CN104742007A - 化学机械研磨装置和化学机械研磨方法 - Google Patents

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Abstract

一种化学机械研磨装置和化学机械研磨方法，其中所述化学机械研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘上安装有研磨垫；碱性溶液供应端，位于研磨盘上方，用于向研磨垫表面供应碱性溶液；研磨液供应端，位于研磨盘上方，用于向研磨垫表面供应研磨液；负电压源，用于向研磨垫施加负电压。本发明的化学机械研磨装置能减少研磨垫上研磨粒子的残留，防止了晶圆刮伤的产生。

Description

化学机械研磨装置和化学机械研磨方法
技术领域
本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种化学机械研磨装置和化学机械研磨方法。
背景技术
本发明随着超大规模集成电路ULSI（Ultra Large Scale Integration）的飞速发展，集成电路工艺制作工艺变得越来越复杂和精细。为了提高集成度，降低制造成本，芯片单位面积内的元件数量不断增加，平面布线已难以满足元件高密度分布的要求，只能采用采用多层布线技术利用芯片的垂直空间，进一步提高器件的集成度。但是多层布线技术的应用会造成硅片表面的起伏不平，对图形制作极其不利。为此，要在大直径硅片上实现多层布线结构，首先就要实现每一层都具有很高的全局平整度，即要求对多层布线互连结构中的导体、层间介质层、金属、硅氧化物、氮化物等进行平坦化(Planarization)处理。
目前，化学机械研磨（CMP，Chemical Mechanical Polishing）是达成全局平坦化的最佳方法，尤其在半导体工艺进入亚微米领域后，化学机械研磨已成为一种不可或缺的制作工艺技术。化学机械研磨（CMP）是通过晶片与研磨头之间的相对运动来平坦化晶片待研磨表面的。
图1为现有技术化学机械研磨装置结构示意图。
如图1所示的化学机械研磨装置，包括：研磨盘（Platen）100，铺垫在所述研磨盘100上的研磨垫（Polish Pad）102；用于夹持待研磨晶圆的研磨头104；用于带动所述研磨头转动的卡盘105；用于供应研磨液（Slurry）的研磨液供应管106。研磨时，将待研磨的晶圆103附着在所述研磨头104上，所述待研磨的晶圆103的待研磨面朝下，并在所述研磨头104提供的下压力下紧贴在所述研磨垫102上，当所述研磨盘100在电机带动下旋转时，所述研磨头104也在所述卡盘105的带动下同向转动，同时研磨液107通过所述研磨液供应管106输送到所述研磨垫102上，在所述研磨头104、研磨垫102、研磨盘100共同作用下，研磨液均匀的分布到所述研磨垫102上，在研磨过程中，研磨液在离心力的作用下，直接从所述研磨垫102边缘流出。
但是现有的化学机械研磨装置在对晶圆进行研磨时容易对晶圆产生刮伤，化学机械研磨设备的性能需要进一步提升。
发明内容
本发明解决的问题是提高化学机械研磨装置的性能，防止研磨的过程中产生晶圆的刮伤。
为解决上述问题，本发明提供一种化学机械研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘上安装有研磨垫；碱性溶液供应端，位于研磨盘上方，用于向研磨垫表面供应碱性溶液；研磨液供应端，位于研磨盘上方，用于向研磨垫表面供应研磨液；负电压源，用于向研磨垫施加负电压。
可选的，所述碱性溶液的PH值为10～12。
可选的，所述碱性溶液为稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液。
可选的，所述稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液的体积百分比浓度为20%～40%。
可选的，所述研磨液中的研磨粒子为二氧化硅粒子，研磨液的PH值为9～11。
可选的，所述碱性溶液的PH值等于研磨液的PH值。
可选的，所述研磨垫包括研磨层和位于研磨层底部的金属层。
可选的，所述负电压源与金属层电连接。
可选的，所述研磨垫上施加的负电压的大小为-25mV～-5mV。
可选的，所述研磨盘上具有绝缘层，研磨垫安装在研磨盘上时，研磨垫的金属层与研磨盘通过绝缘层隔离。
可选的，还包括：喷淋头，碱性溶液供应端供应的碱性溶液通过喷淋头喷洒在研磨垫的表面，所述喷淋头的长度等于或大于研磨垫的半径。
本发明还提供了一种化学机械研磨方法，包括：提供待研磨晶圆，研磨头夹持待研磨晶圆压合在研磨盘表面的研磨垫上；向研磨垫表面供入研磨液，研磨头和研磨盘旋转，对待研磨晶圆进行研磨；研磨头将研磨完成后的晶圆从研磨垫上移开；晶圆移开后，向研磨垫表面供入碱性溶液，清洗研磨垫。
可选的，所述碱性溶液的PH值为10～12。
可选的，所述碱性溶液为稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾。
可选的，所述研磨液中的研磨粒子为二氧化硅粒子，研磨液的PH值为9～11。
可选的，还包括：在研磨垫表面供入碱性溶液时，在研磨垫上施加负电压。
可选的，所述供应的碱性溶液的压力10～20psi，供应时间为5～20秒，研磨盘的转速为60～110转/分钟。
可选的，所述研磨垫包括研磨层和位于研磨层底部的金属层，负电压源与金属层电连接，向金属层上施加负电压。
可选的，所述负电压的大小为-25mV～-5mV。
可选的，向研磨垫供应碱性溶液后，还包括：向研磨垫表面供应去离子水，清洗研磨垫；进行下一片待研磨晶圆的研磨。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明的化学机械研磨装置包括：碱性溶液供应端和负电压源，碱性溶液供应端向研磨垫的表面供应碱性溶液，负电压源向研磨垫施加负电压，所述碱性溶液能使得研磨液中PH值增大，使得研磨液中的研磨粒子的相互之间的排斥作用增强，防止了研磨粒子的凝结，碱性溶液还能提高研磨垫对研磨粒子的电学排斥作用，将研磨垫表面上的研磨粒子排斥到溶液中，从而防止研磨垫上的研磨粒子的残留，负电压源向研磨垫施加负电压，使得研磨垫表面能呈现均匀的负界面电势，研磨垫的表面能对同样呈现负界面电势的研磨粒子产生电学排斥作用，从而防止研磨粒子吸附在研磨垫的表面产生残留。
进一步，所述研磨垫包括研磨层和位于研磨层底部的金属层。所述金属层连接负电压源，金属层上均匀分布负电压，使得研磨层表面能呈现均匀的负界面电势。
本发明的化学机械研磨的方法，在晶圆研磨后，向研磨垫的表面上供应碱性溶液，此时研磨垫上还有晶圆研磨过程中的剩余的部分研磨液，所述碱性溶液能使得剩余的研磨液中PH值增大，使得剩余的研磨液中的研磨粒子的相互之间的排斥作用增强，防止了研磨粒子的凝结，碱性溶液还能提高研磨垫对研磨粒子的电学排斥作用，将研磨垫表面上的研磨粒子排斥到溶液中，从而防止研磨垫上的研磨粒子的残留，另外，向研磨垫的表面供应碱性溶液的步骤是位于晶圆研磨步骤之后，防止在晶圆研磨的过程中向研磨垫的表面供应碱性溶液时对研磨液的性能产生不利的影响，而影响研磨的效果。
进一步，在清洗研磨垫，在研磨垫上供应碱性溶液时，同时向在研磨垫的上施加负电压，使得研磨垫表面能呈现均匀的负界面电势，研磨垫能对同时对呈现负界面电势的研磨粒子产生电学排斥作用，碱性溶液和负电势同时对研磨粒子产生排斥作用，因此通过向研磨垫表面供应碱性溶液和向研磨垫施加负电压两者相结合的方式，达到快速有效的去除研磨垫上残留或吸附的研磨粒子的效果，并节省了工艺制程的时间。
附图说明
图1为现有技术化学机械研磨装置结构示意图；
图2为本发明实施例化学机械研磨装置的结构示意图；图3～图5为本发明实施例化学机械研磨过程的结构示意图。
具体实施方式
研磨液作为化学机械研磨过程中的消耗品，对化学机械研磨的平坦化效果有着非常重要的影响，研磨液成分中一般包括研磨粒子和化学添加剂，化学机械研磨的微观过程基本上由两个过程组成：1）化学过程：研磨液中的化学品和晶圆表面上的待研磨层发生化学反应，生成比较容易去除的物质；2）物理过程：研磨液中的研磨粒子和待研磨层表面发生机械物理摩擦，去除化学反应生成的物质。现有研磨液中的普遍采用研磨粒子为二氧化硅粒子，研究发现，二氧化硅粒子在化学添加剂中呈现负的ξ界面电势（negative zetapotential），而研磨垫和晶圆表面通常呈现出零电势或正的界面电势，研磨垫和晶圆表面对二氧化硅粒子会产生吸附作用，吸附的二氧化硅粒子不容易被去离子水清洗去除，使得晶圆和研磨垫上容易产生二氧化硅粒子的残留，晶圆表面残留的二氧化硅粒子会影响半导体器件的性能，研磨垫上残留的二氧化硅粒子容易对后续的晶圆产生刮伤。
为此，本发明提供了一种化学机械研磨装置和化学机械的研磨方法，所述化学机械研磨装置包括碱性溶液供应端，在清洗的过程中，可以向研磨垫表面上供应碱性溶液，所述碱性溶液能够增加研磨垫对研磨粒子的电学排斥力，防止了研磨粒子的残留，所述化学机械研磨装置还包括负电压源，所述负电压源向研磨垫施加负电压，使得研磨垫的表面呈现出负电势，研磨垫对研磨粒子的电学排斥作用增强，防止了研磨粒子吸附在研磨垫的表面，防止了研磨垫上研磨粒子的残留。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图2为本发明实施例化学机械研磨装置的结构示意图；图3～图5为本发明实施例化学机械研磨过程的结构示意图。
请参考图2，所述化学机械研磨装置，包括：
研磨盘301，所述研磨盘301上安装有研磨垫304；
碱性溶液供应端309，位于研磨盘301上方，用于向研磨垫304表面供应碱性溶液；
研磨液供应端307，位于研磨盘301上方，用于向研磨垫304表面供应研磨液；
负电压源315，用于向研磨垫304施加负电压。
具体的，所述研磨垫304包括研磨层303和位于研磨层303底部的金属层302。所述研磨层303用于对待研磨晶圆进行研磨，所述金属层302连接负电压源315，金属层302上均匀分布负电压，使得研磨层303表面能呈现均匀的负界面电势，使得研磨垫304的表面能对同样呈现负界面电势的研磨粒子产生电学排斥作用，从而防止研磨粒子吸附在研磨垫303的表面产生残留。
本实施例中，为了使得研磨的效果更佳，所述研磨层303中具有若干凹槽，凹槽的深度小于研磨层303的厚度，所述凹槽的宽度为0.5mm～1mm。在研磨垫304的金属层302上施加负电压时，凹槽底部的负的界面电势相对更强，对研磨粒子的电学排斥作用更强，防止了凹槽中的研磨粒子的残留。
所述研磨垫304和研磨盘301之间具有绝缘层306，所述绝缘层306位于研磨盘301的表面，研磨垫304安装在研磨盘301上时，所述绝缘层306将研磨垫304的金属层302与研磨盘301之间电学隔离，从而使得金属层302能保持负电压。所述绝缘层306可以为塑料或树脂等绝缘材料。
所述负电压源315的一端与研磨垫304的金属层302电连接，负电压源315的另一端与研磨盘301或地电连接。在具体的实施例中，所述负电压源可315可以位于在研磨盘301的中空区域。
所述负电压源315与金属层302之间具有控制开关316，所述控制开关316控制负电压源315与金属层302连接的通断，在对晶圆进行研磨时，所述控制开关316可以使得负电压源315与金属层302之间断开，防止研磨垫304的表面呈现负的界面电势时，研磨垫对研磨粒子有电学排斥的作用，对研磨过程产生较大的影响；在清洗的过程中（晶圆研磨的过程结束后），所述控制开关316使得负电压源315与金属层302之间连通，金属层302带负电，从而使得研磨垫304的表面呈现出负的界面电势，研磨垫304对表面上的研磨粒子产生电学排斥作用，防止了研磨粒子的残留，在进行下一片晶圆的研磨时，防止了残留的研磨粒子对晶圆表面的刮伤。
所述负电压源315施加在金属层302上的负电压的大小为-25mV～-5mV。
所述研磨液供应端307用于向研磨垫304的表面供应研磨液。本实施例中，所述研磨液中的研磨粒子为二氧化硅粒子，研磨液的PH值为9～11。
所述碱性溶液供应端309用于向研磨垫304的表面供应碱性溶液，所述碱性溶液能使得研磨液中PH值增大，使得研磨液中的研磨粒子的相互之间的排斥作用增强，防止了研磨粒子的凝结，碱性溶液还能提高研磨垫304对研磨粒子的电学排斥作用，将研磨垫304表面上的研磨粒子排斥到溶液中，从而防止研磨垫上的研磨粒子的残留。
所述碱性溶液的PH值为10～12。所述碱性溶液为稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液，所述稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液的体积百分比浓度为20%～40%，在清洗的过程中，所述碱性溶液对研磨垫304表面的排斥效果更佳，防止了研磨粒子的残留。需要说明的是体积百分比浓度为溶质的体积与溶液的体积之比。
在本发明的其他实施例中，所述碱性溶液的PH值等于研磨液的PH值。
所述化学机械研磨装置还包括去离子水供应端308，所述去离子水供应端308用于向研磨垫304的表面供应去离子水。由于去离子水和碱性溶液都是作为清洗研磨垫304时的溶液，不必担心溶液被稀释和沾污。为了使得化学机械研磨装置具有更大的操作空间以及节约制作成本，在具体的实施例中，所述去离子水供应端308和碱性溶液供应端309通过一个三通控制阀310与喷淋头314连接。所述三通控制阀210具有两个入口311/313和一个出口312，去离子水供应端308与其中一个入口311连接，碱性液体供应端309与另外一个入口313连接，三通控制阀210的出口312与喷淋头314连接，通过三通控制阀310的控制可以选择碱性溶液供应端309与喷淋头314连通，从喷淋头314喷洒碱性溶液，或者可以选择去离子水供应端308与喷淋头314连通，从喷淋头314中喷洒去离子水。
所述喷淋头314的长度L等于或大于研磨垫304的半径，在进行研磨垫的清洗过程时，当研磨盘301旋转一周时，使得碱性溶液能均匀的覆盖研磨垫304的表面，并且碱性溶液喷洒时的冲击力也能覆盖整个研磨垫304表面，更有利于研磨垫304上吸附的二氧化硅粒子的去除。
所述化学机械研磨装置还包括研磨头305和卡盘306，所述研磨头305用于夹持待研磨晶圆300，所述卡盘306用于带动所述研磨头305旋转。
本发明实施例中，通过碱性溶液供应端309向研磨垫304的表面供应碱性溶液，负电压源315向研磨垫304的金属层302施加负电压，所述碱性溶液能使得研磨液中PH值增大，使得研磨液中的研磨粒子的相互之间的排斥作用增强，防止了研磨粒子的凝结，碱性溶液还能提高研磨垫304对研磨粒子的电学排斥作用，将研磨垫304表面上的研磨粒子排斥到溶液中，从而防止研磨垫上的研磨粒子的残留，研磨垫的金属层302连接负电压源315，金属层302上均匀分布负电压，使得研磨层303表面能呈现均匀的负界面电势，使得研磨垫304的表面能对同样呈现负界面电势的研磨粒子产生电学排斥作用，从而防止研磨粒子吸附在研磨垫303的表面产生残留，本发明实施例中，通过向研磨垫表面供应碱性溶液，同时向研磨垫上施加负电压，通过两者相结合的方式，达到快速有效的去除研磨垫上残留或吸附的研磨粒子。
本发明还提供了一种采用上述化学机械研磨装置进行研磨的方法，具体请参考图3～图5。
首先，请参考图3，提供待研磨晶圆300，研磨头305夹持待研磨晶圆300压合在研磨盘301表面的研磨垫304上；向研磨垫304表面供入研磨液11，研磨头305和研磨盘301旋转，对待研磨晶圆300进行研磨。
所述待研磨晶圆300的材料为硅（Si）、锗（Ge）、或硅锗（GeSi）、碳化硅（SiC）；也可以是绝缘体上硅（SOI），绝缘体上锗（GOI）；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物。
所述待研磨晶圆300上可以形成待研磨层，待研磨层的材料可以为介质层或金属等。
研磨头305夹持待研磨晶圆300时，使待研磨晶圆300的待研磨表面朝下。
所述研磨液11中的研磨粒子为二氧化硅离子，研磨液11的PH值为9～11，在研磨的过程中，会有部分二氧化硅离子吸附在研磨垫304的表面，在研磨结束后，采用去离子水很难直接去除吸附在研磨垫304表面的二氧化硅粒子，造成二氧化硅粒子的残留，对后续研磨的晶圆极易造成刮伤。
对晶圆300的研磨包括采用硬研磨垫（hard pad）的研磨和软研磨垫（softpad）的研磨，先进行硬研磨垫的研磨，后进行软研磨垫的研磨。进行硬研磨垫的研磨时，研磨头向下的压力为1～5psi（Pounds per square inch），进行软研磨垫的研磨时，研磨头向下的压力为1～5psi（Pounds per square inch）。
晶圆300的研磨完成后，可以将晶圆300移出处理腔室进行去离子水的清洗，或者在后续去离子水清洗研磨垫时一起清洗。
对待研磨晶圆300的具体的研磨工艺请参考现有的研磨工艺，在此不再赘述。
在对待研磨晶圆300进行研磨的过程中，三通控制阀310是关闭的，同时控制开关316是断开的。
接着，请参考图4，晶圆研磨完成后，研磨头305将研磨完成后的晶圆300从研磨垫304上移开；晶圆300移开后，向研磨垫304表面供入碱性溶液12，清洗研磨垫304。
晶圆研磨过程结束后，进行研磨垫304清洗工艺，研磨垫304清洗工艺包括碱性溶液清洗过程和后续进行的去离子水清洗过程。进行碱性溶液清洗过程时，三通控制阀309转向碱性溶液供应端309，从喷淋头314向研磨垫304的表面上供应碱性溶液12，此时研磨垫304上还有晶圆研磨过程中的剩余的部分研磨液，所述碱性溶液12能使得剩余的研磨液中PH值增大，使得剩余的研磨液中的研磨粒子的相互之间的排斥作用增强，防止了研磨粒子的凝结，碱性溶液还能提高研磨垫304对研磨粒子的电学排斥作用，将研磨垫304表面上的研磨粒子排斥到溶液中，从而防止研磨垫上的研磨粒子的残留。
在研磨垫304上供应碱性溶液12时，所述研磨盘301保持旋转，同时控制开关316闭合，负电压源315向在研磨垫304的金属层302上施加负电压，金属层302上均匀分布负电压，使得研磨层303表面能呈现均匀的负界面电势，使得研磨垫304的表面能对同样呈现负界面电势的研磨粒子产生电学排斥作用，本实施例中，进行碱性溶液清洗过程中，通过向研磨垫304表面供应碱性溶液，同时向研磨垫304上施加负电压，通过两者相结合的方式，达到快速有效的去除研磨垫上残留或吸附的研磨粒子的效果，并节省了工艺制程的时间。
进行碱性溶液的清洗过程时，所述碱性溶液12的PH值为10～12，所述碱性溶液12为稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液，所述稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液的体积百分比浓度为20%～40%，所述供应的碱性溶液的压力10～20psi，供应时间为5～20秒，研磨盘的转速为60～110转/分钟，比如：80转/分钟、90转/分钟、100转/分钟，所述负电压的大小为-25mV～-5mV，从而实现更佳的二氧化硅粒子的去除效果，去除效率更高，极大的节省了制程的时间。
本实施例中，向研磨垫304的表面供应碱性溶液和向研磨垫304施加负电压的步骤是位于晶圆研磨步骤之后，防止在晶圆研磨的过程中向研磨垫304的表面供应碱性溶液和向研磨垫304施加负电压时对研磨液的性能产生不利的影响，而影响研磨的效果。
最后，请参考图5，向研磨垫供应碱性溶液后（碱性溶液清洗过程结束后），向研磨垫304表面供应去离子水13，清洗研磨垫304；进行下一片待研磨晶圆的研磨。
碱性溶液清洗过程结束后，进行去离子水清洗过程，三通控制阀310转向去离子水供应端308，通过喷淋头314向研磨垫304的表面供应去离子水，同时研磨盘301保持旋转，去除研磨垫304残留的碱性溶液和研磨液。
在去离子水清洗过程结束后，可以进行下一片晶圆的研磨。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (20)

1.一种化学机械研磨装置，其特征在于，包括：
研磨盘，所述研磨盘上安装有研磨垫；
碱性溶液供应端，位于研磨盘上方，用于向研磨垫表面供应碱性溶液；
研磨液供应端，位于研磨盘上方，用于向研磨垫表面供应研磨液；
负电压源，用于向研磨垫施加负电压。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述碱性溶液的PH值为10～12。
3.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述碱性溶液为稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液。
4.如权利要求2所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液的体积百分比浓度为20%～40%。
5.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述研磨液中的研磨粒子为二氧化硅粒子，研磨液的PH值为9～11。
6.如权利要求5所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述碱性溶液的PH值等于研磨液的PH值。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述研磨垫包括研磨层和位于研磨层底部的金属层。
8.如权利要求7所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述负电压源与金属层电连接。
9.如权利要求8所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述研磨垫上施加的负电压的大小为-25mV～-5mV。
10.如权利要求7所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述研磨盘上具有绝缘层，研磨垫安装在研磨盘上时，研磨垫的金属层与研磨盘通过绝缘层隔离。
11.如权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括：喷淋头，碱性溶液供应端供应的碱性溶液通过喷淋头喷洒在研磨垫的表面，所述喷淋头的长度等于或大于研磨垫的半径。
12.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，包括：
提供待研磨晶圆，研磨头夹持待研磨晶圆压合在研磨盘表面的研磨垫上；
向研磨垫表面供入研磨液，研磨头和研磨盘旋转，对待研磨晶圆进行研磨；
研磨头将研磨完成后的晶圆从研磨垫上移开；
晶圆移开后，向研磨垫表面供入碱性溶液，清洗研磨垫。
13.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述碱性溶液的PH值为10～12。
14.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述碱性溶液为稀释的氨水、氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液。
15.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨液中的研磨粒子为二氧化硅粒子，研磨液的PH值为9～11。
16.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，还包括：在研磨垫表面供入碱性溶液时，在研磨垫上施加负电压。
17.如权利要求16所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述供应的碱性溶液的压力10～20psi，供应时间为5～20秒，研磨盘的转速为60～110转/分钟。
18.如权利要求17所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述研磨垫包括研磨层和位于研磨层底部的金属层，负电压源与金属层电连接，向金属层上施加负电压。
19.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述负电压的大小为-25mV～-5mV。
20.如权利要求12所述的化学机械研磨方法，其特征在于，向研磨垫供应碱性溶液后，还包括：向研磨垫表面供应去离子水，清洗研磨垫；进行下一片待研磨晶圆的研磨。
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