CN104746045B - 化学气相沉积方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。本发明还提供一种化学气相沉积设备。在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片的风险，并且提高了等离子体发生装置中射频电源的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺控制领域，具体地，涉及一种化学气相沉积方法和一种实施该化学气相沉积方法的化学气相沉积装置。
背景技术
随着半导体工业的发展，不断缩小的器件尺寸对材料的制备技术及材料的性能都提出了极大的挑战。例如，动态随机存取存储器需要深宽比高达100:1的电容器，沟槽内需要沉积厚度为1nm至3nm的均匀介质层。为了满足上述要求，目前常采用的工艺方法为原子层沉积工艺。
原子层沉积也成为原子层外延，是一种基于有序、自限制性反应的化学气相沉积薄膜的方法。与传统的化学气相沉积不同的是，在进行原子层沉积工艺时，前驱体彼此在气相里不相遇，并在沉积基底表面完成单层饱和吸附反应。反应具有自限制性，即，当一种前驱体与沉积基底表面基团反应达到饱和时，反应自动终止。基于自限制性的特点，利用原子层沉积工艺制备的薄膜具有优异的均匀性、无真空、厚度精确可控、重复性好等优点。
美国专利US6723642B1中公开了一种等离子体增强原子层沉积工艺，一个工艺周期包括两个交替的脉冲过程---一种前驱体源的脉冲和另一种前驱体源的等离子体暴露脉冲，冲洗气体一直存在于整个工艺周期内。通过控制交替脉冲次数可以实现薄膜厚度的精确控制。
但是，上述方法需要产生等离子体的等离子体电源具有脉冲起辉功能，一个等离子体增强原子层沉积工艺往往需要频繁起辉几百次至几千次，容易使电极在射频电压的作用下受到轰击并产生颗粒污染基片。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学气相沉积方法和一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积方法不需要利用等离子体电源频繁起辉，从而会避免由频繁起辉产生的污染基片的颗粒。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。
优选地，脉冲地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。
优选地，所述化学气相沉积方法包括连续地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。
优选地，所述化学气相沉积方法还包括在通入所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体的同时，向所述反应腔内通入承载气体。
优选地，所述化学气相沉积方法包括连续地向所述反应腔内通入所述承载气体。
作为本发明的另一个方面，提供一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置包括提供金属源前驱体的金属源前驱体源、提供非金属源前驱体的非金属源前驱体源、控制器、反应腔和等离子体发生装置，所述金属源前驱体源和所述非金属源前驱体源均与所述反应腔相通，且所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过所述等离子体发生装置，所述控制器与所述等离子体发生装置电连接，其中，所述控制器能够控制所述等离子体发生装置在所述化学气相沉积过程中始终开启。
优选地，所述等离子体发生装置设置在所述反应腔内，且所述等离子体发生装置包括射频电源、下电极和中空的上电极，所述金属源前驱体源、所述非金属源前驱体源和所述反应腔均与所述上电极的内部相通，所述射频电源与所述控制器电连接。
优选地，所述上电极的下部设置有气体匀流板，该气体匀流板上设置有多个均匀分布的通孔，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体经过所述气体匀流板上的所述通孔进入所述反应腔内。
优选地，所述化学气相沉积装置还包括承载气体源，该承载气体源经过所述等离子体发生装置与所述反应腔相通。
优选地，所述金属源前驱体源通过第一管道与所述反应腔相通，所述非金属源前驱体源通过所述第二管道与所述反应腔相通，所述承载气体源通过第三管道与所述反应腔相通，所述第一管道上设置有第一开关阀，所述第二管道上设置有第二开关阀，所述第三管道上设置有第三开关阀，所述第一开关阀和所述第二开关阀均与所述控制器电连接。
在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启有如下优点：第一，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片的风险，从而可以提高沉积在基片上的薄膜的纯度；第二，由于所述等离子体发生装置在整个化学气相沉积的过程中始终开启，无需频繁开关射频电源，从而延长了射频电源的使用寿命。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所提供的化学气相沉积方法的一种实施方式的工艺过程示意图；
图2是本发明所提供的化学气相沉积方法的另一种实施方式的工艺过程示意图；
图3是本发明所提供的化学气相沉积装置的示意图；
图4是本发明所提供的化学气相沉积装置的控制原理图。
附图标记说明
10：第一开关阀 11：第一管道
12：金属源前驱体源 20：第二开关阀
21：第二管道 22：非金属源前驱体源
30：第三开关阀 31：第三管道
32：承载气体源 40：射频电源
41：隔直电容 50：上电极
51：气体匀流板 60：反应腔
70：基片 80：下电极
90：抽气管 100：控制器
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图1至图3所示，作为本发明的一个方面，提供一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片70的反应腔60内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入反应腔60中。
在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启有如下优点：第一，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片70的风险，从而可以提高沉积在基片70上的薄膜的纯度；第二，由于所述等离子体发生装置在整个化学气相沉积的过程中始终开启，无需频繁开关射频电源，从而延长了射频电源的使用寿命；第三，增加金属前驱体源中金属元素的活性，使其更容易吸附在基片70上，从而扩大了金属前驱体源的选择范围；第四，增加了金属源前驱体以及非金属源前驱体中参与反应的活性粒子的浓度，从而增加了每个化学气相沉积周期中的薄膜沉积速率。
如图1和图2所示，在本发明中，需要将所述金属前驱体源脉冲地通入反应腔60中，从而可以控制沉积在基片70上的金属离子的量，进而可以控制沉积在基片70上的薄膜的厚度。
在本发明中，对所述非金属源前驱体的通入方式并没有限定。例如，如图1中所示，可以脉冲地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。
或者，如图2中所示，可以连续地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。连续地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体的优点在于，可以使反应腔60内气压更加稳定，从而有利于基片70上界面反应的进行。并且，持续地通入所述非金属源前驱体还可以在反应腔60中产生一部分空间反应，提高化学气相沉积中产生的薄膜的沉积速度
可以根据生产需要选择所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体。例如，当在基片70上沉积Al2O3薄膜时，所述金属源前驱体可以为Al（CH3）3，所述非金属源前驱体可以为O2。
优选地，本发明所提供的化学气相沉积方法还包括在通入所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体的同时，向反应腔60内通入承载气体。承载气体可以对所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体进行稀释和冲洗。承载气体可以为氩气、氮气等惰性气体。
如图1和图2所示，在本发明中，可以连续地向所述反应腔内通入所述承载气体。
作为本发明的另一个方面，如图3所示，提供一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置包括提供金属源前驱体的金属源前驱体源12、提供非金属源前驱体的非金属源前驱体源22、控制器（未示出）、反应腔60和等离子体发生装置，所述金属源前驱体源和所述非金属源前驱体源均与反应腔60相通，且所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过所述等离子体发生装置，所述控制器与所述等离子体发生装置电连接，其中，所述控制器能够控制所述等离子体发生装置在化学气相沉积过程中始终开启。
上文中已经介绍了所述等离子体发生装置在化学气相沉积过程中始终开启的优点，这里不再赘述。
在本发明中，对所述等离子体发生装置的设置方式并没有特殊限制，只要可以在所述化学气相沉积过程中对所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体进行解离即可。作为本发明的一种具体实施方式，如图3所示，所述等离子体发生装置可以设置在反应腔60内，且所述等离子体发生装置可以包括射频电源40、下电极80和中空的上电极50，金属源前驱体源12、非金属源前驱体源22和反应腔60均与上电极50的内部相通，射频电源40与所述控制器（未示出）电连接。所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体在上电极50内部解离。图3中所示的等离子体发生装置结构简单，成本较低，容易实现。
在图3中所示的化学气相沉积装置中，所述等离子体发生装置还包括隔直电容41，该隔直电容41串联在射频电源40和上电极50之间，用于隔直流电而通交流电。
为了使所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均匀地进入反应腔60内部，优选地，可以在上电极50的下部设置气体匀流板51，该气体匀流板51上设置有均匀分布的多个通孔，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体经过所述气体匀流板上的所述通孔进入反应腔60内。
如上文中所述，所述化学气相沉积装置还包括承载气体源32，该承载气体源32经过所述等离子体发生装置与反应腔60相通。如上文中所述，承载气体源32所提供的承载气体的主要作用是对所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体进行稀释和吹扫。
为了方便地控制所述金属源前驱体、所述非金属源前驱体和所述承载气体的通入，优选地，金属源前驱体源12可以通过第一管道11与反应腔60相通，非金属源前驱体源22通过第二管道21与反应腔60相通，承载气体源32通过第三管道31与反应腔60相通，第一管道11上设置有第一开关阀10，第二管道21上设置有第二开关阀20，第三管道31上设置有第三开关阀30。如图4所示，第一开关阀10和所述第二开关阀20均与控制器100电连接。容易理解的是，此处第一开关阀10和第二开关阀20均为电磁阀。利用控制器100控制第一开关阀10的开启和关闭可以控制通入反应腔60内的金属源前驱体的脉冲，利用控制器100控制第二开关阀20的开启和关闭可以控制通入反应腔60内的非金属源前驱体的脉冲。
由于优选地持续地向反应腔60内通入承载气体，因此，可以在刚开始化学气相沉积工艺时，手动地打开第三开关阀30，在整个化学气相沉积工艺结束时，手动地关闭第三开关阀30。或者，也可以将第三开关阀30设置为电磁阀，将第三开关阀30与所述控制器电连接，利用所述控制器控制第三开关阀30的开启和关闭。
如图3所示，除上面描述的各个部件之外，本发明所提供的所述化学气相沉积装置还可以包括抽气管90。抽气管90与反应腔60连通，以将未反应的金属源前驱体、非金属源前驱体以及过量的承载气体抽出，维持反应腔60内气压恒定。
下面结合图1、图3和图4详细地介绍本发明所提供化学气相沉积方法的一种实施方式，如图1所示，本发明所提供的化学气相沉积方法的一种实施方式的一个周期包括t1、t2、t3和t4四个阶段。
在t1阶段，利用控制器100控制第一开关阀10、第三开关阀30和射频电源40打开，向等离子体发生装置的上电极50内通入金属源前驱体和承载气体。t1结束时，利用控制器100控制第一开关阀10关闭，从而完成金属源前驱体的第一个脉冲，并完成所述金属源前驱体的吸附，在本阶段，承载气体的作用有两个：其一，对所述金属前驱体源进行稀释，使所述金属前驱体源均匀地进入反应腔60；其二，用作在基片70的表面产生-OH自由基的放电气体。
待金属前驱体源吸附完毕后，在t2阶段持续地向反应腔60内通入承载气体，以将未吸附的金属前驱体源冲洗出反应腔60。
在t3阶段，利用控制器100控制第二开关阀20开启，使非金属源前驱体源22中的非金属源前驱体通入等离子体发生装置的上电极50中，对该非金属源前驱体进行解离。非金属源前驱体吸附在基片70的表面上，与在t1阶段吸附的金属源前驱体进行界面反应，生成所需要的薄膜。在t3阶段，承载气体的主要作用是对非金属源前驱体进行稀释。t3阶段结束后，利用控制器100控制第二开关阀20关闭。
在t4阶段，持续地通入承载气体，以将未发生反应的非金属源前驱体冲洗出反应腔60。
至此，一个化学气相沉积周期完成，可以根据需要（例如，所需的薄膜厚度）进行下一个化学气相沉积周期。
下面结合图2至图4详细地介绍本发明所提供化学气相沉积方法的另一种实施方式，如图2所示，本发明所提供的化学气相沉积方法的另一种实施方式的一个周期包括t1、t2、t3和t4四个阶段。
在t1阶段，利用控制器100控制第一开关阀10、第二开关阀20、第三开关阀30和射频电源40打开，向等离子体发生装置的上电极50内通入金属源前驱体、非金属源前驱体和承载气体。t1结束时，利用控制器100控制第一开关阀10关闭，从而完成金属源前驱体的第一个脉冲，并完成所述金属源前驱体的吸附，在本阶段，所述非金属源前驱体被所述等离子体发生装置解离，因此，可以在反应腔内产生一定的空间反应。承载气体的作用有两个：其一，对所述金属前驱体源进行稀释，使所述金属前驱体源均匀地进入反应腔60；其二，用作在基片70的表面产生-OH自由基的放电气体。
待金属前驱体源吸附完毕后，在t2阶段持续地向反应腔60内通入承载气体，并且持续地向反应腔60内通入非金属源前驱体，以将未吸附的金属前驱体源冲洗出反应腔60。
在t3阶段，非金属源前驱体源22中的非金属源前驱体持续地通入等离子体发生装置的上电极50中，对该非金属源前驱体进行解离。非金属源前驱体吸附在基片70的表面上，与在t1阶段吸附的金属源前驱体进行界面反应，生成所需要的薄膜。
在t4阶段，持续地通入承载气体和非金属源前驱体，为下一个周期的化学气相沉积反应做准备。
至此，一个化学气相沉积周期完成，可以根据需要（例如，所需的薄膜厚度）进行下一个化学气相沉积周期。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其特征在于，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法包括脉冲地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法包括连续地向所述反应腔内通入所述非金属源前驱体。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法还包括在通入所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体的同时，向所述反应腔内通入承载气体。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积方法，其特征在于，该化学气相沉积方法包括连续地向所述反应腔内通入所述承载气体。
6.一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置包括提供金属源前驱体的金属源前驱体源、提供非金属源前驱体的非金属源前驱体源、控制器、反应腔和等离子体发生装置，所述金属源前驱体源和所述非金属源前驱体源均与所述反应腔相通，且所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过所述等离子体发生装置，所述控制器与所述等离子体发生装置电连接，其特征在于，所述控制器能够控制所述等离子体发生装置在所述化学气相沉积过程中始终开启。
7.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述等离子体发生装置设置在所述反应腔内，且所述等离子体发生装置包括射频电源、下电极和中空的上电极，所述金属源前驱体源、所述非金属源前驱体源和所述反应腔均与所述上电极的内部相通，所述射频电源与所述控制器电连接。
8.根据权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述上电极的下部设置有气体匀流板，该气体匀流板上设置有多个均匀分布的通孔，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体经过所述气体匀流板上的所述通孔进入所述反应腔内。
9.根据权利要求6至8中任意一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于，该化学气相沉积装置还包括承载气体源，该承载气体源经过所述等离子体发生装置与所述反应腔相通。
10.根据权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述金属源前驱体源通过第一管道与所述反应腔相通，所述非金属源前驱体源通过所述第二管道与所述反应腔相通，所述承载气体源通过第三管道与所述反应腔相通，所述第一管道上设置有第一开关阀，所述第二管道上设置有第二开关阀，所述第三管道上设置有第三开关阀，所述第一开关阀和所述第二开关阀均与所述控制器电连接。
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