CN104701255A - 液晶显示器下基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种液晶显示器下基板的制备方法，包括如下步骤：提供玻璃基板；在玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；在栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；在栅极氮化硅层上形成栅极；在栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；采用CF4刻蚀层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀层间氮化硅层和栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；在过孔内形成源漏电极。上述制备方法将第二多晶硅层直接氧化成栅极氧化硅层和改进过孔刻蚀方法，可以使液晶显示器下基板的平带电压漂移较小、以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。此外，改进后的过孔刻蚀工艺也较简单，过孔品质较高。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造技术领域，特别是涉及一种液晶显示器下基板的制备方法。
背景技术
随着智能手机、平板电脑等产品的不断发展，薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的液晶显示器得到越来越广泛的应用，并促使各大厂商积极地进行产品的研发与制造。液晶显示器主要包括上基板组件、下基板组件、液晶、驱动电路单元、背光灯模组和其他附件等几部分。
在传统工艺中，下基板的制造方法主要包括以下步骤：
提供玻璃基板；
在玻璃基板上形成有源层；
采用化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)或等离子增强型化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在玻璃基板和有源层上依次形成栅极绝缘层(GI)和层间绝缘层(ILD)，其中，栅极绝缘层为氧化硅/氮化硅(SiOx/SiNx)两层膜结构，层间绝缘层(ILD)为氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)两层膜结构；
对层间绝缘层和栅极绝缘层进行过孔(Contact Hole)刻蚀，请参阅图1，过孔刻蚀包括主刻蚀(Main Etching)和过刻蚀(Over Etching)两个步骤，其中，主刻蚀：采用CF4刻蚀层间绝缘层10的氧化硅层11和部分氮化硅层12；过刻蚀：采用C2HF5刻蚀层间绝缘层10余下的氮化硅层12，以及栅极绝缘层20的氮化硅层21和氧化硅层22；
形成源漏电极(S/D)，并使源漏电极贯穿过孔后与有源层搭接。
然而，采用上述传统工艺制备下基板依然存在如下缺陷：
1、在过孔刻蚀工艺中，由于CF4和C2HF5对氧化硅层和氮化硅层的刻蚀速率有所差异，从而导致整个过孔的坡度角、形貌、关键尺寸偏差(CD Loss)等参数难以控制，此外，在过刻蚀中，C2HF5还会对部分的有源层造成一定的破坏。而过孔品质的好坏对后续的源漏电极形成至关重要，例如，坡度角过大，会导致后续的源漏电极搭接容易出现断裂问题，又如，坡度角过小会导致关键尺寸偏差过大。
2、在形成栅极绝缘层的工艺中，化学气相沉积法或等离子增强型化学气相沉积法需要使用SiH4和N2O气体，使得制备的氧化硅层含有大量的Si-H键和Si-OH键，造成膜质疏松和悬挂键缺陷的问题，这会对开态电流、漏电流、载流子迁移率等TFT器件性能产生影响。此外，N2O中的N成分则会导致制备的氧化硅层与有源层界面缺陷较多，造成平带电压漂移较大的问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种过孔刻蚀工艺较简单，过孔品质较高，平带电压漂移较小，以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少的液晶显示器下基板的制备方法。
一种液晶显示器下基板的制备方法，包括如下步骤：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；
在所述栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；
在所述栅极氮化硅层上形成栅极；
在所述栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；
采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；
在所述过孔内形成源漏电极。
在其中一个实施例中，所述第一多晶硅层的厚度大于所述第二多晶硅层的厚度。
在其中一个实施例中，所述第一多晶硅层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为
在其中一个实施例中，所述将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层采用化学气相沉积法进行，其中，氧气流量为1000sccm～2000sccm，腔室压强为50500Pa～151500Pa，温度为400～600℃，反应时间为30S～90S。
在其中一个实施例中，所述采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层采用干法刻蚀进行，其中，CF4流量为100sccm～300sccm，氧气流量为50sccm～300sccm，腔室压强为10Pa～30Pa，电源功率为800W～1000W。
在其中一个实施例中，所述采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层采用干法刻蚀进行，其中，C2HF5流量为200sccm～400sccm，氢气流量为100sccm～200sccm，氧气流量为100sccm～200sccm，腔室压强为10Pa～20Pa，电源功率为300W～800W。
在其中一个实施例中，所述采用HF刻蚀栅极氧化硅层采用湿法刻蚀进行。
在其中一个实施例中，所述在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层的步骤之前，还包括如下步骤：
在所述玻璃基板上形成保护绝缘层。
在其中一个实施例中，所述在所述过孔内形成源漏电极的步骤之后，还包括如下步骤：
在所述源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层。
在其中一个实施例中，所述在所述源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层的步骤之后，还包括如下步骤：
刻蚀所述平坦化层后，形成与所述漏电极连接的像素电极。
上述液晶显示器下基板的制备方法通过将第二多晶硅层直接氧化形成栅极氧化硅层，且改进了过孔的刻蚀方法，如此，可以使液晶显示器下基板的平带电压漂移较小、以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。此外，改进后的过孔刻蚀工艺也较简单，过孔品质较高。
附图说明
图1为传统液晶显示器下基板的局部结构示意图；
图2为本发明一实施方式的液晶显示器下基板的制备方法流程图；
图3～图12是本发明实施例1的液晶显示器下基板的制备过程中的各个阶段的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图2所示，本发明一实施方式的液晶显示器下基板的制备方法包括如下步骤：
S110：提供玻璃基板。
在实际应用中，该玻璃基板需要具有高的透明度、较低的反射率、较好的热稳定性和抗腐蚀性、较高的机械强度和较好的机械加工特性，此外，该玻璃基板还需要具有良好的电绝缘性。优选的，玻璃基板为不含碱离子的硼硅酸盐玻璃或无碱硅酸铝玻璃等。
为了进一步保护后续在玻璃基板上形成的多晶硅层，以防止玻璃基板内的金属离子在多晶硅层的沉积过程中进入多晶硅层内，例如，在玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层的步骤之前，还包括如下步骤：在玻璃基板上形成保护绝缘层，如此，通过保护绝缘层可以进一步保护后续在玻璃基板上形成的多晶硅层，以防止玻璃基板内的金属离子在多晶硅层的沉积过程中进入多晶硅层内；又如，保护绝缘层包括氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)两层膜结构，其中，所述氮化硅层与玻璃基板贴合，所述氧化硅层与多晶硅层贴合。
S120：在玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层。
在玻璃基板上形成的第一多晶硅层和第二多晶硅层为一体成型结构，进一步的，第一多晶硅层和第二多晶硅层的形成条件相同，内部结构相同。具体的，第一多晶硅层和第二多晶硅层为非晶硅层通过准分子激光晶化法(ELA)形成。当然，第一多晶硅层和第二多晶硅层也可通过低压化学气相沉积法(LPCVD)直接形成。
具体的，第一多晶硅层的厚度大于第二多晶硅层的厚度。优选的，第一多晶硅层的厚度为即第一多晶硅层的厚度为450埃～500埃，第二多晶硅层的厚度为
具体的，将第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层采用化学气相沉积法进行，其中，氧气流量为1000sccm～2000sccm，腔室压强为50500Pa～151500Pa，温度为400～600℃，反应时间为30S～90S，即反应时间为30秒～90秒。相对于采用传统CVD或PECVD并以SiH4和N2O为原料气体而形成的栅极绝缘层的氧化硅层的方法，本发明的栅极氧化硅层的致密程度更高，在后续的刻蚀等加工中，更不易被损坏，此外，Si-H键和Si-OH键的含量也更少，经多次实验的数据佐证，栅极氧化硅层中Si-H键和Si-OH键的含量均低于1％以下。
需要说明的是，本发明提到的第一多晶硅层即可视为有源层，其与现有技术中的有源层所起的作用相同。本发明提到的栅极氧化硅层即可视为栅极绝缘层的氧化硅层，其与现有技术的中的氧化硅层所起的作用相同，不同点在于，两者的制备方法不同，厚度不同，致密程度不同，以及Si-H键和Si-OH键的含量不同。
为了便于理解，下面将详细介绍通过步骤S120形成的栅极氧化硅层可以使平带电压漂移较小，以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少的原理。
首先，以本发明如何减小平带电压漂移为例进行说明，采用传统CVD或PECVD并以SiH4和N2O为原料气体而形成的栅极绝缘层的氧化硅层的过程中，SiH4和N2O发生反应后，通常主要以氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiON)的形式进行沉积，也就是说，栅极绝缘层的氧化硅层含有氮氧化硅这种物质，而氮(N)成份的引入，会导致栅极绝缘层的氧化硅层与多晶硅层的界面态缺陷增大，使得更多的电子被俘获，同时，栅极绝缘层的氧化硅层的空间电荷层内有电场产生，迫使能带发生更大的弯曲，以致于平带电压漂移增大，进而导致了阈值电压的增大，随之带来的问题就是，功耗增加，电压平稳性较差，节能效果较差。
本发明的栅极氧化硅层通过直接将第二多晶硅层氧化形成，避免了氮(N)成份的引入，因此，相对于采用传统CVD或PECVD并以SiH4和N2O为原料气体的方法，本发明实施例提供的液晶显示器下基板的平带电压漂移较小。
其次，再以本发明如何提高栅极氧化硅层的膜质致密程度和减少悬挂键缺陷为例进行说明，采用传统CVD或PECVD并以SiH4和N2O为原料气体而形成的栅极绝缘层的氧化硅层的过程中，由于原料气体的成分较复杂，反应程度较难控制，即原料气体极易出现反应不充分的现象，如此，将导致产生膜层内含有粉尘和膜质疏松的问题。此外，在栅极绝缘层的氧化硅层的沉积过程中，混合气体中有分子、原子、离子和自由基同时存在，如SiH4，SiH3＊，SiH2＊，H＊，NH2＊，NH＊等，其中，SiH3＊，SiH2＊，H＊，NH2＊，NH＊，分别表示SiH3自由基，SiH2自由基，H自由基，NH2自由基，NH自由基。也就是说，在形成栅极绝缘层的氧化硅层时，H自由基的浓度较大，这样，较容易俘获SiOx中的氧，生成大量的Si-H键和Si-OH键，导致悬挂键缺陷增多，进而对开态电流、漏电流、载流子迁移率等LTPS器件性能产生影响。
本发明的栅极氧化硅层通过直接将第二多晶硅层氧化形成，原料气体成份单一，较好控制，且不会引入大量的H自由基，因此，相对于采用传统CVD或PECVD并以SiH4和N2O为原料气体的方法，本发明实施例提供的液晶显示器下基板的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。
S130：在栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层。
具体地，可以采用化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)或等离子增强型化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层，该栅极氮化硅层可以覆盖栅极氧化硅层和玻璃基板。至此，栅极氧化硅层和栅极氮化硅层已经形成，两者与现有技术的中的栅极绝缘层所起的作用相同。
S140：在栅极氮化硅层上形成栅极。
本发明实施例中在在栅极氮化硅层上形成栅极的过程可以采用本领域技术人员熟知的形成栅极的步骤，如先在栅极氮化硅层形成金属膜，然后对金属膜进行光刻和湿法刻蚀等操作最终在栅极氮化硅层上形成栅极。在此不再对在栅极氮化硅层上形成栅极的过程进行详述。例如，可以采用磁控溅射或者PECVD以及其他常用的成膜方式等成膜方法在栅极氮化硅层形成金属膜，金属膜的材料可以是铬、钽、铝、铜、钼等的一种或者其合金，或者是几种金属膜层的叠加，如钼钽(MoTa)、钼钨(MoW)、Mo、Mo-Al-Mo、Mo-AlNd、Mo-AlNd-Mo等。当然，金属膜的材料也不限于此，本发明实施例中的栅极金属膜可以采用本领域技术人员熟知的具有相同作用的各类金属及其合金，在此不再赘述。
为了进一步介绍在栅极氮化硅层上形成栅极的详细方法，例如，本发明还提供一实施方式的栅极的形成方法，其包括如下步骤：
S141：采用磁控溅射或者PECVD以及其他常用的成膜方式在栅极氮化硅层上形成金属膜，该金属膜可以是铬、钽、铝、铜、钼等的一种或者其合金，或者是几种金属膜层的叠加，如钼钽(MoTa)、钼钨(MoW)、Mo、Mo-Al-Mo、Mo-AlNd、Mo-AlNd-Mo等。
S142：用涂胶机在金属膜上涂敷紫外(UV)感光的光刻胶。
S143：高温烘焙，固化光刻胶。
S144：紫外线(UV)通过具有栅极图形的光刻掩膜版照射光刻胶，本步骤中可以采用正性光刻胶，栅极图形的部分紫外光被挡住，被紫外光照射，进行显影处理。
S144：对经显影处理的金属膜进行高温烘焙。
S146：对高温烘焙后的金属膜进行刻蚀处理，去除不需要的金属膜，此步骤可以采用湿法刻蚀或者干法刻蚀。
S147：剥离去除形成图形时使用的光刻胶，可以采用湿法剥离或者干法剥离，至此，栅极形成。其中，湿法剥离是用剥离液除去形成图形时使用的光刻胶，干法剥离是在真空条件下用氧气放电的方式光刻胶氧化形成气体状态而除去，或用臭氧和UV照射使光刻胶氧化形成挥发态气体除去，这个工序也叫氧气灰化工艺。
如此，通过步骤S141～S147即可在栅极氮化硅层上形成栅极。
S150：在栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层。
具体地，可以采用化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)或等离子增强型化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层，该层间氮化硅层可以覆盖栅极和栅极氮化硅层。至此，层间氮化硅层和层间氧化硅层已经形成，两者与现有技术的中的层间绝缘层所起的作用相同。
S160：采用CF4刻蚀层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀层间氮化硅层和栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔。
具体的，第一步主刻蚀，可以采用CF4刻蚀层间氧化硅层采用干法刻蚀进行，其中，CF4流量为100sccm～300sccm，氧气(O2)流量为50sccm～300sccm，腔室压强为10Pa～30Pa，电源功率为800W～1000W。
具体的，第二步过刻蚀，可以采用C2HF5刻蚀层间氮化硅层和栅极氮化硅层采用干法刻蚀进行，其中，C2HF5流量为200sccm～400sccm，氢气(H2)流量为100sccm～200sccm，氧气(O2)流量为100sccm～200sccm，腔室压强为10Pa～20Pa，电源功率为300W～800W。
层间氧化硅层(第一步主刻蚀)，以及层间氮化硅层和栅极氮化硅层(第二步过刻蚀)的详细刻蚀参数见表1。
表1
| 第一步主刻蚀 | 第二步过刻蚀 | |
| CF4流量(sccm) | 100～300 | 0 |
| C2HF5流量(sccm) | 0 | 200～400 |
| H2流量(sccm) | 0 | 100～200 |
| O2流量(sccm) | 50～300 | 100～200 |
| 腔室压强(Pa) | 10～30 | 10～20 |
| 电源功率(W) | 800～1000 | 300～800 |
具体的，采用氢氟酸(HF)刻蚀栅极氧化硅层，如，可采用湿法刻蚀或干法刻蚀。优选的，氢氟酸(HF)可以为缓冲氢氟酸(BHF)，其对栅极氧化硅层的刻蚀效果较佳。在此，需要强调的是，在采用干法刻蚀氧化硅层、以及氮化硅层和栅极氮化硅层后，过孔的侧壁会形成碳氟聚合物以保护过孔侧壁免受氢氟酸的腐蚀。此外，由于干法刻蚀是各向异性刻蚀，离子对底部进行轰击而形成刻蚀效果，因此，底部不会有碳氟聚合物产生，即位于过孔底部的栅极氧化硅层不会覆盖上碳氟聚合物，而是露置在外界的空气中，如此，通过氢氟酸刻蚀只会对位于过孔底部的栅极氧化硅层进行腐蚀，且HF对栅极氧化硅层下面的第一多晶硅层的腐蚀程度可以忽略不计，从而极大地降低了刻蚀难度，提高了刻蚀的精确性，使得过孔的品质较高。
为了便于理解，下面将详细介绍通过步骤S160可以使过孔刻蚀工艺较简单，过孔品质较高的原理。以传统的过孔刻蚀方法为例进行说明，传统的过孔刻蚀包括主刻蚀(Main Etching)和过刻蚀(Over Etching)两个步骤。其中，主刻蚀：采用CF4刻蚀层间绝缘层的氧化硅层和部分氮化硅层，过刻蚀：采用C2HF5和H2刻蚀层间绝缘层余下的氮化硅层，以及栅极绝缘层的氮化硅层和氧化硅层，也就是说，传统的过孔刻蚀方法中，主刻蚀和过刻蚀操作均需要同时考虑对刻蚀速率有所差异的氧化硅层和氮化硅层的刻蚀，即主刻蚀和过刻蚀操作均需要经过氧化硅层和氮化硅层之间的界面，这样，就会造成主刻蚀和过刻蚀的刻蚀参数较难确定，且意外变化因素也较多，从而导致了整个过孔的坡度角、形貌、关键尺寸偏差(CD Loss)等参数难以控制。此外，在过刻蚀中，C2HF5还会对部分的有源层造成一定的破坏。
在步骤S160中，在主刻蚀中只需要对具有同一刻蚀速率的层间氧化硅层进行刻蚀即可。在过刻蚀中只需要对具有同一刻蚀速率的层间氮化硅层和栅极氮化硅层进行刻蚀即可，如此，在过刻蚀中，避免了C2HF5对部分的有源层，即第一多晶硅层造成破坏。
本发明的栅极氧化硅层通过直接将第二多晶硅层氧化形成，且改进过孔的刻蚀方法，使得刻蚀参数较易确定，且意外变化因素也较少，从而降低了刻蚀的难度，同时，过孔的品质也较高。
S170：在过孔内形成源漏电极。
具体地，可以采用磁控溅射等常用的成膜方式在过孔内以及层间氧化硅层上形成金属膜，然后对金属膜进行光刻及湿法刻蚀等操作形成源漏电极，具体步骤可以参见形成栅极的步骤。其中，源漏电极可以分别形成在栅极正上方的两侧，漏端电极可以与像素电极相连。
例如，可以采用磁控溅射等常用的成膜方式溅射铬、钽、铝、铜、钼等的一种或者几种、及其合金形成金属膜，或者是几种金属膜层的叠加，如钼钽(MoTa)、钼钨(MoW)、Mo、Mo-Al-Mo、Mo-AlNd-Mo等；然后对金属膜进行光刻及湿法刻蚀等操作形成源漏电极，具体步骤可以参考步骤S140中的步骤，如步骤S141～S147所示，在此不再赘述。
S180：在源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层。
具体地，可以采用化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)或等离子增强型化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层。例如，在过孔内形成源漏电极的步骤之后，执行步骤S180。
S190：刻蚀平坦化层后，形成与漏电极连接的像素电极。
具体地，可以采用磁控溅射或者其他成膜方式在漏电极上形成像素电极，像素电极的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等本领域常用的像素电极材料。例如，在漏电极上溅射ITO等常用的透明导电材料形成透明导电薄膜，然后再通过光刻、刻蚀等步骤最终形成像素电极。具体步骤可以参考步骤S140中的步骤，如步骤S141～S147所示，在此不再赘述。例如，在源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层的步骤之后，执行步骤S190。
上述液晶显示器下基板的制备方法通过将第二多晶硅层直接氧化形成栅极氧化硅层，且改进了过孔的刻蚀方法，如此，可以使液晶显示器下基板的平带电压漂移较小、以及栅极氧化硅层的膜质较致密和悬挂键缺陷较少。此外，改进后的过孔刻蚀工艺也较简单，过孔品质较高。
为了进一步理解液晶显示器下基板的制备方法，下面还提供一种液晶显示器下基板的制备方法的具体实施例，其包括如下步骤：
步骤A：提供玻璃基板100(请参阅图3)。本发明实施例提供的玻璃基板100为不含碱离子的硼硅酸盐玻璃或无碱硅酸铝玻璃。
步骤B：在玻璃基板上形成保护绝缘层200，其中，保护绝缘层200包括保护氮化硅层210和保护氧化硅层220的两层膜结构，其中，保护氮化硅层210与玻璃基板100贴合(请参阅图3)。采用等离子增强型化学气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)在玻璃基板100上形成保护绝缘层200的保护氮化硅层210和保护氧化硅层220。
步骤C：在保护绝缘层200上依次形成第一多晶硅层310和第二多晶硅层320(请参阅图4)，将第二多晶硅层320氧化为栅极氧化硅层400(请参阅5)。
具体在本实施例中，第一多晶硅层和第二多晶硅层为非晶硅层通过准分子激光晶化法(ELA)形成。
具体在本实施例中，将第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层采用化学气相沉积法进行，其中，氧气流量为1000sccm～2000sccm，腔室压强为50500Pa～151500Pa，温度为400～600℃，反应时间为30S～90S。
步骤D：在栅极氧化硅层400上形成栅极氮化硅层500(请参阅图6)。
具体在本实施例中，采用等离子增强型化学气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)在栅极氧化硅层400上形成栅极氮化硅层500，该栅极氮化硅层500覆盖栅极氧化硅层400和保护绝缘层200。
步骤E：在栅极氮化硅层500上形成栅极600(请参阅图7)。
具体在本实施例中，采用磁控溅射成膜方式在栅极氮化硅层500形成金属膜，金属膜的材料可以是铬、钽、铝、铜、钼等的一种或者其合金，或者是几种金属膜层的叠加，如钼钽(MoTa)、钼钨(MoW)、Mo、Mo-Al-Mo、Mo-AlNd、Mo-AlNd-Mo等。
步骤F：在栅极600上依次形成层间氮化硅层700和层间氧化硅层800(请参阅图8)。
具体在本实施例中，采用等离子增强型化学气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)在栅极600上依次形成层间氮化硅层700和层间氧化硅层800，该层间氮化硅层700可以覆盖栅极600和栅极氮化硅层500。
步骤G：采用CF4刻蚀层间氧化硅层800，采用C2HF5刻蚀层间氮化硅层700和栅极氮化硅层500，采用HF刻蚀栅极氧化硅层400，形成过孔900(请参阅图9)。
具体在本实施例中，第一步主刻蚀，采用CF4刻蚀层间氧化硅层采用干法刻蚀进行，其中，CF4流量为100sccm～300sccm，氧气(O2)流量为50sccm～300sccm，腔室压强为10Pa～30Pa，电源功率为800W～1000W。
具体在本实施例中，第二步过刻蚀，采用C2HF5刻蚀层间氮化硅层和栅极氮化硅层采用干法刻蚀进行，其中，C2HF5流量为200sccm～400sccm，氢气(H2)流量为100sccm～200sccm，氧气(O2)流量为100sccm～200sccm，腔室压强为10Pa～20Pa，电源功率为300W～800W。
具体在本实施例中，采用湿法刻蚀并以氢氟酸(HF)刻蚀栅极氧化硅层。
步骤H：在过孔900内形成源漏电极，其中，源电极900a，漏电极900b(请参阅图10)。
具体在本实施例中，采用磁控溅射等常用的成膜方式在过孔900内以及层间氧化硅层800上形成金属膜，然后对金属膜进行光刻及湿法刻蚀等操作形成源电极900a和漏电极900b，具体步骤可以参见形成栅极的步骤。其中，源电极900a和漏电极900b可以分别形成在栅极600正上方的两侧。
步骤I：在源电极900a、漏电极900b和层间氧化硅层800上形成平坦化层900c(请参阅图11)。
具体在本实施例中，采用化学气相沉积法(Chemical Vapour Deposition，CVD)在源电极900a、漏电极900b和层间氧化硅层800上形成平坦化层900c。
步骤J：刻蚀平坦化层900c后，形成与漏电极900b连接的像素电极900d(请参阅图12)。
具体在本实施例中，采用磁控溅射的成膜方式在漏电极900b上形成像素电极900d，像素电极900d的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等本领域常用的像素电极材料。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层，将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层；
在所述栅极氧化硅层上形成栅极氮化硅层；
在所述栅极氮化硅层上形成栅极；
在所述栅极上依次形成层间氮化硅层和层间氧化硅层；
采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层，采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层，采用HF刻蚀栅极氧化硅层，形成过孔；
在所述过孔内形成源漏电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度大于所述第二多晶硅层的厚度。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为所述第二多晶硅层的厚度为
4.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述将所述第二多晶硅层氧化为栅极氧化硅层采用化学气相沉积法进行，其中，氧气流量为1000sccm～2000sccm，腔室压强为50500Pa～151500Pa，温度为400～600℃，反应时间为30S～90S。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述采用CF4刻蚀所述层间氧化硅层采用干法刻蚀进行，其中，CF4流量为100sccm～300sccm，氧气流量为50sccm～300sccm，腔室压强为10Pa～30Pa，电源功率为800W～1000W。
6.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述采用C2HF5刻蚀所述层间氮化硅层和所述栅极氮化硅层采用干法刻蚀进行，其中，C2HF5流量为200sccm～400sccm，氢气流量为100sccm～200sccm，氧气流量为100sccm～200sccm，腔室压强为10Pa～20Pa，电源功率为300W～800W。
7.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述采用HF刻蚀栅极氧化硅层采用湿法刻蚀进行。
8.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上依次形成第一多晶硅层和第二多晶硅层的步骤之前，还包括如下步骤：
在所述玻璃基板上形成保护绝缘层。
9.根据权利要求1所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述在所述过孔内形成源漏电极的步骤之后，还包括如下步骤：
在所述源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层。
10.根据权利要求9所述的液晶显示器下基板的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏电极和层间氧化硅层上形成平坦化层的步骤之后，还包括如下步骤：
刻蚀所述平坦化层后，形成与所述漏电极连接的像素电极。
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