其中当所述易失性计数器输出对应的所述第一状态以及所述第二状态时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域，然后所述第一状态以及所述第二状态之一储存于所述易失性计数器直到下一次刷新。

根据本发明的一实施例，其中刷新所述奇数区域以及所述偶数区域根据随机输出所述第一状态以及所述第二状态之一的一随机信号。

根据本发明的一实施例，其中所述随机信号根据一擦洗验证重试次数为奇数或偶数而产生，其中当所述目标擦洗区域的所述目标存储器单元的临限电压于擦洗后却不小于所述擦洗验证电压时，所述擦洗验证重试次数加一且再次擦洗直到所有所述目标存储器单元的临限电压皆小于所述擦洗验证电压。

根据本发明的一实施例，其中所述随机信号根据一软编程验证重试次数为奇数或偶数而产生，当某些所述目标存储器单元的临限电压于擦洗后却小于所述软编程验证电压时，所述软编程验证重试次数加一且再次软编程直到所有所述目标存储器单元的临限电压皆大于所述软编程验证电压。

根据本发明的一实施例，其中所述随机信号根据所述非易失性存储器的一升压变压器的一开关的一开关次数为奇数或偶数而产生，所述升压变压器将一供应电压升压至一预定电压位准，所述开关随机导通或不导通以维持所述预定电压位准。

根据本发明的一实施例，其中所述随机信号由具有一第一频率的一第一时脉信号取样具有一第二频率的一第二时脉信号，其中所述第一频率小于所述第二频率。

根据本发明的一实施例，其中所述随机信号输入至串联的二反转触发器而产生1/4随机化，其中所述非选择区域划分为四非选择子区域。

根据本发明的一实施例，其中所述随机信号输入至串联的三反转触发器而产生1/8随机化，其中所述非选择区域划分为八非选择子区域。

根据本发明的一实施例，其中若一擦洗验证重试次数超过一既定数目，则刷新全部所述非选择区域。

本发明的有益技术效果在于：通过本发明可使得擦洗方法更为有效率，降低了不必要的擦洗时间且降低每一周期的擦洗时间。

附图说明

图1为显示根据本发明的一实施例所述的部份区块擦洗流程的流程图；

图2为显示根据本发明的一实施例所述的存储器阵列的非选择区域划分的方式；

图3为显示根据本发明的另一实施例所述的存储器阵列的非选择区域划分的另一方式；

图4为显示根据本发明的一实施例所述的具有局部刷新的部份区块擦洗流程的流程图；

图5为显示根据本发明的另一实施例所述的具有局部刷新的部份区块擦洗流程的流程图；

图6为显示根据本发明的另一实施例所述的升压变压器的操作方式；

图7为显示根据本发明的另一实施例所述的如何利用具有不同频率的二信号产生随机化；以及

图8为显示根据本发明的一实施例所述的5000次擦洗周期后且没有刷新的非选择区域的临限电压分布图。

附图标记

110～144     步骤流程；

410～446     步骤流程；

510～545     步骤流程；

801、802、803、804  虚线

具体实施方式

为使本发明的所述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特例举一较佳实施例，并配合所附附图，来作详细说明如下：

以下将介绍根据本发明所述的较佳实施例。必须要说明的是，本发明提供了许多可应用的发明概念，在此所揭露的特定实施例，仅是用于说明达成与运用本发明的特定方式，而不可用以局限本发明的范围。

图1为显示根据本发明的一实施例所述的部份区块擦洗流程的流程图。部份区块擦洗流程包括4个主要步骤：预先编程(pre-program)(步骤110)、擦洗(步骤120)、软编程(soft-program)(步骤130)以及刷新(refresh)(步骤140)。当部份区块擦洗流程开始时，预先编程(步骤110)首先应用于非易失性存储器(如快闪存储器)的目标擦洗区域。根据本发明的一实施例，为了达到紧密的擦洗后临限电压(VT)分布，所有存储器单元于开始擦洗动作之前先进行编程。此编程动作一般称为“预先编程”，用以确保所有的存储器单元于擦洗之前皆具有均匀的高临限电压(VT)值，预先编程动作可视为在擦洗动作之前预先界定阵列。这种方法的理论基础根据一假设，此假设即为若预先编程并未执行于擦洗动作之前，则在擦洗动作之前，储存电子或数据的存储器单元将具有高临限电压值而没有储存电子或数据的存储器单元将具有低临限电压值。在擦洗动作一开始时，此相对较宽的临限电压分布将会造成擦洗动作结束后产生较宽的临限电压分布。若所有存储器单元在擦洗动作之前皆具有均匀的高临限电压时，发生过度擦洗(over-erased)问题的机率将大幅减小。

预先编程之后，擦洗(步骤120)、软编程(步骤130)以及刷新(步骤140)依序执行于目标擦洗区域。擦洗以及软编程各自的程序以及目的如上所述，因此不在此多所赘述。需要注意的是，刷新是部份擦洗流程中一个重要的步骤。

擦洗过程中，目标擦洗区域的栅极施加一负电压，P型井(P-well)施加一高电压。然而，在非选择区域(不被擦洗)中，栅极上施加一相反偏压(如，2V)，而P型井施加一高电压，其中目标擦洗区域以及非选择区域皆位于相同的P型井。非选择区域中，即使施加一反相偏压于栅极，井干扰(well disturbance,通过P型井的干扰)仍然存在，且可能对非选择区域上具有高临限电压的存储器单元造成些微的擦洗。这种干扰不会立刻擦洗存储器单元编程的数据，但若没有执行刷新的话，存储器单元的临限电压会慢慢地往擦洗的临限电压位准移动。

如图1所示，当执行刷新时，对目前的位址执行刷新验证(步骤141)，然后刷新验证电流施加至需要刷新的非选择区域的该位址(步骤142)。在施加刷新验证电流之后，确认刷新验证电流施加的该位址是否为需要被刷新的最后一个位址(步骤143)若是，则结束刷新；反之，持续执行步骤141且重复刷新的流程直到刷新非选择区域的最后一个存储器单元。

根据本发明的一实施例，刷新占了所有擦洗程序80％的时间，也就是刷新整个非选择区域为整体擦洗流程中的最费时者。

图2为显示根据本发明的一实施例所述的存储器阵列的非选择区域划分的方式。如图2所示，非选择区域于X方向划分为许多扇区(sector)，且对所有扇区编号。根据本发明的一实施例，每一次刷新时仅刷新非选择区域的奇数扇区以及偶数扇区之一，下一次刷新时将刷新另一部份。

图3为显示根据本发明的另一实施例所述的存储器阵列的非选择区域划分的另一方式。如图3所示，非选择区域不同于图2的于Y轴方向划分为许多行，且也对每一行编号。根据本发明的另一实施例，每一次刷新时刷新奇数行以及偶数行之一，而下一次刷新时则刷新另一部份。

根据本发明的另一实施例，非选择区域划分为4或8个部份。每次刷新时，仅刷新非选择区域的四分之一或八分之一，其他部份于下一次刷新时依序刷新。因为干扰耐受度(disturbance tolerance)的缘故，使得部份刷新变得可行，并于随后详加描述。

图4为显示根据本发明的一实施例所述的具有局部刷新的部份区块擦洗流程的流程图。如图4所示，步骤410至步骤430与图1相同，相异处仅有步骤440的刷新。在图4刷新动作的一开始，根据存储器阵列上一次的刷新，决定刷新偶数扇区或奇数扇区之一(步骤441)。随后，步骤442至步骤445与图1的步骤141至步骤144相同。在刷新动作结束时，纪录偶数扇区或奇数扇区的何者已被刷新(步骤446)。在下一次刷新的步骤441时，根据步骤446的记录而决定刷新另一个扇区。

根据本发明的一实施例，可利用非易失性计数器来决定哪里要被刷新以及记录哪里已被刷新。非易失性计数器均匀地于奇数以及偶数间切换，其中奇数对应至刷新奇数扇区而偶数对应至刷新偶数扇区。根据本发明的一实施例，上一次刷新时已刷新偶数扇区，使得偶数储存于非易失性计数器中。由于非易失性计数器的特征，非易失性计数器会记录非选择区域中哪个扇区已被刷新，就算断电后再上电也依然如此。

根据本发明的另一实施例，可利用易失性计数器来决定哪里要被刷新以及记录哪里已被刷新。虽然易失性计数器的内容断电后再上电会消失，所以无法确定断电后再上电易失性计数器的内容会输出奇数或偶数。举例而言，若存储器阵列总是在每一擦洗周期后断电而于下一擦洗周期时再上电，且易失性计数器每次上电时皆固定输出偶数以及奇数之一，将会使得每次擦洗周期时只有偶数扇区以及奇数扇区之一会被刷新，而另一者将永远不会被刷新。因此，在上电时，易失性计数器将产生随机刷新，每一次刷新之后，相反的内容将储存于易失性计数器中。举例来说，易失性计数器输出奇数则刷新奇数扇区，刷新结束后，偶数编程至易失性计数器，代表下一个擦洗周期时将刷新偶数扇区。因此，偶数扇区以及奇数扇区将会交替着刷新。

图5为显示根据本发明的另一实施例所述的具有局部刷新的部份区块擦洗流程的流程图。将图5与图4比较，除了步骤541之外，图5的步骤510至步骤540以及步骤542至步骤545几乎与图4相同。刷新之前，可随机地决定刷新偶数扇区或奇数扇区。由于干扰耐受度的缘故，不需要平均地刷新奇数扇区以及偶数扇区，而干扰耐受度将于文后详述。

根据本发明的一实施例，根据擦洗验证重试次数(erase verify retry count)决定刷新偶数扇区或奇数扇区。擦洗过程中(图5的步骤520)，若目标擦洗区域的存储器单元的临限电压并未小于擦洗验证电压(erase verify voltage)时，擦洗验证重试次数会加一。随后，存储器阵列会发出重新擦洗，接着再次执行擦洗验证(erase verify)以确认是否目标擦洗区域的所有存储器单元的临限电压皆小于擦洗验证电压。若否，擦洗验证重试次数会再次加一并重新擦洗。擦洗动作(步骤520)会一直执行到目标擦洗区域的所有存储器单元的临限电压皆小于擦洗验证电压才结束。擦洗验证重试次数于每次擦洗程序中不是定值且不可预测，因此擦洗验证重试次数为一随机值。

根据本发明的另一实施例，根据软编程验证重试次数(soft program verifyretry count)而决定刷新偶数扇区或奇数扇区。擦洗之后，有些存储器单元可能过度擦洗(也就是临限电压低于软编程验证电压(soft program verify voltage))，需要执行软编程(图5的步骤530)将这些存储器单元的低临限电压拉至高于软编程验证电压。软编程验证重试次数与擦洗验证重试次数相似，若目标擦洗区域的存储器单元的临限电压不大于软编程验证电压时，软编程验证重试次数会加一。因此，软编程验证重试次数也是不可预测的，故软编程验证重试次数为一随机值。

根据本发明的另一实施例，可根据升压变压器的开关的开关次数决定刷新偶数扇区或奇数扇区。根据本发明的一实施例，存储器阵列的升压变压器用以将供应电压升压至一预定电压位准。图6为显示根据本发明的另一实施例所述的升压变压器的操作方式。

如图6所示，若升压变压器的输出电压高于预定电压位准时，升压变压器的开关会不导通而降低输出电压。由于升压变压器上负载以及输出电压放电的关系，输出电压会降至预定电压位准之下，因而升压变压器的开关将再一次导通已将输出电压值拉回预定电压位准。因此，升压变压器的开关的开关次数为随机且无法预测，而刷新偶数扇区以及奇数扇区也可由开关的开关次数为偶数或奇数决定。根据本发明的另一实施例，刷新偶数扇区或奇数扇区可由开关为导通或不导通而决定，而开关为导通或不导通也是不可预测。

根据本发明的另一实施例，随机化可由两个具有不同频率的时脉信号所产生。图7为显示根据本发明的另一实施例所述的如何利用具有不同频率的二信号产生随机化。根据本发明的一实施例，第一时脉信号CK1以及第二时脉信号CK2为存储器阵列中的两个时脉信号。举例来说，第一时脉信号CK1的周期小于25ns，而第二时脉信号CK2的周期则为50ns。第一时脉信号CK1以及第二时脉信号CK2皆输入至一反转触发器(toggle flip-flop)，其中如图7所示，第二时脉信号CK2用以取样第一时脉信号CK1。因为第一时脉信号CK1以及第二时脉信号CK2为非同步(asynchronous)，第二时脉信号CK2所取样的每一笔数据皆不可预测且随机的。根据本发明的另一实施例，可使用二个或三个反转触发器以产生1/4或1/8的随机化。

图8为显示根据本发明的一实施例所述的5000次擦洗周期后且没有刷新的非选择区域的临限电压分布图。如图8所示，虚线801代表读取电压位准，其为用以区别高临限电压位准以及低临限电压位准。虚线802代表擦洗目标，其为擦洗之后临限电压必不可大于擦洗目标802(图1的步骤120)，或是擦洗验证重试次数将会加一。虚线803代表第一最低临限电压，其为在第一次擦洗周期之后的非选择区域的最低临限电压值(图1的步骤110至步骤140)，虚线804代表非选择区域经过5000次擦洗周期后的最低临限电压(经过图1的步骤110至步骤140)。要注意的是，在5000次擦洗周期之后，非选择区域的具有高临限电压的存储器单元，其临限电压值会下降大约1.3V左右。然而，5000次擦洗周期之后且没有刷新的情况下，最低临限电压(最终最低临限电压804)与读取电压位准(读取电压位准801)之间仍有约1V的差距，代表及使5000次擦洗周期后都不刷新依然能够正确读取。

根据本发明的一实施例，经过几次擦洗周期后，存储器单元的可靠度降低，使得井干扰(well disturbance)变得容易且渐渐难以忍受。部份刷新的底线为降低整体的擦洗时间。数次擦洗周期后，对存储器单元也产生了耗损，使得干扰耐受度(disturbance tolerance)变得比刷新后还差。若使用随机部份刷新而随机化却无法在一段较长的时间中平均分配奇数扇区以及偶数扇区的刷新次数，具有高临限电压的非选择区域的耗损的存储器单元可能掉至刷新位准之下，代表此耗损的存储器单元将无法被刷新。因此若擦洗验证重试次数高于一既定值时，存储器阵列就会回到全部刷新的机制。由于擦洗验证重试次数或软编程重试次数因实体区块中具有耗损的存储器单元而变得较高，故擦洗验证重试次数或软编程重试次数能够作为存储器耗损的指标。

以上叙述许多实施例的特征，使本领域相关技术人员能够清楚理解本说明书的形态。本领域相关技术人员能够理解其可利用本发明揭示内容为基础以设计或更动其他工艺及结构而完成相同于所述实施例的目的及/或达到相同于所述实施例的优点。本领域相关技术人员亦能够理解不脱离本发明的权利要求保护范围的等效构造可在不脱离本发明的权利要求保护范围内作任意的更动、替代与润饰。

Claims (18)

1.一种非易失性存储器部份擦洗方法，适用于擦洗一非易失性存储器的一目标擦洗区域，其特征在于，所述非易失性存储器分为所述目标擦洗区域以及一非选择区域，一擦洗周期的步骤包括：

界定所述非易失性存储器的所述目标擦洗区域，其中所述非选择区域为所述非易失性存储器上除了所述目标擦洗区域的区域；

擦洗所述目标擦洗区域的多个目标存储器单元，其中所述目标存储器单元设定为具有不大于一擦洗验证电压的临限电压；

软编程所述目标存储器单元，其中所述目标存储器单元设定为具有不小于一软编程验证电压的临限电压，所述软编程验证电压小于所述擦洗验证电压；以及

刷新所述非选择区域的一既定部份，其中在所述擦洗周期中被刷新的所述既定部份小于所述非选择区域。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述非选择区域的所述既定部份为所述非选择区域于X方向上的一半区域。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述非选择区域的所述既定部份为所述非选择区域于Y方向上的一半区域。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述非选择区域分为分别被编号为奇数以及偶数的多个非选择子区域，所述非选择子区域分别对应至一奇数区域以及一偶数区域，而所述既定部份对应至所述奇数区域以及所述偶数区域之一。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述非易失性存储器的一非易失性计数器交替输出一第一状态以及一第二状态之一，其中当所述非易失性计数器输出所述第一状态以及所述第二状态之一时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域之一，所述第一状态以及所述第二状态之一储存于所述非易失性计数器中以记录所述奇数区域以及所述偶数区域之一已被刷新直到下一次刷新。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述擦洗方法在下一次刷新时，所述非易失性计数器输出所述第一状态以及所述第二状态的另一者，所述奇数区域以及所述偶数区域的另一者因而被刷新。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，当所述非易失性计数器输出4个状态或8个状态时，所述非选择区域分别划分为4或8个非选择子区域。

8.根据权利要求4所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，位于所述非易失性存储器的一易失性计数器交替输出一第一状态以及一第二状态之一，所述易失性计数器具有一任意初始值，所述第一状态代表刷新所述奇数区域，所述第二状态代表刷新所述偶数区域。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，当上电时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域之一，当断电时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域的另一者。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，当所述易失性计数器输出对应的所述第一状态以及所述第二状态时，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域，然后所述第一状态以及所述第二状态之一储存于所述易失性计数器直到下一次刷新。

11.根据权利要求4所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，刷新所述奇数区域以及所述偶数区域根据随机输出所述第一状态以及所述第二状态之一的一随机信号。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述随机信号根据一擦洗验证重试次数为奇数或偶数而产生，其中当所述目标擦洗区域的所述目标存储器单元的临限电压于擦洗后却不小于所述擦洗验证电压时，所述擦洗验证重试次数加一且再次擦洗直到所有所述目标存储器单元的临限电压皆小于所述擦洗验证电压。

13.根据权利要求11所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述随机信号根据一软编程验证重试次数为奇数或偶数而产生，当某些所述目标存储器单元的临限电压于擦洗后却小于所述软编程验证电压时，所述软编程验证重试次数加一且再次软编程直到所有所述目标存储器单元的临限电压皆大于所述软编程验证电压。

14.根据权利要求11所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述随机信号根据所述非易失性存储器的一升压变压器的一开关的一开关次数为奇数或偶数而产生，所述升压变压器将一供应电压升压至一预定电压位准，所述开关随机导通或不导通以维持所述预定电压位准。

15.根据权利要求11所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述随机信号由具有一第一频率的一第一时脉信号取样具有一第二频率的一第二时脉信号，其中所述第一频率小于所述第二频率。

16.根据权利要求11所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述随机信号输入至串联的二反转触发器而产生1/4随机化，其中所述非选择区域划分为四非选择子区域。

17.根据权利要求11所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，所述随机信号输入至串联的三反转触发器而产生1/8随机化，其中所述非选择区域划分为八非选择子区域。

18.根据权利要求1所述的非易失性存储器部份擦洗方法，其特征在于，若一擦洗验证重试次数超过一既定数目，则刷新全部所述非选择区域。