CN104692444B - 一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法 - Google Patents
一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104692444B CN104692444B CN201510068116.3A CN201510068116A CN104692444B CN 104692444 B CN104692444 B CN 104692444B CN 201510068116 A CN201510068116 A CN 201510068116A CN 104692444 B CN104692444 B CN 104692444B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- colloidal sol
- spin coating
- pva
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域,涉及一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法。本发明采用溶胶—凝胶方法结合旋涂技术,通过加入适量水解控制剂乙酰丙酮缩减了成胶时间,解决了溶胶制备周期长的问题。采用水浴回流和蒸发溶剂的方法来调节分散剂的含量,有效地控制了溶胶的质量。通过设计合理的溶液滴加顺序,避免了溶胶聚沉现象的产生。采用亲水性较好的聚乙烯醇(PVA)溶液作为溶胶分散剂,解决了旋涂时薄膜收缩破裂的问题。通过使用分级干燥和低速升温焙烧方法,有效地防止了薄膜在热处理时容易开裂的现象的发生。
Description
技术领域
本发明属于纳米薄膜材料制备技术领域,介绍了一种简单、廉价、快捷地制备高质量二氧化铈纳米晶薄膜的方法。
背景技术
二氧化铈由于其优良的化学稳定性、独特的光学、电学传输等性质,在腐蚀防护、太阳能电池、润滑剂、光电材料等领域具有广泛的应用。常见的二氧化铈纳米晶薄膜制备方法有磁控溅射法[S.V.Steenberge,W.P.Leroy,A.Hubin,D.Depla,AppliedPhysicsLetters,105(2014)111602]、电化学沉积法[X.W.Zhou,Y.F.Shen,Surface&CoatingsTechnology,235(2013)433-446]、自蔓延法[J.Malleshappa,H.Nagabhushana,S.C.Sharma,D.V.Sunitha,N.Dhananjaya,C.Shivakumara,B.M.Nagabhushana,JournalofAlloysandCompounds,590(2014)131-139]等。溶胶—凝胶法具有对设备要求简单、可控性强、制作成本低等优点。采用该方法大多用来制备二氧化铈粉体材料。目前采用溶胶—凝胶法制备二氧化铈纳米晶薄膜存在制备周期较长、薄膜裂纹比较多等问题[K.S.Brinkman,H.Takamura,H.L.Tuller,T.Iijima,JournalofTheElectrochemicalSociety,157(2010)B1852-B1857;H.Guo,Y.M.Qiao,AppliedSurfaceScience,254(2008)1961-1965;A.Verma,A.K.Bakhshi,S.A.Agnihotry,SolarEnergyMaterials&SolarCells,90(2006)1640-1655;I.K.Skofic,S.Sturm,M.Ceh,N.Bukovec,ThinSolidFilms,422(2002)170-175]。
发明内容:
本发明目的是为了解决溶胶制备周期长、旋涂时薄膜收缩破裂的问题,有效地防止薄膜在热处理时容易开裂的现象。
一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法,包括PVA的制备和基底的准备、配置反应溶液和制备溶胶、溶胶的旋涂和焙烧三个步骤;
配置反应溶液和制备溶胶的步骤为:
(1)按柠檬酸与硝酸铈的物质的量比3:1~4:1来称量药品。
(2)将柠檬酸溶解于去离子水中配制成1-1.5mol/L的溶液,加入适量浓硝酸使得溶液的PH<1,得到溶液A。
(3)将硝酸铈缓慢加入溶液A中,搅拌至完全溶解,得到溶液B。
(4)向溶液B中加入10-15vol.%的乙酰丙酮,得到溶液C。
(5)将溶液C放于65-75℃的水浴锅中加热。
(6)溶液C做水浴回流处理,5-6h后溶液变色时,做分散剂蒸发处理约1.5-2h,同时加入8-12wt.%的PVA,以调节溶胶浓度和黏性。
溶胶的旋涂和焙烧的步骤为:
(1)将洗净的Si片吸附在匀胶机上,并向Si片上滴1-3滴溶胶,在旋转速度为2000-3000r/min的转速下旋涂3-9s,在旋转速度为6000-9000r/min的转速下旋涂60-90s。
(2)将旋涂样品放于干燥箱中,依次在80℃、50℃、30℃下各干燥15-30min。
(3)将干燥后的样品放置在马弗炉中以≤10℃/min的升温速度加热到390-400℃,保温30-40min后空冷。
上述PVA的制备和基底的准备步骤为:
(1)将适量聚乙烯醇溶解到去离子水中,在90-95℃时加热3-4h,得到5-10wt.%的PVA溶液。
(2)分别用稀硝酸、丙酮、去离子水超声清洗Si片20-30min,风干后备用。
本发明采用溶胶—凝胶方法结合旋涂技术通过合理地设计制备工艺,成功地获得了高质量的二氧化铈纳米晶薄膜。如通过加入适量水解控制剂乙酰丙酮大大地缩减了成胶时间(由原来的24h缩减为7-8h),有效地解决了溶胶制备周期长的问题。采用水浴回流和蒸发溶剂的方法来调节分散剂的含量,有效地控制了溶胶的质量。通过设计合理的溶液滴加顺序,避免了溶胶聚沉现象的产生。采用亲水性较好的聚乙烯醇(PVA)溶液作为溶胶分散剂,解决了旋涂时薄膜收缩破裂的问题。通过使用分级干燥和低速升温焙烧方法,有效地防止了薄膜在热处理时容易开裂的现象的发生。
本发明的创新点在于:
(1)通过加入乙酰丙酮大大地缩减了制胶时间,有效地解决了溶胶制备周期长的问题。
(2)采用水浴回流和分散剂蒸发相结合的方法来控制溶胶粘度和浓度,有效地控制了溶胶的质量。
(3)合理的反应物滴加顺序减少了团聚和絮状物的生成。
(4)加入适量PVA有效地解决了涂覆过程中薄膜的收缩开裂问题。
(5)采用旋涂法可以有效地控制薄膜的厚度和质量,并且使得薄膜的表面平整。
(6)采用分级干燥和低速升温焙烧技术,避免了薄膜在热处理时裂纹的产生。
附图说明
图1:二氧化铈薄膜的制备流程图,
图2:二氧化铈纳米晶薄膜样品的GIXRD图谱,
图3:二氧化铈纳米晶薄膜样品的TEM图谱,
图4:二氧化铈纳米晶薄膜的HRTEM图谱。
具体实施方式
样品的掠入角X射线衍射(GIXRD)结果如图2所示,薄膜样品的结晶状态良好,为立方相结构,且没有夹杂相。
本发明所制备样品的透射电镜(TEM)图谱如图3所示,样品平整,厚度均匀。
由样品的高分辨透射电镜(HRTEM)的图谱(图4)可以看出样品结晶状态良好,晶粒大小均匀,约6nm左右。样品的选区电子衍射图表明样品为立方相晶体结构。
实施例1
(1)称取2.105g聚乙烯醇加入40ml的去离子水,95℃下水浴加热并搅拌2h,得到质量分数为5%的PVA。用稀硝酸、丙酮、去离子水分别超声清洗硅片30min,风干后作为基底使用。
(2)称量柠檬酸3.151g,溶解到5ml的去离子水。
(3)将约3ml65-68%纯度的浓硝酸加入柠檬酸溶液中,搅拌使得溶液PH<1。
(4)称取2.173g六水硝酸铈缓慢溶解到步骤3溶液中搅拌至完全溶解。
(5)量取2-3ml乙酰丙酮,加入到步骤4所得溶液,搅拌后对放置溶液的烧杯进行封闭处理,防止分散剂挥发,之后放入65℃的水浴锅中水浴加热约6h。
(6)打开烧杯,待分解的NO2气体挥发后,溶液颜色由红褐色成淡黄色时,加入质量分数为10%的PVA,搅拌并水浴加热约1.5h,冷却后封存陈化10h。
(7)将溶胶用匀胶机涂覆在Si片上,低速3000r/min旋涂6s,高速8000r/min旋涂60s。
(8)得到的样品于干燥箱中分别80、50、30℃干燥30min,之后放入马弗炉中,升温速度为10℃/min,加热到400℃保温30min。
实施例2
(1)称取4.21g聚乙烯醇溶解到40ml去离子水中,95℃水浴搅拌3h,得到10wt.%的PVA,用稀硝酸、酒精、丙酮、去离子水分别超声清洗硅片30min,室温自然干燥。
(2)称量柠檬酸4.201g,加入5ml的去离子水中搅拌至完全溶解。
(3)将约4ml65-68%纯度的浓硝酸加入上述溶液中,搅拌使得溶PH<1。
(4)称取2.173g六水硝酸铈缓慢溶解到步骤3溶液,搅拌至完全溶解。
(5)量取约3ml乙酰丙酮,加入步骤4所得溶液,搅拌后对放置溶液的烧杯封口,之后放入75℃的水浴锅中加热约5h。
(6)打开烧杯,溶液由红褐色变成淡黄色时,加入5ml的PVA,搅拌并加热约2h后封存陈化10h。
(7)将溶胶用匀胶机涂覆在Si片上,低速2000r/min旋涂3s,高速8000r/min旋涂60s。
(8)将所得薄膜于真空干燥箱中分别在80、50、30℃干燥30min,之后放入马弗炉中焙烧,升温速度为10℃/min加热到400℃保温30min。
Claims (3)
1.一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法,其特征在于包括PVA的制备和基底的准备、配置反应溶液和制备溶胶、溶胶的旋涂和焙烧三个步骤;
(1)配置反应溶液和制备溶胶的步骤为:
1)按柠檬酸与硝酸铈的物质的量比3:1~4:1来称量药品;
2)将柠檬酸溶解于去离子水中配制成1‐1.5mol/L的溶液,加入适量浓硝酸使得溶液的pH<1,得到溶液A;
3)将硝酸铈缓慢加入溶液A中,搅拌至完全溶解,得到溶液B;
4)向溶液B中加入10-15vol.%的乙酰丙酮,得到溶液C;
5)将溶液C放于65-75℃的水浴锅中加热;
6)溶液C做水浴回流处理,5‐6h后溶液变色时,加入8‐12wt.%的PVA,水浴加热1.5‐2h,以调节溶胶浓度和黏性;
(2)溶胶的旋涂和焙烧的步骤为:
1)将洗净的Si片吸附在匀胶机上,并向Si片上滴1-3滴溶胶,在旋转速度为2000-3000r/min的转速下旋涂3-9s,在旋转速度为6000-9000r/min的转速下旋涂60-90s;
2)将旋涂样品放于干燥箱中,依次在80℃、50℃、30℃下各干燥15-30min;
3)将干燥后的样品放置在马弗炉中以≤10℃/min的升温速度加热到390-400℃,保温30-40min后空冷。
2.根据权利要求1所述一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法,其特征在于PVA的制备是将适量聚乙烯醇溶解到去离子水中,在90-95℃时加热3-4h,得到5-10wt.%的PVA溶液。
3.根据权利要求1所述一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法,其特征在于基底的准备是分别用稀硝酸、丙酮、去离子水超声清洗Si片20-30min,风干后备用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510068116.3A CN104692444B (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510068116.3A CN104692444B (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104692444A CN104692444A (zh) | 2015-06-10 |
CN104692444B true CN104692444B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=53340063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510068116.3A Expired - Fee Related CN104692444B (zh) | 2015-02-09 | 2015-02-09 | 一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104692444B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105951178B (zh) * | 2016-04-29 | 2019-01-18 | 中国工程物理研究院材料研究所 | 一种制备立方相三氧化二铈单晶薄膜的方法 |
CN106006702B (zh) * | 2016-05-20 | 2017-07-25 | 济南大学 | 一种珠链状CeO2纳米材料及其制备方法 |
CN105838114B (zh) * | 2016-05-25 | 2018-05-01 | 南京理工大学 | 一种高红外反射稀土倍半硫化物γ-Ce2S3包覆云母珠光颜料及其制备方法 |
CN106009786B (zh) * | 2016-05-25 | 2018-04-03 | 南京理工大学 | 一种掺杂型高红外反射稀土倍半硫化物γ‑Ce2S3包覆云母珠光颜料及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101306830A (zh) * | 2008-07-10 | 2008-11-19 | 长春理工大学 | 一种制备水溶性二氧化铈纳米晶的方法 |
US20130101867A1 (en) * | 2010-06-08 | 2013-04-25 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method of manufacturing metal oxide film, metal oxide film, element using the metal oxide film, substrate with metal oxide film, and device using the substrate with metal oxide film |
-
2015
- 2015-02-09 CN CN201510068116.3A patent/CN104692444B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101306830A (zh) * | 2008-07-10 | 2008-11-19 | 长春理工大学 | 一种制备水溶性二氧化铈纳米晶的方法 |
US20130101867A1 (en) * | 2010-06-08 | 2013-04-25 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Method of manufacturing metal oxide film, metal oxide film, element using the metal oxide film, substrate with metal oxide film, and device using the substrate with metal oxide film |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
溶胶-凝胶法制备玻璃表面CeO2-TiO2紫外吸收薄膜的研究;董玉红,赵青南,马鸣明,汪振东;《中国稀土学报》;20090630;第27卷(第3期);摘要 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104692444A (zh) | 2015-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104692444B (zh) | 一种制备二氧化铈纳米晶薄膜的方法 | |
CN101560059B (zh) | 掺铝氧化锌涂膜和纳米棒阵列材料及其制备方法 | |
CN101391814B (zh) | 金红石相二氧化钒粉体的制备方法 | |
CN109004048A (zh) | 一种铯铅溴无机钙钛矿量子点薄膜的制备方法及基于其的光伏器件 | |
CN102776502B (zh) | 一种铜基梯度接触角功能表面及其制备方法 | |
CN103833416B (zh) | 一种镍酸镧导电薄膜的化学溶液沉积制备方法 | |
CN108441957A (zh) | 一种铁酸铋光催化薄膜的制备方法 | |
CN103691647B (zh) | 一种具有尖晶石结构的太阳能选择吸收薄膜的制备方法 | |
CN108165956A (zh) | 一种添加石墨烯的azo复合薄膜的制备方法 | |
CN103194741B (zh) | 一种氧化铝前驱体溶液及其制备方法与应用 | |
CN106206839A (zh) | 一种制备钙钛矿太阳能电池的溶剂热处理方法 | |
CN104477995B (zh) | 一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片 | |
CN102005303B (zh) | SiO2修饰的ZnO纳米多孔薄膜复合电极的制备方法 | |
CN103643224A (zh) | 一种微波水热制备CoTiO3 薄膜的方法 | |
CN110571337B (zh) | 基于预成核控制法在空气中制备钙钛矿薄膜的方法及应用 | |
CN104726851B (zh) | 一种溶胶凝胶法制备p型氧化锡薄膜材料的方法 | |
CN105322094A (zh) | 一种用于钙钛矿型太阳电池的二氧化钛薄膜制备方法 | |
CN105780120A (zh) | 一种Y2Si2O7晶须及其制备方法 | |
CN103011813B (zh) | 一种溶胶凝胶法制备高浓度钽酸锂薄膜的方法 | |
TW201117412A (en) | Manufacturing method for solar cell Cux ZnSnSy (CZTS) this film | |
CN101767081A (zh) | 金属-介质型太阳能光谱选择性吸收涂层的制备方法 | |
CN105175010B (zh) | 一种溶胶凝胶法制备金红石二氧化钛纳米薄膜的方法 | |
CN105679856A (zh) | 低温溶液法制备掺Mg的ZnO薄膜窗口层的制备方法及其应用 | |
CN105776232A (zh) | 一种片状Y2SiO5的制备方法 | |
TWI435846B (zh) | A method for preparing transparent conductive zinc oxide thin film by dipping stitch doping technique |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160413 Termination date: 20210209 |