JP2012039420A - メサ型のatカット水晶振動片及び水晶デバイス - Google Patents

メサ型のatカット水晶振動片及び水晶デバイス Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、振動部の大きさを適切な値にすることで不要振動の発生を抑え、特性の劣化が防がれたメサ型のATカット水晶振動片を提供する。
【解決手段】 矩形の励振部(31)と、励振部の外周に形成され励振部よりも厚さが薄い励振外周部(32)とを有し、38.400MHzで振動するメサ型のATカット水晶振動片(30)において、励振部と励振外周部との段差の高さh(μm)は、励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(1)
h=(0.2×Mx)−143 ・・・(1)
を満たす。
【選択図】図2

Description

本発明は、メサ型のATカット水晶振動片及びこのメサ型のATカット水晶振動片を備える水晶デバイスに関する。
厚み滑り振動片の代表的なものの一つとしてATカット水晶振動片が知られている。このATカット水晶振動片をパッケージ内に収納した水晶デバイスは、各種の電子機器に周波数の基準源として広く採用されている。これらの水晶デバイスは小型化が進んでおり、より効率的に振動エネルギーの閉じ込め効果を得るためにATカット水晶振動片の主面の外周に傾斜領域を設けるベベル加工やコンベックス加工等の曲面加工が施されている。
ベベル加工やコンベックス加工等の曲面加工は、特許文献1に開示されるように、一般にバレル研磨法と呼ばれる方法で水晶振動片の外周に傾斜領域を形成している。しかし、最近はウエハ工法によるATカット水晶振動片の作製が進み、曲率加工を行うことが困難になった。そのため、メサ形状(段差形状)加工をATカット水晶振動片に施し、曲率加工の代用としている。
特開2002−18698号公報
しかしメサ形状のATカット水晶振動片は、振動部で発生する主振動の振動エネルギーと、振動部周囲に形成される振動外周部で発生する不要振動の振動エネルギー等とが混在した状態となり、ATカット水晶振動片の特性を劣化させるという問題があった。
本発明は、振動部の大きさを適切な値にすることで不要振動の発生を抑え、特性の劣化が防がれたメサ型のATカット水晶振動片を提供することを目的とする。
第1観点のメサ型のATカット水晶振動片は、矩形の励振部と、励振部の外周に形成され励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、38.400MHzで振動するメサ型のATカット水晶振動片において、励振部と励振外周部との段差の高さh(μm)は、励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(1)
h=(0.2×Mx)−143 ・・・(1)
を満たす。
第2観点のメサ型のATカット水晶振動片は、矩形の励振部と、励振部の外周に形成され励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、32.736MHzで振動するメサ型のATカット水晶振動片において、励振部と励振外周部との段差の高さh(μm)は、励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(2)
h=(0.1×Mx)−87 ・・・(2)
を満たす。
第3観点のメサ型のATカット水晶振動片は、矩形の励振部と、励振部の外周に形成され励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有するメサ型のATカット水晶振動片において、励振部と励振外周部との段差の高さh(μm)は、励振部の厚さをt(μm)、励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(3)
h=(1.8×Mx/t0.7)−92 ・・・(3)
を満たす。
第4観点のメサ型のATカット水晶振動片は、励振外周部の周囲を囲み且つ励振外周部を支持する外枠を有する。
第5観点の水晶デバイスは、第1観点から第3観点に記載のメサ型のATカット水晶振動片と、凹部が形成され凹部にメサ型のATカット水晶振動片を収容するベースと、凹部を密閉するリッドと、を備える。
第6観点の水晶デバイスは、一主面と他主面とを有する第4観点に記載のメサ型のATカット水晶振動片と、外枠の一主面に接合される第1面を有するリッドと、外枠の他主面に接合される第2面を有するベースと、を備える。
本発明は、振動部の大きさを適切な値にすることで不要振動の発生を抑え、特性の劣化が防がれたメサ型のATカット水晶振動片を提供できる。
(a)は、水晶デバイス100の斜視図である。 (b)は、水晶デバイス100の断面図である。 (c)は、図1(b)のB−B断面図である。 (a)は、ATカット水晶振動片30の平面図である。 (b)は、図2(a)のD−D断面図である。 (a)は、特定の振動周波数における段差の高さhと励振部31のx軸方向の長さMxとの相関を示したグラフである。 (b)は、段差の高さhと励振部31のx軸方向の長さMxと励振部31の厚さtとの相関を示したグラフである。 (a)は、水晶デバイス200の斜視図である。 (b)は、図4(a)のE−E断面図である。 (a)は、リッド210の平面図である。 (b)は、ATカット水晶振動片230の平面図である。 (c)は、ベース220の平面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
(第1実施形態)
<水晶デバイス100の構成>
図1(a)は、水晶デバイス100の斜視図である。水晶デバイス100は、リッド10、ベース20、及びベース20内に載置されているATカット水晶振動片30(図1(b)参照)により構成されている。ATカットの水晶振動片は、主面が人工水晶の結晶軸(XYZ)のY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜している。このため、水晶デバイス100の長辺方向をx軸方向、水晶デバイス100の短辺方向をz’軸方向、水晶デバイス100の上下方向をy’軸方向として説明する。また本明細書の説明としてy’軸方向の高低を、+方向を高く−方向を低いと表現する。
ベース20は、内側にキャビティ24(図1(b)参照)が形成されており、キャビティ24にはATカット水晶振動片30が載置されている。また、ベース20の底面には外部電極21が形成されている。リッド10は、キャビティ24を密封するようにベース20の+y’軸側に配置されている。リッド10は、セラミックス、ガラス、水晶又は金属等の材料により形成される。また、ベース20は、セラミックス、ガラス又は水晶等により形成される。
図1(b)は、水晶デバイス100の断面図である。図1(b)は、図1(a)のA−A又は後述する図1(c)のC−Cの断面図になっている。ベース20には凹部が形成されることによりキャビティ24が形成される。キャビティ24の下部には接続電極22が形成されており、接続電極22は、導通部(不図示)を通じて外部電極21と電気的に接続されている。ATカット水晶振動片30には、励振部31と励振部31の外周に形成されている励振外周部32とが形成されている。励振外周部32は励振部31よりも厚さが薄く形成されている。励振部31の上下の主面には励振電極33が形成されている。また励振外周部32には引出電極34が形成されており、この引出電極34は励振電極33と電気的に接続される。励振電極33及び引出電極34は、水晶の表面にクロム(Cr)層が形成され、クロム層の表面に金(Au)層を形成することにより作られている。また、引出電極34は導電性接着剤41を通して接続電極22と電気的に接続される。そのため、励振電極33は外部電極21と電気的に接続されることになる。
図1(c)は、図1(b)のB−B断面図である。ベース20にはキャビティ24に2つの接続電極22が形成されている。一方の接続電極22はATカット水晶振動片30の励振部31の上面に形成されている励振電極33と電気的に接続されており、他方の接続電極22は励振部31の下面に形成されている励振電極33と電気的に接続されている。
図2(a)はATカット水晶振動片30の平面図である。ATカット水晶振動片30のx軸方向は、水晶の結晶軸のX軸方向に一致している。また、ATカット水晶振動片30のz’軸方向は、水晶の結晶軸のX軸方向を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜した方向と一致している。ATカット水晶振動片30の外形のx軸方向の長さGxは例えば990μmであり、ATカット水晶振動片30の外形のz’軸方向の長さGzは例えば700μmである。また、励振部31のx軸方向の長さをMx、z’軸方向の長さをMzとする。
図2(b)は、図2(a)のD−D断面図である。ATカット水晶振動片30の励振外周部32の厚さをGy、励振部31の厚さをt、励振部31と励振外周部32との段差の高さをhとする。励振部31と励振外周部32との段差はATカット水晶振動片30の+y’軸側の面と−y’軸側の面とに形成されており、どちらの段差の高さも同じ高さに形成されている。また、段差の高さhは正であり、励振部31の厚さtは励振外周部32の厚さGyよりも大きい。
<段差の高さhに関して>
ATカット水晶振動片30の最適な寸法を求めるべく実験を行ったところ、段差の高さhは、励振部31のx軸方向の長さMx及び振動周波数と相関があった。また段差の高さhは、励振部31のx軸方向の長さMx及び励振部31の厚さtと相関があった。以下、これらの相関について説明する。
図3(a)は、特定の振動周波数における段差の高さhと励振部31のx軸方向の長さMxとの相関を示したグラフである。図3(a)の横軸は励振部31のx軸方向の長さMx(μm)を示し、縦軸は段差の高さh(μm)を示している。また、図3(a)の白丸は振動周波数が38.400MHzの値であり、黒丸は振動周波数が32.736MHzの値である。発明者は段差の高さh=1μmの38.400MHzのATカット水晶振動片30を長さMxを変えて40個作製した。他の段差の高さも同様に40個のATカット水晶振動片30を長さMxを変えて作製した。発明者はそれらATカット水晶振動片30のCI(クリスタルインピーダンス)値を測定した。40個のATカット水晶振動片30は、そのCI値にばらつきを生じ、長さMxに対してCI値は下に凸の二次曲線(放物線)を有していた。図3(a)に示された白丸、黒丸の各点は、各振動周波数及び段差の高さhにおいてCI値が最も低くなる長さMxの値が記入されている。
図3(a)では、32.736MHz及び38.400MHzの両方の場合共、励振部31のx軸方向の長さMxが長くするに従って段差の高さhも高くなっている。また図3(a)のグラフの各振動周波数の値は直線状に並んでいる。図3(a)では、実線の直線50は38.400MHz、一点鎖線の直線51は32.736MHzの直線を示している。直線50は下記の式(1)により表わされる。
h=(0.2×Mx)−143 ・・・(1)
また、直線51は下記の式(2)により表わされる。
h=(0.1×Mx)−87 ・・・(2)
図3(b)は、段差の高さhと励振部31のx軸方向の長さMxと励振部31の厚さtとの相関を示したグラフである。図3(b)の横軸はMx/t0.7が示され、縦軸は段差の高さh(μm)が示されている。図3(b)には、振動周波数が32.736MHz又は38.400MHzの場合の段差の高さhとCI値が最も低くなるMx/t0.7との関係が黒点で記入されている。励振部31の厚さtは、振動周波数が32.736MHzのときに51.0μm、振動周波数が38.400MHzのときに43.5μmとして測定が行われた。図3(b)に示された黒点は概ね直線52上及びその近傍にあり、黒点の位置は直線52で近似できる。直線52は下記の式(3)により表わされる。
h=(1.8×Mx/t0.7)−92 ・・・(3)
式(1)又は式(2)は、振動周波数が38.400MHz又は32.736MHzのATカット水晶振動片30を作製する場合でありメサ部である励振部31の大きさが決まっている場合、CI値が低くなる励振部31の段差の高さhを決めることができる。また、式(3)を用いることにより、振動周波数に関係なく、CI値が低くなる励振部31の段差の高さhを励振部31の厚さtと励振部31の長さMxとを用いて求めることができる。
(第2実施形態)
ATカット水晶振動片30には外枠が形成されていても良い。以下に、外枠が形成されているATカット水晶振動片を備える水晶デバイス200について説明する。
<水晶デバイス200の構成>
図4(a)は、水晶デバイス200の斜視図である。水晶デバイス200は、リッド210と、ATカット水晶振動片230と、ベース220とにより構成されている。水晶デバイス200は、上部にリッド210が配置され、下部にベース220が配置され、ATカット水晶振動片230はリッド210とベース220とに挟まれた位置に配置されている。また、ベース220の下面には外部電極221が形成されている。リッド210及びベース220は、ガラス又は水晶等の材料で形成されている。
図4(b)は、図4(a)のE−E断面図である。ATカット水晶振動片230は、励振部231と励振部231の外周に形成されている励振外周部232とが形成されており、また励振外周部232の周囲を囲むように外枠235が形成されている。外枠235は励振外周部232を支持している。励振部231の一主面と他主面とにはそれぞれ励振電極233が形成され、引出電極234は励振電極233から励振外周部232を通り外枠235に形成されている。ATカット振動片230は、一対の励振電極233により電圧が印加されることにより所定の振動数で振動する。リッド210は外枠235の一主面とリッド210の−y’軸側の面に形成されている第1面211において接合され、ベース220は外枠235の他主面とベース220の+y’軸側の面に形成されている第2面223において接合される。また、ベース220の+y’軸側の面には接続電極222が形成されており、接続電極222はATカット水晶振動片230と接合される時に引出電極234と接続される。また、接続電極222は導通部(不図示)を通して外部電極221と電気的に接続されている。
ATカット水晶振動片230は、励振部231の厚さがt、励振外周部232の厚さがGyになるように形成されている。励振部231と励振外周部232との段差は+y’軸側の面と−y’軸側の面とに形成されており、その高さはhである。また、ATカット水晶振動片30と同じくATカット水晶振動片230は人工水晶で形成されており、ATカット水晶振動片230のx軸方向は、水晶の結晶軸のX軸方向に一致しており、また、ATカット水晶振動片30のz’軸方向は、水晶の結晶軸のX軸方向を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜した方向と一致している。
図5(a)は、リッド210の平面図である。リッド210は、x軸方向に長軸、z’軸方向に短軸がある長方形の主面を有している。また、−y’軸側の面の外周部にはATカット水晶振動片230の外枠235に接続されている第1面211が形成されており、中央部には第1面211に囲まれるように凹部212が形成されている。
図5(b)は、ATカット水晶振動片230の平面図である。ATカット振動片230と外枠235とは接続腕236により接続されている。励振部231に形成されている励振電極233から引き出されている引出電極234は、励振外周部232及び接続腕236を通り、外枠235の角まで形成されている。引出電極234は、外枠235の角の接続点237においてベース220に形成されている接続電極222と接続される。接続点237は、図5(b)で点線の楕円で示している外枠235の角の−y’軸側の面に形成されている。ATカット水晶振動片230の励振外周部234のx軸方向の長さGxは例えば990μmであり、ATカット水晶振動片230の励振外周部234のz’軸方向の長さGzは例えば700μmである。また、励振部231のx軸方向の長さをMx、z’軸方向の長さをMzとする。
図5(c)はベース220の平面図である。ベース220の+y’軸側の面の外周部には、ATカット水晶振動片230の外枠235と接合する面である第2面223が形成されており、第2面223の内側には凹部225が形成されている。ベース220の+y’軸側の面の第2面223の一部にはATカット水晶振動片230の引出電極234の接続点237に電気的に接続する接続電極222が形成されている。
ATカット水晶振動片に外枠が形成されていても、励振外周部と外枠とは接続腕で接続されているのみであり、励振外周部で発生する不要振動の振動エネルギーを大きく変化させない。そのため、式(1)、式(2)及び式(3)の関係はATカット水晶振動片230にも適用することができる。
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
10、210 … リッド
20、220 … ベース
21、221 … 外部電極
22、222 … 接続電極
24、224 … キャビティ
30、230 … ATカット水晶振動片
31、231 … 励振部
32、232 … 励振外周部
33、233 … 励振電極
34、234 … 引出電極
40 … 封止材
41 … 導電性接着剤
100、200 … 水晶デバイス
211 … 第1面
212、225 … 凹部
223 … 第2面
235 … 外枠
236 … 接続腕
237 … 接続点

Claims (6)

  1. 矩形の励振部と、前記励振部の外周に形成され前記励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、38.400MHzで振動するメサ型のATカット水晶振動片において、
    前記励振部と前記励振外周部との段差の高さh(μm)は、前記励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(1)
    h=(0.2×Mx)−143 ・・・(1)
    を満たすメサ型のATカット水晶振動片。
  2. 矩形の励振部と、前記励振部の外周に形成され前記励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有し、32.736MHzで振動するメサ型のATカット水晶振動片において、
    前記励振部と前記励振外周部との段差の高さh(μm)は、前記励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(2)
    h=(0.1×Mx)−87 ・・・(2)
    を満たすメサ型のATカット水晶振動片。
  3. 矩形の励振部と、前記励振部の外周に形成され前記励振部よりも厚さが薄い励振外周部とを有するメサ型のATカット水晶振動片において、
    前記励振部と前記励振外周部との段差の高さh(μm)は、前記励振部の厚さをt(μm)、前記励振部の結晶軸のx軸方向の長さをMx(μm)とするとき、式(3)
    h=(1.8×Mx/t0.7)−92 ・・・(3)
    を満たすメサ型のATカット水晶振動片。
  4. 前記励振外周部の周囲を囲み且つ前記励振外周部を支持する外枠を有する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のメサ型のATカット水晶振動片。
  5. 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のメサ型のATカット水晶振動片と、
    凹部が形成され前記凹部に前記メサ型のATカット水晶振動片を収容するベースと、
    前記凹部を密閉するリッドと、
    を備える水晶デバイス。
  6. 一主面と他主面とを有する請求項4に記載のメサ型のATカット水晶振動片と、
    前記外枠の一主面に接合される第1面を有するリッドと、
    前記外枠の他主面に接合される第2面を有するベースと、
    を備える水晶デバイス。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013197826A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Seiko Epson Corp 振動片、振動子、電子デバイス、および電子機器
CN104734661A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 日本电波工业株式会社 晶体振子
JP2015171144A (ja) * 2015-02-10 2015-09-28 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 圧電振動片および圧電振動子
JP2016167885A (ja) * 2016-06-09 2016-09-15 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動子、電子デバイス、発振器、及び電子機器
JP2016171596A (ja) * 2016-06-14 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 振動片、発振器および電子機器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013021667A (ja) * 2011-03-23 2013-01-31 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶デバイス
JP5756712B2 (ja) * 2011-08-17 2015-07-29 日本電波工業株式会社 水晶デバイス
US9503048B2 (en) * 2014-11-21 2016-11-22 Sii Crystal Technology Inc. Piezoelectric vibrating reed and piezoelectric vibrator
JP2016152477A (ja) * 2015-02-17 2016-08-22 セイコーエプソン株式会社 振動子、振動デバイス、発振器、電子機器、および移動体
JP6218004B2 (ja) * 2015-06-12 2017-10-25 株式会社村田製作所 水晶片及び水晶振動子
WO2017051781A1 (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 株式会社村田製作所 水晶片及び水晶振動子

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006340023A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Epson Toyocom Corp メサ型水晶振動子
JP2008263387A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Epson Toyocom Corp メサ型圧電振動片

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1401042A (en) * 1972-05-30 1975-07-16 Suisse Horlogerie Quartz crystal resonator
JP2002018698A (ja) 2000-07-07 2002-01-22 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子の研磨方法
JP2004007420A (ja) * 2002-03-26 2004-01-08 Seiko Epson Corp 圧電振動片、圧電振動子および圧電デバイス
JP4305542B2 (ja) * 2006-08-09 2009-07-29 エプソントヨコム株式会社 Atカット水晶振動片及びその製造方法
US7608986B2 (en) * 2006-10-02 2009-10-27 Seiko Epson Corporation Quartz crystal resonator
JP4709884B2 (ja) * 2008-09-29 2011-06-29 日本電波工業株式会社 圧電振動片および圧電デバイス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006340023A (ja) * 2005-06-02 2006-12-14 Epson Toyocom Corp メサ型水晶振動子
JP2008263387A (ja) * 2007-04-11 2008-10-30 Epson Toyocom Corp メサ型圧電振動片

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013197826A (ja) * 2012-03-19 2013-09-30 Seiko Epson Corp 振動片、振動子、電子デバイス、および電子機器
CN104734661A (zh) * 2013-12-24 2015-06-24 日本电波工业株式会社 晶体振子
CN104734661B (zh) * 2013-12-24 2018-12-04 日本电波工业株式会社 晶体振子
JP2015171144A (ja) * 2015-02-10 2015-09-28 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 圧電振動片および圧電振動子
JP2016167885A (ja) * 2016-06-09 2016-09-15 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動子、電子デバイス、発振器、及び電子機器
JP2016171596A (ja) * 2016-06-14 2016-09-23 セイコーエプソン株式会社 振動片、発振器および電子機器

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