TWI498905B - 非揮發性記憶體部份抹除方法 - Google Patents

Description

非揮發性記憶體部份抹除方法

本發明係有關於刷新非揮發性記憶體元件，特別係有關於一種部份刷新非揮發性記憶體元件之方法，以降低所需之抹除時間。

快閃式記憶體係為非揮發性記憶體中一種特殊的型式，其邏輯資料儲存於記憶體單元中。一組記憶體單元係為一字元(word)，一組字元係為一分頁(page)，一組分頁係為一扇區(sector)，資料係經由字元或分頁存取而進行讀取以及編程之動作，而抹除時則必須存取整個扇區。通常快閃式記憶體將記憶體單元以行列放置，其中每一行代表資料之一位元線(bit line)。

快閃式記憶體利用施加電壓至記憶體單元以設定臨限電壓(可編程之臨限電壓)以代表邏輯「1」或邏輯「0」，臨限電壓之位準也代表記憶體單元中所儲存之資料、驗證記憶體單元是否被編程、驗證記憶體單元已被抹除以及驗證記憶體單元並未被過度抹除(over-erased)時之邏輯值「0」或「1」。當施加於閘極之電壓足以超過臨限電壓時，電晶體導通且產生電流；相反的，當施加於閘極之電壓無法超越臨限電壓時，電晶體保持於不導通狀態且不產生電流。典型的快閃式記憶體設計 中，導通狀態代表邏輯「1」，而不導通狀態代表邏輯「0」。例如，於已被編程之記憶體單元之讀取週期中，施加至閘極之電壓值並未大於臨限電壓，記憶體單元因而沒有產生電流。相反的，因為閘極電壓大於臨限電壓，已被抹除之記憶體單元於讀取週期中將會產生電流。因此，已被編程之記憶體單元代表邏輯「0」，而已被抹除之記憶體單元代表邏輯「1」。

眾所皆知，在快閃式記憶體元件不再能夠可靠地儲存資料前，快閃式記憶體元件具有有限的抹除/編程週期次數。更具體的說，由於不斷的編程以及抹除動作而產生快閃式記憶體漸進式的退化，快閃記憶體單元因而承受抹除/編程週期的磨耗。該領域熟知此技藝者知道，記憶體區塊總是在編程資料前先進行抹除，因此此週期可視為進行編程與抹除之週期。該領域熟知此技藝者也知道，只要實體區塊(physical block)之非選擇部份確實反相偏壓(counter-biased)，部份抹除一實體區塊為可行的。然而依然需要刷新非選擇部份以確保記憶體單元之完整性。當記憶體單元退化時，需要使用較高的編程以及抹除電壓來對記憶體單元編程或抹除至想要的臨限電壓。最後，記憶體單元將無法正確地保存資料，也就是無法被編程或抹除至特定之臨限電壓。

由於快閃記憶體元件之區塊大小不斷增加而儲存之資料檔案大小相對維持固定，因而產生此問題。舉例來說，目前高密度快閃記憶體元件之區塊大小為256kB的範圍內，而未來高密度快閃記憶體元件將具有接近512kB之區塊大小。若儲存於區塊之資料檔案很小，當修改資料檔案時，與具有與資 料檔案大小相同之區塊相比，將會有更多的記憶體單元遭受不必要的編程/抹除週期。

因此，為了延展快閃記憶體之壽命，需要一種有效率的抹除方法以降低不必要的抹除時間且降低每一週期之抹除時間。

為了解決上述之問題，本發明提出一種方法，利用部份刷新以進一步節省部份區塊抹除(partial block erase)流程之時間，用以降低整體之抹除時間(erase time)。

有鑑於此，本發明提出一種非揮發性記憶體部份抹除方法，適用於抹除一非揮發性記憶體之一目標抹除區域，其中上述非揮發性記憶體分為上述目標抹除區域以及一非選擇區域，一抹除週期之步驟包括：界定上述非揮發性記憶體之上述目標抹除區域，其中上述非選擇區域係為上述非揮發性記憶體上除了上述目標抹除區域之區域；抹除上述目標抹除區域之複數目標記憶體單元，其中上述目標記憶體單元設定為具有不大於一抹除驗證電壓之臨限電壓；軟編程上述目標記憶體單元，其中上述目標記憶體單元設定為具有不小於一軟編程驗證電壓之臨限電壓，上述軟編程驗證電壓係小於上述抹除驗證電壓；以及刷新上述非選擇區域之一既定部份，其中在上述抹除週期中被刷新之上述既定部份小於上述非選擇區域。

根據本發明之一實施例，其中上述非選擇區域之上述既定部份係為上述非選擇區域於X方向上之一半區域。

根據本發明之一實施例，其中上述非選擇區域之 上述既定部份係為上述非選擇區域於Y方向上之一半區域。

根據本發明之一實施例，其中上述非選擇區域分為分別被編號為奇數以及偶數之複數非選擇子區域，上述非選擇子區域分別對應至一奇數區域以及一偶數區域，而上述既定部份對應至上述奇數區域以及上述偶數區域之一者。

根據本發明之一實施例，其中位於上述非揮發性記憶體之一非揮發性計數器交替輸出一第一狀態以及一第二狀態之一者，其中當上述非揮發性計數器輸出上述第一狀態以及上述第二狀態之一者時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域之一者，上述第一狀態以及上述第二狀態之一者儲存於上述非揮發性計數器中以記錄上述奇數區域以及上述偶數區域之一者已被刷新直到下一次刷新。

根據本發明之一實施例，其中在下一次刷新時，上述非揮發性計數器輸出上述第一狀態以及上述第二狀態之另一者，上述奇數區域以及上述偶數區域之另一者因而被刷新。

根據本發明之一實施例，其中當上述非揮發性計數器輸出4個狀態或8個狀態時，上述非選擇區域分別劃分為4或8個非選擇子區域。

根據本發明之一實施例，其中位於上述非揮發性記憶體之一揮發性計數器交替輸出一第一狀態以及一第二狀態之一者，上述揮發性計數器具有一任意初始值，上述第一狀態代表刷新上述奇數區域，上述第二狀態代表刷新上述偶數區域。

根據本發明之一實施例，其中當上電時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域之一者，當斷電時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域之另一者。

根據本發明之一實施例，其中當上述揮發性計數器輸出對應之上述第一狀態以及上述第二狀態時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域，然後上述第一狀態以及上述第二狀態之一者儲存於上述揮發性計數器直到下一次刷新。

根據本發明之一實施例，其中刷新上述奇數區域以及上述偶數區域係根據隨機輸出上述第一狀態以及上述第二狀態之一者之一隨機信號。

根據本發明之一實施例，其中上述隨機信號係根據一抹除驗證重試次數為奇數或偶數而產生，其中當上述目標抹除區域之上述目標記憶體單元之臨限電壓於抹除後卻不小於上述抹除驗證電壓時，上述抹除驗證重試次數加一且再次抹除直到所有上述目標記憶體單元之臨限電壓皆小於上述抹除驗證電壓。

根據本發明之一實施例，其中上述隨機信號係根據一軟編程驗證重試次數為奇數或偶數而產生，當某些上述目標記憶體單元之臨限電壓於抹除後卻小於上述軟編程驗證電壓時，上述軟編程驗證重試次數加一且再次軟編程直到所有上述目標記憶體單元之臨限電壓皆大於上述軟編程驗證電壓。

根據本發明之一實施例，其中上述隨機信號係根據上述非揮發性記憶體之一升壓變壓器之一開關之一開關次數為奇數或偶數而產生，上述升壓變壓器將一供應電壓升壓至 一預定電壓位準，上述開關隨機導通或不導通以維持上述預定電壓位準。

根據本發明之一實施例，其中上述隨機信號係由具有一第一頻率之一第一時脈信號取樣具有一第二頻率之一第二時脈信號，其中上述第一頻率係小於上述第二頻率。

根據本發明之一實施例，其中上述隨機信號輸入至串聯之二反轉觸發器而產生1/4隨機化，其中上述非選擇區域係劃分為四非選擇子區域。

根據本發明之一實施例，其中上述隨機信號輸入至串聯之三反轉觸發器而產生1/8隨機化，其中上述非選擇區域係劃分為八非選擇子區域。

根據本發明之一實施例，其中若一抹除驗證重試次數超過一既定數目，則刷新全部上述非選擇區域。

110~144‧‧‧步驟流程

410~446‧‧‧步驟流程

510~545‧‧‧步驟流程

801、802、803、804‧‧‧虛線

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之部份區塊抹除流程之流程圖；第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之記憶體陣列之非選擇區域劃分之方式；第3圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之記憶體陣列之非選擇區域劃分之另一方式；第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之具有局部刷新之部份區塊抹除流程之流程圖；第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之具有局部刷 新之部份區塊抹除流程之流程圖；第6圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之升壓變壓器之操作方式；第7圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之如何利用具有不同頻率之二信號產生隨機化；以及第8圖係顯示根據本發明之一實施例所述之5000次抹除週期後且沒有刷新之非選擇區域之臨限電壓分佈圖。

為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特例舉一較佳實施例，並配合所附圖式，來作詳細說明如下：以下將介紹係根據本發明所述之較佳實施例。必須要說明的是，本發明提供了許多可應用之發明概念，在此所揭露之特定實施例，僅是用於說明達成與運用本發明之特定方式，而不可用以侷限本發明之範圍。

第1圖係顯示根據本發明之一實施例所述之部份區塊抹除流程之流程圖。部份區塊抹除流程包括4個主要步驟：預先編程(pre-program)(步驟110)、抹除(步驟120)、軟編程(soft-program)(步驟130)以及刷新(refresh)(步驟140)。當部份區塊抹除流程開始時，預先編程(步驟110)首先應用於非揮發性記憶體(如快閃記憶體)之目標抹除區域。根據本發明之一實施例，為了達到緊密的抹除後臨限電壓(VT)分佈，所有記憶體單元於開始抹除動作之前先進行編程。此編程動作一般稱為「預先編程」，用以確保所有的記憶體單元於抹除之前皆具有 均勻的高臨限電壓(VT)值，預先編程動作可視為在抹除動作之前預先界定陣列。這種方法的理論基礎係根據一假設，此假設即為若預先編程並未執行於抹除動作之前，則在抹除動作之前，儲存電子或資料的記憶體單元將具有高臨限電壓值而沒有儲存電子或資料的記憶體單元將具有低臨限電壓值。在抹除動作一開始時，此相對較寬的臨限電壓分佈將會造成抹除動作結束後產生較寬之臨限電壓分佈。若所有記憶體單元在抹除動作之前皆具有均勻的高臨限電壓時，發生過度抹除(over-erased)問題之機率將大幅減小。

預先編程之後，抹除(步驟120)、軟編程(步驟130)以及刷新(步驟140)依序執行於目標抹除區域。抹除以及軟編程各自的程序以及目的如上所述，因此不在此多所贅述。需要注意的是，刷新是部份抹除流程中一個重要的步驟。

抹除過程中，目標抹除區域之閘極施加一負電壓，P型井(P-well)施加一高電壓。然而，在非選擇區域(不被抹除)中，閘極上施加一相反偏壓(如，2V)，而P型井施加一高電壓，其中目標抹除區域以及非選擇區域皆位於相同的P型井。非選擇區域中，即使施加一反相偏壓於閘極，井干擾(well disturbance，通過P型井之干擾)仍然存在，且可能對非選擇區域上具有高臨限電壓之記憶體單元造成些微的抹除。這種干擾不會立刻抹除記憶體單元編程之資料，但若沒有執行刷新的話，記憶體單元之臨限電壓會慢慢地往抹除之臨限電壓位準移動。

如第1圖所示，當執行刷新時，對目前的位址執行 刷新驗證(步驟141)，然後刷新驗證電流施加至需要刷新之非選擇區域之該位址(步驟142)。在施加刷新驗證電流之後，確認刷新驗證電流施加之該位址是否為需要被刷新之最後一個位址(步驟143)若是，則結束刷新；反之，持續執行步驟141且重複刷新之流程直到刷新非選擇區域之最後一個記憶體單元。

根據本發明之一實施例，刷新佔了所有抹除程序80%的時間，也就是刷新整個非選擇區域係為整體抹除流程中之最費時者。

第2圖係顯示根據本發明之一實施例所述之記憶體陣列之非選擇區域劃分之方式。如第2圖所示，非選擇區域於X方向劃分為許多扇區(sector)，且對所有扇區編號。根據本發明之一實施例，每一次刷新時僅刷新非選擇區域之奇數扇區以及偶數扇區之一者，下一次刷新時將刷新另一部份。

第3圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之記憶體陣列之非選擇區域劃分之另一方式。如第3圖所示，非選擇區域不同於第2圖的於Y軸方向劃分為許多行，且也對每一行編號。根據本發明之另一實施例，每一次刷新時刷新奇數行以及偶數行之一者，而下一次刷新時則刷新另一部份。

根據本發明之另一實施例，非選擇區域劃分為4或8個部份。每次刷新時，僅刷新非選擇區域之四分之一或八分之一，其他部份於下一次刷新時依序刷新。因為干擾耐受度(disturbance tolerance)的緣故，使得部份刷新變得可行，並於隨後詳加描述。

第4圖係顯示根據本發明之一實施例所述之具有 局部刷新之部份區塊抹除流程之流程圖。如第4圖所示，步驟410至步驟430與第1圖相同，相異處僅有步驟440之刷新。在第4圖刷新動作的一開始，根據記憶體陣列上一次的刷新，決定刷新偶數扇區或奇數扇區之一者(步驟441)。隨後，步驟442至步驟445與第1圖之步驟141至步驟144相同。在刷新動作結束時，紀錄偶數扇區或奇數扇區之何者已被刷新(步驟446)。在下一次刷新之步驟441時，根據步驟446之記錄而決定刷新另一個扇區。

根據本發明之一實施例，可利用非揮發性計數器來決定哪裡要被刷新以及記錄哪裡已被刷新。非揮發性計數器均勻地於奇數以及偶數間切換，其中奇數對應至刷新奇數扇區而偶數對應至刷新偶數扇區。根據本發明之一實施例，上一次刷新時已刷新偶數扇區，使得偶數儲存於非揮發性計數器中。由於非揮發性計數器之特徵，非揮發性計數器會記錄非選擇區域中哪個扇區已被刷新，就算斷電後再上電也依然如此。

根據本發明之另一實施例，可利用揮發性計數器來決定哪裡要被刷新以及記錄哪裡已被刷新。雖然揮發性計數器之內容斷電後再上電會消失，所以無法確定斷電後再上電揮發性計數器之內容會輸出奇數或偶數。舉例而言，若記憶體陣列總是在每一抹除週期後斷電而於下一抹除週期時再上電，且揮發性計數器每次上電時皆固定輸出偶數以及奇數之一者，將會使得每次抹除週期時只有偶數扇區以及奇數扇區之一者會被刷新，而另一者將永遠不會被刷新。因此，在上電時，揮發性計數器將產生隨機刷新，每一次刷新之後，相反的內容將儲 存於揮發性計數器中。舉例來說，揮發性計數器輸出奇數則刷新奇數扇區，刷新結束後，偶數編程至揮發性計數器，代表下一個抹除週期時將刷新偶數扇區。因此，偶數扇區以及奇數扇區將會交替著刷新。

第5圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之具有局部刷新之部份區塊抹除流程之流程圖。將第5圖與第4圖比較，除了步驟541之外，第5圖之步驟510至步驟540以及步驟542至步驟545幾乎與第4圖相同。刷新之前，可隨機地決定刷新偶數扇區或奇數扇區。由於干擾耐受度的緣故，不需要平均地刷新奇數扇區以及偶數扇區，而干擾耐受度將於文後詳述。

根據本發明之一實施例，根據抹除驗證重試次數(erase verify retry count)決定刷新偶數扇區或奇數扇區。抹除過程中(第5圖之步驟520)，若目標抹除區域之記憶體單元的臨限電壓並未小於抹除驗證電壓(erase verify voltage)時，抹除驗證重試次數會加一。隨後，記憶體陣列會發出重新抹除，接著再次執行抹除驗證(erase verify)以確認是否目標抹除區域之所有記憶體單元的臨限電壓皆小於抹除驗證電壓。若否，抹除驗證重試次數會再次加一並重新抹除。抹除動作(步驟520)會一直執行到目標抹除區域之所有記憶體單元的臨限電壓皆小於抹除驗證電壓才結束。抹除驗證重試次數於每次抹除程序中不是定值且不可預測，因此抹除驗證重試次數係為一隨機值。

根據本發明之另一實施例，根據軟編程驗證重試次數(soft program verify retry count)而決定刷新偶數扇區或奇數扇區。抹除之後，有些記憶體單元可能過度抹除(也就是臨 限電壓低於軟編程驗證電壓(soft program verify voltage))，需要執行軟編程(第5圖之步驟530)將這些記憶體單元之低臨限電壓拉至高於軟編程驗證電壓。軟編程驗證重試次數與抹除驗證重試次數相似，若目標抹除區域之記憶體單元的臨限電壓不大於軟編程驗證電壓時，軟編程驗證重試次數會加一。因此，軟編程驗證重試次數也是不可預測的，故軟編程驗證重試次數為一隨機值。

根據本發明之另一實施例，可根據升壓變壓器之開關的開關次數決定刷新偶數扇區或奇數扇區。根據本發明之一實施例，記憶體陣列之升壓變壓器用以將供應電壓升壓至一預定電壓位準。第6圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之升壓變壓器之操作方式。

如第6圖所示，若升壓變壓器之輸出電壓高於預定電壓位準時，升壓變壓器之開關會不導通而降低輸出電壓。由於升壓變壓器上負載以及輸出電壓放電的關係，輸出電壓會降至預定電壓位準之下，因而升壓變壓器之開關將再一次導通已將輸出電壓值拉回預定電壓位準。因此，升壓變壓器之開關的開關次數係為隨機且無法預測，而刷新偶數扇區以及奇數扇區也可由開關之開關次數為偶數或奇數決定。根據本發明之另一實施例，刷新偶數扇區或奇數扇區可由開關為導通或不導通而決定，而開關為導通或不導通也是不可預測。

根據本發明之另一實施例，隨機化可由兩個具有不同頻率之時脈信號所產生。第7圖係顯示根據本發明之另一實施例所述之如何利用具有不同頻率之二信號產生隨機化。根 據本發明之一實施例，第一時脈信號CK1以及第二時脈信號CK2為記憶體陣列中之兩個時脈信號。舉例來說，第一時脈信號CK1之週期係小於25ns，而第二時脈信號CK2之週期則為50ns。第一時脈信號CK1以及第二時脈信號CK2皆輸入至一反轉觸發器(toggle flip-flop)，其中如第7圖所示，第二時脈信號CK2用以取樣第一時脈信號CK1。因為第一時脈信號CK1以及第二時脈信號CK2係為非同步(asynchronous)，第二時脈信號CK2所取樣之每一筆資料皆不可預測且隨機的。根據本發明之另一實施例，可使用二個或三個反轉觸發器以產生1/4或1/8之隨機化。

第8圖係顯示根據本發明之一實施例所述之5000次抹除週期後且沒有刷新之非選擇區域之臨限電壓分佈圖。如第8圖所示，虛線801代表讀取電壓位準，其係為用以區別高臨限電壓位準以及低臨限電壓位準。虛線802代表抹除目標，其為抹除之後臨限電壓必不可大於抹除目標802(第1圖之步驟120)，或是抹除驗證重試次數將會加一。虛線803代表第一最低臨限電壓，其為在第一次抹除週期之後的非選擇區域之最低臨限電壓值(第1圖之步驟110至步驟140)，虛線804代表非選擇區域經過5000次抹除週期後之最低臨限電壓(經過第1圖之步驟110至步驟140)。要注意的是，在5000次抹除週期之後，非選擇區域之具有高臨限電壓之記憶體單元，其臨限電壓值會下降大約1.3V左右。然而，5000次抹除週期之後且沒有刷新的情況下，最低臨限電壓(最終最低臨限電壓804)與讀取電壓位準(讀取電壓位準801)之間仍有約1V的差距，代表及使5000次抹 除週期後都不刷新依然能夠正確讀取。

根據本發明之一實施例，經過幾次抹除週期後，記憶體單元之可靠度降低，使得井干擾(well disturbance)變得容易且漸漸難以忍受。部份刷新之底線係為降低整體的抹除時間。數次抹除週期後，對記憶體單元也產生了耗損，使得干擾耐受度(disturbance tolerance)變得比刷新後還差。若使用隨機部份刷新而隨機化卻無法在一段較長的時間中平均分配奇數扇區以及偶數扇區之刷新次數，具有高臨限電壓之非選擇區域之耗損的記憶體單元可能掉至刷新位準之下，代表此耗損的記憶體單元將無法被刷新。因此若抹除驗證重試次數高於一既定值時，記憶體陣列就會回到全部刷新的機制。由於抹除驗證重試次數或軟編程重試次數因實體區塊中具有耗損之記憶體單元而變得較高，故抹除驗證重試次數或軟編程重試次數能夠作為記憶體耗損之指標。

以上敘述許多實施例的特徵，使所屬技術領域中具有通常知識者能夠清楚理解本說明書的形態。所屬技術領域中具有通常知識者能夠理解其可利用本發明揭示內容為基礎以設計或更動其他製程及結構而完成相同於上述實施例的目的及/或達到相同於上述實施例的優點。所屬技術領域中具有通常知識者亦能夠理解不脫離本發明之精神和範圍的等效構造可在不脫離本發明之精神和範圍內作任意之更動、替代與潤飾。

110~144‧‧‧步驟流程

Claims (18)

1. 一種非揮發性記憶體部份抹除方法，適用於抹除一非揮發性記憶體之一目標抹除區域，其中上述非揮發性記憶體分為上述目標抹除區域以及一非選擇區域，一抹除週期之步驟包括：界定上述非揮發性記憶體之上述目標抹除區域，其中上述非選擇區域係為上述非揮發性記憶體上除了上述目標抹除區域之區域；抹除上述目標抹除區域之複數目標記憶體單元，其中上述目標記憶體單元設定為具有不大於一抹除驗證電壓之臨限電壓；軟編程上述目標記憶體單元，其中上述目標記憶體單元設定為具有不小於一軟編程驗證電壓之臨限電壓，上述軟編程驗證電壓係小於上述抹除驗證電壓；以及刷新上述非選擇區域之一既定部份，其中在上述抹除週期中被刷新之上述既定部份小於上述非選擇區域。
2. 如申請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述非選擇區域之上述既定部份係為上述非選擇區域於X方向上之一半區域。
3. 如申請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述非選擇區域之上述既定部份係為上述非選擇區域於Y方向上之一半區域。
4. 如申請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述非選擇區域分為分別被編號為奇數以及偶數 之複數非選擇子區域，上述非選擇子區域分別對應至一奇數區域以及一偶數區域，而上述既定部份對應至上述奇數區域以及上述偶數區域之一者。
5. 如申請專利範圍第4項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中位於上述非揮發性記憶體之一非揮發性計數器交替輸出一第一狀態以及一第二狀態之一者，其中當上述非揮發性計數器輸出上述第一狀態以及上述第二狀態之一者時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域之一者，上述第一狀態以及上述第二狀態之一者儲存於上述非揮發性計數器中以記錄上述奇數區域以及上述偶數區域之一者已被刷新直到下一次刷新。
6. 如申請專利範圍第5項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中在下一次刷新時，上述非揮發性計數器輸出上述第一狀態以及上述第二狀態之另一者，上述奇數區域以及上述偶數區域之另一者因而被刷新。
7. 如申請專利範圍第6項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中當上述非揮發性計數器輸出4個狀態或8個狀態時，上述非選擇區域分別劃分為4或8個非選擇子區域。
8. 如申請專利範圍第4項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中位於上述非揮發性記憶體之一揮發性計數器交替輸出一第一狀態以及一第二狀態之一者，上述揮發性計數器具有一任意初始值，上述第一狀態代表刷新上述奇數區域，上述第二狀態代表刷新上述偶數區域。
9. 如申請專利範圍第8項所述之非揮發性記憶體部份抹除方 法，其中當上電時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域之一者，當斷電時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域之另一者。
10. 如申請專利範圍第9項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中當上述揮發性計數器輸出對應之上述第一狀態以及上述第二狀態時，刷新上述奇數區域以及上述偶數區域，然後上述第一狀態以及上述第二狀態之一者儲存於上述揮發性計數器直到下一次刷新。
11. 如申請專利範圍第5項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中刷新上述奇數區域以及上述偶數區域係根據隨機輸出上述第一狀態以及上述第二狀態之一者之一隨機信號。
12. 如申請專利範圍第11項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述隨機信號係根據一抹除驗證重試次數為奇數或偶數而產生，其中當上述目標抹除區域之上述目標記憶體單元之臨限電壓於抹除後卻不小於上述抹除驗證電壓時，上述抹除驗證重試次數加一且再次抹除直到所有上述目標記憶體單元之臨限電壓皆小於上述抹除驗證電壓。
13. 如申請專利範圍第11項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述隨機信號係根據一軟編程驗證重試次數為奇數或偶數而產生，當某些上述目標記憶體單元之臨限電壓於抹除後卻小於上述軟編程驗證電壓時，上述軟編程驗證重試次數加一且再次軟編程直到所有上述目標記憶體單元之臨限電壓皆大於上述軟編程驗證電壓。
14. 如申請專利範圍第11項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述隨機信號係根據上述非揮發性記憶體之一升壓變壓器之一開關之一開關次數為奇數或偶數而產生，上述升壓變壓器將一供應電壓升壓至一預定電壓位準，上述開關隨機導通或不導通以維持上述預定電壓位準。
15. 如申請專利範圍第11項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述隨機信號係由具有一第一頻率之一第一時脈信號取樣具有一第二頻率之一第二時脈信號，其中上述第一頻率係小於上述第二頻率。
16. 如申請專利範圍第11項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述隨機信號輸入至串聯之二反轉觸發器而產生1/4隨機化，其中上述非選擇區域係劃分為四非選擇子區域。
17. 如申請專利範圍第11項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中上述隨機信號輸入至串聯之三反轉觸發器而產生1/8隨機化，其中上述非選擇區域係劃分為八非選擇子區域。
18. 如申請專利範圍第1項所述之非揮發性記憶體部份抹除方法，其中若一抹除驗證重試次數超過一既定數目，則刷新全部上述非選擇區域。