CN104663005B - 配线基板以及带有绝缘层的配线基板 - Google Patents

配线基板以及带有绝缘层的配线基板 Download PDF

Info

Publication number
CN104663005B
CN104663005B CN201380048687.XA CN201380048687A CN104663005B CN 104663005 B CN104663005 B CN 104663005B CN 201380048687 A CN201380048687 A CN 201380048687A CN 104663005 B CN104663005 B CN 104663005B
Authority
CN
China
Prior art keywords
formula
group
alkyl
represent
atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201380048687.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104663005A (zh
Inventor
松下泰明
松村季彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN104663005A publication Critical patent/CN104663005A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104663005B publication Critical patent/CN104663005B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/247—Finish coating of conductors by using conductive pastes, inks or powders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0753—Insulation
    • H05K2201/0769—Anti metal-migration, e.g. avoiding tin whisker growth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Nitrogen- Or Sulfur-Containing Heterocyclic Ring Compounds With Rings Of Six Or More Members (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种配线基板以及带有绝缘层的配线基板，所述配线基板的配线层的导电特性及离子迁移抑制功能优异。本发明的配线基板具有绝缘基板及配线层，该配线层包含配置于绝缘基板上的第1金属层、及以覆盖第1金属层的不与绝缘基板接触的表面的方式配置的第2金属层，第2金属层的厚度为配线层的总体厚度的1/10，配线层含有迁移抑制剂，第2金属层所含的迁移抑制剂的质量Y大于第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X。

Description

配线基板以及带有绝缘层的配线基板
技术领域
本发明涉及一种配线基板，特别涉及一种具有迁移(migration)抑制剂偏向于露出表面附近的配线层的配线基板。
背景技术
一直以来，在绝缘基板表面上配置有金属配线的配线基板被广泛用于电子构件或半导体元件等中。构成金属配线的金属常使用导电性高的银、铜，但这些金属有容易产生离子迁移的问题。
作为防止此种金属的离子迁移的方法，已提出有在金属配线中导入既定的迁移抑制剂的方法(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-99236号公报
发明内容
发明要解决的课题
近年来，由于半导体集成电路或芯片零件等的小型化，正在推进金属配线的微细化。因此，配线基板中的金属配线的宽度及间隔变得更窄，而更容易产生由离子迁移所致的电路的断线或导通。在此种状况下，要求配线基板中的金属配线间的绝缘可靠性进一步提高。
另外，就各种电路或零件的性能提高的方面而言，还要求金属配线的导电特性进一步提高。
在如专利文献1所列举般使用含有既定的迁移抑制剂的组合物来制作金属配线的情形时，迁移抑制剂在金属细线中均匀地分散，若欲使金属配线间的绝缘可靠性提高而在金属配线中含有大量的迁移抑制剂，则在金属配线内形成多个迁移抑制剂的区域(domain)，结果金属配线的导电特性降低。
另一方面，若考虑到金属配线的导电特性而减少金属配线内的迁移抑制剂的含量，则虽然导电特性提高，但金属配线间的绝缘可靠性降低。
如此，在现有技术中，配线层的导电特性与离子迁移抑制功能(换言之，配线层间的绝缘可靠性)大多情况下存在取舍(trade-off)的关系，因而谋求以更高的水平实现两者的技术。
鉴于上述实际情况，本发明的目的在于提供一种配线层的导电特性及离子迁移抑制功能优异的配线基板。
解决问题的技术手段
本发明人等人进行了努力研究，结果发现，通过控制配线层中的迁移抑制剂的分布，可解决上述课题。
即，本发明人等人发现，根据以下的构成可解决上述课题。
(1)一种配线基板，具有绝缘基板及配线层，该配线层包含配置于绝缘基板上的第1金属层、及以覆盖第1金属层的不与绝缘基板接触的表面的方式配置的第2金属层，并且第2金属层的厚度为配线层的总体厚度的1/10，配线层含有迁移抑制剂，第2金属层所含的迁移抑制剂的质量Y大于第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X。
(2)根据(1)所记载的配线基板，其中迁移抑制剂含有选自由后述通式(1A)～通式(3A)所表示的化合物、后述通式(6A)～通式(8A)所表示的化合物、铋化合物、锆化合物、镁化合物、氧化锑、后述通式(1)～通式(5)所表示的化合物、后述通式(22)所表示的化合物、后述通式(23)所表示的化合物、及具有后述通式(24)所表示的基团与后述通式(25)所表示的基团的化合物所组成的组群中的至少一种。
(3)根据(2)所记载的配线基板，其中通式(1)所表示的化合物为选自由后述通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的组群中的至少一种。
(4)根据(1)至(3)中任一项所记载的配线基板，其中配线层中的金属是选自由金、银、铜及铝所组成的组群中。
(5)根据(1)至(4)中任一项所记载的配线基板，其中在绝缘基板上配置有侧面露出的细线状的第1金属层，以覆盖第1金属层的包含侧面且不与绝缘基板接触的表面的方式配置有第2金属层。
(6)一种带有绝缘层的配线基板，具有根据(1)至(5)中任一项所记载的配线基板、及配置于配线基板的配线层上的绝缘层。
(7)根据(1)至(5)中任一项所记载的配线基板，其是用于印刷配线基板。
发明的效果
根据本发明，可提供一种配线层的导电特性及离子迁移抑制功能优异的配线基板。
附图说明
图1为表示本发明的配线基板的第1实施形态的示意性剖面图。
图2为表示本发明的配线基板的第2实施形态的示意性剖面图。
图3为表示本发明的带有绝缘层的配线基板的实施形态的示意性剖面图。
图4(A)、图4(B)、图4(C)为用以对利用第1方法的配线层的形成加以说明的图。
图5(A)、图5(B)为用以对利用第2方法的配线层的形成加以说明的图。
符号的说明
10、100：配线基板
12：绝缘基板
14、34、114：配线层
14a、114a：第1金属层
14b、114b：第2金属层
16：上表面
18：侧面
20：绝缘层
22：平台
24、26、28：喷墨头
30：第1层
32：混合层
200：带有绝缘层的配线基板
具体实施方式
以下，对本发明的配线基板的优选形态加以说明。
首先，对本发明的与现有技术相比较的特征加以详述。
在本发明中，通过使迁移抑制剂更偏向于配线层的露出表面(不与绝缘基材接触的表面)附近，能以更高的水平兼具通常处于取舍关系的配线层的导电特性与离子迁移抑制功能两者。更具体而言，通过使大量的迁移抑制剂偏向于配线层的外侧露出表面附近，可高效地抑制自配线层的露出表面附近析出至外侧的金属离子的扩散。另外，通过使大量的迁移抑制剂偏向于配线层的外侧表面附近，可在配线层内部减少金属以外的杂质的量，结果可在配线层内部形成导通路，实现优异的导电特性。
继而，参照图式对本发明的配线基板的第1实施形态加以详述。
图1表示配线基板的第1实施形态的示意性剖面图，配线基板10具备绝缘基板12、及遍及绝缘基板12上的整个面而配置的配线层14。配线层14具有第1金属层14a及第2金属层14b。
以下，对各构件(绝缘基板12、配线层14)加以详述。
[绝缘基板]
绝缘基板12只要为绝缘性且可支撑配线层，则其种类并无特别限制。例如可使用有机基板、陶瓷基板、玻璃基板等。
另外，绝缘基板12也可为选自由有机基板、陶瓷基板及玻璃基板所组成的组群中的至少两个基板层叠而成的构造。
有机基板的材料可列举树脂，例如优选为使用热硬化性树脂、热塑性树脂或将这些树脂混合而成的树脂。热硬化性树脂例如可列举：酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、丙烯酸系树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、环氧树脂、硅酮树脂、呋喃树脂、酮树脂、二甲苯树脂、苯并环丁烯树脂等。热塑性树脂例如可列举：聚酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、芳族聚酰胺(polyaramid)树脂、液晶聚合物等。
而且，有机基板的材料也可使用玻璃织布、玻璃不织布、芳族聚酰胺织布、芳族聚酰胺不织布、芳香族聚酰胺织布或使这些布含浸上述树脂而成的材料等。
[配线层]
配线层14为配置于绝缘基板12上的层，且作为导体部而发挥功能。
配线层14(换言之，第1金属层14a或第2金属层14b)主要是由金属所构成。金属的种类并无特别限制，可根据用途来适当选择最适的金属。其中，就作为配线的功能的方面而言，可列举银、铜、金、铝、镍或这些金属的合金等。
在图1中，配线层14具有第1金属层14a、及配置于第1金属层14a上的第2金属层14b。第2金属层14b覆盖第1金属层14a的不与绝缘基板12接触的表面。
第2金属层14b的厚度T1相当于配线层14的总体厚度T2的1/10的厚度。换言之，配线层14中的第2金属层14b相当于自配线层14的露出表面起至相当于配线层14的总体厚度的1/10的深度位置为止的区域。
关于配线层14中的第2金属层14b部分的确定方法，利用电子显微镜(扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscopy，SEM)或透射电子显微镜(TransmissionElectron Microscopy，TEM))来观察相对于绝缘基板12表面垂直的方向的配线层14的垂直剖面，将自配线层14的外侧表面(不与绝缘基板12接触的表面)起至相当于配线层14的总体厚度的1/10的深度位置为止的区域设定为第2金属层14b。
而且，配线层14的总体厚度是测定5个部位以上的任意点的配线层14的总体厚度，并将这些厚度加以算术平均所得的值。
配线层14中含有后述迁移抑制剂，第2金属层14b所含的迁移抑制剂的质量Y大于第1金属层14a所含的迁移抑制剂的质量X。即，满足质量Y＞质量X的关系(质量X/质量Y小于1的关系)。若满足上述关系，则自配线层14的离子迁移受到抑制，并且配线层14的导电特性也优异。其中，就离子迁移抑制功能与导电特性的平衡更优异的方面而言，优选为第1金属层14a所含的迁移抑制剂的质量X与第2金属层14b所含的迁移抑制剂的质量Y之比(X/Y)小于0.30，更优选为0.25以下，进而优选为0.20以下。另外，在使用后述含氟原子的迁移抑制剂的情形时，比(X/Y)最优选为0.1以下。
下限并无特别限制，最优选为0，实用上也可为0.001以上。
而且，比(X/Y)的测定方法并无特别限制，例如可利用电子显微镜(SEM或TEM)来观察相对于绝缘基板12表面垂直的方向的配线层14的垂直剖面，对相当于第1金属层14a的区域及相当于第2金属层14b的区域所含的成分进行元素分析，比较来源于迁移抑制剂的元素的量，求出比(X/Y)。
关于所使用的迁移抑制剂的种类，将在下文中加以详述。
配线层14总体所含的迁移抑制剂的含量并无特别限制，就配线层14的导电特性的观点而言，相对于配线层14总质量，优选为0.01质量％～10质量％，更优选为0.1质量％～5质量％。
第2金属层14b所含的迁移抑制剂的含量只要满足上述比(X/Y)，则并无特别限制，就配线层14的导电特性的观点而言，相对于配线层14总质量，优选为0.1质量％～10质量％，更优选为0.3质量％～5.0质量％。
就配线基板的高集成化的方面而言，配线层14的厚度T2优选为0.001μm～100μm，更优选为0.01μm～30μm，进而优选为0.01μm～20μm。
配线层14中，也可在不损及本发明效果的范围内含有金属及迁移抑制剂以外的成分。例如也可含有粘合树脂(环氧树脂、丙烯酸系树脂、聚乙烯基吡咯烷酮等)。
配线层14的形成方法并无特别限制，将在下文中加以详述，优选为使用含有金属微粒子及/或迁移抑制剂的组合物(导电膏)来形成配线层14的方法。
在图1中，配线层14是设置于绝缘基板12的仅单面上，但也可设置于两面上。即，配线基板10可为单面基板，也可为两面基板。而且，在绝缘基板12的两面上设有配线层14时，也可通过在该通孔内填充金属(例如银或银合金)来将两面的配线层14导通。
(迁移抑制剂)
迁移抑制剂(抗迁移剂)为抑制自配线层14析出的金属离子的迁移的化合物，含有于上述配线层14中。
迁移抑制剂的种类并无特别限制，可使用已知的化合物。其中，就本发明的效果更优异的方面而言，优选为无机离子吸附剂、有机抗氧化剂、有机离子吸附剂等。以下，对各化合物加以详述。
所谓无机离子吸附剂，是指吸附金属离子的无机化合物，可优选地列举铋化合物、锆化合物、氧化锑化合物或镁化合物等。
铋化合物例如可列举：氧化铋、钛酸铋、硝酸铋、水杨酸铋、碳酸铋等。这些化合物中，特别优选为氧化铋。
锆化合物例如可列举：磷酸锆、钨酸锆、钼酸锆、硒酸锆、碲酸锆等。这些化合物中，特别优选为磷酸锆。
氧化锑化合物例如可列举：五氧化锑、三氧化锑、磷锑酸、锑酸锆、锑酸钛等。这些化合物中，特别优选为五氧化锑。
镁化合物可列举磷酸镁、碳酸镁、氧化镁等。
无机离子吸附剂也可并用两种化合物，其中，优选为并用铋化合物、与锆化合物及氧化锑化合物的至少任一种。
而且，铋化合物(A)与锆化合物及氧化锑化合物的至少任一种(B)的质量比(A∶B)优选为1∶0.2～1∶5，更优选为1∶0.5～1∶2。
所谓有机抗氧化剂，是指防止金属的氧化的有机化合物，其种类并无特别限制，其中，优选为氧化还原电位为0.5V以上、2.0V以下(优选为0.6V以上、1.5V以下)的化合物。
有机抗氧化剂的优选形态可列举：选自由通式(1A)、通式(2A)及通式(3A)所表示的化合物组群中的至少一种化合物。
[化1]
通式(1A)中，R1a～R5a分别独立地表示氢原子、羟基、可具有氧原子的脂肪族烃基、可具有氧原子的芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团。其中，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为氢原子、烷基、烷氧基、芳氧基或将这些基团组合而成的基团。
脂肪族烃基、芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团所含的碳原子的个数并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为1～40，更优选为4～20。
通式(1A)中，Z表示氢原子、酰基或RzOC(＝O)基。Rz表示脂肪族烃基或芳香族烃基。其中，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，Z优选为氢原子。
酰基或RzOC(＝O)基所含的碳原子的个数并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为2～12，更优选为2～8。
而且，通式(1A)中，R1a～R5a的各基团中所含的碳原子的合计个数为4以上。即，R1a～R5a的至少一个为含有碳原子的基团(上述脂肪族烃基、上述芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团等)。
若碳原子的合计个数为该范围，则进一步抑制金属的离子迁移，配线层间的绝缘可靠性进一步提高。而且，就该效果更优异的方面而言，合计个数优选为8以上，更优选为10以上。而且，上限并无特别限制，就合成更容易、且在配线层中的分散性更优异的方面而言，合计个数优选为50以下，更优选为40以下。
而且，在化合物中R1a～R5a中的仅一个为含有碳原子的基团(例如脂肪族烃基、芳香族烃基等)的情形时，只要该基团中的碳原子的个数为4以上即可。
另外，在化合物中R1a～R5a中的多个基团为含有碳原子的基团(例如烷基、烷氧基等)的情形时，只要各基团中所含的碳原子的合计个数为4以上即可。例如，在R1a及R2a为烷基、且R3a～R5a为氢原子的情形时，只要R1a的烷基中所含的碳原子的个数与R2a的烷基中所含的碳原子的个数的合计个数为4以上即可。
另外，R1a～R5a也可相互键结而形成环。所形成的环的种类并无特别限制，例如可列举5员环～6员环结构。
R1a～R5a中，视需要也可进一步含有已知的取代基。取代基例如可列举：卤素原子、烷基、烯基、芳基、氰基、羟基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、硅烷氧基、杂环氧基、酰氧基、氨甲酰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、氨基、酰基氨基、氨基羰基氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、氨磺酰基氨基、烷基磺酰基氨基或芳基磺酰基氨基、巯基、烷硫基、芳硫基、杂环硫基、氨磺酰基、磺基、烷基亚磺酰基或芳基亚磺酰基、烷基磺酰基或芳基磺酰基、酰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、氨甲酰基、芳基偶氮基或杂环偶氮基、酰亚胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基、硅烷基。
通式(2A)中，R6a～R8a分别独立地表示脂肪族烃基、芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团。
脂肪族烃基、芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团所含的碳原子的个数并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为1～40，更优选为2～20。
通式(2A)中，R6a～R8a的各基团中所含的碳原子的合计个数为6以上。若碳原子的合计个数为该范围，则进一步抑制金属的离子迁移。而且，就该效果更优异的方面而言，合计个数优选为8以上，更优选为10以上。而且，上限并无特别限制，就合成更容易、且在配线层中的分散性更优异的方面而言，合计个数优选为50以下，更优选为40以下。
而且，上述所谓合计，例如在R6a～R8a全部为烷基的情形时，只要R6a的烷基中所含的碳原子的个数、R7a的烷基中所含的碳原子的个数及R8a的烷基中所含的碳原子的个数的合计个数为6以上即可。
而且，R6a～R8a中，视需要也可进一步含有已知的取代基。取代基的例子与取代于上述R1a～R5a上的取代基为相同含意。
而且，R6a～R8a也可相互键结而形成环。
通式(3A)中，R9a～R12a分别独立地表示可含有杂原子的烷基、可含有杂原子的芳基或将这些基团组合而成的基团。
烷基或芳基所含的碳原子的个数并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为1～40，更优选为2～20。
而且，烷基或芳基中也可含有杂原子。所含有的杂原子的种类并无特别限制，可列举：卤素原子、氧原子、氮原子、硫原子、硒原子、碲原子等。其中，就离子迁移抑制功能优异的方面而言，优选为以-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-、卤素原子或将这些基团组合而成的基团的形态而含有。
X1～X4分别独立地选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中。其中，就操作更简便的方面而言，优选为氧原子、硫原子。
上述Ra、Rb、Rc分别独立地选自氢原子或碳数1～20的烃基中。
n表示1～3的整数。
通式(3A)中，R9a～R12a的各基团中所含的碳原子的合计个数为6以上。若碳原子的合计个数为该范围，则进一步抑制金属的离子迁移。而且，就该效果更优异的方面而言，合计个数优选为8以上，更优选为10以上。而且，上限并无特别限制，就合成更容易、且在配线层中的分散性更优异的方面而言，合计个数优选为50以下，更优选为40以下。
而且，上述所谓合计，例如在R9a～R12a全部为烷基的情形时，只要R9a的烷基中所含的碳原子的个数、R10a的烷基中所含的碳原子的个数、R11a的烷基中所含的碳原子的个数及R12a的烷基中所含的碳原子的个数的合计个数为6以上即可。
而且，R9a～R12a也可相互键结而形成环。
(优选形态)
上述通式(1A)～通式(3A)所表示的化合物中，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，可优选地列举通式(4A)、通式(5A)或通式(10A)所表示的化合物。
[化2]
通式(4A)中，Z、R1a、R2a、R3a的定义与通式(1A)中的各基团的定义相同。
通式(4A)中，R14a及R15a分别独立地表示氢原子、羟基、可含有氧原子的脂肪族烃基、可含有氧原子的芳香族烃基。其中，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为含有三级碳原子或四级碳原子的烷基。
脂肪族烃基或芳香族烃基所含的碳原子的个数并无特别限制，优选为1～40，更优选为2～20。特别优选为R14a为碳原子数1个～5个的烷基，且R15a为碳原子数10个～20个的烷基。
优选为R1a、R2a、R14a及R15a中的至少一个所含的碳原子的个数为1～40。若碳原子的个数为上述范围内，则在配线层中的分散性提高，结果离子迁移抑制功能提高。其中，碳原子的个数优选为8～40，更优选为10～30。
另外，优选为R1a、R2a、R14a及R15a的各基团中所含的碳原子的合计个数为4以上。若碳原子的合计个数为该范围，则进一步抑制金属的离子迁移。而且，就该效果更优异的方面而言，合计个数优选为8以上，更优选为10以上。而且，上限并无特别限制，就合成更容易、且在配线层中的分散性更优异的方面而言，合计个数优选为50以下，更优选为40以下。
通式(5A)中，Z、R1a、R3a、R4a、R5a的定义与通式(1A)中的各基团的定义相同。
通式(10A)中，Z、R1a、R2a、R3a、R5a的定义与通式(1A)中的各基团的定义相同。
L表示可具有氧原子的二价或三价的脂肪族烃基、可具有氧原子的二价或三价的芳香族烃基、-S-或将这些基团组合而成的基团。
脂肪族烃基或芳香族烃基所含的碳原子的个数并无特别限制，脂肪族烃基优选为1～40，更优选为2～20，另外，芳香族烃基优选为6～40，更优选为6～20。
另外，脂肪族烃基可为直链状、分支状或环状的任一种。
n表示2或3的整数。
所谓有机离子吸附剂，是指吸附金属离子的有机化合物，其结构并无特别限制，可使用已知的有机化合物。其中，优选为以下化合物(以下也称为含SH基的化合物)，该化合物具有选自由四唑结构、三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构(以下也称为杂环结构)、巯基及一个以上的可含有杂原子的烃基，且烃基中的碳原子的合计个数(而且，在存在多个烃基的情形时，是指各烃基中的碳原子的个数的合计个数)为5以上。
含SH基的化合物含有选自由四唑结构、三唑结构、噻二唑结构及苯并咪唑结构所组成的组群中的结构。其中，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为三唑结构、噻二唑结构。
而且，若更具体地例示该结构，则分别可由以下的通式(X)～通式(W)来表示。
[化3]
含SH基的化合物中含有巯基(HS-)。巯基的与金属生成共价键的反应性强。该巯基键结于上述三唑结构等杂环结构。
含SH基的化合物中的巯基的量并无特别限制，优选为相对于化合物的总分子量，巯基的原子量总量所占的比例为50％以下，特别优选为40％以下。
而且，巯基可仅含有一个，也可含有多个。
含SH基的化合物具有一个以上的可含有杂原子的烃基(以下也简称为烃基)，且烃基中的碳原子的合计个数(而且，在存在多个烃基的情形时，是指各烃基中的碳原子的合计个数)为5以上。通过使该烃基含有于化合物中，抑制金属的离子迁移的效果也进一步提高。
烃基为含有碳原子及氢原子的基团。该烃基通常键结于上述三唑结构等杂环结构。烃基更具体可列举：脂肪族烃基、芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团。
各烃基中的碳数并无特别限制，只要后述合计碳数显示5以上，则并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为4以上，更优选为6以上，特别优选为8以上。上限并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，碳数优选为30以下，更优选为24以下。
脂肪族烃基优选为碳数4以上，更优选为碳数6以上。上限并无特别限制，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为40以下。脂肪族烃基可为直链状、分支链状、环状的任一种，就化合物在配线层中的分散性更优异的方面而言，优选为直链状的脂肪族烃部分的碳原子数为18以下、或者含有三级碳原子或四级碳原子的分支链状。
芳香族烃基优选为碳数6以上，更优选为二取代以上的芳香族烃基。
键结于上述杂环结构的所有烃基中的碳原子的合计个数显示5以上。若碳原子的合计个数为该范围，则进一步抑制离子迁移。而且，就该效果更优异的方面而言，合计个数优选为6以上，更优选为8以上。而且，上限并无特别限制，就合成更容易、且在配线层中的分散性更优异的方面而言，合计个数优选为36以下，更优选为24以下。
而且，在化合物中烃基的个数为一个的情形时，只要烃基中的碳原子的个数为5以上即可。
另外，在化合物中含有多个烃基的情形时，只要各烃基中所含的碳原子的合计个数为5以上即可。更具体而言，在化合物中含有两个烃基(烃基A、烃基B)的情形时，只要烃基A中的碳原子的个数与烃基B中的碳原子的个数的合计为5以上即可。
而且，上述碳原子的合计个数也可由以下的通式(A)来表示。
即，该化合物只要通式(A)所表示的合计碳数TC为5以上即可。
[数1]
式(A)
通式(A)中，Ci表示化合物中所含的第i个烃基中的碳数，i表示1～n的整数。
烃基中也可含有杂原子。所含有的杂原子的种类并无特别限制，可列举：卤素原子、氧原子、氮原子、硫原子、硒原子、碲原子等。其中，就离子迁移抑制功能优异的方面而言，优选为以-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-、卤素原子或将这些基团组合而成的基团的形态而含有。
X1～X4分别独立地选自由氧原子、硫原子、硒原子及碲原子所组成的组群中。其中，就操作更简便的方面而言，优选为氧原子、硫原子。
上述Ra、Rb、Rc分别独立地选自氢原子或碳数1～20的烃基中。
n表示1～3的整数。
而且，在烃基中含有杂原子的情形时，也能以巯基(-SH)等形态而含有。
含SH基的化合物的分子量并无特别限制，就在配线层中的分散性更优异的方面而言，优选为50～1000，更优选为100～600。
(优选形态)
含SH基的化合物的优选形态可列举以下的通式(6A)～通式(8A)所表示的化合物。若为该化合物，则离子迁移抑制功能更优异。尤其就本发明的效果更优异的方面而言，优选为通式(6A)或通式(7A)所表示的化合物。
[化4]
通式(6A)中，R21a及R22a分别独立地表示氢原子或可含有杂原子的烃基，R21a及R22a的至少一个表示可含有杂原子的烃基，R21a及R22a的各基团中所含的碳原子的合计个数为5以上。
R21a及R22a的优选形态可列举：可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-或卤素原子的烃基(例如脂肪族烃基、芳香族烃基或这些基团的组合)。X1～X4、Ra～Rc、n的定义如上所述。其中，就含SH基的化合物的离子迁移抑制功能更优异的方面而言，可列举：芳基或可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-或-C(＝X3)X4-的烃基，更优选为R1a及R2a中的至少任一个为脂肪族烃基。
而且，烃基(脂肪族烃基及芳香族烃基)的优选形态如上所述，杂原子的种类也如上所述。
在通式(6A)中，R21a及R22a的各基团中所含的碳原子的合计个数为5以上。换言之，只要R21a中的碳原子的个数、与R22a中的碳原子的个数的合计个数(合计碳数)为5以上即可。而且，合计个数的优选形态如上所述。
通式(7A)中，R23a表示可含有杂原子的烃基，R23a中所含的碳原子的个数为5以上。
该烃基的定义如上所述。而且，通式(7A)中，该烃基的优选形态可列举：可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-或卤素原子的烃基(例如脂肪族烃基、芳香族烃基或这些基团的组合)，更优选为含有-X1-的烃基(特别是脂肪族烃基)。
通式(8A)中，R24a～R27a分别独立地表示氢原子、卤素原子或可含有杂原子的烃基，R24a～R27a的至少一个表示烃基，R24a～R27a的各基团中所含的碳原子的合计个数为5以上。
该烃基的定义如上所述。而且，通式(8A)中的该烃基的优选形态可列举：可含有-X1-、-N(Ra)-、-C(＝X2)-、-CON(Rb)-、-C(＝X3)X4-、-SOn-、-SO2N(Rc)-或卤素原子的烃基(例如脂肪族烃基、芳香族烃基或这些基团的组合)，更优选为以下的通式(9A)所表示的基团。若为该基团，则含SH基的化合物在配线层中的分散性更优异，离子迁移抑制功能进一步提高。
*-L1-R30a 通式(9A)
通式(9A)中，L1表示单键、-O-、-NR31a-、-CO-、-C(R32a)(R33a)-或将这些基团组合而成的基团。R31a～R33a分别独立地表示氢原子或脂肪族烃基。
R30a表示脂肪族烃基、芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团。脂肪族烃基及芳香族烃基的优选形态如上所述。
而且，通式(9A)中，*表示键结位置。
通式(8A)中，R24a～R27a的至少一个表示可含有杂原子的烃基。其中，就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，优选为R24a～R27a中1个～2个为该烃基，更优选为1个。
另外，R24a～R27a的各基团中所含的碳原子的合计个数为5以上。换言之，只要R24a中的碳原子的个数、R25a中的碳原子的个数、R26a中的碳原子的个数及R27a中的碳原子的个数的合计个数(合计碳数)为5以上即可。而且，合计个数的优选形态如上所述。
迁移抑制剂(抗迁移剂)的其他优选形态可列举：后述通式(1)～通式(5)所表示的化合物、通式(22)所表示的化合物、通式(23)所表示的化合物、具有通式(24)所表示的基团与通式(25)所表示的基团的化合物。这些化合物中含有氟原子，通过如后述般含有于一液型的配线层形成用组合物中，可容易地制造含有所需的迁移抑制剂的分布状态的配线层。
而且，就所形成的配线层的离子迁移抑制功能更优异、并且面状特性也更优异的方面而言，上述含有氟原子的抗迁移剂(通式(1)～通式(5)所表示的化合物、通式(22)所表示的化合物、通式(23)所表示的化合物、具有通式(24)所表示的基团与通式(25)所表示的基团的化合物)的氟含有率优选为20质量％以上、小于65质量％，更优选为25质量％～60质量％，进而优选为30质量％～55质量％。
而且，所谓氟含有率，表示氟原子在抗迁移剂的总分子量中所占的质量的比例(含有率)。
以下，对各化合物加以详述。
(通式(1)所表示的化合物)
首先，对通式(1)所表示的化合物加以说明。
P-(CR1＝Y)n-Q 通式(1)
通式(1)中，P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5。其中，当n为0时，不存在P及Q两者为CHR4R5的情况，也不存在P及Q两者为OH的情况。Y表示CR6或氮原子。
通式(1)中，R2及R3分别独立地表示氢原子或能取代于氮原子上的基团。
能取代于氮原子上的基团只要为可取代于氮原子上的基团，则并无特别限制，例如可列举：烷基(包含环烷基)、烯基(包含环烯基、双环烯基)、炔基、芳基、杂环基、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基、烷基磺酰基及芳基磺酰基、酰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨甲酰基、膦基、氧膦基或这些基团的组合等。
更详细而言，可列举以下基团作为优选例：烷基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烷基。这些基团包含烷基(优选为碳数1～30的烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、正辛基、二十烷基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-乙基己基)、环烷基(优选为碳数3～30的经取代或未经取代的环烷基，例如环己基、环戊基、4-正十二烷基环己基)、双环烷基(优选为碳数5～30的经取代或未经取代的双环烷基，即自碳数5～30的双环烷烃中去掉一个氢原子所得的一价基。例如双环[1.2.2]庚烷-2-基、双环[2.2.2]辛烷-3-基)，进而也包含环结构多的三环结构等。以下说明的取代基中的烷基(例如烷硫基的烷基)也表示此种概念的烷基]、烯基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基。这些基团包含烯基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的烯基，例如乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基)、环烯基(优选为碳数3～30的经取代或未经取代的环烯基，即自碳数3～30的环烯烃中去掉一个氢原子所得的一价基。例如2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基)、双环烯基(经取代或未经取代的双环烯基，优选为碳数5～30的经取代或未经取代的双环烯基，即自具有一个双键的双环烯烃中去掉一个氢原子所得的一价基。例如双环[2.2.1]庚-2-烯-1-基、双环[2.2.2]辛-2-烯-4-基)]、炔基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的炔基，例如乙炔基、炔丙基、三甲基硅烷基乙炔基)、芳基(优选为碳数6～30的经取代或未经取代的芳基，例如苯基、对甲苯基、萘基、间氯苯基、邻十六烷酰氨基苯基(o-hexadecanoylaminophenyl))、杂环基(优选为5员或6员的经取代或未经取代的自芳香族或非芳香族的杂环化合物中去掉一个氢原子所得的一价基，进而优选为碳数3～30的5员或6员的芳香族的杂环基。例如2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基)、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷基亚磺酰基、6～30的经取代或未经取代的芳基亚磺酰基，例如甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、对甲基苯基亚磺酰基)、烷基磺酰基及芳基磺酰基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷基磺酰基、6～30的经取代或未经取代的芳基磺酰基，例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、苯基磺酰基、对甲基苯基磺酰基)、酰基(优选为甲酰基、碳数2～30的经取代或未经取代的烷基羰基、碳数7～30的经取代或未经取代的芳基羰基、碳数4～30的经取代或未经取代的以碳原子与羰基键结的杂环羰基，例如乙酰基、三甲基乙酰基(pivaloyl)、2-氯乙酰基、硬脂酰基、苯甲酰基、对正辛氧基苯基羰基、2-吡啶基羰基、2-呋喃基羰基)、芳氧基羰基(优选为碳数7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰基，例如苯氧基羰基、邻氯苯氧基羰基、间硝基苯氧基羰基、对叔丁基苯氧基羰基)、烷氧基羰基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基)、氨甲酰基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的氨甲酰基，例如氨甲酰基、N-甲基氨甲酰基、N，N-二甲基氨甲酰基、N，N-二-正辛基氨甲酰基、N-(甲基磺酰基)氨甲酰基)、膦基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的膦基，例如二甲基膦基、二苯基膦基、甲基苯氧基膦基)、氧膦基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的氧膦基，例如氧膦基、二辛氧基氧膦基、二乙氧基氧膦基)。
上述官能基中，具有氢原子者也可将该氢原子去掉而进一步经取代。
通式(1)的R2及R3所表示的烷基表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基，优选为碳数1～50，进而优选为碳数1～30，特别优选为碳数1～20。
优选例可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、环己基、庚基、环戊基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、十八烷基、二十烷基、二十二烷基、三十烷基等。进而优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基、己基、环己基、辛基、2-乙基己基、十二烷基、十六烷基、十八烷基，特别优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、环己基、辛基、2-乙基己基、十二烷基、十六烷基、十八烷基。
而且，烷基中也可含有-CO-、-NH-、-O-、-S-或将这些基团组合而成的基团等连结基。而且，在烷基中含有上述连结基的情形时，其位置并无特别限制，也可为末端。例如也可为-S-Rx(Rx：烷基)。
R2及R3所表示的烷基还可具有取代基。
取代基可列举：卤素原子、烷基(包含环烷基)、烯基(包含环烯基、双环烯基)、炔基、芳基、杂环基、氰基、羟基、硝基、羧基、烷氧基、芳氧基、硅烷氧基、杂环氧基、酰氧基、氨甲酰氧基、烷氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、氨基(包含苯胺基)、酰氨基、氨基羰基氨基、烷氧基羰基氨基、芳氧基羰基氨基、氨磺酰氨基、烷基磺酰氨基及芳基磺酰氨基、巯基、烷硫基、芳硫基、杂环硫基、氨磺酰基、磺基、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基、烷基磺酰基及芳基磺酰基、酰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基、氨甲酰基、芳基偶氮基及杂环偶氮基、酰亚胺基、膦基、氧膦基、氧膦基氧基、氧膦基氨基、硅烷基或这些基团的组合。
更详细而言，取代基表示：卤素原子(例如氯原子、溴原子、碘原子)、烷基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烷基。这些基团包含烷基(优选为碳数1～30的烷基，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、正辛基、二十烷基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-乙基己基)、环烷基(优选为碳数3～30的经取代或未经取代的环烷基，例如环己基、环戊基、4-正十二烷基环己基)、双环烷基(优选为碳数5～30的经取代或未经取代的双环烷基，即自碳数5～30的双环烷烃中去掉一个氢原子所得的一价基。例如双环[1.2.2]庚烷-2-基、双环[2.2.2]辛烷-3-基)，进而也包含环结构多的三环结构等。以下说明的取代基中的烷基(例如烷硫基的烷基)也表现此种概念的烷基]、
烯基[表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基。这些基团包含烯基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的烯基，例如乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基)、环烯基(优选为碳数3～30的经取代或未经取代的环烯基，即自碳数3～30的环烯烃中去掉一个氢原子所得的一价基。例如2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基)、双环烯基(经取代或未经取代的双环烯基，优选为碳数5～30的经取代或未经取代的双环烯基，即自具有一个双键的双环烯烃中去掉一个氢原子所得的一价基。例如双环[2.2.1]庚-2-烯-1-基、双环[2.2.2]辛-2-烯-4-基)]、炔基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的炔基，例如乙炔基、炔丙基、三甲基硅烷基乙炔基)、
芳基(优选为碳数6～30的经取代或未经取代的芳基，例如苯基、对甲苯基、萘基、间氯苯基、邻十六烷酰氨基苯基)、杂环基(优选为5员或6员的经取代或未经取代的自芳香族或非芳香族的杂环化合物中去掉一个氢原子所得的一价基，进而优选为碳数3～30的5员或6员的芳香族的杂环基。例如2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基)、
氰基、羟基、硝基、羧基、烷氧基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、叔丁氧基、正辛氧基、2-甲氧基乙氧基)、芳氧基(优选为碳数6～30的经取代或未经取代的芳氧基，例如苯氧基、2-甲基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、3-硝基苯氧基、2-十四烷酰氨基苯氧基)、硅烷氧基(优选为碳数3～20的硅烷氧基，例如三甲基硅烷氧基、叔丁基二甲基硅烷氧基)、杂环氧基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的杂环氧基，1-苯基四唑-5-氧基、2-四氢吡喃氧基)、酰氧基(优选为甲酰氧基、碳数2～30的经取代或未经取代的烷基羰氧基、碳数6～30的经取代或未经取代的芳基羰氧基，例如甲酰氧基、乙酰氧基、三甲基乙酰氧基、硬脂酰氧基、苯甲酰氧基、对甲氧基苯基羰氧基)、氨甲酰氧基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的氨甲酰氧基，例如N，N-二甲基氨甲酰氧基、N，N-二乙基氨甲酰氧基、吗啉基羰氧基、N，N-二-正辛基氨基羰氧基、N-正辛基氨甲酰氧基)、烷氧基羰氧基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰氧基，例如甲氧基羰氧基、乙氧基羰氧基、叔丁氧基羰氧基、正辛基羰氧基)、芳氧基羰氧基(优选为碳数7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰氧基，例如苯氧基羰氧基、对甲氧基苯氧基羰氧基、对正十六烷氧基苯氧基羰氧基)、
氨基(优选为氨基、碳数1～30的经取代或未经取代的烷基氨基、碳数6～30的经取代或未经取代的苯胺基，例如氨基、甲基氨基、二甲基氨基、苯胺基、N-甲基-苯胺基、二苯基氨基)、酰氨基(优选为甲酰氨基、碳数1～30的经取代或未经取代的烷基羰基氨基、碳数6～30的经取代或未经取代的芳基羰基氨基，例如甲酰氨基、乙酰氨基、三甲基乙酰氨基、月桂酰氨基、苯甲酰氨基、3，4，5-三-正辛氧基苯基羰基氨基)、氨基羰基氨基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的氨基羰基氨基，例如氨甲酰氨基、N，N-二甲基氨基羰基氨基、N，N-二乙基氨基羰基氨基、吗啉基羰基氨基)、烷氧基羰基氨基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰基氨基，例如甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基)、芳氧基羰基氨基(优选为碳数7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰基氨基，例如苯氧基羰基氨基、对氯苯氧基羰基氨基、间正辛氧基苯氧基羰基氨基)、氨磺酰氨基(优选为碳数0～30的经取代或未经取代的氨磺酰氨基，例如氨磺酰氨基、N，N-二甲基氨基磺酰氨基、N-正辛基氨基磺酰氨基)、烷基磺酰氨基及芳基磺酰氨基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷基磺酰氨基、碳数6～30的经取代或未经取代的芳基磺酰氨基，例如甲基磺酰氨基、丁基磺酰氨基、苯基磺酰氨基、2，3，5-三氯苯基磺酰氨基、对甲基苯基磺酰氨基)、
巯基、烷硫基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基、正十六烷硫基)、芳硫基(优选为碳数6～30的经取代或未经取代的芳硫基，例如苯硫基、对氯苯硫基、间甲氧基苯硫基)、杂环硫基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的杂环硫基，例如2-苯并噻唑硫基、1-苯基四唑-5-硫基)、氨磺酰基(优选为碳数0～30的经取代或未经取代的氨磺酰基，例如N-乙基氨磺酰基、N-(3-十二烷氧基丙基)氨磺酰基、N，N-二甲基氨磺酰基、N-乙酰基氨磺酰基、N-苯甲酰基氨磺酰基、N-(N′-苯基氨甲酰基)氨磺酰基)、磺基、烷基亚磺酰基及芳基亚磺酰基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷基亚磺酰基、6～30的经取代或未经取代的芳基亚磺酰基，例如甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、对甲基苯基亚磺酰基)、
烷基磺酰基及芳基磺酰基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的烷基磺酰基、6～30的经取代或未经取代的芳基磺酰基，例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、苯基磺酰基、对甲基苯基磺酰基)、酰基(优选为甲酰基、碳数2～30的经取代或未经取代的烷基羰基、碳数7～30的经取代或未经取代的芳基羰基、碳数4～30的经取代或未经取代的以碳原子与羰基键结的杂环羰基，例如乙酰基、三甲基乙酰基、2-氯乙酰基、硬脂酰基、苯甲酰基、对正辛氧基苯基羰基、2-吡啶基羰基、2-呋喃基羰基)、芳氧基羰基(优选为碳数7～30的经取代或未经取代的芳氧基羰基，例如苯氧基羰基、邻氯苯氧基羰基、间硝基苯氧基羰基、对叔丁基苯氧基羰基)、烷氧基羰基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基)、
氨甲酰基(优选为碳数1～30的经取代或未经取代的氨甲酰基，例如氨甲酰基、N-甲基氨甲酰基、N，N-二甲基氨甲酰基、N，N-二-正辛基氨甲酰基、N-(甲基磺酰基)氨甲酰基)、芳基偶氮基及杂环偶氮基(优选为碳数6～30的经取代或未经取代的芳基偶氮基、碳数3～30的经取代或未经取代的杂环偶氮基，例如苯基偶氮基、对氯苯基偶氮基、5-乙硫基-1，3，4-噻二唑-2-基偶氮基)、酰亚胺基(优选为N-琥珀酰亚胺、N-邻苯二甲酰亚胺)、膦基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的膦基，例如二甲基膦基、二苯基膦基、甲基苯氧基膦基)、氧膦基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的氧膦基，例如氧膦基、二辛氧基氧膦基、二乙氧基氧膦基)、氧膦基氧基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的氧膦基氧基，例如二苯氧基氧膦基氧基、二辛氧基氧膦基氧基)、氧膦基氨基(优选为碳数2～30的经取代或未经取代的氧膦基氨基，例如二甲氧基氧膦基氨基、二甲基氨基氧膦基氨基)、硅烷基(优选为碳数3～30的经取代或未经取代的硅烷基，例如三甲基硅烷基、叔丁基二甲基硅烷基、苯基二甲基硅烷基)。
上述官能基中，具有氢原子者也可将该氢原子去掉而进一步经上述基团所取代。此种官能基的例子可列举：烷基羰基氨基磺酰基、芳基羰基氨基磺酰基、烷基磺酰氨基羰基、芳基磺酰氨基羰基等。其例子可列举：甲基磺酰氨基羰基、对甲基苯基磺酰氨基羰基、乙酰氨基磺酰基、苯甲酰氨基磺酰基等。
R2及R3所表示的烯基表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的烯基，优选为碳数2～50，进而优选为碳数2～30，特别优选为碳数2～20。优选例可列举：乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基、双环[2.2.1]庚-2-烯-1-基、双环[2.2.2]辛-2-烯-4-基等。进而优选为乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基，特别优选为乙烯基、烯丙基、异戊二烯基、香叶基、油烯基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基。
R2及R3所表示的烯基还可具有取代基。取代基的例子可列举上述由R2及R3所表示的烷基的取代基。
而且，烯基中，也可与上述烷基同样地含有-CO-、-NH-、-O-、-S-或将这些基团组合而成的基团等连结基。
R2及R3所表示的炔基表示直链、分支、环状的经取代或未经取代的炔基，优选为碳数2～50，进而优选为碳数2～30，特别优选为碳数2～20。优选例可列举乙炔基、炔丙基等。
R2及R3所表示的炔基还可具有取代基。取代基的例子可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基。
而且，炔基中，也可与上述烷基同样地含有-CO-、-NH-、-O-、-S-或将这些基团组合而成的基团等连结基。
R2及R3所表示的芳基表示经取代或未经取代的芳基，优选为碳数6～50，进而优选为碳数6～30，特别优选为碳数6～20。优选例可列举：苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2-乙基苯基、4-乙基苯基、2，4-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、1-萘基、2-萘基、2-氯苯基、3-氯苯基、4-氯苯基、2-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-苄基苯基、4-苄基苯基、2-甲基羰基苯基、4-甲基羰基苯基等。
进而优选可列举：苯基、2-甲基苯基、4-甲基苯基、2-乙基苯基、4-乙基苯基、2，4-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、1-萘基、2-萘基、2-氯苯基、4-氯苯基、2-甲氧基苯基、3-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-苄基苯基、4-苄基苯基等，特别优选可列举：苯基、2-甲基苯基、4-甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、2，4，6-三甲基苯基、1-萘基、2-萘基、2-氯苯基、4-氯苯基、2-甲氧基苯基、4-甲氧基苯基、2-苄基苯基、4-苄基苯基等。
R2及R3所表示的芳基还可具有取代基。取代基的例子可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。
R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基。
R4及R5所表示的取代基可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、芳基或将这些基团组合而成的基团，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
R4及R5所表示的基团还可具有取代基3取代基的例子可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基。
R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基。
R1及R6所表示的取代基可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、芳基或将这些基团组合而成的基团，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
R1及R6所表示的基团还可具有取代基。取代基的例子可列举由上述R2及R3所表示的烷基的取代基。
n表示0～5的整数。其中，当n为0时，不存在P及Q两者均为OH的情况，也不存在均为CHR4R5的情况。当n表示2以上的数时，(CR1＝Y)所表示的多个原子组群可相同也可不同。
通式(1)所表示的化合物可为链状也可为环状，在为环状的情形时，可由R1、R2、R3、R4、R5或R6所表示的基团中的至少两个基团相互键结而形成环。
而且，两个基团键结时，可包含单键、双键及三键的任一键结形式。
而且，R1～R6的至少一个基团中含有氟原子。而且，氟原子优选为以氟含有率成为上述范围的方式而含有。氟原子也可取代于通式(1)所表示的化合物的任意的碳原子上。
而且，优选为R1～R6的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。其中，氟原子优选为以氟烷基(以下也称为Rf基)或经Rf基取代的基团的形式而含有。即，优选为在R1～R6的至少一个基团中含有氟烷基。
Rf基优选为碳原子数1～14的直链或分支的全氟烷基、或者经碳原子数1～14的直链或分支的全氟烷基取代的碳原子数2～20的取代基。
碳原子数1～14的直链或分支链全氟烷基的例子可列举：CF3-、C2F5-、C3F7-、C4F9-、C5F11-、(CF3)2-CF-(CF2)2-、C6F13-、C7F15-、(CF3)2-CF-(CF2)4-、C8F17-、C9F19-、C10F21-、C12F25-及C14F29-。
经碳原子数1～14的全氟烷基所取代的碳原子数2～20的取代基的例子可列举：(CF3)2CF(CF2)4(CH2)2-、C9F19CH2-、C8F17CH2CH(OH)CH2-、C8F17CH2CH(OH)CH2OC＝OCH2-、(CF3)2CF(CF2)4(C2)2OC＝OCH2-、C8F17CH2CH(OH)CH2OC＝O(CH2)2-、(CF3)2CF(CF2)4(CH2)2OC＝O(CH2)2-、(CF3)2CFOC2F4-、CF3CF2CF2O[CF(CF3)CF2O]4-CF(CF3)-等，但不限定于这些基团。
Rf基优选为在分子中含有1个～4个。
而且，上述通式(1)所表示的化合物也可使用两种以上。
通式(1)所表示的化合物优选为选自由通式(6)～通式(21)所表示的化合物所组成的组群中的至少一种。
而且，通式(6)～通式(21)所表示的化合物中，优选为含有满足上述氟含有率的氟原子。
[化5]
上述通式(6)所表示的化合物为以下情形时的化合物：在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结形成双键而形成环。
在通式(6)中，V6表示取代基。a表示1～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。而且，V6中的至少一个含有氟原子。即，在V6为一个的情形时，该取代基中含有氟原子，在V6为两个以上的情形时，只要至少一个V6中含有氟原子即可。氟原子优选为将至少一个V6所表示的基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)取代而经导入。其中，优选为V6中含有上述Rf基。
V6所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(6)中存在多个V6的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
以下，示出通式(6)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。而且，以下，与化合物的结构式一并记载的百分率表示是表示氟原子的质量含率(氟含有率)。
[化6]
上述通式(7)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环。
在通式(7)中，V7表示取代基。a表示1～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。而且，V7中的至少一个含有氟原子。即，在V7为一个的情形时，该取代基中含有氟原子，在V7为两个以上的情形时，只要在至少一个V7中含有氟原子即可。氟原子优选为将至少一个V7所表示的基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)取代而经导入。其中，优选为V7中含有上述Rf基。
V7所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(7)中存在多个V7的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
以下，示出通式(7)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化7]
上述通式(8)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P为OH，Q为NR2R3，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结形成双键而形成环。
在通式(8)中，V8表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V8所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(8)中存在多个V8的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R81及R82分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V8、R81及R82中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V8、R81及R82的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V8、R81及R82中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V8存在多个的情形时，多个V8、R81及R82中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(8)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化8]
通式(9)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P为OH，Q为NR2R3，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环。
在通式(9)中，V9表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V9所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(9)中存在多个V9的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R91及R92分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V9、R91及R92中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V9、R91及R92的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V9、R91及R92中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V9存在多个的情形时，多个V9、R91及R92中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(9)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化9]
通式(10)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P为OH，Q为CHR4R5，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结形成双键而形成环。
在通式(10)中，V10表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V10所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(10)中存在多个V10的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R101及R102分别独立地表示氢原子或取代基。
R101及R102所表示的取代基可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基或芳基，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
在R101及R102表示取代基的情形时，这些基团还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
V10、R101及R102中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V10、R101及R102的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。其中，优选为V10、R101及R102中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V10存在多个的情形时，多个V10、R101及R102中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(10)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化10]
通式(11)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P为OH，Q为CHR4R5，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环。
在通式(11)中，V11表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V11所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(11)中存在多个V11的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R111及R112分别独立地表示氢原子或取代基。
R111及R112所表示的取代基可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基、或芳基，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
在R111或R112表示取代基的情形时，这些基团还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
V11、R111及R112中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V11、R111及R112的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V11、R111及R112中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V11存在多个的情形时，多个V11、R111及R112中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(11)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化11]
通式(12)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，Y为CR6，n为2，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结形成双键而形成环。
在通式(12)中，V12表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V12所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(12)中存在多个V12的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R121、R122、R123及R124分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V12、R121、R122、R123及R124的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V12存在多个的情形时，多个V12、R121、R122、R123及R124中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(12)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化12]
通式(13)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环。
在通式(13)中，V13表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V13所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(13)中存在多个V13的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R131、R132、R133及R134分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V13、R131、R132、R133及R134的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V13存在多个的情形时，多个V13、R131、R132、R133及R134中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(13)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化13]
通式(14)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环。
在通式(14)中，V14表示取代基。c表示1～2的整数(优选为1)。而且，V14中的至少一个含有氟原子。即，在V14为一个的情形时，该取代基中含有氟原子，在V14为两个以上的情形时，只要在至少一个V14中含有氟原子即可。氟原子优选为将至少一个V14所表示的基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)取代而经导入。其中，更优选为V14中含有上述Rf基。
V14所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(14)中存在多个V14的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
以下，示出通式(14)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化14]
通式(15)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P为OH，Q为NR2R3，Y为CR6，n为1，邻接于P的碳原子上的R1及邻接于Q的碳原子上的R6相互键结而形成环。
在通式(15)中，V15表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V15所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(15)中存在多个V15的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R151及R152分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V15、R151及R152中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V15、R151及R152的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V15、R151及R152中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V15存在多个的情形时，多个V15、R151及R152中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(15)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化15]
通式(16)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，n为0，R2及R3相互键结而形成环。
在通式(16)中，V16表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V16所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(16)中存在多个V16的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R161及R162分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V16、R161及R162中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V16、R161及R162的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V16、R161及R162中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V16存在多个的情形时，多个V16、R161及R162中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(16)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化16]
通式(17)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，n为0，R2及R3相互键结而形成环。
在通式(17)中，V17表示取代基。d表示0或1。V17所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(17)中存在多个V17的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R171、R172及R173分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
V17、R171、R172及R173中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V17、R171、R172及R173的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V17、R171、R172及R173中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V17存在多个的情形时，多个V17、R171、R172及R173中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(17)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化17]
通式(18)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6及氮原子，n为3，R1及R6相互键结而形成环。
在通式(18)中，V18表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V18所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(18)中存在多个V18的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R181表示氢原子或取代基。R181所表示的取代基可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基或芳基，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
在R181表示取代基的情形时，还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
V18及R181中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V18及R181的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V18及R181中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V18存在多个的情形时，多个V18及R181中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(18)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化18]
通式(19)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为OH，Y为CR6及氮原子，n为2，R1及R6相互键结而形成环。
在通式(19)中，V19表示取代基。b表示0～4的整数(优选为表示1～2的整数，更优选为1)。V19所表示的取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。在通式(19)中存在多个V19的情形时，各基团可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R191表示氢原子或取代基。R191所表示的取代基可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基，优选为烷基、烯基、炔基或芳基，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
在R191表示取代基的情形时，还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
V19及R191中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为V19及R191的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为V19及R191中的至少一个中含有上述Rf基。
而且，在V19存在多个的情形时，多个V19及R191中的至少一个基团中含有氟原子。
以下，示出通式(19)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化19]
通式(20)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P、Q分别为NR2R3，n为0。
在通式(20)中，R201、R202、R203及R204分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
R201、R202、R203及R204中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为R201、R202、R203及R204的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为R201、R202、R203及R204中的至少一个中含有上述Rf基。
以下，示出通式(20)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化20]
通式(21)所表示的化合物为以下情形的一例：在通式(1)中，P分别为NR2R3，Q为OH，n为0。
在通式(21)中，R211及R212分别独立地表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
R211及R212中的至少一个中含有氟原子。其中，优选为R211及R212的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为R211及R212中的至少一个中含有上述Rf基。
以下，示出通式(21)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化21]
另外，通式(1)所表示的化合物的最佳形态可列举以下的通式(X1)所表示的化合物。
[化22]
Rx1及Rx2分别独立地表示碳数1～12的烷基。就离子迁移抑制功能更优异的方面而言，烷基中的碳数优选为1～8，更优选为1～6，特别优选为1～5。烷基的优选具体例例如可列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、异丁基、2，2-二甲基丙基、己基、环己基等。
A表示碳数1～2的亚烷基。A优选为-CH2-、-CH2CH2-，更优选为-CH2CH2-。
X11表示可含有羟基的碳数1～3的亚烷基。X11优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH(CH2OH)-，进而优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH2CH2-，特别优选为-CH2-、-CH2CH2-。
Y11表示碳数4～12的直链状的全氟烷基。优选的全氟烷基的例子可列举：C4F9-、C5F11-、C6F13-、C7F15-、C8F17-、C9F19-、C10F21-、C12F25-。若碳数为上述范围内，则离子迁移抑制功能更优异。
上述Rx1、Rx2、A及X11还可具有上述取代基。
(通式(2)所表示的化合物)
继而，对通式(2)所表示的化合物加以说明。
R7-C(＝O)-H 通式(2)
在本发明中，通式(2)所表示的化合物中还含有：通过在醛体与半缩醛(hemiacetal)体之间存在平衡而显示出还原性的化合物(醛醣(aldose)等)、或通过洛布雷·德·布律-埃肯施泰因重排反应(Lobry-de Bruyn-van Ekenstein rearrangementreaction)所引起的醛醣-酮醣(ketose)间的异构化而可形成醛体的化合物(果醣(fructose)等)。
通式(2)中，R7表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基或将这些基团组合而成的基团。
当R7表示烷基、烯基、炔基或芳基时，各自的优选例可列举上述R2及R3的例子。
当R7表示杂环基时，优选为5员或6员的经取代或未经取代的自芳香族或非芳香族的杂环化合物中去掉一个氢原子所得的一价基，进而优选为碳数3～30的5员或6员的芳香族或非芳香族的杂环基。优选例可列举：2-呋喃基、2-噻吩基、2-嘧啶基、2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、三唑基、苯并三唑基、噻二唑基、吡咯烷基、哌啶基、咪唑烷基(imidazolidinyl)、吡唑烷基、吗啉基、四氢呋喃基、四氢噻吩基等。
R7进而优选为烷基、烯基、炔基、芳基，特别优选为烷基、芳基。
R7所表示的烷基、烯基、炔基、芳基或杂环基还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。
R7所表示的基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。其中，优选为R7中含有上述Rf基。而且，优选为通式(2)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。
另外，R7所表示的基团中也可含有羟基或-COO-所表示的基团。
以下，示出通式(2)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化23]
(通式(3)所表示的化合物)
继而，对通式(3)所表示的化合物加以说明。
[化24]
通式(3)中，R8、R9及R10所表示的基团分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基或将这些基团组合而成的基团。烷基、烯基、炔基、芳基及杂环基的优选例可列举上述通式(1)的R2及R3的例子。
R8、R9及R10所表示的基团还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
R8～R10的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。其中，优选为R8～R10的至少一个基团中含有上述Rf基。而且，优选为通式(3)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。
以下，示出通式(3)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化25]
(通式(4)所表示的化合物)
继而，对通式(4)所表示的化合物加以说明。
[化26]
通式(4)中，R11及R12分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基或将这些基团组合而成的基团。烷基、烯基、炔基、芳基及杂环基的优选例可列举上述通式(1)的R2及R3的例子。
R11及R12所表示的基团还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
R11～R12的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子上的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。其中，优选为R11～R12的至少一个基团中含有上述Rf基。而且，优选为通式(4)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。
以下，示出通式(4)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化27]
(通式(5)所表示的化合物)
继而，对通式(5)所表示的化合物加以说明。
Z-SH 通式(5)
通式(5)中，Z表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基或将这些基团组合而成的基团。烷基、烯基、炔基、芳基及杂环基的优选例可列举上述通式(1)的R2及R3的例子。
Z所表示的基团还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
Z所表示的基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子取代。其中，优选为Z中含有上述Rf基。而且，优选为通式(5)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。
通式(5)所表示的化合物优选为通式(51)～通式(54)所表示的化合物。
[化28]
在通式(51)中，R511表示含有氟原子的取代基。
取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。R511所表示的基团还可具有取代基。取代基的例子可列举上述通式(1)的R2及R3所表示的烷基的取代基。
而且，R511中含有氟原子。其中，优选为R511中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为R511中含有上述Rf基。
以下，示出通式(51)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化29]
在通式(52)中，R521及R522分别独立地表示氢原子或取代基。R523表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。另外，取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。R521、R522及R523可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R521、R522及R523中的至少一个基团中含有氟原子。其中，优选为R521、R522及R523中的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为R521、R522及R523中的至少一个基团中含有上述Rf基。
以下，示出通式(52)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化30]
在通式(53)中，R531表示氢原子或取代基。R532表示氢原子或可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地例示上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。另外，取代基可列举上述通式(1)中R2及R3所表示的烷基的取代基。R531及R532可相同也可不同，也可相互键结而形成环。
R531及R532中的至少一个基团中含有氟原子。其中，优选为R531及R532中的至少一个基团中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为R531及R532中的至少一个基团中含有上述Rf基。
以下，示出通式(53)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化31]
在通式(54)中，R541表示含有氟原子的可取代于氮原子上的基团。可取代于氮原子上的基团可优选地列举上述通式(1)的R2及R3中例示的基团。
R541中含有氟原子。其中，优选为R541中的一部分或全部的氢原子(优选为键结于碳原子的一部分或全部的氢原子)经氟原子所取代。另外，更优选为R541中含有上述Rf基。
以下，示出通式(54)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化32]
另外，通式(5)所表示的化合物的最优选形态可列举以下的通式(Y)所表示的化合物。
[化33]
通式(Y)中，Ry1及Ry2分别独立地表示氢原子或烷基。n1表示1或2，优选为表示2。当n1为2时，多个CRy1Ry2所表示的单元的结构可相同也可不同。
当Ry1及Ry2表示烷基时，优选为碳数1～30、进而优选为碳数1～15，特别优选为1～6，例如可优选地列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、正辛基、二十烷基、氯甲基、羟基甲基、氨基乙基、N，N-二甲基氨基甲基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-羟基乙基、2-(N，N-二甲基氨基)乙基、2-乙基己基等。
(CRy1Ry2)n1所表示的结构优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，进而优选为-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，特别优选为-CH2CH2-。
Ry3及Ry4分别独立地表示氢原子或取代基。m1表示1～6的整数。当m1为2以上时，多个CRy3Ry4所表示的单元的结构可相同也可不同。另外，Ry3及Ry4也可相互键结而形成环。而且，取代基的定义如上所述。
(CRy3Ry4)m1所表示的结构优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH(CH2OH)-，进而优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH2CH2-，特别优选为-CH2-、-CH2CH2-。
l1表示1～6的整数。其中，就与氟系树脂的相容性更优异的方面而言，优选为2～5，更优选为3～4。
q1表示0或1，p1表示2或3，p1+q1表示3。其中，就与氟系树脂的相容性更优异的方面而言，优选为q1为1且p1为2。
Ry5表示碳数1～14的全氟烷基。全氟烷基可为直链状也可为分支链状。
碳原子数1～14的直链状或分支链状的全氟烷基的例子可列举：CF3-、C2F5-、C3F7-、C4F9-、C5F11-、C6F13-、C7F15-、C817-、C9F19-、C1021-、C12F25-、C14F29-等。
(通式(22)所表示的化合物)
继而，对通式(22)所表示的化合物加以说明。而且，优选为在通式(22)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。
[化34]
通式(22)中，Rf1表示可具有醚性氧原子且至少一个氢原子经氟原子取代的碳数22以下的氟烷基、或氟原子。
上述氟烷基中的氢原子也可经氟原子以外的其他卤素原子取代。其他卤素原子优选为氯原子。另外，醚性氧原子(-O-)可存在于氟烷基的碳-碳键环上，也可存在于氟烷基的末端。另外，氟烷基的结构可列举：直链结构、分支结构、环结构或局部具有环的结构，优选为直链结构。
Rf1优选为全氟烷基或含有一个氢原子的全氟烷基，特别优选为全氟烷基(其中包含具有醚性氧原子者)。
Rf1优选为碳原子数为4～6的全氟烷基、或具有醚性氧原子的碳原子数为4～9的全氟烷基。
Rf1的具体例可列举以下例子。
-CF3、-CF2CF3、-CF2CHF2、-(CF2)2CF3、-(CF2)3CF3、-(CF2)4CF3、-(CF2)5CF3、-(CF2)6CF3、-(CF2)7CF3、-(CF2)8CF3、-(CF2)9CF3、-(CF2)11CF3、-(CF2)15CF3、-CF(CF3)O(CF2)5CF3、-CF2O(CF2CF2O)pCF3(p为1～8的整数)、-CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)qC6F13(q为1～4的整数)、-CF(CF3)O(CF2CF(CF3)O)rC3F7(r为1～5的整数)。
Rf1特别优选为-(CF2)CF3或-(CF2)5CF3。
X1表示氢原子、氟原子或三氟甲基。
其中，优选为氟原子、三氟甲基。
L1表示单键或碳数1～6的亚烷基。优选为碳数1～2的亚烷基。
L2表示单键或者可经羟基或氟原子取代的碳数1～6的亚烷基。其中，优选为碳数1～2的亚烷基。
L3表示单键或碳数1～6的亚烷基。其中，优选为单键或碳数1～2的亚烷基。
Y1及Z1表示单键、-CO2-、-CO-、-OC(＝O)O-、-SO3-、-CONR222-、-NHCOO-、-O-、-S-、-SO2NR222-或-NR222-。R222表示氢原子或碳数1～5的烷基。
其中，优选为-CO2-、-O-、-S-、-SO2NR222-或-CONR222-。
R221表示氢原子、碳数1～8的直链或分支的烷基或者Rf1-CFX1-L1-Y1-L2-Z1-L3-。
其中，在Y1及Z1均为单键以外的情形时，L2表示可经氟原子取代的碳数1～6的亚烷基。
以下，示出通式(22)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化35]
(通式(23)所表示的化合物)
继而，对通式(23)所表示的化合物加以说明。而且，优选为在通式(23)所表示的化合物中含有满足上述氟含有率的氟原子。
[化36]
通式(23)中，R231及R232分别独立地表示氢原子或烷基。当R231及R232表示烷基时，优选为碳数1～30，进而优选为碳数1～15，特别优选为1～6，例如可优选地列举：甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、正辛基、二十烷基、氯甲基、羟基甲基、氨基乙基、N，N-二甲基氨基甲基、2-氯乙基、2-氰基乙基、2-羟基乙基、2-(N，N-二甲基氨基)乙基、2-乙基己基等。
(CR231R232)n所表示的结构优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，进而优选为-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-，特别优选为-CH2CH2-。
R233及R234分别独立地表示氢原子或取代基。取代基的例子可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基。
(CR233R234)m所表示的结构优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(CH3)-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH(CH2OH)-，进而优选为-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH(OH)CH2-、-CH2CH2CH2-，特别优选为-CH2-、-CH2CH2-。
Y2表示单键、-CO-或-COO-。
当Y2为单键或-CO-时，n表示0，m表示0～6的整数。其中，m优选为0～4，更优选为1～2。
当Y2为-COO-时，n表示1或2，优选为表示2。m表示1～6的整数，优选为1～4，更优选为1～2。
Rf2表示碳数1～20的直链或分支的全氟亚烷基、或者碳数1～20的直链或分支的全氟醚基。
全氟亚烷基的碳数为1～20，优选为2～15，更优选为3～12。全氟亚烷基的具体例例如可列举：-C4F8-、-C5F10-、-C6F12-、-C7F14-、-C8F16-、-C9F18-、-C10F20-、-C12F24-等。
所谓全氟醚基，是指在上述全氟亚烷基中的一个以上的碳-碳原子间、或全氟亚烷基的键结末端插入有醚性氧原子(-O-)而成的基团。全氟亚烷基的碳数为1～20，优选为2～15，更优选为3～12。全氟醚基的具体例可列举-(CgF2gO)h-(式中，g分别独立地为1～20的整数，h为1以上的整数，满足g×h≤20的关系)所表示的全氟醚基。
p表示2～3的整数，l表示0～1的整数，满足p+1＝3的关系。其中，优选为p为3且1为0。
以下，示出通式(23)所表示的化合物的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化37]
(具有通式(24)所表示的基团与通式(25)所表示的基团的化合物)
继而，对具有通式(24)所表示的基团与通式(25)所表示的基团的化合物(以下也称为化合物X)加以说明。而且，优选为在化合物X中含有满足上述氟含有率的氟原子。
[化38]
*-CFXRf 通式(25)
通式(24)中，R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基。取代基的例子可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基。其中，取代基优选为烷基，特别优选为R242及R243为烷基(尤其是叔丁基)。R241及R244优选为氢原子。
*表示键结位置。
通式(25)中，X表示氢原子、氟原子或三氟甲基。其中，优选为氟原子或三氟甲基。
Rf表示可具有醚性氧原子的将至少一个氢原子取代为氟原子的碳原子数20以下的氟烷基、或氟原子。Rf的定义除了碳原子数不同的方面以外与上述Rf1相同，优选形态也相同。
*表示键结位置。
化合物X的优选形态可列举：具有以下的通式(26)所表示的重复单元及通式(27)所表示的重复单元的聚合物A。
[化39]
通式(26)及通式(27)中，R261及R262分别独立地表示氢原子或者碳数1～4的经取代或未经取代的烷基。
Z2表示单键、酯基、酰胺基或醚基。
L4表示单键或二价有机基。关于L4所表示的有机基，直链、分支或环状的亚烷基、芳香族基或将这些基团组合而成的基团为优选形态之一。将该亚烷基与芳香族基组合而成的基团也可进一步介隔醚基、酯基、酰胺基、氨基甲酸酯基、脲基。其中，优选为L4中的总碳数为1～15。而且，此处所谓总碳数，例如是指L4所表示的经取代或未经取代的二价有机基中所含的总碳原子数。具体可列举：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚苯基，及这些基团经甲氧基、羟基、氯原子、溴原子、氟原子等取代而成者，进而可列举将这些基团组合而成的基团。
L5表示单键或碳数1～6的不含氟的二价有机基。其中，优选为碳数2～4的亚烷基。
而且，通式(26)及通式(27)中的R241～R244、X及Rf的定义如上所述。
聚合物A中的通式(26)所表示的重复单元的含量并无特别限制，就本发明的效果更优异的方面而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为5mol％～90mol％，更优选为10mol％～70mol％。
聚合物A中的通式(27)所表示的重复单元的含量并无特别限制，就本发明的效果更优异的方面而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为10mol％～95mol％，更优选为30mol％～90mol％。
聚合物A的重量平均分子量并无特别限制，就离子迁移抑制能力更优异的方面而言，优选为3,000～500,000，更优选为5,000～100,000。
化合物X的其他优选形态优选为还含有以下的通式(28)所表示的基团。*表示键结位置。
*-(R281O)qR282 通式(28)
R281表示碳数1～4的亚烷基。
R282表示氢原子或可具有取代基的碳数1～10的烷基。其中，优选为氢原子或碳数1～4的烷基。取代基的例子可列举上述R2及R3所表示的烷基的取代基。
q表示1～210的整数。
通式(28)所表示的基团的优选形态可列举以下的通式(28-1)所表示的基团。
*-(R283O)k(R284O)jR282 通式(28-1)
R283表示亚乙基。R284表示碳数3～4的亚烷基。
k表示0～100的整数。其中，优选为1～50，更优选为2～23。
j表示0～100的整数。其中，优选为0～50，更优选为0～23。
而且，k+j满足2≤k+j≤100。
化合物X的优选形态可列举：具有上述通式(26)所表示的重复单元、上述通式(27)所表示的重复单元及通式(29)所表示的重复单元的聚合物B。
通式(26)及通式(27)的说明如上所述。
[化40]
通式(29)中，R263表示氢原子或者碳数1～4的经取代或未经取代的烷基。
L6为单键或碳数1～10的不含氟原子的二价有机基。在L6为上述有机基的情形时，优选为直链结构、分支结构、环结构、局部具有环的结构的碳数1～10的氧化烯基。氧化烯基具体可列举：CH2CH10CH2O(式中，C6H10为亚环己基)、CH2O、CH2CH2O、CH2CH(CH3)O、CH(CH3)O、CH2CH2CH2O、C(CH3)2O、CH(CH2CH3)CH2O、CH2CH2CH2CH2O、CH(CH2CH2CH3)O、CH2(CH2)3CH2O、CH(CH2CH(CH3)2)O等。其中，优选为碳数2～4的氧化烯基。
而且，通式(29)中，R281、R282、q的定义如上所述。
聚合物B中的通式(26)所表示的重复单元的含量并无特别限制，就本发明的效果更优异的方面而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为5mol％～80mol％，更优选为10mol％～60mol％。
聚合物B中的通式(27)所表示的重复单元的含量并无特别限制，就本发明的效果更优异的方面而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为10mol％～85mol％，更优选为20mol％～70mol％。
聚合物B中的通式(29)所表示的重复单元的含量并无特别限制，就本发明的效果更优异的方面而言，相对于聚合物中的所有重复单元，优选为10mol％～85mol％，更优选为20mol％～70mol％。
聚合物B的重量平均分子量并无特别限制，就离子迁移抑制能力更优异的方面而言，优选为3,000～500,000，更优选为5,000～100,000。
以下，示出化合物X的具体例。然而，本发明不限定于这些具体例。
[化41]
[化42]
继而，参照图式，对本发明的配线基板的第2实施形态加以详述。
图2表示配线基板的第2实施形态的示意性剖面图，配线基板100具备绝缘基板12、及配置于绝缘基板12上的两个配线层114。配线层114具有细线状的第1金属层114a及第2金属层114b。
图2所示的配线基板100除了配线层114的形状不同的方面以外，具有与图1所示的配线基板10相同的构成，故对相同构成要素标注相同的参照符号，省略其说明，主要对配线层114加以说明。
配线层114具有细线状的第1金属层114a及覆盖第1金属层114a的不与绝缘基板12接触的表面的第2金属层114b。
配线层114相当于图1所示的配线基板10中的配线层14，具有相同的构成，仅其形状不同。即，第1金属层114a相当于图1所示的配线基板10中的第1金属层14a，第2金属层114b相当于图1所示的配线基板10中的第2金属层14b。
更具体而言，构成配线层114的金属的种类的优选形态与上述第1实施形态的情形相同。
另外，第2金属层114b的厚度T1与上述第1实施形态的情形相同，相当于配线层114的总体厚度T2的1/10的厚度。
另外，与第1实施形态的情形同样地，第2金属层114b所含的迁移抑制剂的质量Y大于第1金属层114a所含的迁移抑制剂的质量X，其优选形态也相同。
进而，配线层114总体所含的迁移抑制剂的质量的优选范围、及第2金属层114b所含的迁移抑制剂的质量的优选范围与上述第1实施形态的情形相同。
在图2中，第1金属层114a为细线状，以覆盖第1金属层114a的方式(以覆盖第1金属层114a的上表面16及两个侧面18的方式)存在第2金属层114b。
而且，在图2中，配线层114为垂直剖面为矩形状的层，其形状并无特别限制，可为任意的形状。
在图2中，将两个配线层114配置成条纹状(stripe)，其数量及配置图案并无特别限制。
就配线基板的高集成化的方面而言，配线层114的宽度W优选为0.1μm～10000μm，更优选为0.1μm～300μm，进而优选为0.1μm～100μm，特别优选为0.2μm～50μm。
就配线基板的高集成化的方面而言，配线层114间的间隔D优选为0.1μm～1000μm，更优选为0.1μm～300μm，进而优选为0.1μm～100μm，特别优选为0.2μm～50μm。
就配线基板的高集成化的方面而言，配线层114的厚度T2优选为0.001μm～100μm，更优选为0.01μm～30μm，进而优选为0.01μm～20μm。
本发明的配线基板可用于各种用途及构造。例如可列举：印刷配线基板、等离子体显示面板用面板基板、太阳电池电极用基板、薄膜配线板、触摸屏电极用基板等。
另外，配线基板优选为包含于电子设备中。所谓电子设备，是指触摸屏或薄膜开关或搭载有这些构件的电视·移动(mobile)通信设备·个人计算机·游戏设备(gameinstrument)、车载显示设备·网络(net)通信设备，照明·显示用发光二极管(LightEmitting Diode，LED)，与太阳电池控制有关的电子配线设备，射频识别(Radio FrequencyIdentification，RFID)等无线电通信元件，或者由半导体配线基板或有机薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)配线基板驱动控制的设备类。
在本发明的配线基板的配线层侧上，视需要还可设置绝缘层。
例如，如图3所示，在上述配线基板100的配线层114侧上，视需要也可进一步以覆盖配线层114的方式设置绝缘层20，形成带有绝缘层的配线基板200。通过设置绝缘层20，配线层114间的绝缘特性进一步提高。
绝缘层20的材料可使用已知的绝缘性的材料。例如可列举：环氧树脂、芳族聚酰胺树脂、结晶性聚烯烃树脂、非晶性聚烯烃树脂、含氟树脂(聚四氟乙烯、全氟化聚酰亚胺、全氟化非晶树脂等)、聚酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚醚酮树脂、丙烯酸酯树脂等。
另外，也可使用所谓光学用透明粘着片(Optical Clear Adhesive，OCA)作为绝缘层20。OCA可使用市售品，例如可列举3M(股)制造的8171CL系列、8146系列等。
另外，也可使用所谓阻焊(solder resist)层作为绝缘层20。阻焊剂(solderresist)也可使用市售品，例如可列举：太阳油墨制造(股)制造的PFR800、PSR4000(商品名)，日立化成工业(股)制造的SR7200G等。
[配线基板的制造方法(其一)]
配线基板的制造方法只要可形成上述配线层，则并无特别限制，可采用已知的方法。
配线基板的制造方法的优选形态之一优选为以下方法：将含有金属微粒子的组合物(导电性膏)涂布于绝缘基板上，视需要进行加热处理，制作配线层。
其中，配线基板的制造方法的优选形态之一可列举以下方法：使用至少含有金属微粒子的组合物(相当于导电性膏。以下也称为组合物X)、与至少含有迁移抑制剂的组合物(以下也称为组合物Y)的至少两种组合物。更具体而言，可列举以下方法：将组合物X与组合物Y以分别独立的涂布用组合物的形式涂布于绝缘基板上的方法(以下也称为第1方法)；与将使组合物X与组合物Y混合而成的混合组合物涂布于绝缘基板上的方法(以下也称为第2方法)。
而且，将组合物涂布于绝缘基板上的方法并无特别限制，可列举：喷墨法、网版印刷法、凹版印刷法、凹版胶版印刷法、胶版印刷法、柔版印刷法等。
以下，对使用喷墨法的第1方法及第2方法加以详述。
而且，为了使后述说明容易，使第1方法及第2方法中使用的组合物Y中含有迁移抑制剂，但使组合物X中不含迁移抑制剂。另外，关于配线基板的制造方法中使用的导电膏的详细情况，将后述。
第1方法为一面调节组合物X与组合物Y两者的涂布量的比率，一面同时涂布而在绝缘基板上混合的方法。即，此方法为以下方法：包括以下步骤：控制步骤，决定涂布于绝缘基板上的组合物X的量与组合物Y的量之比率；形成步骤，根据所决定的比率将组合物X及/或组合物Y涂布于绝缘基板上而形成一个层；以及层叠步骤，重复形成步骤而在绝缘基板上层叠多个上述层，获得上述配线层；并且在控制步骤中，以如下方式来决定比率：组合物X的比率在多个层的厚度方向上自靠近绝缘基板的层起朝向远离绝缘基板的层而变大，且组合物Y的比率变小。通过实施此种方法，可使迁移抑制剂更多地偏向于配线层的外侧表面附近(远离绝缘基板之侧的表面附近)。
使用图4(A)、图4(B)、图4(C)对由喷墨法来实施上述第1方法的形态加以说明。
首先，在平台22上载置绝缘基板12。平台22通常具有较绝缘基板12宽的宽度尺寸，构成为利用未图示的移动机构可在水平方向上自如地移动。移动机构可列举：齿条齿轮(rack and pinion)机构、滚珠螺杆机构等。另外，可利用未图示的平台控制部来控制移动机构，使平台22移动至所需的位置。
继而，自朝向绝缘基板12喷出组合物X的喷墨头24来层叠一层或多层的组合物X，形成第1层30。该组合物X的层叠如图4(A)所示，一面利用移动机构使平台22移动(图中向左移动)，一面自喷墨头24喷出组合物X。此处，未自朝向绝缘基板12喷出组合物Y的喷墨头26进行组合物Y的喷出。
喷出结束后，视需要也可实施对第1层30进行加热的步骤。通过实施加热处理，可将溶剂去除，并且使金属微粒子彼此熔着。例如，优选为在组合物X喷出结束后，在25℃～250℃(更优选为80℃～230℃)的环境温度中保持一定时间。
继而，在第1层30上形成组合物X与组合物Y的混合层32。如图4(B)所示，该混合层32的形成是一面使平台22移动，一面自喷墨头24喷出组合物X，同时自喷墨头26喷出组合物Y而进行。此时，将组合物X的喷出量与组合物Y的喷出量调整为所需的比率。此处，以组合物X的喷出量成为25％、组合物Y的喷出量成为75％的方式来调整各喷嘴的喷出量进行喷出。
而且，自各喷嘴的喷出量的调整也可根据描画的点距(dot pitch)密度来调整。例如，在将喷墨头24与喷墨头26的各喷嘴的喷出量保持为一定的状态下以成为25∶75的方式控制喷墨头24的个数与喷墨头26的个数，由此也可进行喷出量的比率的调整。
组合物X及组合物Y的喷出后，如图4(C)所示，以各喷出量喷出的组合物X及组合物Y扩散混合，由此层叠混合层32。
喷出结束后，视需要也可实施对混合层32进行加热的步骤。通过实施加热处理，可将溶剂去除，并且使金属微粒子彼此熔着。例如优选为在喷出结束后，在25℃～250℃(更优选为80℃～230℃)的环境温度中保持一定时间。
利用上述方法所形成的混合层32中含有组合物Y所含有的迁移抑制剂，结果可使迁移抑制剂偏向于包含第1层30及混合层32的配线层34中的位于外侧的混合层32中。即，通过调整组合物X及组合物Y中的迁移抑制剂的浓度，并且调整其涂布量(喷出量)的比率来层叠多个层，可形成上述迁移抑制剂有偏向的配线层。
而且，在图4(A)、图4(B)、图4(C)中，对第1层30与混合层32的两层层叠的情形进行了说明，但层叠的层数并无特别限制，只要形成上述配线层，则可层叠任何层。另外，也能以第1层30与混合层32分别相当于上述第1金属层14a(或第1金属层114a)与第2金属层14b(或第2金属层114b)的方式来调整组合物X及组合物Y的混合比率，形成配线层34。
另外，上文中对组合物X中不含迁移抑制剂的形态进行了说明，但也可在组合物X与组合物Y两者中含有迁移抑制剂及金属微粒子。
第2方法为以下方法：预先准备多种制备品(将组合物X与组合物Y混合而成的混合组合物，且两者的比率不同)，并依序涂布该比率不同的混合组合物。即，该方法包括以下步骤：制各步骤，准备组合物X与组合物Y的混合比率不同的多种混合组合物；形成步骤，自组合物X的比率高的混合组合物起依序选择，将所选择的混合组合物涂布于绝缘基板上而形成一个层；以及层叠步骤，重复形成步骤而在绝缘基板上层叠多层上述层，获得上述配线层。通过实施此种方法，可使迁移抑制剂更多地偏向于配线层的外侧表面附近。
使用图5(A)、图5(B)对由喷墨法来实施上述第2方法的情形加以说明。
首先，在平台22上载置绝缘基板12。
继而，自朝向绝缘基板12喷出组合物X的喷墨头24层叠一层或多层组合物X，形成第1层30。与第1方法同样地，组合物X的层叠是一面利用移动机构使平台22移动(在图5(A)中向左移动)，一面自喷墨头24喷出组合物X。
喷出结束后，视需要也可实施对第1层30进行加热的步骤。通过实施加热处理，可将溶剂去除，并且使金属微粒子彼此熔着。例如，优选为在组合物X喷出结束后，在25℃～250℃(更优选为80℃～230℃)的环境温度中保持一定时间。
继而，自喷墨头28将混合组合物(组合物X与组合物Y的混合比率为25∶75的混合组合物)喷出至第1层30上，形成混合层32。与第1方法同样地，混合组合物的层叠是一面利用移动机构使平台22移动(在图5(B)中向左移动)，一面自喷墨头28喷出混合组合物。
喷出结束后，视需要也可实施对混合层32进行加热的步骤。通过实施加热处理，可将溶剂去除，并且可使金属微粒子彼此熔着。例如，优选为在喷出结束后，在25℃～250℃(更优选为80℃～230℃)的环境温度中保持一定时间。
利用上述方法形成的混合层32中含有组合物Y中所含的迁移抑制剂，结果可使迁移抑制剂偏向于包含第1层30及混合层32的配线层34中的位于外侧的混合层32中。
而且，在图5(A)、图5(B)中，对第1层30与混合层32的两层层叠的情形进行了说明，但层叠的层数并无特别限制，只要形成上述配线层，则可层叠任何层。
另外，上文中对组合物X中不含迁移抑制剂的形态进行了说明，但也可在组合物X与组合物Y两者中含有迁移抑制剂及金属微粒子。
上述第2方法中，使用将组合物X与组合物Y混合而成的混合组合物，也可准备多种改变金属微粒子与迁移抑制剂的混合比率的组合物，并实施相同的顺序来制造配线基板。
关于上述第1方法及第2方法，对使用喷墨法的形态进行了详述，也可使用其他方法(例如网版印刷法、分配器法等)来代替喷墨法，以相同的顺序来制作配线层。
上述第1方法或第2方法等中使用的用以形成配线层的组合物(以下也称为导电膏)中，通常含有金属微粒子。将此种组合物涂布于绝缘基板上，视需要实施加热处理，由此金属微粒子彼此熔着而形成颗粒(grain)，进而颗粒彼此粘接·熔着而形成配线层(换言之，第1金属层及第2金属层)。
构成金属微粒子的金属的种类并无特别限制，根据用途来适当选择最适的金属的种类。其中，就作为印刷配线基板等的配线电路的方面而言，可列举金、银、铜、铝、镍或这些的合金等。
金属微粒子的平均粒径并无特别限制，导电膏中，主要使用具有微米级的平均粒径的金属微粒子(以下也称为金属微米粒子)、或具有纳米级的平均粒径的金属微粒子(以下也称为金属纳米粒子)两种。
金属微米粒子的平均粒径并无特别限制，就配线层的导电特性更优异的方面而言，优选为0.5μm～10μm，更优选为1μm～5μm。
金属纳米粒子的平均粒径并无特别限制，就配线层的导电特性更优异的方面而言，优选为5nm～100nm，更优选为10nm～20nm。
而且，金属微粒子的平均粒径为利用电子显微镜(SEM或TEM)对金属微粒子进行观察，测定20个以上的金属微粒子的一次粒径(直径)，并将这些测定值加以算术平均所得的平均值。
而且，视需要，金属微粒子的表面也可由保护剂所涂覆。通过利用保护剂加以涂覆，导电膏中的金属微粒子的保存稳定性提高。
所使用的保护剂的种类并无特别限制，可列举已知的聚合物(例如聚乙烯基吡咯烷酮等侧链上含有具有自由电子的官能基的聚合物)或已知的界面活性剂等。
其中，金属纳米粒子的情况下，优选为其表面由保护剂所覆盖，特别优选为使用在热重量测定(Thermogravimetric Analysis，TGA)中加热至160℃为止时的重量减少率为30％以上的保护剂。若为此种保护剂，则在实施加热处理而形成配线层时，保护剂不易残存于配线层中，可获得导电特性优异的配线层。
导电膏中也可含有上述迁移抑制剂。
另外，导电膏中，视需要除了金属微粒子及迁移抑制剂以外也可含有其他成分。
例如，导电膏中也可含有树脂粘合剂。通过含有树脂粘合剂，绝缘基板与配线层的密接性进一步提高。所使用的树脂粘合剂的种类并无特别限制，例如可列举：环氧树脂、丙烯酸系树脂、聚乙烯基吡咯烷酮或硅烷偶合剂的反应物等。
另外，导电膏中还可含有溶剂。所使用的溶剂的种类并无特别限制，可列举水或有机溶剂。
而且，所使用的有机溶剂例如可列举：醇系溶剂(例如甲醇、乙醇、异丙醇、仲丁醇、卡必醇、2-庚醇、辛醇、2-乙基己醇、α-萜品醇、二乙二醇单乙醚)、酮系溶剂(例如丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环戊酮、环己酮)、烃系溶剂(例如庚烷、辛烷、十二烷)、芳香族烃溶剂(例如甲苯、二甲苯)、酰胺系溶剂(例如甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚丙基脲)、腈系溶剂(例如乙腈、丙腈)、酯系溶剂(例如乙酸甲酯、乙酸乙酯)、碳酸酯系溶剂(例如碳酸二甲酯、碳酸二乙酯)、醚系溶剂、卤素系溶剂等。也可将这些溶剂混合使用两种以上。
[配线基板的制造方法(其二)]
上述配线基板的制造方法(其一)以外的其他配线基板的制造方法的优选形态之一可列举以下方法：使用导电膏(配线层形成用组合物)来制造配线层，上述导电膏(配线层形成用组合物)含有选自由上述通式(1)～通式(5)所表示的化合物、通式(22)所表示的化合物、通式(23)所表示的化合物、及具有通式(24)所表示的基团与通式(25)所表示的基团的化合物所组成的组群中的至少一种迁移抑制剂(以下也将这些化合物统称为“含氟原子的迁移抑制剂”)以及金属微粒子。
上述含氟原子的迁移抑制剂中含有氟原子。因此，若使用上述导电膏来形成配线层，则由于含氟原子的迁移抑制剂的表面能量低，故含氟原子的迁移抑制剂移动至配线层的表面附近，形成具有上述既定的迁移抑制剂的浓度分布的配线层。即，仅将上述导电膏涂布于绝缘基板上，并视需要实施硬化处理，便可制造所需的配线层。
导电膏中的含氟原子的迁移抑制剂的含量并无特别限制，就所形成的配线层的导电特性与离子迁移抑制功能的平衡的方面而言，相对于金属微粒子总质量，优选为0.05质量％～5质量％，更优选为0.1质量％～3质量％。
导电膏中所含的金属微粒子的定义如上所述。
另外，导电膏中还可含有上述溶剂或树脂粘合剂等。
向绝缘基板上的导电膏的涂布方法并无特别限制，可列举上述配线基板的制造方法(其一)中所述的涂布方法等。
另外，对涂布导电膏所得的涂膜的硬化处理的方法也无特别限制，可列举上述配线基板的制造方法(其一)中所述的加热处理等。
[实施例]
以下，通过实施例对本发明加以更详细说明，但本发明不限定于这些实施例。
<合成例1：不含迁移抑制剂的导电性膏A-1的合成>
将N，N-二甲基-1，3-二氨基丙烷(东京化成，特级)2.04g(20.0mmol)、正辛胺(花王，纯度为98％)1.94g(15.0mmol)及正十二烷基胺(关东化学，特级)0.93g(5.0mmol)混合，在该混合溶液中添加草酸银[由硝酸银(关东化学，一级)与草酸铵一水合物或草酸二水合物(关东化学，特级)所合成者]6.08g(20.0mmol)，搅拌3分钟，制备草酸根离子·烷基胺·烷基二胺·银络合物。若将其在95℃下加热搅拌20分钟～30分钟，则伴随着二氧化碳的发泡的反应完成，变化为呈现出蓝色光泽的悬浊液。在其中添加甲醇(关东化学，一级)10mL，若将通过离心分离所得的沉淀物自然干燥，则获得蓝色光泽的涂覆银超微粒子的固体物4.62g(以银为基准的产率为97.0％)。将该固体物分散于正丁醇(关东化学，特级)与正辛烷(关东化学，特级)的混合溶剂(4/1∶v/v)6.93g，获得不含迁移抑制剂的导电性膏A-1。
<合成例2：含有迁移抑制剂的导电性膏B-1的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加DL-α生育酚(东京化成公司制造)0.3g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-1。
<合成例3：含有迁移抑制剂的导电性膏B-2的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加易加乐斯(IRGANOX)245(巴斯夫(BASF)公司制造)0.15g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-2。
<合成例4：含有迁移抑制剂的导电性膏B-3的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加易加乐斯(IRGANOX)1135(巴斯夫(BASF)公司制造)0.15g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-3。
<合成例5：含有迁移抑制剂的导电性膏B-4的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加5-巯基-1-苯基-1H-四唑(东京化成公司制造)0.15g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-4。
<不含迁移抑制剂的导电性膏A-2>
使用聚合物型导电性膏LS-450-7H(旭化学研究所制造)作为不含迁移抑制剂的电性膏A-2。
<合成例6：含有迁移抑制剂的导电性膏B-5的合成>
对于上述导电性膏A-2(10g)，添加DL-α生育酚(东京化成公司制造)0.8g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-5。
<合成例7：含有迁移抑制剂的导电性膏B-6的合成>
对于上述导电性膏A-2(10g)，添加易加乐斯(IRGANOX)245(巴斯夫(BASF)公司制造)0.4g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-6。
<合成例8：含有迁移抑制剂的导电性膏B-7的合成>
对于上述导电性膏A-2(10g)，添加艾克赛普拉斯(IXEPLAS)B1(东亚合成公司制造)0.4g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-7。
<不含迁移抑制剂的导电性膏A-3>
使用纳米膏NPS(哈利玛化成(Harima Chemicals)公司制造)作为不含迁移抑制剂的导电性膏A-3。
<合成例9：含有迁移抑制剂的导电性膏B-8的合成>
对于上述导电性膏A-3(10g)，添加DL-α生育酚(东京化成公司制造)0.4g，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-8。
(合成例10：化合物M-1)
在反应容器中，依序添加3-(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸(3.5g，12.6mmol)、二氯甲烷(20ml)、2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，9，9，10，10，10-十九氟癸烷-1-醇(6.3g，12.6mmol)、四氢呋喃(10ml)、1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二酰亚胺盐酸盐(2.4g，12.6mmol)及4-二甲基氨基吡啶(0.05g，0.4mmol)。
将反应溶液在室温下搅拌3小时后，在反应溶液中添加1N盐酸(50ml)，利用乙酸乙酯100ml提取。利用饱和食盐水清洗有机层，利用硫酸镁干燥有机层。将固体成分过滤分离后，加以减压浓缩，获得白色的粗结晶。利用甲醇进行再结晶，获得化合物M-1 6.0g(产率为63％)。
所得的化合物M-1的1H-核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)光谱如下。
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿，基准：四甲基硅烷)
6.98(2H，s)，5.09(1H，s)，4.59(2H，t)，2.90(2H，t)，2.71(2H，t)，1.43(9H，s)
在1H-NMR的数据中，在特征性的位置上观察到各质子的峰值，因此鉴定该化合物为化合物M-1。
[化43]
(合成例11：化合物M-2)
在反应容器中添加1，3，4-噻二唑-2，5-二硫醇(和光纯药制造)(4.0g，26.6mmol)、四氢呋喃(80ml)并使其完全溶解。其后，自滴液漏斗用0.5小时将丙烯酸-3，3，4，4，5，5，6，6，7，8，8，8-十二氟-7-(三氟甲基)辛酯(12.5g，26.6mmol)滴加至反应溶液中。将反应溶液在65℃下搅拌6小时后，冷却至室温为止，将反应溶液减压浓缩。在反应溶液中添加己烷200mL，利用冰浴进行冷却，获得粗结晶16g。利用硅胶管柱色谱仪(移动相∶己烷/乙酸乙酯＝2/1～1/1)将粗结晶中的8g纯化，获得本发明的化合物M-26g(产率为72％)。
所得的化合物M-2的1H-NMR光谱如下。
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿，基准：四甲基硅烷)
11.1(1H，br)，4.44(2H，t)，3.40(2H，t)，2.85(2H，t)，2.49(2H，t)，2.49(2H，m)
在1H-NMR的数据中，在特征性的位置上观察到各质子的峰值，因此鉴定该化合物为化合物M-2。
[化44]
(合成例12：化合物M-3)
在反应容器中，依序添加1H-苯并三唑-5-羧酸(1.5g，9.19mmol)、四氢呋喃(27ml)、二甲基甲酰胺(3ml)、3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十三氟-1-辛醇(3.35g，9.19mmol)、1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二酰亚胺盐酸盐(1.76g，9.19mmol)、4-二甲基氨基吡啶(0.11g，0.91mmol)。在70℃下搅拌24小时后，添加水50ml，利用乙酸乙酯100ml进行提取。利用饱和食盐水清洗有机层，利用硫酸镁干燥有机层。将固体成分过滤分离后，将溶液减压浓缩。利用硅胶管柱色谱仪(移动相∶己烷/乙酸乙酯＝2/1)进行纯化，获得化合物M-3 3.1g(产率为66％)。
[化45]
(合成例13：化合物M-4)
依照下述流程来合成化合物M-4A。
[化46]
在反应容器中添加1，3，4-噻二唑-2，5-二硫醇(和光纯药制造)(4.0g，26.6mmol)、四氢呋喃(80ml)并使其完全溶解。自滴液漏斗用0.5小时滴加丙烯酸-3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十三氟辛酯(11.13g，26.6mmol)。在65℃下搅拌6小时后，冷却至室温为止，将溶液减压浓缩。在反应混合物中添加己烷200mL，利用冰浴加以冷却，获得粗结晶15g。利用硅胶管柱色谱仪(移动相∶己烷/乙酸乙酯＝2/1～1/1)将粗结晶中的7.5g纯化，获得化合物M-4A6g(产率为79％)。
继而，使用所得的化合物M-4A，依照下述流程来合成化合物M-4。
[化47]
在反应容器中添加化合物M-4A(3.0g，5.28mmol)、乙酸乙酯(20ml)并使其完全溶解。依序添加碘化钠(79.1mg，0.528mmol)及30％过氧化氢(22.11mmol，2.39g)，在室温下搅拌1小时。利用100ml的水清洗所析出的结晶，利用硅胶管柱色谱仪(移动相∶己烷/乙酸乙酯＝2/1～1/1)将所得的粗结晶2.7g纯化，获得化合物M-4 2.4g(产率为80％)。
所得的本发明的化合物M-4的NMR光谱如下。
1H-NMR(溶剂：氘代氯仿，基准：四甲基硅烷)：4.43(2H，t)，3.60(2H，t)，2.95(2H，t)，2.49(2H，m)
在1H-NMR的数据中，在特征性的位置上观察到各质子的峰值，因此鉴定该化合物为化合物M-4。
[化48]
(合成例14：化合物M-5)
在300mL的三口烧瓶中加入4-甲基-2-戊酮(和光纯药工业(股)制造)27.3g，在氮气流下加热至80℃为止。向其中用4小时滴加丙烯酸-3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十三氟-辛酯37.6g、甲基丙烯酸缩水甘油酯(东京化成工业(股)制造)1.42g、V-601(和光纯药工业(股)制造)0.92g及4-甲基-2-戊酮(和光纯药工业(股)制造)63.8g溶液。滴加结束后，搅拌2小时后，升温至90℃，进一步搅拌2小时。在上述反应溶液中添加3-(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸3.34g、二甲基十二烷基胺(和光纯药工业(股)制造)0.21g，加热至120℃并反应24小时。反应结束后，添加己烷500ml、乙酸乙酯500ml，利用5％柠檬酸水溶液300ml清洗有机层后，利用5％氨水溶液300ml进行清洗。继而利用5％柠檬酸水溶液300ml进行清洗后，利用水300ml进行清洗。将有机层减压浓缩后，利用己烷进行再沉淀，在减压下进行干燥，获得化合物M-5(Mw＝7,000)30g。而且，重量平均分子量为利用凝胶渗透色谱(GelPermeation Chromatography，GPC)法测定的聚苯乙烯换算值。重量平均分子量的利用GPC法的测定是将聚合物溶解于四氢呋喃中，使用东曹(股)制造的高效GPC(HLC-8220GPC)，使用TSKgel SuperHZ4000(东曹(TOSOH)制造，4.6mm I.D.×15cm)作为管柱，使用四氢呋喃(Tetrahydrofuran，THF)作为洗脱液来进行。
化合物M-5相当于具有通式(24)所表示的基团与通式(25)所表示的基团的化合物。
(合成例15：化合物M-6)
在300mL的三口烧瓶中加入1-甲氧基-2-丙醇(和光纯药工业(股)制造)14.3g，在氮气流下加热至80℃为止。向其中用4小时滴加丙烯酸-3，3，4，4，5，5，6，6，7，7，8，8，8-十三氟-辛酯4.81g、甲基丙烯酸缩水甘油酯(东京化成工业(股)制造)1.56g、布兰莫(Blemmer)AE-400(日本油脂公司制造)14.09g、V-601(和光纯药工业(股)制造)0.46g及1-甲氧基-2-丙醇(和光纯药工业(股)制造)33.4g溶液。滴加结束后，搅拌2小时后，升温至90℃，进而搅拌2小时。在上述反应溶液中添加3-(3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸3.67g、二甲基十二烷基胺(和光纯药工业(股)制造)0.23g，加热至120℃并反应24小时。反应结束后，进行减压浓缩后利用水200g进行稀释。对反应液进行过滤器过滤后，加热至60℃，取出分离出的聚合物溶液，获得化合物M-6(Mw＝8,000)的35wt％水溶液45g。
重量平均分子量为利用GPC(凝胶渗透色谱)法测定的聚苯乙烯换算值。重量平均分子量的利用GPC法的测定是使聚合物溶解于四氢呋喃中，使用东曹(股)制造的高效GPC(HLC-8220GPC)，使用TSKgel SuperHZ4000(东曹(TOSOH)制造，4.6mm I.D.×15cm)作为管柱，使用四氢呋喃(THF)作为洗脱液来进行。
化合物M-6相当于具有通式(24)所表示的基团、通式(25)所表示的基团及通式(28)所表示的基团的化合物。
<合成例16：含有迁移抑制剂的导电性膏B-9的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加合成例10中所得的化合物M-1(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-9。
<合成例17：含有迁移抑制剂的导电性膏B-10的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加上述合成例11中所得的化合物M-2(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-10。
<合成例18：含有迁移抑制剂的导电性膏B-11的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加上述合成例12中所得的化合物M-3(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-11。
<合成例19：含有迁移抑制剂的导电性膏B-12的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加上述合成例13中所得的化合物M-4(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-12。
<合成例20：含有迁移抑制剂的导电性膏B-13的合成>
对于合成例1中所得的导电性膏A-1(11.55g)，添加上述合成例14中所得的化合物M-5(高分子型)(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-13。
<合成例21：含有迁移抑制剂的导电性膏B-14的合成>
对于流动金属(FlowMetal)SW-1020(阪东(Bando)化学公司制造：导电性膏A-4，11.55g)，添加合成例15中所得的化合物M-6(高分子型)(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-14。
<合成例22：含有迁移抑制剂的导电性膏B-15的合成>
对于上述导电性膏A-2(10g)，添加合成例10中所得的化合物M-1(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-15。
<合成例23：含有迁移抑制剂的导电性膏B-16的合成>
对于上述导电性膏A-2(10g)，添加合成例12中所得的化合物M-3(0.12g)，进行搅拌，获得含有迁移抑制剂的导电性膏B-16。
<实施例1～实施例4及比较例1～比较例2：利用喷墨的配线形成>
使用材料打印机(Material Printer)DMP-2831(富士胶片德麦特克斯(FUJIFILMDimatix)公司制造)，在喷出量为10pL、喷出间隔为50μm的条件下，将不含迁移抑制剂的导电性膏A以L/S＝75μm/75μm的梳形状向玻璃基板上进行描画，重叠进行3层描画。继而，在其相同位置以相同的图案将含有迁移抑制剂的导电性膏B进行一层的描画。其后，利用烘箱在230℃下进行1小时烘烤，制作试验用配线基板。
而且，各实施例及比较例中，导电性膏A及导电性膏B是分别使用后述表1以及表2中记载的上述导电膏。另外，该方法在表1以及表2的“配线形成方法”栏中记作“IJ”。
<实施例5：利用喷墨的配线形成2>
使用材料打印机(Material Printer)DMP-2831(富士胶片德麦特克斯(FUJIFILMDimatix)公司制造)，在喷出量为10pL、喷出间隔为50μm的条件下，将不含迁移抑制剂的导电性膏A-1以L/S＝75μm/75μm的梳形状向玻璃基板上进行描画，重叠进行3层描画。继而，将喷出间隔变更为100μm，进而进行一层的导电性膏A-1的描画，在其相同位置以相同的图案、在喷出间隔为100μm的条件将含有迁移抑制剂的导电性膏B-1进行一层的描画。其后，利用烘箱在230℃下进行1小时烘烤，制作试验用配线基板。
另外，该方法在表1以及表2的“配线形成方法”栏中记作“IJ2”。
<实施例6～实施例9及比较例3～比较例6：利用网版印刷的配线形成>
使用DP-320型网版印刷机(纽朗(Newlong)精密工业股份有限公司制造)，将不含迁移抑制剂的导电性膏A以L/S＝75μm/75μm的梳形状向玻璃基板上进行印刷(使用300网目的网版)，在其相同位置以相同的图案将含有迁移抑制剂的导电性膏B进行印刷(使用500网目的网版)。其后，利用烘箱在230℃下进行1小时烘烤，制作试验用配线基板。
而且，各实施例及比较例中，导电性膏A及导电性膏B是分别使用后述表1以及表2中记载的种类。另外，该方法在表1以及表2的“配线形成方法”栏中记作“网版”。
<试验用配线膜厚测定方法>
利用环氧树脂来包埋所制作的试验用配线基板，通过研磨来形成剖面后，使用S-3000N(日立(HITACHI)公司制造的SEM)来观察剖面，进行配线层的层厚的测定。将结果汇总示于表1以及表2中。
而且，将各试验用配线基板中的自配线层的露出表面起至相当于配线层的总体厚度的1/10的深度位置为止的区域设定为第2金属层，将剩余部分设定为第1金属层。
<第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X、与第2金属层所含的迁移抑制剂的质量Y之比(X/Y)的测定方法>
使用上述SEM照片及印卡朋达(INCA Penta)FETx3(牛津(OXFORD)公司制造的能量色散X射线光谱仪(energy dispersive X-ray spectrometer，EDX))，进行迁移抑制剂的存在部的检测，根据第1金属层与第2金属层的检测强度、面积比来求出质量X与质量Y之比(X/Y)。将结果汇总示于表1以及表2中。
<导电性评价方法>
使用电阻率计罗莱斯塔(Loresta)EP MCP-T360(三菱化学分析公司制造)来进行所得的试验用配线基板的导电性评价。
作为评价方法，将所制作的试验用配线基板的电阻测定值设定为R1，将仅由不含迁移抑制剂的导电性膏A所制作的比较用配线基板(以导电性膏A代替使用导电性膏B的部分所得者)的电阻测定值设定为R2，计算出其变化比例R1/R2。按照以下基准进行评价。将结果汇总示于表1以及表2中。另外，实用上C以上可使用，优选为B以上。
“A”：R1/R2≤1.1的情形
“B”：1.1＜R1/R2≤1.25的情形
“C”：1.25＜R1/R2≤2.0的情形
“D”：2.0＜R1/R2的情形
而且，使用导电性膏A-1作为导电性膏A的实施例1～实施例5及比较例1中，使用仅由导电性膏A-1制作的比较用配线基板，进行上述评价。
另外，使用导电性膏A-2作为导电性膏A的实施例6～实施例8及比较例3中，使用仅由导电性膏A-2制作的比较用配线基板，进行上述评价。
另外，使用导电性膏A-3作为导电性膏A的实施例9及比较例5中，使用仅由导电性膏A-3制作的比较用配线基板，进行上述评价。
而且，比较例2中，使用仅由导电性膏A-1制作的比较用配线基板，进行上述评价。
另外，比较例4中，使用仅由导电性膏A-2制作的比较用配线基板，进行上述评价。
进而，比较例6中，使用仅由导电性膏A-3制作的比较用配线基板，进行上述评价。
<绝缘可靠性评价方法>
使用所得的试验用配线基板，在湿度85％、温度85度、压力1.0atm、电压80V的条件下进行寿命测定(使用装置：爱斯佩克(Espec)(股)公司制造，EHS-221MD)。
作为评价方法，首先在所制作的试验用配线基板上贴合高透明性粘接剂转印胶带8146-2(3M公司制造)，在相反侧贴合玻璃基板而使用所制作的绝缘可靠性试验用基板，在上述条件下进行寿命测定，测定配线层间的电阻值达到1×105Ω为止的时间T1。
继而，使用仅由不含迁移抑制剂的导电性膏A制作的比较用配线基板(以A代替使用导电性膏B的部分所得者)，利用相同的方法来制作绝缘可靠性试验用基板，在上述条件下进行寿命测定，测定配线层间的电阻值达到1×105Ω为止的时间T2。
使用所得的时间T1及时间T2来计算寿命的改善效果(T1/T2)。按照以下基准进行评价。将结果汇总于表1以及表2中。另外，实用上可使用C以上，优选为B以上。
“A”：T1/T2≥5的情形
“B”：5＞T1/T2≥2的情形
“C”：2＞T1/T2＞1的情形
“D”：1≥T1/T2的情形
而且，使用导电性膏A-1作为导电性膏A的实施例1～实施例5及比较例1中，使用仅由导电性膏A-1制作的比较用配线基板，进行上述评价。
另外，使用导电性膏A-2作为导电性膏A的实施例6～实施例8及比较例3中，使用仅由导电性膏A-2制作的比较用配线基板，进行上述评价。
另外，使用导电性膏A-3作为导电性膏A的实施例9及比较例5中，使用仅由导电性膏A-3制作的比较用配线基板，进行上述评价。
而且，比较例2中，使用仅由导电性膏A-1制作的比较用配线基板，进行上述评价。
另外，比较例4中，使用仅由导电性膏A-2制作的比较用配线基板，进行上述评价。
进而，比较例6中，使用仅由导电性膏A-3制作的比较用配线基板，进行上述评价。
[表1]
[表2]
如上述表1以及表2所示，第2金属层所含的迁移抑制剂的质量Y大于第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X的实施例1～实施例9中，导电性优异，并且离子迁移抑制能力也优异。而且，根据实施例1～实施例9的比较而确认到，若X/Y小于0.30，则导电性评价及绝缘可靠性评价中并无“C”，两者的平衡更优异。
另一方面，不使用迁移抑制剂的比较例1、比较例3及比较例5中，虽然导电性优异，但绝缘可靠性差。
另外，第2金属层所含的迁移抑制剂的质量Y小于第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X的比较例2、比较例4及比较例6中，虽然绝缘可靠性优异，但导电性差。
<实施例10～实施例15及比较例7～比较例8：利用喷墨的配线形成>
使用材料打印机(Material Printer)DMP-2831(富士胶片德麦特克斯(FUJIFILMDimatix)公司制造)，在喷出量为10pL、喷出间隔为50μm的条件下，将导电性膏A或导电性膏B以L/S＝75μm/75μm的梳形状向玻璃基板上进行描画，重叠进行2层的描画。其后，利用烘箱在230℃下进行1小时烘烤，制作试验用配线基板。
而且，在各实施例及比较例中，导电性膏A及导电性膏B是分别使用后述表3以及表4所记载的上述导电膏。该方法在表3以及表4的“配线形成方法”栏中记作“IJ3”。
<实施例16～实施例17及比较例9：利用网版印刷的配线形成>
使用DP-320型网版印刷机(纽朗(Newlong)精密工业股份有限公司制造)，将导电性膏A或导电性膏B以L/S＝75μm/75μm的梳形状向玻璃基板上进行印刷(使用300网目的网版)，其后，利用烘箱在230℃下进行1小时烘烤，制作试验用配线基板。
而且，各实施例及比较例中，导电性膏A及导电性膏B是分别使用后述表3以及表4中记载的上述导电膏。该方法在表1以及表2的“配线形成方法”栏中记作“网版2”。
对上述实施例10～实施例17、比较例7～比较例9中所得的试验用配线基板实施上述<导电性评价方法>及<绝缘可靠性评价方法>。
而且，关于<导电性评价方法>及<绝缘可靠性评价方法>中使用的比较用配线基板，实施例10～实施例14中，利用使用导电性膏A-1以与上述相同的顺序(IJ3)制作的比较用配线基板。
实施例15中，利用使用导电性膏A-4以与上述相同的顺序(IJ3)制作的比较用配线基板。
实施例16及实施例17中，利用使用导电性膏A-2以与上述相同的顺序(网版2)制作的比较用配线基板。
[表3]
[表4]
如表3以及表4所示，在使用含氟原子的迁移抑制剂的实施例10～实施例17中，确认到在配线层中含氟原子的迁移抑制剂偏向于表面侧，配线层的导电性优异，并且离子迁移抑制能力也优异。
另一方面，如比较例7～比较例9所示，在不含有含氟原子的迁移抑制剂的情形时，虽然导电性优异，但绝缘可靠性差。

Claims (6)

1.一种配线基板，具有：
绝缘基板、及
配置于所述绝缘基板上的配线层，
所述配线层具有第2金属层以及第1金属层，
所述第2金属层是从所述配线层的露出表面到相当于总体厚度的1/10的深度位置的区域，
所述第1金属层是所述第2金属层以外的区域，
所述配线层含有下述迁移抑制剂，
所述第2金属层所含的迁移抑制剂的质量Y大于所述第1金属层所含的迁移抑制剂的质量X，
迁移抑制剂：
选自由下述通式(1A)所表示的化合物、通式(1)所表示的化合物、通式(22)所表示的化合物、通式(23)所表示的化合物、具有通式(26)所表示的重复单元及通式(27)所表示的重复单元的聚合物、及铋化合物所组成的组群中的至少一种，
通式(1A)中，R1a～R5a分别独立地表示氢原子、羟基、可具有氧原子的脂肪族烃基、可具有氧原子的芳香族烃基或将这些基团组合而成的基团；Z表示氢原子、酰基或RzOC(＝O)基；Rz表示脂肪族烃基或芳香族烃基；其中，R1a～R5a的各基团中所含的碳原子的合计个数为4以上；而且，R1a～R5a也可相互键结而形成环；
P-(CR1＝Y)n-Q 通式(1)
通式(1)中，P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5；R2及R3分别独立地表示氢原子或能取代于氮原子上的基团；R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基；Y表示CR6或氮原子；R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基；
R1、R2、R3、R4、R5或R6所表示的基团中的至少两个基团也可相互键结而形成环；n表示0～5的整数；其中，当n为0时，不存在P及Q两者为CHR4R5的情况，也不存在P及Q两者为OH的情况；当n表示2以上的数时，(CR1＝Y)所表示的多个原子组群可相同也可不同；
而且，R1～R6的至少一个基团中含有氟原子；
通式(22)中，Rf1表示可具有醚性氧原子且至少一个氢原子经氟原子取代的碳数22以下的氟烷基、或氟原子；X1表示氢原子、氟原子或三氟甲基；L1表示单键或碳数1～6的亚烷基；L2表示单键或者可经羟基或氟原子取代的碳数1～6的亚烷基；L3表示单键或碳数1～6的亚烷基；Y1及Z1表示单键、-CO2-、-CO-、-OC(＝O)O-、-SO3-、-CONR222-、-NHCOO-、-O-、-S-、-SO2NR222-或-NR222-；R222表示氢原子或碳数1～5的烷基；R221表示氢原子、碳数1～8的直链或分支的烷基、或Rf1-CFX1-L1-Y1-L2-Z1-L3-；
其中，在Y1及Z1均为单键以外的情形时，L2表示可经氟原子取代的碳数1～6的亚烷基；
通式(23)中，R231及R232分别独立地表示氢原子或烷基；R233及R234分别独立地表示氢原子或取代基；Y2表示单键、-CO-或-COO-；Rf2表示碳数1～20的直链或分支的全氟亚烷基、或者碳数1～20的直链或分支的全氟醚基；当Y2为单键或-CO-时，n表示0，m表示0～6的整数；当Y2为-COO-时，n表示1或2，m表示1～6的整数；p表示2～3的整数，l表示0～1的整数，满足p+l＝3的关系；
通式(26)中，R261表示氢原子或者碳数1～4的经取代或未经取代的烷基；Z2表示单键、酯基、酰胺基或醚基；L4表示单键或二价有机基；R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基；
通式(27)中，R262表示氢原子或者碳数1～4的经取代或未经取代的烷基；L5表示单键或碳数1～6的不含氟的二价有机基；X表示氢原子、氟原子或三氟甲基；Rf表示可具有醚性氧原子且至少一个氢原子经氟原子取代的碳原子数20以下的氟烷基、或氟原子。
2.根据权利要求1所述的配线基板，其中所述通式(1)所表示的化合物为通式(10)所表示的化合物，
通式(10)中，V10表示取代基；R101及R102分别独立地表示氢原子或取代基；b表示0～4的整数；而且，V10、R101及R102中的至少一个中含有氟原子。
3.根据权利要求1或2所述的配线基板，其中所述配线层中的金属是选自由金、银、铜及铝所组成的组群中。
4.根据权利要求1或2所述的配线基板，其中在所述绝缘基板上配置有侧面露出的细线状的所述第1金属层，
以覆盖所述第1金属层的包含所述侧面且不与所述绝缘基板接触的表面的方式配置有所述第2金属层。
5.根据权利要求1或2所述的配线基板，其是用于印刷配线基板。
6.一种带有绝缘层的配线基板，其具有根据权利要求1至4中任一项所述的配线基板、及配置于所述配线基板的所述配线层上的绝缘层。
CN201380048687.XA 2012-09-19 2013-08-21 配线基板以及带有绝缘层的配线基板 Active CN104663005B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-206271 2012-09-19
JP2012206271 2012-09-19
JP2013073980A JP5897495B2 (ja) 2012-09-19 2013-03-29 配線基板
JP2013-073980 2013-03-29
PCT/JP2013/072265 WO2014045787A1 (ja) 2012-09-19 2013-08-21 配線基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104663005A CN104663005A (zh) 2015-05-27
CN104663005B true CN104663005B (zh) 2017-10-27

Family

ID=50341111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380048687.XA Active CN104663005B (zh) 2012-09-19 2013-08-21 配线基板以及带有绝缘层的配线基板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9609747B2 (zh)
JP (1) JP5897495B2 (zh)
KR (1) KR101668968B1 (zh)
CN (1) CN104663005B (zh)
TW (1) TWI611429B (zh)
WO (1) WO2014045787A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5968213B2 (ja) * 2012-12-13 2016-08-10 富士フイルム株式会社 フッ素原子含有メルカプト化合物
JP5938364B2 (ja) * 2013-03-29 2016-06-22 富士フイルム株式会社 フッ素原子含有ジスルフィド化合物
TWI574284B (zh) * 2014-06-25 2017-03-11 柯尼卡美能達股份有限公司 附導電性圖案基材之製造方法
KR20180021828A (ko) * 2015-06-30 2018-03-05 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 패터닝된 오버코팅층
WO2019188206A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、タッチパネル
JP6923749B2 (ja) * 2018-03-26 2021-08-25 富士フイルム株式会社 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、タッチパネル
KR102539382B1 (ko) * 2020-03-25 2023-06-05 엘에스엠앤엠 주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지
CN111341223A (zh) * 2020-04-09 2020-06-26 大连集思特科技有限公司 一种多层柔性透明显示电路、显示屏及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846598A (en) * 1995-11-30 1998-12-08 International Business Machines Corporation Electroless plating of metallic features on nonmetallic or semiconductor layer without extraneous plating
CN1744799A (zh) * 2004-09-01 2006-03-08 日东电工株式会社 布线电路基板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3219852B2 (ja) * 1992-06-02 2001-10-15 東芝ケミカル株式会社 導電性ペースト
US6880946B2 (en) * 2002-01-15 2005-04-19 Reflexite Corporation Grooved optical microstructure light collimating films
JP2009188360A (ja) * 2008-02-08 2009-08-20 Fujifilm Corp 電子回路およびその製造方法
JP2010087148A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Fujifilm Corp 電子回路基板の製造方法
JP2011091030A (ja) * 2009-09-25 2011-05-06 Nitto Denko Corp 配線回路基板および燃料電池
JP5527163B2 (ja) 2010-10-29 2014-06-18 Ｄｉｃ株式会社 導電性ペースト及びそれを用いた配線基板
JP5891771B2 (ja) * 2011-01-18 2016-03-23 富士通株式会社 表面被覆方法、並びに半導体装置、及び実装回路基板
JP5667927B2 (ja) * 2011-05-20 2015-02-12 富士フイルム株式会社 マイグレーション抑制層形成用処理液、および、マイグレーション抑制層を有する積層体の製造方法
JP2013101861A (ja) * 2011-11-09 2013-05-23 Toppan Printing Co Ltd 感光性導電ペースト、導電回路パターン、タッチパネルセンサーおよび表示装置
JP2013140687A (ja) * 2011-12-28 2013-07-18 Asahi Glass Co Ltd 導電ペースト、導電膜付き基材およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846598A (en) * 1995-11-30 1998-12-08 International Business Machines Corporation Electroless plating of metallic features on nonmetallic or semiconductor layer without extraneous plating
CN1744799A (zh) * 2004-09-01 2006-03-08 日东电工株式会社 布线电路基板

Also Published As

Publication number Publication date
US20150195908A1 (en) 2015-07-09
US9609747B2 (en) 2017-03-28
CN104663005A (zh) 2015-05-27
KR101668968B1 (ko) 2016-10-24
TW201413741A (zh) 2014-04-01
JP5897495B2 (ja) 2016-03-30
WO2014045787A1 (ja) 2014-03-27
TWI611429B (zh) 2018-01-11
JP2014078681A (ja) 2014-05-01
KR20150044944A (ko) 2015-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104663005B (zh) 配线基板以及带有绝缘层的配线基板
CN105051119B (zh) 导电膜形成用组合物、导电膜、及配线基板
Nie et al. Inkjet printing of silver citrate conductive ink on PET substrate
JP5658145B2 (ja) シリルメチルペンタセン化合物及び組成物、並びにそれらの製造及び使用方法
CN105493203B (zh) 透明电极及其制造方法
CN104204026B (zh) 有机半导体组合物
CN103975453B (zh) 有机场效应晶体管
KR101788731B1 (ko) 액상 조성물, 및 그것을 사용한 저항체막, 저항체 소자 및 배선판
CN101528753A (zh) 新型缩合多环芳香族化合物及其制造方法和用途
CN104884526B (zh) 密封用树脂组合物、密封用膜、配线基板、tft元件、oled元件、led元件
JP2011178832A (ja) 紫外線硬化型インクジェット記録用インク、それから得られた絶縁膜、電子素子及び電子素子の製造方法
CN110024483A (zh) 油墨组合物及使用其的有机电场发光元件
US9221980B2 (en) Conductive paste and printed wiring board
CN101687992A (zh) 二胺化合物、聚酰胺酸、可溶性聚酰亚胺、组合物、润湿性变化膜、电极、和制备润湿性变化膜的方法
TW201620837A (zh) 銀微粒子分散物、墨水組成物、銀電極及薄膜電晶體
DE102011006022B4 (de) Tintenzusammensetzung und Verfahren zur Bildung von leitfähigen Merkmalen auf einem Substrat
CN107210365A (zh) 有机半导体元件及其制造方法、有机半导体膜形成用组合物以及有机半导体膜的制造方法
CN105229813A (zh) 有机半导体组合物、有机薄膜晶体管、以及电子纸及显示装置
JP6361059B2 (ja) 銀微粒子分散物、インク組成物、銀電極、及び薄膜トランジスタ
EP2568019B1 (en) Inkjet ink
TW201516179A (zh) 銅薄膜形成組成物
JP2009099916A (ja) 電子デバイスあるいは電子回路の製造装置、電子デバイス基板および電子回路基板
JP2016175860A (ja) ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ
JP2009194084A (ja) 電子デバイスあるいは電子回路の製造装置、電子デバイス基板および電子回路基板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant