CN104734661A - 晶体振子 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶体振子，所述晶体振子可不对振动特性造成不良影响地设置小型且结构简单的支撑部，频率温度特性优异且设计的自由度高。使晶体的结晶学上的X轴、Y轴和Z轴绕X轴旋转+37°～+51.5°而形成X′轴、Y′轴、Z′轴，使X′轴与Z′轴绕Y′轴旋转45°而形成X″轴及Z″轴。使用如下晶体板(31)，所述晶体板(31)为将具有分别与X″轴及Z″轴平行的边的长方形设为基准长方形，而使该基准长方形的至少一对相向的边分别向基准长方形的外方凸出而成的形状，且在X″轴方向及Z″轴方向上分别具有纵向振动模式。在两个纵向振动模式结合时，将对晶体板(31)进行支撑的支撑部(32)连接于基准长方形的顶点附近的位置且X″轴方向或Z″轴方向的振动位移极小的位置。

Description

晶体振子

技术领域

本发明涉及一种晶体振子。

背景技术

被用作频率或时间的基准源的晶体振子，依据将构成晶体振子的振动板即晶体板从晶体的单晶切出时的结晶学上的方位，而被分为几种“切割(cut)”。关于所述切割，以前，例如AT切割、SC切割等已广为人知。其中，GT切割的晶体板具有优良的频率温度特性，周围温度变化时的共振频率的变化非常小，因而期待被应用于高精度高稳定的晶体振荡器等中。长方形状的GT切割的晶体振子在低频带(例如，2MHz～10MHz)下可实现小型化，且具有常温(25℃左右)下的一次温度系数为0的频率温度特性。

在晶体中，众所周知结晶学上规定有X轴、Y轴及Z轴这3个结晶轴。包含如下晶体板的切割为GT切割(例如参照专利文献1)，该晶体板通过将沿与Y轴正交的面(即，与X轴及Z轴平行的面)切出所得的晶体板称作Y板，将Y板绕X轴旋转+51.5°(即θ＝+51.5°)、且使板在该板的面内进一步旋转+45°(即β＝+45°)而形成。θ及β一般是为了确定晶体的切割方位而使用的参数。为了指定GT切割的晶体板内的方位，将使X轴、Y轴及Z轴绕X轴旋转所述+51.5°所得的轴分别设为X′轴、Y′轴及Z′轴。因绕X轴旋转，所以当然X′轴与X轴一致。而且，将使X′轴及Z′轴绕Y′轴而向从Z′轴朝向X′轴的方向旋转45°所得的轴分别设为X″轴及Z″轴。

此处，对GT切割的晶体板的振动模式进行说明。如图1所示，GT切割的晶体板11的振动模式为X″轴方向的纵向振动(伸缩振动)模式与Z″轴方向的纵向振动模式结合而成的振动模式(也称作宽度·长度纵向耦合振动模式)。图1中，伸缩振动的方向由箭头来表示，利用振动而位移的轮廓由虚线来表示。其中，为了说明，位移的轮廓以远大于晶体板11的实际位移量的位移来进行描述。因为是2个纵向振动模式结合而成的振动模式，所以，以前GT切割的晶体板形成为一对边与X″轴平行而另一对边与Z″轴平行的长方形或方型的形状，且被用作晶体振子中的振动板即晶体片。用以激振作为振动板的晶体板的激振电极分别设置于晶体板的两个主面上。因将纵向振动模式用作主振动，所以GT切割的晶体板即便在共振频率处于低频带时也可形成为小型。另外，GT切割的振子在使各边的长度相等而形成正方形的振动板时，以与宽度·长度纵向耦合振动模式不同的被称作拉梅(Lame)振动模式的振动模式来进行振动，因而原则上GT切割的振子的平面形状并非为正方形。

晶体板的振动模式因切割而异。例如，在为以前所广泛使用的AT切割的晶体板的情况下，振动模式为厚度剪切(thickness shear)振动模式，仅根据该厚度来决定共振频率。因此，AT切割的晶体板中，可将平面形状设定为任意形状，由此，可设为在成为厚度剪切振动下的固定点的位置对晶体片进行支撑的构成。然而，在为GT切割的晶体片的情况下，振动模式为宽度·长度纵向耦合振动模式，且共振频率根据宽度或长度等的平面形状或尺寸而变化，并且需要确实地引起相互结合的2个振动模式的振动双方，因而无法将平面形状设定为任意，或无法在任意的位置配置支撑部。尤其在长方形状的GT切割的晶体板的外周部，一般来说并不存在振动位移的固定点。

在使用GT切割的晶体板来作为构成晶体振子的振动板即晶体片时，需要以不与晶体振子的容器的壁面等接触的方式将晶体板保持于容器内，但由于长方形状的GT切割的晶体板的外周部并不存在振动位移的固定点，所以需要尽可能地以不会妨碍振动的位置与形状来设置对晶体片的支撑部。因此，如专利文献2所示，提出通过使用光刻(photolithography)技术，而由晶体的板状构件来一体地形成振动板的本体部分(振动部)及相对于该本体部分的支撑部。该情况下，如图2所示，将支撑部12连接于如下位置，即，作为振动板的晶体板11中的长方形状本体部分中相向的一对边的各自的中点。此时，设置曲柄状的弯折部等而使支撑部12不对晶体板11的振动造成影响。另外，通过使用有限元素法(finite-element approach)等方法，以振动部单独的共振频率与包含支撑部12在内的共振系统整体的共振频率大致相同的方式，来设计支撑部12的形状。

然而，具备图2所示的支撑部的GT切割的晶体振子结构复杂而制造困难，并且支撑部自身的大小与振动板的本体部分相比无法忽视，因而具有如下课题：支撑部的尺寸不均会对晶体板的振动特性造成大的影响，并且妨碍晶体振子的小型化。

因此，本发明人等人提出了作为GT切割的晶体振子而将椭圆形状的晶体板用作振动板(专利文献3)。在形成为椭圆形的晶体板中，该椭圆形是将GT切割中的正交的2个纵向振动模式的振动方向分别设为长轴与短轴，当2个纵向振动模式结合时，存在4个在晶体板的外周处振动位移极小的位置点，因而设为由所述点来支撑晶体板的构成，由此即便在使用结构简单的支撑部的情况下，也可不对作为晶体振子的振动特性造成不良影响地支撑晶体板。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开平8-213872号公报

[专利文献2]日本专利特开昭58-159014号公报

[专利文献3]日本专利特开2012-175520号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

GT切割的晶体振子中，根据其形状来决定频率、振动特性及频率温度特性。在使用如专利文献3所示的椭圆形状的GT切割的晶体板的情况下，根据椭圆的形状(尤其长轴与短轴的长度之比)来决定频率温度特性，因而在想要获得具有所需各特性的晶体振子的情况下，存在设计的自由度受到限制的课题。

本发明的目的在于提供如下的晶体振子，即，可不对振动特性造成不良影响地小型设置且结构简单的支撑部，并且，包含频率、振动特性及频率温度特性在内的各种特性的设计自由度高。

[解决问题的技术手段]

本发明的晶体振子将使晶体的结晶学上的X轴、Y轴及Z轴绕X轴以+37°以上且+51.5°以下的角度旋转所得的轴分别设为X′轴、Y′轴及Z′轴，将使X′轴及Z′轴绕Y′轴向从Z′轴朝向X′轴的方向旋转45°所得的轴分别设为X″轴及Z″轴，所述晶体振子包含：与包含X″轴及Z″轴的面平行地从晶体切出所得的晶体板；以及对晶体板进行支撑的支撑部，晶体板将具有分别与X″轴及Z″轴平行的边的长方形作为基准长方形，具有使基准长方形的至少一对相向的边向基准长方形的外方凸出而成的形状，且具有将X″轴方向及Z″轴方向分别设为振动方向的正交的2个纵向振动模式，支撑部在基准长方形的顶点附近的位置且2个纵向振动模式结合时X″轴方向或Z″轴方向的振动位移极小的位置，与所述晶体板的外周连接。

本发明的晶体振子与GT切割的晶体振子同样地，将使所谓的Y板绕晶体的X轴旋转且在面内进一步旋转45°所得的晶体板用作振动板。本发明的晶体振子与GT切割的晶体振子不同之处在于，将使晶体的Y板绕X轴旋转时的旋转角θ规定在+37°≤θ≤+51.5°的范围。如果设为θ＝+51.5°则成为普通的GT切割的晶体板。在长方形状的GT切割的晶体板中，通过设为θ＝+51.5°而频率温度特性下的一次温度系数为常温左右且为零，但本发明中并非将晶体板的形状如以下所述那样设为单纯的长方形，因而为了获得优选的特性而可将θ的值设为比+51.5°小。如果θ的值减小则压电常数增大，因而容易获得良好的振子的特性。

另外，本发明中，晶体板的形状并非设为具有分别与X″轴及Z″轴平行的边的长方形(将其称作基准长方形)，而是设为使该基准长方形的至少一对相向的边向基准长方形的外方凸出而成的形状。优选为将晶体板的形状设为使基准长方形的4条边的各边向该基准长方形的外方凸出而成的形状。基准长方形自身是为了对晶体板的形状加以定义而导入的假想的形状，实际的晶体板中，性状等不会因是基准长方形的内部还是外部而具有很大的差异。而且，基准长方形的形状也可为正方形，但为了防止激发拉梅振动模式，而需要使晶体板的X″轴方向的最大尺寸与Z″轴方向的最大尺寸不同，或者凸出的形状不同。

[发明的效果]

根据本发明，通过使用如下的晶体板，而可将振动特性或频率温度特性设为所需特性，且晶体振子的设计自由度增高，所述晶体板是在使Y板绕X轴旋转后在面内旋转45°所得，且为由具有分别与X″轴及Z″轴平行的边的长方形(基准长方形)进一步使基准长方形的各边向外方凸出而成的形状。该情况下，与为单纯的椭圆形状的GT切割的晶体板相比，可获得良好的频率温度特性，并且可使X″轴方向的最大尺寸与Z″轴方向的最大尺寸之比接近1，从而可实现振子的进一步的小型化。而且，可构成如下晶体振子，即，能够利用振动位移极小的点来保持晶体板，不会对振动特性造成影响地使用小型且结构简单的支撑部。本发明的晶体振子因将纵向振动模式用作主振动，所以即便在低频带下也可小型化。

附图说明

图1是说明GT切割的晶体板的振动模式的平面图。

图2是说明设置着支撑部的现有的长方形状的GT切割晶体振子的平面图。

图3(a)～图3(d)是表示本发明的一实施方式的晶体振子中的晶体板的平面形状的例的俯视图。

图4是表示振子的振动位移时的Z″轴方向的位移量的分布的图。

图5是表示振子的振动位移时的X″轴方向的位移量的分布的图。

图6是表示本发明的一实施方式的晶体振子的具体构成的一例的平面图。

图7是图6的C-C′线处的剖面图。

图8(a)、图8(b)是说明使晶体板在面内旋转而改变X″轴方向的尺寸与Z″轴方向的尺寸的图。

图9是表示与从基准长方形凸出的程度相应的边比与频率温度特性中的一次温度系数的关系的曲线图。

图10是表示相对于各种旋转角θ的边比与频率温度特性中的一次温度系数的关系的曲线图。

[符号的说明]

11：GT切割的晶体板

12：支撑部

30：基准长方形

31：晶体板

32：支撑部

33：框架

34、35：激振电极

36：引出电极

37：连接垫

a：晶体板的最大尺寸中的较大的晶体板

b：晶体板的最大尺寸中的较小的晶体板

Lx：基准长方形的X″轴方向上的长度

Lz：基准长方形的Z″轴方向上的长度

P1～P4：点

Y′、X″、Z″：轴

α：一次温度系数

θ：旋转角

δx：相对于X″轴方向的凸出程度

δz：相对于Z″轴方向的凸出程度

具体实施方式

接下来，参照附图对本发明的优选的实施方式进行说明。

图3(a)～图3(d)均表示基于本发明的晶体振子中用作振动板的晶体板31的平面形状的示例。这些晶体板31均为使Y板(与晶体的结晶学上的Y轴垂直的面)绕晶体的X轴以角度θ旋转，且在面内进一步旋转45°所得的晶体板。此处，旋转角θ处于+37°≤θ≤+51.5°的范围。此处，将使晶体的X轴、Y轴、Z轴绕X轴以角度θ旋转所得的坐标轴设为X′轴、Y′轴、Z′轴(因此，X′轴与X轴一致)，如果进一步将X′轴及Z′轴绕Y′轴向从Z′轴朝向X′轴的方向旋转45°所得的轴分别设为X″轴及Z″轴，则晶体板31为具有与X″轴及Z″轴平行的面的晶体板31。晶体板31具有将X″轴方向及Z″轴方向分别设为振动方向的正交的2个纵向振动模式，且具有这些纵向振动模式结合而在X″轴方向及Z″轴方向交替地伸缩的宽度·长度纵向耦合振动模式。

此处，如果将假想地具有分别与X″轴及Z″轴平行的边的长方形考虑作为基准长方形30，则基于本实施方式的晶体板31具有使基准长方形30的4条边的各边向基准长方形30的外方凸出而成的形状。因此，基准长方形30以其各顶点位于晶体板31的外周上的方式，而与晶体板31的外周内切。此处，将基准长方形30的X″轴方向上的长度设为Lx，Z″轴方向上的长度设为Lz。而且，将晶体板31的X″轴方向上的最大长度设为a，Z″轴方向上的最大长度设为b。本实施方式中，也可为Lx＝Lz，为了抑制拉梅振动模式等意外的振动模式所引起的振动，而需要使a≠b。但是，为了使X″轴方向与Z″轴方向的2个纵向振动模式结合而形成宽度·长度纵向耦合振动模式，则需要使a与b为相对接近的值。以下为了说明，设为Lx＞Lz，且a＞b，但因X″轴方向的弹性系数C′11与Z″轴方向的弹性系数C′33相等，所以即便X″轴方向的尺寸与Z″轴方向的尺寸发生改变，也可获得完全相同的振动特性。将晶体板31中的X″轴方向的长度与Z″轴方向的长度之比称作边比，在a＞b的情况下，优选设为0.84≤b/a≤0.96。即便使X″轴方向的尺寸与Z″轴方向的尺寸发生改变，也可获得完全相同的振动特性，因而在b＞a的情况下，优选0.84≤a/b≤0.96。

图3(a)所示的晶体板31具有如下形状，即，该形状是以基准长方形30的邻接的顶点间分别以椭圆弧结合的方式，使基准长方形30的各边向其外方凸出而成。此时，在基准长方形30的顶点的位置相互连接的2个椭圆弧为从不同的椭圆切出所得的椭圆弧。即，晶体板31并未形成整体由单一椭圆表示的形状。成为各椭圆弧的基础的各椭圆例如为其短轴的长度相对于长轴的长度为0.3以上且0.6以下。

图3(b)所示的晶体板31具有如下形状，即，该形状是利用将基准长方形30的各边分别作为底边的4个三边形，使基准长方形30向外方凸出而成的形状。因此，该晶体板31构成为凸八边形。此处，虽未图示，但也可利用三边形使基准长方形30的相向的仅一对边向外方凸出，而形成凸六边形的形状的晶体板31。

图3(c)所示的晶体板31具有利用余弦(Cosine)曲线使基准长方形30的各边向外方凸出而成的形状。在利用曲线使基准长方形30的各边向外方凸出的情况下，所使用的曲线并不限于余弦曲线，也可使用任意的曲线。

图3(d)所示的晶体板31利用包含4条线段的折线来分别置换基准长方形30的各边，而整体上形成为十六边形。此时，未必形成为凸十六边形，也可如图示那样形成为凹十六边形。在使基准长方形30的各边分别向外方凸出而形成多边形状的晶体板31的情况下，并不限于图3(b)所示的八边形或图3(d)所示的十六边形，也可形成六边形以上的任意边数的多边形。在图3(a)、图3(c)及图3(d)所示的形状中，与图3(b)的情况同样地，也可形成为使基准长方形30的相向的仅一对边向外方凸出而成的形状。

接下来，对本实施方式的晶体振子中用以支撑晶体板31的支撑部的连接位置进行研究。

图4及图5分别表示利用模拟而求出如下分布的结果，该分布为图3(a)所示的晶体板31以宽度·长度纵向耦合振动模式振动时的晶体板31的板面内的Z″轴方向的位移量的分布与X″轴方向的位移量的分布。这些图中，正的位移量表示朝向各轴的正方向的位移，负的位移量表示朝向负方向的位移。关于Z″轴方向的振动位移，在沿晶体板31的Z″轴方向延伸的中心线上位移小，而在该中心线与晶体板31的外周相交的位置，X″轴方向的振动位移的位移量的绝对值极大。另一方面，关于X″轴方向的振动位移，在沿晶体板31的X″轴方向延伸的中心线上位移小，而在该中心线与晶体板31的外周相交的位置，Z″轴方向的振动位移的位移量的绝对值极大。因此，在沿晶体板31的X″轴方向延伸的中心线的位置、或者沿Z″轴方向延伸的中心线的位置，换句话说，与基准长方形30的各边的中点相对应的位置，将支撑部连接于晶体板31的外周并非优选之举。且说，参照图5，在基准长方形30的顶点的附近且晶体板31的外周上，存在X″轴方向的位移大致为0的点。图4及图5中，将这些点由P1～点P4来表示。参照图4，点P1～点P4中，Z″轴方向的位移也相对较小。因此，通过将细棒状的支撑部32连接于这些点P1～点P4中的几个点，而可对晶体板31进行支撑。

一般来说，在将棒状的支撑构件连接于晶体板的外周而保持晶体板的情况下，优选在振动位移为0的位置进行保持。然而，根据振动模式的不同，有时振动位移为0的位置并不存在于晶体板上。相对于压缩/伸张应力而棒状构件对弯曲应力会显示出更加“柔和的”动作，因而在不存在振动位移为0的位置的情况下，优选将支撑构件连接于如下位置，即，因振动位移施加至支撑构件的应力不成为压缩/伸张应力而成为弯曲应力的位置。在图4及图5所示的例的情况下，点P1～点P4位于基准长方形30的与Z″轴方向平行的边上，因而如果以沿与该边正交的方向延伸的方式来设置棒状的支撑部32，则对支撑部32仅施加由Z″轴方向的振动位移而引起的弯曲应力，且该振动位移的绝对值也相对较小，因而支撑部32可不对晶体板31的振动特性造成大的影响地对晶体板31进行支撑。

如此，在本实施方式的晶体振子中，在晶体板31的外周处，将支撑部32连接于基准长方形30的顶点的附近且X″轴方向或者Z″轴方向的位移极小的位置(图4及图5所示的例中为点P1～点P4中的一个或多个)，由此可不对晶体板31的振动特性造成影响地对晶体板31进行支撑。支撑部32因连接于振动位移极小的点，所以无需使其共振频率与晶体板31的共振频率一致，从而可设为简单的构成。例如，可由连接于晶体板31的外周的单纯的棒状构件或者梁构件来构成支撑部32。而且该晶体振子使用的是以宽度·长度纵向耦合振动模式进行振动的晶体板31，因而获得良好的频率温度特性，并通过将该晶体振子与振荡电路加以组合，而可获得高精度高稳定的晶体振荡器。

图6及图7表示如所述那样构成的本实施方式的晶体振子的具体构成的一示例。

该晶体振子包括形成为大致长方形的框架(框)33，且在框架33的开口部内保持所述晶体板31。此处所示的例中，使用图3(a)所示的晶体板31。此时框架33也形成为与X″轴方向及Z″轴方向平行。晶体板31由从框架33的内壁延伸的棒状的2根支撑部32支撑。2根支撑部32在位于椭圆形的晶体板31的外周的所述4个点P1～点P4中的2个点，分别与晶体板31机械地连接。此处，将支撑部32连接于夹着晶体板31的中心的一对点P2、点P4(参照图4及图5)。相比于晶体板31的厚度，框架33的厚度充分厚。由此，例如在框架33的上表面与下表面分别配置盖构件而在由框架33与盖构件包围的空间内储存晶体板31的情况下，防止晶体板31与盖构件接触。

使用相当于使Y板绕X轴以角度θ(其中+37°≤θ≤+51.5°)旋转所得的晶体的板状构件，以成为晶体板31、支撑部32及框架33的部分得到保留而其他部分被除去的方式，对该板状构件应用光刻技术，由此可形成所述晶体振子。在对晶体的板状构件使用光刻技术而形成晶体振子的情况下，支撑部32及框架33也包含晶体，且与晶体板31一体构成。

此外，在晶体板31的一主面的大致整个面上形成着激振电极34，用以实现对该激振电极34的电连接的引出电极36形成于一支撑部32的表面，且延伸至形成于框架33的上表面的连接垫37为止。同样地，在晶体板31的另一主面的大致整个面上也形成着激振电极35，该激振电极35经由形成于另一支撑部32的表面的引出电极(未图示)而与形成于框架33的下表面的连接垫(未图示)电连接。

图6及图7所示的图中，由2点来支撑晶体板31，但只要在基准长方形30的顶点附近的位置(换句话说，既非基准长方形30的X″轴方向的中心线的附近的位置也非Z″轴方向的中心线的附近的位置)、且宽度·长度纵向耦合振动模式下的X″轴方向或Z″轴方向的振动位移极小的位置来支撑晶体板31，则可任意地规定由哪一部位进行支撑或由哪一个点进行支撑。

如所述那样，本实施方式的晶体振子的晶体板31在使Y板绕X轴旋转后，在面内旋转45°，因而X″轴方向的弹性系数C′11与Z″轴方向的弹性系数C′33相等。因此，如图8(a)、图8(b)所示，通过使晶体板31在面内旋转90°而即便改变X″轴方向的尺寸与Z″轴方向的尺寸也可获得完全相同的振动特性。图8(a)表示进行90°的面内旋转前的晶体板31，此处，X″轴方向的长度比Z″轴方向的长度长。与此相对，图8(b)表示进行90°的面内旋转后的晶体板31，此处，Z″轴方向的长度比X″轴方向的长度长。

本实施方式中，晶体板31具有使基准长方形30的各边向外方凸出而成的形状。因此，对将凸出的程度设为何种程度方可获得良好的频率温度特性进行了研究。此处，根据从基准长方形30的边的凸出相对于整体的长度而占据怎样的比率，来表示凸出的程度。如果考虑图3(a)所示的晶体板31，则因基准长方形30的相向的边分别凸出，所以分别相对于X″轴方向及Z″轴方向的凸出程度δx、凸出程度δz由

δx＝(a-Lx)/2a、

δz＝(b-Lz)/2b

来表示。利用模拟而求出相对于各种δx、δz的组合，使边比(b/a)发生变化时的频率温度特性中的25℃时的一次温度系数α的变化。将结果表示于图9中。

而且，对改变从晶体结晶切出晶体板31时的切断方位(旋转角θ)时温度频率特性发生了何种程度的变化进行了研究。设为δx＝4.4％，δz＝2.6％，利用模拟而求出相对于各种旋转角θ，使边比(b/a)发生变化时的频率温度特性中的25℃时的一次温度系数α的变化。将结果表示于图10。图9及图10中，由圆包围的部分表示一次温度系数α大致为0的情况。

根据图9及图10可知，在切断角度即旋转角θ为+37°以上且+51.5°以下的范围内，晶体板的边比(b/a)为0.84以上且0.98以下时，在常温(25℃)附近可获得一次温度系数α为0的频率温度特性。

Claims (7)

1.一种晶体振子，其特征在于：

将使晶体的结晶学上的X轴、Y轴及Z轴绕所述X轴以+37°以上且+51.5°以下的角度旋转所得的轴分别设为X′轴、Y′轴及Z′轴，将使所述X′轴及所述Z′轴绕所述Y′轴向从所述Z′轴朝向所述X′轴的方向旋转45°所得的轴分别设为X″轴及Z″轴，

所述晶体振子包含：

晶体板，与包含所述X″轴及所述Z″轴的面平行地从所述晶体切出所得；以及

支撑部，对所述晶体板进行支撑，

所述晶体板具有将具有分别与所述X″轴及所述Z″轴平行的边的长方形作为基准长方形，而使所述基准长方形的至少一对相向的边向所述基准长方形的外方凸出而成的形状，且具有将所述X″轴方向及所述Z″轴方向分别设为振动方向的正交的2个纵向振动模式，

所述支撑部在所述基准长方形的顶点附近的位置且所述2个纵向振动模式结合时所述X″轴方向或所述Z″轴方向的振动位移极小的位置，与所述晶体板的外周连接。

2.根据权利要求1所述的晶体振子，其特征在于：

所述支撑部包含晶体，且与所述晶体板一体形成。

3.根据权利要求1或2所述的晶体振子，其特征在于：

将所述X″轴方向上的所述晶体板的最大尺寸与所述Z″轴方向上的所述晶体板的最大尺寸中的较大的设为a、较小的设为b，b/a为0.84以上且0.98以下。

4.根据权利要求1或2所述的晶体振子，其特征在于：

还包括形成于所述晶体板的各主面的激振电极。

5.根据权利要求1或2所述的晶体振子，其特征在于：

所述晶体板具有使所述基准长方形的4条边的各边向该基准长方形的外方凸出而成的形状。

6.根据权利要求1或2所述的晶体振子，其特征在于：

所述晶体板具有六边形以上的多边形的形状。

7.根据权利要求5所述的晶体振子，其特征在于：

所述晶体板具有将所述基准长方形的邻接的顶点间分别利用椭圆弧加以连接而成的形状，针对所述基准长方形的各顶点，由所述顶点相互连接的2个椭圆弧为从不同的椭圆切出所得的椭圆弧。