CN104730784A - 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述阵列基板包括第一电极层、覆盖该第一电极层的绝缘层和形成在所述绝缘层上的第二电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极，所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上方的第二电极，其中，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数。本发明还提供一种显示面板、一种显示装置和一种阵列基板的制造方法。在本发明中，通过简单地改变绝缘层单元的结构即可实现多畴液晶显示装置，从而可以降低制造阵列基板的工艺成本。

Description

阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置领域，具体地，涉及一种阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板、一种包括该显示面板的显示装置和所述阵列基板的制造方法。
背景技术
为了使得液晶显示装置具有较宽的视角，通常可以将液晶显示装置设置成双畴液晶显示，即，在进行显示时，一个像素单元内的液晶分子朝向两种不同的方向偏转。
目前，通常通过改变像素单元中像素电极的电极条方向来实现双畴显示，但是这种工艺较为复杂。
如何以简单的工艺实现能够进行双畴显示的显示装置成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、一种包括该阵列基板的显示面板、一种包括该显示面板的显示装置和所述阵列基板的制造方法。仅通过简单改变阵列基板中绝缘层的结构即可使得所述显示装置实现多畴显示。
为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述阵列基板包括第一电极层、覆盖该第一电极层的绝缘层和形成在所述绝缘层上的第二电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极，所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上方的第二电极，其中，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数。
优选地，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
优选地，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
优选地，在每个所述像素单元内，所述第一绝缘区包括第一底绝缘层和第一顶绝缘层，所述第三绝缘区包括第三底绝缘层和第三顶绝缘层，所述第一底绝缘层、所述第二绝缘区和所述第三底绝缘层形成为一体，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
优选地，所述第一底绝缘层、所述第二绝缘区和所述第三底绝缘层由硅的氮化物制成，所述第一顶绝缘层和所述第三顶绝缘层由透明的树脂制成。
优选地，所述第一绝缘区的材料与所述第三绝缘区的材料相同，且所述第一绝缘区的材料不同于所述第二绝缘区的材料。
优选地，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
优选地，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
优选地，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。
优选地，所述第一电极为块状电极。
作为本发明的另一方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。
作为本发明的再一个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，其中，所述显示面板为本发明所提供的上述显示面板。
作为本发明的还一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板被划分为多个像素单元，其中，所述制造方法包括：
形成第一电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极；
形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一电极层，且所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数；
形成第二电极层，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上的第二电极。
优选地，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
优选地，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
优选地，形成绝缘层的步骤包括：
形成底绝缘材料层，在每个所述像素单元内，所述底绝缘材料层包括第一底绝缘层、第二绝缘区和第三底绝缘层；
形成顶绝缘材料层，所述顶绝缘材料层包括设置在每个所述像素单元内的顶绝缘材料单元，所述顶绝缘材料单元包括设置在所述第一底绝缘材料层上的第一顶绝缘材料层和设置在所述第三底绝缘层上的第三顶绝缘材料层，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
优选地，所述底绝缘材料层由硅的氮化物制成，所述顶绝缘材料层由透明的树脂制成。
优选地，形成绝缘层的步骤包括：
形成第一绝缘材料层；
在第一绝缘层上对应于第一绝缘区位置的第一通孔，并在所述第一绝缘层上对应于所述第三绝缘区的位置形成第三通孔，从而利用所述第一绝缘层形成第二绝缘区；
在所述第一通孔中形成所述第一绝缘区，并在所述第三通孔中形成所述第三绝缘区。
优选地，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
优选地，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
优选地，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。
优选地，所述第一电极为块状电极。
由于在每个像素单元中，第一电极和第二电极之间的电场强度与第一电极和第二电极之间的绝缘单元层的介电常数有关，由于绝缘层单元中至少存在一个介电常数不同于其他绝缘区，因此，在一个像素单元中，至少存在两种不同的电场强度，从而可以使得一个像素单元中至少存在两种不同的液晶分子偏转方向，由此可知，本发明所提供的阵列基板可以实现液晶显示面板的多畴显示。
在显示装置中，对绝缘层单元尺寸精度要求较低，并且绝缘层单元与电极条相比具有较大的尺寸，因此，通过简单地改变绝缘层单元的结构即可实现多畴液晶显示装置，从而可以降低制造阵列基板的工艺成本。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所提供的阵列基板的第一种实施方式的剖视示意图；
图2是本发明所提供的阵列基板的第二种实施方式的剖视示意图；
图3是本发明所提供的阵列基板的俯视示意图；
图4是本发明所提供的显示面板在关闭态(off态)时液晶分子的状态示意图；
图5是本发明所提供的显示面板在开启态(on态)时液晶分子的状态示意图。
附图标记说明
100：第一电极                200：绝缘层单元
210：第一绝缘区              210a：第一底绝缘层
210b：第一顶绝缘层           300：第二电极
310：第二左电极条            320：第二右电极
410、420、430、440：液晶分子
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的一个方面的一个方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述阵列基板包括第一电极层、覆盖该第一电极层的绝缘层和形成在所述绝缘层上的第二电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极100，所述绝缘层包括覆盖在每个第一电极100表面的绝缘层单元200，所述第二电极层包括设置在绝缘层单元200上方的第二电极300，其中，在每个所述像素单元内，绝缘层单元200包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数。
在液晶显示装置中，根据第一电极和第二电极之间的电场产生的扭转力来驱动液晶分子的偏转。
众所周知的是，介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，介质中电场与原外加电场(真空中)的比值即为相对介电常数。介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。如果有高介电常数的材料放在电场中，电场的强度会在电介质内有可观的下降。
向第一电极和第二电极通电时，第一电极和第二电极之间会产生电场，而绝缘层单元200是位于第一电极和第二电极之间的介质。由于绝缘层单元200中至少有一个绝缘区的介电常数不同于其他绝缘区的介电常数，因此，在该介电常数不同于其他绝缘区的绝缘区处，第一电极和第二电极之间的电场强度是不同于其他区域的电场的强度的。
换言之，在一个像素单元中，至少存在两种不同的电场强度，从而可以使得一个像素单元中至少存在两种不同的液晶分子偏转方向，由此可知，本发明所提供的阵列基板可以实现液晶显示面板的多畴显示。
由于在显示装置中，对绝缘层单元尺寸精度要求较低，并且绝缘层单元与电极条相比具有较大的尺寸，因此，通过简单地改变绝缘层单元的结构即可实现多畴液晶显示装置，从而可以降低制造阵列基板的工艺成本。
作为本发明的一中具体实施方式，如图3所示，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区210、第二绝缘区220和第三绝缘区230，第一绝缘区210和第三绝缘区230的介电常数相同，第二绝缘区220的介电常数不同与第一绝缘区210的介电常数，第二绝缘区220位于第一绝缘区210和第三绝缘区230之间。容易理解的是，由于第三绝缘区230的介电常数小于第一绝缘区210的介电常数相同，因此，第二绝缘区220的介电常数也不同于第三绝缘区230的介电常数。
在图3中所示的实施方式中，至少可以实现三畴液晶显示。液晶显示装置中，畴数越多，越能够有效地改善液晶显示装置中的色偏。
作为本发明的一种优选实施方式，第二绝缘区220的面积为所述像素单元面积的一半，第一绝缘区210和第三绝缘区220面积相等。
在本发明中，可以通过多种实施方式实现第一绝缘区和第二绝缘区介电常数不同。
作为本发明的一种优选实施方式，如图1所示，在每个所述像素单元内，第一绝缘区210包括第一底绝缘层210a和第一顶绝缘层210b，所述第三绝缘区包括第三底绝缘层和第三顶绝缘层(未示出)，第一底绝缘层210a、第二绝缘区220和所述第三底绝缘层形成为一体，第一顶绝缘层210b的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，第一顶绝缘层210b的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及第二绝缘区220的顶表面平齐。
下文中将详细介绍这种实施方式的形成方法，这里不再赘述。
优选地，第一底绝缘层210a、第二绝缘区220和所述第三底绝缘层由硅的氮化物(SiNx)制成，第一顶绝缘层210b和所述第三顶绝缘层由透明的树脂制成。可以利用化学气相沉积法形成硅的氮化物，利用涂布的方法形成所述透明的树脂。由此可知，这种实施方式的绝缘层单元可以降低工艺成本。
作为本发明的另一种实施方式，如图2所示，第一绝缘区210的材料与所述第三绝缘区的材料相同，且第一绝缘区210的材料不同于第二绝缘区220的材料。
需要指出的是，在这种实施方式中，第一绝缘区210由同一种材料制成，并且第三绝缘区由同一种材料制成，第二绝缘区220由同一种材料制成。
优选地，所述第一绝缘区由硅的氧化物(SiOx)制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物(SiNx)制成。
为了实现更多畴的液晶显示，优选地，如图3所示，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条310，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条320，第二左电极条310和第二右电极条320的倾斜方向不同。
由于第二左电极条310和第二右电极条320的倾斜反向不同，第二左电极与公共电极与第一电极之间产生的电场以及第二右电极与第一电极之间产生的电场不同。再加上绝缘区的介电常数不同，因此，可以实现更多畴的显示。
为了便于制造以及便于涉及并使得像素单元中产生的电场更加均匀，优选地，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线M镜像对称。如图3所示，中线M将像素单元的长度方向分为两部分。第二左电极条310与中线M之间的夹角大小为α，第二右电极条320与中线M之间的夹角大小也为α。优选地，7°≤α≤11°。
如图3中所示，第二左电极的一部分位于第一绝缘区210上，第二左电极的另一部分位于第二绝缘区220上，第二右电极的一部分位于第二绝缘区220上，第二右电极的另一部分位于第三绝缘区230上，因此，图3中所示的显示装置可以实现四畴液晶显示。
图1和图2中所示的剖视图是图3中所示的像素单元的A-A剖视图。
如图4所示，当显示面板处于关闭态时，液晶分子均不发生偏转。
如图5所示，当显示面板处于开启态时，一个像素单元中形成四种不同强度的电场。第二左电极位于第一绝缘区上的部分与第一电极之间产生的电场为E1，第二左电极位于第二绝缘区上的部分与第一电极之间产生的电场为E2，第二右电极位于第二绝缘区上的部分与第一电极之间产生的电场为E3，第二右电极位于第三绝缘区上的部分与第一电极之间产生的电场为E4。因此，电场E1对应的一组液晶分子410的偏转方向、电场E2对应的一组液晶分子420的偏转方向、电场E3对应的一组液晶分子430的偏转反向以及电场E4对应的一组液晶分子的偏转反向互不相同，即，当所述显示面板处于开启态时，一个像素单元中液晶分子具有四种偏转方向，即，可以实现四畴显示。
通常，第一电极100为块状电极。
在本发明中，第一电极可以为公共电极，第二电极可以为像素电极。
作为本发明的另一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其中，所述阵列基板为本发明所提供的上述阵列基板。
由于所述阵列基板的制造工艺简单，且成本低，因此，而已利用简单的制造工艺获得多畴显示的显示面板。
作为本发明的再一个方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，其中，所述显示面板为本发明所提供的上述显示面板。
所述显示装置可以是手机、电脑、电视等显示装置。
作为本发明的还一个方面，提供一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板被划分为多个像素单元，其中，所述制造方法包括：
形成第一电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极；
形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一电极层，且所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数；
形成第二电极层，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上的第二电极。
与形成具有多种不同倾斜方向的电极条相比，形成具有多个绝缘区的绝缘层单元工艺更为简单。
如上文中所述，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
如上文中所述，作为本发明的一种实施方式，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
为了实现图1中所示的实施方式，优选地，形成绝缘层的步骤包括：
形成底绝缘材料层，在每个所述像素单元内，所述底绝缘材料层包括第一底绝缘层、第二绝缘区和第三底绝缘层；
形成顶绝缘材料层，所述顶绝缘材料层包括设置在每个所述像素单元内的顶绝缘材料单元，所述顶绝缘材料单元包括设置在所述第一底绝缘材料层上的第一顶绝缘材料层和设置在所述第三底绝缘层上的第三顶绝缘材料层，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
在本发明中，可以通过干刻工艺形成底绝缘材料层。具体地，首先形成一层底绝缘材料；在底绝缘材料上形成掩膜层，该掩膜层上对应于第一底绝缘层和第二底绝缘层的位置分别形成有通孔；通入工艺气体，通过控制通入工艺气体的持续时间可以形成第一底绝缘层、第二绝缘区和第三底绝缘层。
优选地，所述底绝缘材料层由硅的氮化物制成，所述顶绝缘材料层由透明的树脂制成。
为了形成图2中所示的实施方式，优选地，形成绝缘层的步骤包括：
形成第一绝缘材料层；
在第一绝缘层上对应于第一绝缘区位置的第一通孔，并在所述第一绝缘层上对应于所述第三绝缘区的位置形成第三通孔，从而利用所述第一绝缘层形成第二绝缘区；
在所述第一通孔中形成所述第一绝缘区，并在所述第三通孔中形成所述第三绝缘区。
也可以通过干刻工艺形成第一通孔和第三通孔，具体工艺与上文中形成第一底绝缘层、第二绝缘区和第三底绝缘层的工艺类似，这里不再赘述。
优选地，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
如上文中所述，优选地，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
如上文中所述，优选地，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。容易理解的是，由于第二左电极和第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，那么，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角与所述第二右电极条与所述中线之间的夹角大小是相等的。
如上文中所述，优选地，所述第一电极为块状电极。
在本发明中，可以利用与传统构图工艺相同的构图工艺形成第一电极和第二电极。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (22)

1.一种阵列基板，所述阵列基板被划分为多个像素单元，所述阵列基板包括第一电极层、覆盖该第一电极层的绝缘层和形成在所述绝缘层上的第二电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极，所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上方的第二电极，其特征在于，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在每个所述像素单元内，所述第一绝缘区包括第一底绝缘层和第一顶绝缘层，所述第三绝缘区包括第三底绝缘层和第三顶绝缘层，所述第一底绝缘层、所述第二绝缘区和所述第三底绝缘层形成为一体，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一底绝缘层、所述第二绝缘区和所述第三底绝缘层由硅的氮化物制成，所述第一顶绝缘层和所述第三顶绝缘层由透明的树脂制成。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘区的材料与所述第三绝缘区的材料相同，且所述第一绝缘区的材料不同于所述第二绝缘区的材料。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
8.根据权利要求2至7中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为块状电极。
11.一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1至10中任意一项所述的阵列基板。
12.一种显示装置，所述显示装置包括显示面板，其特征在于，所述显示面板为权利要求11所述的显示面板。
13.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板被划分为多个像素单元，其特征在于，所述制造方法包括：
形成第一电极层，所述第一电极层包括设置在每个所述像素单元内的第一电极；
形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一电极层，且所述绝缘层包括覆盖在每个所述第一电极表面的绝缘层单元，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括多个绝缘区，至少一个所述绝缘区的介电常数不同于其他所述绝缘区的介电常数；
形成第二电极层，所述第二电极层包括设置在所述绝缘层单元上的第二电极。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在每个所述像素单元内，所述绝缘层单元包括第一绝缘区、第二绝缘区和第三绝缘区，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区的介电常数相同，所述第二绝缘区的介电常数不同与所述第一绝缘区的介电常数，所述第二绝缘区位于所述第一绝缘区和所述第三绝缘区之间。
15.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述第二绝缘区的面积为所述像素单元面积的一半，所述第一绝缘区和所述第三绝缘区面积相等。
16.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，形成绝缘层的步骤包括：
形成底绝缘材料层，在每个所述像素单元内，所述底绝缘材料层包括第一底绝缘层、第二绝缘区和第三底绝缘层；
形成顶绝缘材料层，所述顶绝缘材料层包括设置在每个所述像素单元内的顶绝缘材料单元，所述顶绝缘材料单元包括设置在所述第一底绝缘材料层上的第一顶绝缘材料层和设置在所述第三底绝缘层上的第三顶绝缘材料层，所述第一顶绝缘层的介电常数与所述第三顶绝缘层的介电常数相同，所述第一顶绝缘层的顶表面、所述第三顶绝缘层的顶表面以及所述第二绝缘区的顶表面平齐。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述底绝缘材料层由硅的氮化物制成，所述顶绝缘材料层由透明的树脂制成。
18.根据权利要求14所述的制造方法，其特征在于，形成绝缘层的步骤包括：
形成第一绝缘材料层；
在第一绝缘层上对应于第一绝缘区位置的第一通孔，并在所述第一绝缘层上对应于所述第三绝缘区的位置形成第三通孔，从而利用所述第一绝缘层形成第二绝缘区；
在所述第一通孔中形成所述第一绝缘区，并在所述第三通孔中形成所述第三绝缘区。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘区由硅的氧化物制成，所述第二绝缘区由硅的氮化物制成。
20.根据权利要求14至19中任意一项所述的制造方法，其特征在于，在每个所述像素单元中，所述第二电极包括第二左电极和第二右电极，所述第二左电极包括多个互相平行的第二左电极条，所述第二右电极包括多个互相平行的第二右电极条，所述第二左电极条和所述第二右电极条的倾斜方向不同。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，所述第二左电极和所述第二右电极关于所述像素单元的中线镜像对称，所述中线将所述像素单元沿长度方向划分为两部分，所述第二左电极条与所述中线之间的夹角为7°至11°。
22.根据权利要求20所述的制造方法，其特征在于，所述第一电极为块状电极。
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