KR101668968B1 - 배선 기판 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 배선층의 도전 특성 및 이온 마이그레이션 억제 기능이 우수한 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 배선 기판은, 절연 기판과, 절연 기판 상에 배치된 제 1 금속층, 및 제 1 금속층의 절연 기판과 접촉하고 있지 않은 표면을 덮도록 배치된 제 2 금속층으로 이루어지는 배선층을 갖고, 제 2 금속층의 두께가 배선층의 전체 두께의 1/10 의 두께이고, 배선층이 마이그레이션 억제제를 함유하고, 제 2 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 가 제 1 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 크다.

Description

배선 기판{WIRING BOARD}

본 발명은, 배선 기판에 관련되고, 특히, 마이그레이션 억제제가 노출 표면 부근에 편재되어 있는 배선층을 갖는 배선 기판에 관한 것이다.

종래부터 절연 기판 표면 상에 금속 배선이 배치된 배선 기판이 전자 부재나 반도체 소자 등에 널리 사용되고 있다. 금속 배선을 구성하는 금속으로는, 도전성이 높은 은, 동이 자주 사용되지만, 이들 금속은 이온 마이그레이션이 발생하기 쉽다는 문제가 있다.

이와 같은 금속의 이온 마이그레이션을 방지하는 방법으로서, 금속 배선 중에 소정의 마이그레이션 억제제를 도입하는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1).

일본 공개특허공보 2012-99236호

최근, 반도체 집적 회로나 칩 부품 등의 소형화에 의해, 금속 배선의 미세화가 진행되고 있다. 그 때문에, 배선 기판 중의 금속 배선의 폭 및 간격은 보다 협소화되고 있어, 이온 마이그레이션에 의한 회로의 단선 또는 도통이 더욱 발생하기 쉬워지고 있다. 이와 같은 상황하, 배선 기판 중의 금속 배선간의 절연 신뢰성의 향상이 보다 더 요구되고 있다.

또, 각종 회로나 부품의 성능 향상의 점에서는, 금속 배선의 도전 특성의 향상도 보다 더 요구되고 있다.

특허문헌 1 에 예시된 바와 같은, 소정의 마이그레이션 억제제를 함유하는 조성물을 사용하여 금속 배선을 제조했을 경우, 마이그레이션 억제제가 금속 세선 중에 균일하게 분산되어 있어, 금속 배선간의 절연 신뢰성을 향상시키려고 하여 금속 배선 중에 많은 마이그레이션 억제제를 함유시키면, 금속 배선 내에 있어서 마이그레이션 억제제의 도메인이 많이 형성되어, 결과적으로 금속 배선의 도전 특성이 저하된다.

한편, 금속 배선의 도전 특성을 고려하여, 금속 배선 내에 있어서의 마이그레이션 억제제의 함유량을 줄이면, 도전 특성은 향상되지만 금속 배선간의 절연 신뢰성이 저하된다.

이와 같이, 종래 기술에 있어서는, 배선층의 도전 특성과 이온 마이그레이션 억제 기능 (바꾸어 말하면, 배선층간의 절연 신뢰성) 은 트레이드 오프의 관계에 있는 경우가 많아, 양자를 보다 높은 레벨로 달성하는 기술이 요구되고 있었다.

본 발명은 상기 실정을 감안하여, 배선층의 도전 특성 및 이온 마이그레이션 억제 기능이 우수한 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 예의 검토를 실시한 결과, 배선층 중에 있어서의 마이그레이션 억제제의 분포를 제어함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내었다.

요컨대, 본 발명자들은 이하의 구성에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내었다.

(1) 절연 기판과, 절연 기판 상에 배치된 제 1 금속층, 및 제 1 금속층의 절연 기판과 접촉하고 있지 않은 표면을 덮도록 배치된 제 2 금속층으로 이루어지는 배선층을 갖고, 제 2 금속층의 두께가 배선층의 전체 두께의 1/10 의 두께이고, 배선층이 마이그레이션 억제제를 함유하고, 제 2 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 가 제 1 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 큰 배선 기판.

(2) 마이그레이션 억제제가, 후술하는 일반식 (1A) ∼ (3A) 로 나타내는 화합물, 후술하는 일반식 (6A) ∼ (8A) 로 나타내는 화합물, 비스무트 화합물, 지르코늄 화합물, 마그네슘 화합물, 산화안티몬, 후술하는 일반식 (1) ∼ 일반식 (5) 로 나타내는 화합물, 후술하는 일반식 (22) 로 나타내는 화합물, 후술하는 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물, 및 후술하는 일반식 (24) 로 나타내는 기와 후술하는 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 함유하는 (1) 에 기재된 배선 기판.

(3) 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이, 후술하는 일반식 (6) ∼ 일반식 (21) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 (2) 에 기재된 배선 기판.

(4) 배선층 중의 금속이 금, 은, 동, 및 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 배선 기판.

(5) 절연 기판 상에 측면이 노출되는 세선상의 제 1 금속층이 배치되고, 제 1 금속층의 측면을 포함하는 절연 기판과 접촉하고 있지 않은 표면을 덮도록 제 2 금속층이 배치되어 있는 (1) ∼ (4) 중 어느 하나에 기재된 배선 기판.

(6) (1) ∼ (5) 중 어느 하나에 기재된 배선 기판과, 배선 기판의 배선층 상에 배치된 절연층을 갖는 절연층이 부착된 배선 기판.

(7) 프린트 배선 기판에 사용되는 (1) ∼ (5) 중 어느 하나에 기재된 배선 기판.

본 발명에 의하면, 배선층의 도전 특성 및 이온 마이그레이션 억제 기능이 우수한 배선 기판을 제공할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 배선 기판의 제 1 실시양태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 배선 기판의 제 2 실시양태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 절연층이 부착된 배선 기판의 실시양태를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 4 는 제 1 방법에 의한 배선층의 형성을 설명하기 위한 도이다.
도 5 는 제 2 방법에 의한 배선층의 형성을 설명하기 위한 도이다.

이하에, 본 발명의 배선 기판의 바람직한 양태에 대해 설명한다.

먼저, 본 발명의 종래 기술과 비교한 특징점에 대해 상세히 서술한다.

본 발명에 있어서는, 배선층의 노출 표면 (절연 기재와 접촉하고 있지 않은 표면) 부근에 마이그레이션 억제제를 보다 편재시킴으로써, 통상적으로 트레이드 오프의 관계에 있는 배선층의 도전 특성과 이온 마이그레이션 억제 기능의 양자를 보다 높은 레벨로 양립시킬 수 있다. 보다 구체적으로는, 배선층의 외측 노출 표면 부근에 많은 마이그레이션 억제제를 편재시킴으로써, 배선층의 노출 표면 부근에서 외측으로 석출되는 금속 이온의 확산을 효율적으로 억제할 수 있다. 또, 배선층의 외측 표면 부근에 많은 마이그레이션 억제제를 편재시킴으로써, 배선층 내부에 있어서 금속 이외의 불순물의 양을 저감시킬 수 있어, 결과적으로 배선층 내부에 도통로가 형성되어, 우수한 도전 특성을 달성할 수 있다.

다음으로, 본 발명의 배선 기판의 제 1 실시양태에 대해 도면을 참조하여 상세히 서술한다.

도 1 은 배선 기판의 제 1 실시양태의 모식적 단면도를 나타내고, 배선 기판 (10) 은, 절연 기판 (12) 과, 절연 기판 (12) 상의 전체면에 걸쳐 배치된 배선층 (14) 을 구비한다. 배선층 (14) 은, 제 1 금속층 (14a) 과 제 2 금속층 (14b) 을 갖는다.

이하에, 각 부재 (절연 기판 (12), 배선층 (14)) 에 대해 상세히 서술한다.

[절연 기판]

절연 기판 (12) 은, 절연성이고, 배선층을 지지할 수 있는 것이면, 그 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 유기 기판, 세라믹 기판, 유리 기판 등을 사용할 수 있다.

또, 절연 기판 (12) 은, 유기 기판, 세라믹 기판, 및 유리 기판으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2 개의 기판이 적층한 구조여도 된다.

유기 기판의 재료로는 수지를 들 수 있고, 예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 또는 그것들을 혼합한 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 열경화성 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 푸란 수지, 케톤 수지, 자일렌 수지, 벤조시클로부텐 수지 등을 들 수 있다. 열가소성 수지로는, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌옥사이드 수지, 폴리페닐렌술파이드 수지, 아라미드 수지, 액정 폴리머 등을 들 수 있다.

또한, 유기 기판의 재료로는, 유리 직포, 유리 부직포, 아라미드 직포, 아라미드 부직포, 방향족 폴리아미드 직포나, 이들에 상기 수지를 함침시킨 재료 등도 사용할 수 있다.

[배선층]

배선층 (14) 은, 절연 기판 (12) 상에 배치되는 층이고, 도체부로서 기능한다.

배선층 (14) (바꾸어 말하면, 제 1 금속층 (14a) 또는 제 2 금속층 (14b)) 은, 주로 금속으로 구성되어 있다. 금속의 종류는 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라 적절히 최적인 금속이 선택된다. 그 중에서도, 배선으로서의 기능의 점에서, 은, 동, 금, 알루미늄, 니켈 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다.

도 1 에 있어서, 배선층 (14) 은, 제 1 금속층 (14a) 과, 제 1 금속층 (14a) 상에 배치된 제 2 금속층 (14b) 을 갖는다. 제 2 금속층 (14b) 은, 제 1 금속층 (14a) 의 절연 기판 (12) 과 접하지 않는 표면을 덮고 있다.

제 2 금속층 (14b) 의 두께 (T1) 는, 배선층 (14) 의 전체 두께 (T2) 의 1/10 의 두께에 상당한다. 바꾸어 말하면, 배선층 (14) 중에 있어서의 제 2 금속층 (14b) 은, 배선층 (14) 의 노출 표면으로부터 배선층 (14) 의 전체 두께의 1/10 에 상당하는 깊이 위치까지의 영역에 해당한다.

배선층 (14) 중에 있어서의 제 2 금속층 (14b) 부분의 특정 방법으로는, 절연 기판 (12) 표면에 대해 수직인 방향의 배선층 (14) 의 수직 단면을 전자 현미경 (SEM 또는 TEM) 으로 관찰하여, 배선층 (14) 의 외측 표면 (절연 기판 (12) 과 접촉하고 있지 않은 표면) 으로부터 배선층 (14) 의 전체 두께의 1/10 에 상당하는 깊이 위치까지의 영역을 제 2 금속층 (14b) 으로 한다.

또한, 배선층 (14) 의 전체 두께는, 5 지점 이상의 임의점의 배선층 (14) 의 전체 두께를 측정하고, 그것들을 산술 평균한 것이다.

배선층 (14) 에는 후술하는 마이그레이션 억제제가 함유되고, 제 2 금속층 (14b) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 는, 제 1 금속층 (14a) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 크다. 요컨대, 질량 Y > 질량 X 의 관계 (질량 X/질량 Y 가 1 미만인 관계) 를 만족한다. 상기 관계를 만족하고 있으면, 배선층 (14) 으로부터의 이온 마이그레이션이 억제됨과 함께, 배선층 (14) 의 도전 특성도 우수하다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능과 도전 특성의 밸런스가 보다 우수한 점에서, 제 1 금속층 (14a) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 와, 제 2 금속층 (14b) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 의 비 (X/Y) 는 0.30 미만이 바람직하고, 0.25 이하가 보다 바람직하고, 0.20 이하가 더욱 바람직하다. 또, 후술하는 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제를 사용하는 경우, 비 (X/Y) 는 0.1 이하가 가장 바람직하다.

하한은 특별히 제한되지 않지만, 0 이 가장 바람직하고, 실용상은 0.001 이상이어도 된다.

또한, 비 (X/Y) 의 측정 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 절연 기판 (12) 표면에 대해 수직인 방향의 배선층 (14) 의 수직 단면을 전자 현미경 (SEM 또는 TEM) 으로 관찰하여, 제 1 금속층 (14a) 에 상당하는 영역과 제 2 금속층 (14b) 에 상당하는 영역에 함유되는 성분의 원소 분석을 실시하여, 마이그레이션 억제제 유래의 원소의 양을 비교하여 비 (X/Y) 를 구할 수 있다.

사용되는 마이그레이션 억제제의 종류에 관해서는 후단에서 상세히 서술한다.

배선층 (14) 전체에 함유되는 마이그레이션 억제제의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 배선층 (14) 의 도전 특성의 관점에서, 배선층 (14) 전체 질량에 대하여, 0.01 ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 5 질량％ 가 보다 바람직하다.

제 2 금속층 (14b) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 함유량은 상기 서술한 비 (X/Y) 를 만족하고 있으면 특별히 제한되지 않지만, 배선층 (14) 의 도전 특성의 관점에서, 배선층 (14) 전체 질량에 대하여, 0.1 ∼ 10 질량％ 가 바람직하고, 0.3 ∼ 5.0 질량％ 가 보다 바람직하다.

배선층 (14) 의 두께 (T2) 는, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.001 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 0.01 ∼ 30 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 20 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

배선층 (14) 에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 금속과 마이그레이션 억제제 이외의 성분이 함유되어 있어도 된다. 예를 들어, 바인더 수지 (에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐피롤리돈 등) 가 함유되어 있어도 된다.

배선층 (14) 의 형성 방법은 특별히 제한되지 않고 후단에 있어서 상세히 서술하지만, 금속 미립자 및/또는 마이그레이션 억제제를 함유하는 조성물 (도전 페이스트) 을 사용하여 배선층 (14) 을 형성하는 방법이 바람직하다.

도 1 에 있어서는, 배선층 (14) 은, 절연 기판 (12) 의 편면에만 형성되어 있지만, 양면에 형성되어 있어도 된다. 요컨대, 배선 기판 (10) 은, 편면 기판이어도 되고, 양면 기판이어도 된다. 또한, 절연 기판 (12) 의 양면에 배선층 (14) 이 형성되는 경우에는, 그 스루홀 내에 금속 (예를 들어, 은 또는 은 합금) 이 충전됨으로써, 양면의 배선층 (14) 이 도통되어 있어도 된다.

(마이그레이션 억제제)

마이그레이션 억제제 (마이그레이션 방지제) 는, 배선층 (14) 으로부터 석출되는 금속 이온의 마이그레이션을 억제하는 화합물이고, 상기 서술한 배선층 (14) 중에 함유된다.

마이그레이션 억제제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지된 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 무기 이온 흡착제, 유기 산화 방지제, 유기 이온 흡착제 등이 바람직하다. 이하에, 각각의 화합물에 대해 상세히 서술한다.

무기 이온 흡착제란 금속 이온을 흡착하는 무기 화합물로, 비스무트 화합물, 지르코늄 화합물, 산화안티몬 화합물, 또는 마그네슘 화합물 등을 바람직하게 들 수 있다.

비스무트 화합물로는, 예를 들어, 산화비스무트, 티탄산비스무트, 질산비스무트, 살리실산비스무트, 탄산비스무트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 산화비스무트가 특히 바람직하다.

지르코늄 화합물로는, 예를 들어, 인산지르코늄, 텅스텐산지르코늄, 몰리브덴산지르코늄, 셀렌산지르코늄, 텔루르산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 인산지르코늄이 특히 바람직하다.

산화안티몬 화합물로는, 예를 들어, 오산화안티몬, 삼산화안티몬, 인안티몬산, 안티몬산지르코늄, 안티몬산티탄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 오산화안티몬이 특히 바람직하다.

마그네슘 화합물로는, 인산마그네슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘 등을 들 수 있다.

무기 이온 흡착제로는 2 종의 화합물을 병용해도 되고, 그 중에서도, 비스무트 화합물과, 지르코늄 화합물 및 산화안티몬 화합물 중 적어도 어느 것을 병용하는 것이 바람직하다.

또한, 비스무트 화합물 (A) 와, 지르코늄 화합물 및 산화안티몬 화합물 중 적어도 어느 (B) 의 질량비 (A : B) 는 1 : 0.2 ∼ 1 : 5 가 바람직하고, 1 : 0.5 ∼ 1 : 2 가 보다 바람직하다.

유기 산화 방지제란 금속의 산화를 방지하는 유기 화합물로, 그 종류는 특별히 제한되지 않지만, 그 중에서도, 산화 환원 전위가 0.5 V 이상 2.0 V 이하 (바람직하게는, 0.6 V 이상 1.5 V 이하) 의 화합물인 것이 바람직하다.

유기 산화 방지제의 바람직한 양태로는, 일반식 (1A), 일반식 (2A) 및 일반식 (3A) 로 나타내는 화합물군에서 선택되는 적어도 1 개의 화합물을 들 수 있다.

[화학식 1]

일반식 (1A) 중, R_1a ∼ R_5a 는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 산소 원자를 가지고 있어도 되는 지방족 탄화수소기, 산소 원자를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 또는 이들을 조합한 기가 바람직하다.

지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 또는 이들을 조합한 기에 함유되는 탄소 원자의 수는 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 1 ∼ 40 이 바람직하고, 4 ∼ 20 이 보다 바람직하다.

일반식 (1A) 중, Z 는 수소 원자, 아실기, 또는 RzOC(=O) 기를 나타낸다. Rz 는 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, Z 는 수소 원자가 바람직하다.

아실기 또는 RzOC(=O) 기에 함유되는 탄소 원자의 수는 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 2 ∼ 12 가 바람직하고, 2 ∼ 8 이 보다 바람직하다.

또한, 일반식 (1A) 중, R_1a ∼ R_5a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 4 이상이다. 요컨대, R_1a ∼ R_5a 중 적어도 하나는, 탄소 원자를 함유하는 기 (상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기 등) 이다.

탄소 원자의 합계수가 그 범위이면, 금속의 이온 마이그레이션이 보다 억제되어, 배선층간의 절연 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 그 효과가 보다 우수한 점에서, 합계수는 8 이상이 바람직하고, 10 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성이 보다 용이하고, 배선층 중에서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 합계수는 50 이하가 바람직하고, 40 이하가 보다 바람직하다.

또한, 화합물 중에 있어서, R_1a ∼ R_5a 의 1 개만이 탄소 원자를 함유하는 기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 등) 인 경우에는, 그 기 중의 탄소 원자의 수가 4 이상이면 된다.

또, 화합물 중에 있어서, R_1a ∼ R_5a 중 복수의 기가 탄소 원자를 함유하는 기 (예를 들어, 알킬기, 알콕시기 등) 인 경우에는, 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계가 4 이상이면 된다. 예를 들어, R_1a 및 R_2a 가 알킬기이고, R_3a ∼ R_5a 가 수소 원자인 경우, R_1a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수와 R_2a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계수가 4 이상이면 된다.

또, R_1a ∼ R_5a 는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. 형성되는 고리의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 5 ∼ 6 원자 고리 구조를 들 수 있다.

R_1a ∼ R_5a 에는, 필요에 따라, 공지된 치환기가 추가로 함유되어 있어도 된다. 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 시아노기, 하이드록실기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 헤테로 고리 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시기, 아미노기, 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 또는 아릴술포닐아미노기, 메르캅토기, 알킬티오기, 아릴티오기, 헤테로 고리 티오기, 술파모일기, 술포기, 알킬 또는 아릴술피닐기, 알킬 또는 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아릴 또는 헤테로 고리 아조기, 이미드기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기를 들 수 있다.

일반식 (2A) 중, R_6a ∼ R_8a 는 각각 독립적으로 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다.

지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 또는 이들을 조합한 기에 함유되는 탄소 원자의 수는 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 1 ∼ 40 이 바람직하고, 2 ∼ 20 이 보다 바람직하다.

일반식 (2A) 중, R_6a ∼ R_8a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 6 이상이다. 탄소 원자의 합계수가 그 범위이면, 금속의 이온 마이그레이션이 보다 억제된다. 또한, 그 효과가 보다 우수한 점에서, 합계수는 8 이상이 바람직하고, 10 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성이 보다 용이하고, 배선층 중에서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 합계수는 50 이하가 바람직하고, 40 이하가 보다 바람직하다.

또한, 상기 합계란, 예를 들어, R_6a ∼ R_8a 가 모두 알킬기인 경우, R_6a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수와, R_7a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수와, R_8a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계수가 6 이상이면 된다.

또한, R_6a ∼ R_8a 에는, 필요에 따라, 공지된 치환기가 추가로 함유되어 있어도 된다. 치환기의 예로는, 상기 서술한 R_1a ∼ R_5a 로 치환되는 치환기와 동일한 의미이다.

또한, R_6a ∼ R_8a 는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.

일반식 (3A) 중, R_9a ∼ R_12a 는 각각 독립적으로 헤테로 원자를 함유해도 되는 알킬기, 헤테로 원자를 함유해도 되는 아릴기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다.

알킬기 또는 아릴기에 함유되는 탄소 원자의 수는 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 1 ∼ 40 이 바람직하고, 2 ∼ 20 이 보다 바람직하다.

또한, 알킬기 또는 아릴기에는 헤테로 원자가 함유되어 있어도 된다. 함유되는 헤테로 원자의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 할로겐 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, 텔루르 원자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 우수한 점에서, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 할로겐 원자, 또는 이들을 조합한 기의 양태로 함유되는 것이 바람직하다.

X₁ ∼ X₄ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택된다. 그 중에서도, 취급이 보다 간편한 점에서, 산소 원자, 황 원자가 바람직하다.

상기 R_a, R_b, R_c 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기에서 선택된다.

n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.

일반식 (3A) 중, R_9a ∼ R_12a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 6 이상이다. 탄소 원자의 합계수가 그 범위이면, 금속의 이온 마이그레이션이 보다 억제된다. 또한, 그 효과가 보다 우수한 점에서, 합계수는 8 이상이 바람직하고, 10 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성이 보다 용이하고, 배선층 중에서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 합계수는 50 이하가 바람직하고, 40 이하가 보다 바람직하다.

또한, 상기 합계란, 예를 들어, R_9a ∼ R_12a 가 모두 알킬기인 경우, R_9a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수와, R_10a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수와, R_11a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수와, R_12a 의 알킬기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계수가 6 이상이면 된다.

또한, R_9a ∼ R_12a 는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.

(바람직한 양태)

상기 서술한 일반식 (1A) ∼ (3A) 로 나타내는 화합물 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 일반식 (4A), (5A) 또는 (10A) 로 나타내는 화합물을 바람직하게 들 수 있다.

[화학식 2]

일반식 (4A) 중, Z, R_1a, R_2a, R_3a 의 정의는, 일반식 (1A) 중의 각 기의 정의와 동일한 의미이다.

일반식 (4A) 중, R_14a 및 R_15a 는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 산소 원자를 함유해도 되는 지방족 탄화수소기, 산소 원자를 함유해도 되는 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 3 급 탄소 원자 혹은 4 급 탄소 원자를 함유하는 알킬기인 것이 바람직하다.

지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기에 함유되는 탄소 원자의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1 ∼ 40 이 바람직하고, 2 ∼ 20 이 보다 바람직하다. 특히, R_14a 가 탄소 원자수 1 ∼ 5 개의 알킬기이고, R_15a 가 탄소 원자수 10 ∼ 20 개의 알킬기인 것이 바람직하다.

R_1a, R_2a, R_14a 및 R_15a 중 적어도 1 개에 함유되는 탄소 원자의 수가 1 ∼ 40 인 것이 바람직하다. 탄소 원자의 수가 상기 범위 내이면, 배선층 중에서의 분산성이 향상되어, 결과적으로 이온 마이그레이션 억제 기능이 향상된다. 그 중에서도, 탄소 원자의 수는 8 ∼ 40 이 바람직하고, 10 ∼ 30 이 보다 바람직하다.

또, R_1a, R_2a, R_14a 및 R_15a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 4 이상인 것이 바람직하다. 탄소 원자의 합계수가 그 범위이면, 금속의 이온 마이그레이션이 보다 억제된다. 또한, 그 효과가 보다 우수한 점에서, 합계수는 8 이상이 바람직하고, 10 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성이 보다 용이하고, 배선층 중에서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 합계수는 50 이하가 바람직하고, 40 이하가 보다 바람직하다.

일반식 (5A) 중, Z, R_1a, R_3a, R_4a, R_5a 의 정의는, 일반식 (1A) 중의 각 기의 정의와 동일한 의미이다.

일반식 (10A) 중, R_1a, R_2a, R_3a, R_5a 의 정의는, 일반식 (1A) 중의 각 기의 정의와 동일한 의미이다.

L 은, 산소 원자를 가지고 있어도 되는 2 가 혹은 3 가의 지방족 탄화수소기, 산소 원자를 가지고 있어도 되는 2 가 혹은 3 가의 방향족 탄화수소기, -S-, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다.

지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기에 함유되는 탄소 원자의 수는 특별히 제한되지 않지만, 지방족 탄화수소기는 1 ∼ 40 이 바람직하고, 2 ∼ 20 이 보다 바람직하고, 또 방향족 탄화수소기는 6 ∼ 40 이 바람직하고, 6 ∼ 20 이 보다 바람직하다.

또, 지방족 탄화수소기는, 직사슬형, 분기형, 또는 고리형 중 어느 것이어도 된다.

n 은 2 또는 3 의 정수를 나타낸다.

유기 이온 흡착제란 금속 이온을 흡착하는 유기 화합물로, 그 구조는 특별히 제한되지 않고, 공지된 유기 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 테트라졸 구조, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조 (이후, 복소 고리 구조라고도 칭한다) 와, 메르캅토기와, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 1 개 이상을 갖고, 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수의 합계수) 가 5 이상인 화합물 (이후, SH 기 함유 화합물이라고도 칭한다) 이 바람직하다.

SH 기 함유 화합물은, 테트라졸 구조, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조 및 벤즈이미다졸 구조로 이루어지는 군에서 선택되는 구조를 포함한다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 트리아졸 구조, 티아디아졸 구조가 바람직하다.

또한, 그 구조를 보다 구체적으로 예시하면, 각각 이하의 일반식 (X) ∼ (W) 로 나타낼 수 있다.

[화학식 3]

SH 기 함유 화합물에는 메르캅토기 (HS-) 가 함유된다. 메르캅토기는 금속과 공유 결합을 생성하는 반응성이 풍부하다. 그 메르캅토기는, 상기 트리아졸 구조 등의 복소 고리 구조에 결합한다.

SH 기 함유 화합물 중에 있어서의 메르캅토기의 양은 특별히 제한되지 않지만, 화합물의 전체 분자량 중에 대하여 메르캅토기의 원자량 총량이 차지하는 비율이 50 ％ 이하인 것이 바람직하고, 특히 40 ％ 이하가 바람직하다.

또한, 메르캅토기는 하나뿐만 아니라, 복수 함유되어 있어도 된다.

SH 기 함유 화합물은, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (이후, 간단히 탄화수소기라고도 칭한다) 를 1 개 이상 갖고, 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수 (또한, 복수의 탄화수소기가 있는 경우, 각 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수를 합계한 것을 의미한다) 가 5 이상이다. 그 탄화수소기가 화합물 중에 함유됨으로써, 금속의 이온 마이그레이션을 억제하는 효과도 보다 높아진다.

탄화수소기는 탄소 원자와 수소 원자를 함유하는 기이다. 그 탄화수소기는, 통상적으로 상기 트리아졸 구조 등의 복소 고리 구조에 결합한다. 탄화수소기로는, 보다 구체적으로는, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 들 수 있다.

각 탄화수소기 중의 탄소수는 특별히 제한되지 않고, 후술하는 합계 탄소수가 5 이상을 나타내면 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 4 이상이 바람직하고, 6 이상이 보다 바람직하고, 8 이상이 특히 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 탄소수 30 이하가 바람직하고, 24 이하가 보다 바람직하다.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 4 이상이 바람직하고, 탄소수 6 이상이 보다 바람직하다. 상한은 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서 40 이하가 바람직하다. 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형, 분기 사슬형, 고리형 중 어느 것이어도 되고, 화합물의 배선층 중에 있어서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 직사슬형의 지방족 탄화수소 부분의 탄소 원자수가 18 이하, 또는 제 3 급 또는 제 4 급의 탄소 원자를 함유하는 분기 사슬형인 것이 바람직하다.

방향족 탄화수소기로는, 탄소수 6 이상이 바람직하고, 2 치환 이상의 방향족 탄화수소기가 보다 바람직하다.

상기 복소 고리 구조에 결합하는 모든 탄화수소기 중의 탄소 원자의 합계수는 5 이상을 나타낸다. 탄소 원자의 합계수가 그 범위이면, 이온 마이그레이션이 보다 억제된다. 또한, 그 효과가 보다 우수한 점에서, 합계수는 6 이상이 바람직하고, 8 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 합성이 보다 용이하고, 배선층 중에서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 합계수는 36 이하가 바람직하고, 24 이하가 보다 바람직하다.

또한, 화합물 중에 있어서, 탄화수소기의 수가 1 개인 경우에는, 탄화수소기 중의 탄소 원자의 수가 5 이상이면 된다.

또, 화합물 중에 있어서, 복수의 탄화수소기가 함유되는 경우에는, 각 탄화수소기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계가 5 이상이면 된다. 보다 구체적으로는, 2 개의 탄화수소기 (탄화수소기 A, 탄화수소기 B) 가 화합물 중에 함유되는 경우, 탄화수소기 A 중의 탄소 원자의 수와 탄화수소기 B 중의 탄소 원자의 수의 합계가 5 이상이면 된다.

또한, 상기의 탄소 원자의 합계수는, 이하의 일반식 (A) 로 나타낼 수도 있다.

요컨대, 그 화합물은 일반식 (A) 로 나타내는 합계 탄소수 T_C 가 5 이상이면 된다.

일반식 (A) 중, Ci 는 화합물 중에 함유되는 i 번째의 탄화수소기 중의 탄소수를 나타내고, i 는 1 ∼ n 의 정수를 나타낸다.

탄화수소기에는 헤테로 원자가 함유되어 있어도 된다. 함유되는 헤테로 원자의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 할로겐 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, 텔루르 원자 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 우수한 점에서, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 할로겐 원자, 또는 이들을 조합한 기의 양태로 함유되는 것이 바람직하다.

X₁ ∼ X₄ 는 각각 독립적으로 산소 원자, 황 원자, 셀렌 원자, 및 텔루르 원자로 이루어지는 군에서 선택된다. 그 중에서도, 취급이 보다 간편한 점에서, 산소 원자, 황 원자가 바람직하다.

상기 R_a, R_b, R_c 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 탄화수소기에서 선택된다.

n 은 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다.

또한, 헤테로 원자가 탄화수소기 중에 함유되는 경우, 메르캅토기 (-SH) 등의 양태로 함유되어 있어도 된다.

SH 기 함유 화합물의 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 배선층 중에서의 분산성이 보다 우수한 점에서, 50 ∼ 1000 이 바람직하고, 100 ∼ 600 이 보다 바람직하다.

(바람직한 양태)

SH 기 함유 화합물의 바람직한 양태로는, 이하의 일반식 (6A) ∼ 일반식 (8A) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 그 화합물이면, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수하다. 특히, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 일반식 (6A) 또는 일반식 (7A) 로 나타내는 화합물이 바람직하다.

[화학식 4]

일반식 (6A) 중, R_21a 및 R_22a 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R_21a 및 R_22a 중 적어도 일방은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R_21a 및 R_22a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.

R_21a 및 R_22a 의 바람직한 양태로는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 또는 할로겐 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 그들의 조합) 를 들 수 있다. X₁ ∼ X₄, R_a ∼ R_c, n 의 정의는 상기 서술한 바와 같다. 그 중에서도, SH 기 함유 화합물의 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 아릴기, 또는 -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, 또는 -C(=X₃)X₄- 를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 들 수 있고, R_1a 및 R_2a 중 적어도 어느 일방이 지방족 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다.

또한, 탄화수소기 (지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기) 의 바람직한 양태는, 상기 서술한 바와 같고, 헤테로 원자의 종류도 상기 서술한 바와 같다.

일반식 (6A) 에 있어서, R_21a 및 R_22a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다. 바꾸어 말하면, R_21a 중의 탄소 원자의 수와, R_22a 중의 탄소 원자의 수의 합계수 (합계 탄소수) 가 5 이상이면 된다. 또한, 합계수의 바람직한 양태는, 상기 서술한 바와 같다.

일반식 (7A) 중, R_23a 는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R_23a 중에 함유되는 탄소 원자의 수는 5 이상이다.

그 탄화수소기의 정의는 상기 서술한 바와 같다. 또한, 일반식 (7A) 중에 있어서, 그 탄화수소기의 바람직한 양태로는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 또는 할로겐 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 그들의 조합) 를 들 수 있고, -X₁- 을 갖는 탄화수소기 (특히, 지방족 탄화수소기) 가 보다 바람직하다.

일반식 (8A) 중, R_24a ∼ R_27a 는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타내고, R_24a ∼ R_27a 중 적어도 1 개는 탄화수소기를 나타내고, R_24a ∼ R_27a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다.

그 탄화수소기의 정의는 상기 서술한 바와 같다. 또한, 일반식 (8A) 중에 있어서의 그 탄화수소기의 바람직한 양태로는, -X₁-, -N(R_a)-, -C(=X₂)-, -CON(R_b)-, -C(=X₃)X₄-, -SO_n-, -SO₂N(R_c)-, 또는 할로겐 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기 (예를 들어, 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 그들의 조합) 를 들 수 있고, 이하의 일반식 (9A) 로 나타내는 기가 보다 바람직하다. 그 기이면, SH 기 함유 화합물의 배선층 중에 있어서의 분산성이 보다 우수하여, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 향상된다.

*-L₁-R_30a 일반식 (9A)

일반식 (9A) 중, L₁ 은 단결합, -O-, -NR_31a-, -CO-, -C(R_32a)(R_33a)- 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. R_31a ∼ R_33a 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 지방족 탄화수소기를 나타낸다.

R_30a 는 지방족 탄화수소기, 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. 지방족 탄화수소기 및 방향족 탄화수소기의 바람직한 양태는, 상기 서술한 바와 같다.

또한, 일반식 (9A) 중, * 는 결합 위치를 나타낸다.

일반식 (8A) 에 있어서, R_24a ∼ R_27a 중 적어도 하나는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 탄화수소기를 나타낸다. 그 중에서도, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, R_24a ∼ R_27a 중 1 ∼ 2 개가 그 탄화수소기인 것이 바람직하고, 1 개인 것이 보다 바람직하다.

또, R_24a ∼ R_27a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 5 이상이다. 바꾸어 말하면, R_24a 중의 탄소 원자의 수와, R_25a 중의 탄소 원자의 수와, R_26a 중의 탄소 원자의 수와, R_27a 중의 탄소 원자의 수의 합계수 (합계 탄소수) 가 5 이상이면 된다. 또한, 합계수의 바람직한 양태는, 상기 서술한 바와 같다.

마이그레이션 억제제 (마이그레이션 방지제) 의 다른 바람직한 양태로는, 후술하는 일반식 (1) ∼ (5) 로 나타내는 화합물, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물, 일반식 (24) 로 나타내는 기와 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들 화합물에는 불소 원자가 함유되어 있고, 후술하는 바와 같이 1 액형의 배선층 형성용 조성물 중에 함유시킴으로써, 원하는 마이그레이션 억제제의 분포 상태를 포함하는 배선층을 용이하게 제조할 수 있다.

또한, 상기 서술한 불소 원자가 함유되는 마이그레이션 방지제 (일반식 (1) ∼ (5) 로 나타내는 화합물, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물, 일반식 (24) 로 나타내는 기와 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물) 의 불소 함유율은, 형성되는 배선층의 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수함과 함께, 면상 특성도 보다 우수한 점에서, 20 질량％ 이상 65 질량％ 미만인 것이 바람직하고, 25 ∼ 60 질량％ 가 보다 바람직하고, 30 ∼ 55 질량％ 가 더욱 바람직하다.

또한, 불소 함유율이란, 마이그레이션 방지제의 전체 분자량 중에 있어서의 불소 원자가 차지하는 질량의 비율 (함유율) 을 나타낸 것이다.

이하, 각각의 화합물에 대해 상세히 서술한다.

(일반식 (1) 로 나타내는 화합물)

먼저, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물에 대해 설명한다.

P-(CR₁=Y)_n-Q 일반식 (1)

일반식 (1) 중, P 및 Q 는 각각 독립적으로 OH, NR₂R₃ 또는 CHR₄R₅ 를 나타낸다. 단, n 이 0 일 때, P 및 Q 의 양방이 CHR₄R₅ 인 경우는 없고, P 및 Q 의 양방이 OH 인 경우도 없다. Y 는 CR₆ 또는 질소 원자를 나타낸다.

일반식 (1) 중, R₂ 및 R₃ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다.

질소 원자로 치환 가능한 기로는 질소 원자로 치환할 수 있는 기이면 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 알킬기 (시클로알킬기를 포함한다), 알케닐기 (시클로알케닐기, 비시클로알케닐기를 포함한다), 알키닐기, 아릴기, 복소 고리기, 알킬 및 아릴술피닐기, 알킬 및 아릴술포닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 카르바모일기, 포스피노기, 포스피닐기, 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.

더욱 상세하게는, 알킬기 [직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알킬기를 나타낸다. 그것들은, 알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 30 의 알킬기, 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, t-부틸, n-옥틸, 에이코실, 2-클로로에틸, 2-시아노에틸, 2-에틸헥실), 시클로알킬기 (바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 예를 들어, 시클로헥실, 시클로펜틸, 4-n-도데실시클로헥실), 비시클로알킬기 (바람직하게는, 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 무치환의 비시클로알킬기, 요컨대, 탄소수 5 내지 30 의 비시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 1 가의 기이다. 예를 들어, 비시클로[1.2.2]헵탄-2-일, 비시클로[2.2.2]옥탄-3-일), 또한 고리 구조가 많은 트리시클로 구조 등도 포함하는 것이다. 이하에 설명하는 치환기 중의 알킬기 (예를 들어 알킬티오기의 알킬기) 도 이와 같은 개념의 알킬기를 나타낸다.], 알케닐기 [직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알케닐기를 나타낸다. 그것들은, 알케닐기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알케닐기, 예를 들어, 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 올레일), 시클로알케닐기 (바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 무치환의 시클로알케닐기, 요컨대, 탄소수 3 내지 30 의 시클로알켄의 수소 원자를 1 개 제거한 1 가의 기이다. 예를 들어, 2-시클로펜텐-1-일, 2-시클로헥센-1-일), 비시클로알케닐기 (치환 또는 무치환의 비시클로알케닐기, 바람직하게는, 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 무치환의 비시클로알케닐기, 요컨대 이중 결합을 1 개 갖는 비시클로알켄의 수소 원자를 1 개 제거한 1 가의 기이다. 예를 들어, 비시클로[2.2.1]헵토-2-엔-1-일, 비시클로[2.2.2]옥토-2-엔-4-일) 를 포함하는 것이다.], 알키닐기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알키닐기, 예를 들어, 에티닐, 프로파르길, 트리메틸실릴에티닐기), 아릴기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴기, 예를 들어 페닐, p-톨릴, 나프틸, m-클로로페닐, o-헥사데카노일아미노페닐), 복소 고리기 (바람직하게는 5 또는 6 원자의 치환 또는 무치환의 방향족 또는 비방향족의 복소 고리 화합물로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 1 가의 기이고, 더욱 바람직하게는 탄소수 3 내지 30 의 5 또는 6 원자의 방향족의 복소 고리기이다. 예를 들어, 2-푸라닐, 2-티에닐, 2-피리미디닐, 2-벤조티아졸리닐), 알킬 및 아릴술피닐기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬술피닐기, 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴술피닐기, 예를 들어, 메틸술피닐, 에틸술피닐, 페닐술피닐, p-메틸페닐술피닐), 알킬 및 아릴술포닐기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기, 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기, 예를 들어, 메틸술포닐, 에틸술포닐, 페닐술포닐, p-메틸페닐술포닐), 아실기 (바람직하게는 포르밀기, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐기, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐기, 탄소수 4 내지 30 의 치환 또는 무치환의 탄소 원자로 카르보닐기와 결합하고 있는 복소 고리 카르보닐기, 예를 들어, 아세틸, 피발로일, 2-클로로아세틸, 스테아로일, 벤조일, p-n-옥틸옥시페닐카르보닐, 2-피리딜카르보닐, 2-푸릴카르보닐), 아릴옥시카르보닐기 (바람직하게는, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐기, 예를 들어, 페녹시카르보닐, o-클로로페녹시카르보닐, m-니트로페녹시카르보닐, p-t-부틸페녹시카르보닐), 알콕시카르보닐기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환 알콕시카르보닐기, 예를 들어, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, t-부톡시카르보닐, n-옥타데실옥시카르보닐), 카르바모일기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 카르바모일, 예를 들어, 카르바모일, N-메틸카르바모일, N,N-디메틸카르바모일, N,N-디-n-옥틸카르바모일, N-(메틸술포닐)카르바모일), 포스피노기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 포스피노기, 예를 들어, 디메틸포스피노, 디페닐포스피노, 메틸페녹시포스피노), 포스피닐기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 포스피닐기, 예를 들어, 포스피닐, 디옥틸옥시포스피닐, 디에톡시포스피닐) 를 바람직한 예로서 들 수 있다.

상기의 관능기 중에서, 수소 원자를 갖는 것은, 이것을 제거하고 추가로 치환되어 있어도 된다.

일반식 (1) 에 있어서의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기는, 직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알케닐기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 50, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 30, 특히 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 20 이다.

바람직한 예로는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 시클로프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, sec-부틸, 펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, t-펜틸, 헥실, 시클로헥실, 헵틸, 시클로펜틸, 옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 데실, 도데실, 테트라데실, 헥사데실, 옥타데실, 에이코실, 도코실, 트리아콘틸 등을 들 수 있다. 더욱 바람직하게는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, sec-부틸, t-부틸, 펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, 헥실, 시클로헥실, 옥틸, 2-에틸헥실, 도데실, 헥사데실, 옥타데실이고, 특히 바람직하게는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 부틸, t-부틸, 펜틸, 이소펜틸, 헥실, 시클로헥실, 옥틸, 2-에틸헥실, 도데실, 헥사데실, 옥타데실이다.

또한, 알킬기에는, -CO-, -NH-, -O-, -S-, 또는 이들을 조합한 기 등의 연결기가 함유되어 있어도 된다. 또한, 알킬기 중에 상기 연결기가 함유되는 경우, 그 위치는 특별히 제한되지 않고, 말단이어도 된다. 예를 들어, -S-R_x (R_x : 알킬기) 여도 된다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다.

치환기로는, 할로겐 원자, 알킬기 (시클로알킬기를 포함한다), 알케닐기 (시클로알케닐기, 비시클로알케닐기를 포함한다), 알키닐기, 아릴기, 복소 고리기, 시아노기, 하이드록실기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기, 아릴옥시기, 실릴옥시기, 복소 고리 옥시기, 아실옥시기, 카르바모일옥시기, 알콕시카르보닐옥시기, 아릴옥시카르보닐옥시, 아미노기 (아닐리노기를 포함한다), 아실아미노기, 아미노카르보닐아미노기, 알콕시카르보닐아미노기, 아릴옥시카르보닐아미노기, 술파모일아미노기, 알킬 및 아릴술포닐아미노기, 메르캅토기, 알킬티오기, 아릴티오기, 복소 고리 티오기, 술파모일기, 술포기, 알킬 및 아릴술피닐기, 알킬 및 아릴술포닐기, 아실기, 아릴옥시카르보닐기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아릴 및 복소 고리 아조기, 이미드기, 포스피노기, 포스피닐기, 포스피닐옥시기, 포스피닐아미노기, 실릴기, 또는 이들의 조합을 들 수 있다.

더욱 상세하게는, 치환기로는, 할로겐 원자 (예를 들어, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 알킬기 [(직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알킬기를 나타낸다. 그것들은, 알킬기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 30 의 알킬기, 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, t-부틸, n-옥틸, 에이코실, 2-클로로에틸, 2-시아노에틸, 2-에틸헥실), 시클로알킬기 (바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 무치환의 시클로알킬기, 예를 들어, 시클로헥실, 시클로펜틸, 4-n-도데실시클로헥실), 비시클로알킬기 (바람직하게는, 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 무치환의 비시클로알킬기, 요컨대, 탄소수 5 내지 30 의 비시클로알칸으로부터 수소 원자를 1 개 제거한 1 가의 기이다. 예를 들어, 비시클로[1.2.2]헵탄-2-일, 비시클로[2.2.2]옥탄-3-일), 또한 고리 구조가 많은 트리시클로 구조 등도 포함하는 것이다. 이하에 설명하는 치환기 중의 알킬기 (예를 들어 알킬티오기의 알킬기) 도 이와 같은 개념의 알킬기를 나타낸다.],

알케닐기 [직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알케닐기를 나타낸다. 그것들은, 알케닐기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알케닐기, 예를 들어, 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 올레일), 시클로알케닐기 (바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 무치환의 시클로알케닐기, 요컨대, 탄소수 3 내지 30 의 시클로알켄의 수소 원자를 1 개 제거한 1 가의 기이다. 예를 들어, 2-시클로펜텐-1-일, 2-시클로헥센-1-일), 비시클로알케닐기 (치환 또는 무치환의 비시클로알케닐기, 바람직하게는, 탄소수 5 내지 30 의 치환 또는 무치환의 비시클로알케닐기, 요컨대 이중 결합을 1 개 갖는 비시클로알켄의 수소 원자를 1 개 제거한 1 가의 기이다. 예를 들어, 비시클로[2.2.1]헵토-2-엔-1-일, 비시클로[2.2.2]옥토-2-엔-4-일) 을 포함하는 것이다.], 알키닐기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알키닐기, 예를 들어, 에티닐, 프로파르길, 트리메틸실릴에티닐기),

아릴기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴기, 예를 들어 페닐, p-톨릴, 나프틸, m-클로로페닐, o-헥사데카노일아미노페닐), 복소 고리기 (바람직하게는 5 또는 6 원자의 치환 또는 무치환의 방향족 또는 비방향족의 복소 고리 화합물로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 1 가의 기이고, 더욱 바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 5 원자 또는 6 원자의 방향족의 복소 고리기이다. 예를 들어 2-푸라닐, 2-티에닐, 2-피리미디닐, 2-벤조티아졸리닐),

시아노기, 하이드록실기, 니트로기, 카르복실기, 알콕시기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 혹은 무치환의 알콕시기, 예를 들어, 메톡시, 에톡시, 이소프로폭시, t-부톡시, n-옥틸옥시, 2-메톡시에톡시), 아릴옥시기 (바람직하게는, 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴옥시기, 예를 들어, 페녹시, 2-메틸페녹시, 4-t-부틸페녹시, 3-니트로페녹시, 2-테트라데카노일아미노페녹시), 실릴옥시기 (바람직하게는, 탄소수 3 내지 20 의 실릴옥시기, 예를 들어, 트리메틸실릴옥시, t-부틸디메틸실릴옥시), 복소 고리 옥시기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 복소 고리 옥시기, 1-페닐테트라졸-5-옥시, 2-테트라하이드로피라닐옥시), 아실옥시기 (바람직하게는, 포르밀옥시기, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐옥시기, 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐옥시기, 예를 들어, 포르밀옥시, 아세틸옥시, 피발로일옥시, 스테아로일옥시, 벤조일옥시, p-메톡시페닐카르보닐옥시), 카르바모일옥시기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 카르바모일옥시기, 예를 들어, N,N-디메틸카르바모일옥시, N,N-디에틸카르바모일옥시, 모르폴리노카르보닐옥시, N,N-디-n-옥틸아미노카르보닐옥시, N-n-옥틸카르바모일옥시), 알콕시카르보닐옥시기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환 알콕시카르보닐옥시기, 예를 들어 메톡시카르보닐옥시, 에톡시카르보닐옥시, t-부톡시카르보닐옥시, n-옥틸카르보닐옥시), 아릴옥시카르보닐옥시기 (바람직하게는, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐옥시기, 예를 들어, 페녹시카르보닐옥시, p-메톡시페녹시카르보닐옥시, p-n-헥사데실옥시페녹시카르보닐옥시),

아미노기 (바람직하게는, 아미노기, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬아미노기, 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아닐리노기, 예를 들어, 아미노, 메틸아미노, 디메틸아미노, 아닐리노, N-메틸-아닐리노, 디페닐아미노), 아실아미노기 (바람직하게는, 포르밀아미노기, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐아미노기, 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐아미노기, 예를 들어, 포르밀아미노, 아세틸아미노, 피발로일아미노, 라우로일아미노, 벤조일아미노, 3,4,5-트리-n-옥틸옥시페닐카르보닐아미노), 아미노카르보닐아미노기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아미노카르보닐아미노, 예를 들어, 카르바모일아미노, N,N-디메틸아미노카르보닐아미노, N,N-디에틸아미노카르보닐아미노, 모르폴리노카르보닐아미노), 알콕시카르보닐아미노기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환 알콕시카르보닐아미노기, 예를 들어, 메톡시카르보닐아미노, 에톡시카르보닐아미노, t-부톡시카르보닐아미노, n-옥타데실옥시카르보닐아미노, N-메틸-메톡시카르보닐아미노), 아릴옥시카르보닐아미노기 (바람직하게는, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐아미노기, 예를 들어, 페녹시카르보닐아미노, p-클로로페녹시카르보닐아미노, m-n-옥틸옥시페녹시카르보닐아미노), 술파모일아미노기 (바람직하게는, 탄소수 0 내지 30 의 치환 또는 무치환의 술파모일아미노기, 예를 들어, 술파모일아미노, N,N-디메틸아미노술포닐아미노, N-n-옥틸아미노술포닐아미노), 알킬 및 아릴술포닐아미노기 (바람직하게는 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬술포닐아미노, 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴술포닐아미노, 예를 들어, 메틸술포닐아미노, 부틸술포닐아미노, 페닐술포닐아미노, 2,3,5-트리클로로페닐술포닐아미노, p-메틸페닐술포닐아미노),

메르캅토기, 알킬티오기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬티오기, 예를 들어, 메틸티오, 에틸티오, n-헥사데실티오), 아릴티오기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴티오, 예를 들어, 페닐티오, p-클로로페닐티오, m-메톡시페닐티오), 복소 고리 티오기 (바람직하게는 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 복소 고리 티오기, 예를 들어, 2-벤조티아졸릴티오, 1-페닐테트라졸-5-일티오), 술파모일기 (바람직하게는 탄소수 0 내지 30 의 치환 또는 무치환의 술파모일기, 예를 들어, N-에틸술파모일, N-(3-도데실옥시프로필)술파모일, N,N-디메틸술파모일, N-아세틸술파모일, N-벤조일술파모일, N-(N'-페닐카르바모일)술파모일), 술포기, 알킬 및 아릴술피닐기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬술피닐기, 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴술피닐기, 예를 들어, 메틸술피닐, 에틸술피닐, 페닐술피닐, p-메틸페닐술피닐),

알킬 및 아릴술포닐기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬술포닐기, 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴술포닐기, 예를 들어, 메틸술포닐, 에틸술포닐, 페닐술포닐, p-메틸페닐술포닐), 아실기 (바람직하게는 포르밀기, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 알킬카르보닐기, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴카르보닐기, 탄소수 4 내지 30 의 치환 또는 무치환의 탄소 원자로 카르보닐기와 결합하고 있는 복소 고리 카르보닐기, 예를 들어, 아세틸, 피발로일, 2-클로로아세틸, 스테아로일, 벤조일, p-n-옥틸옥시페닐카르보닐, 2-피리딜카르보닐, 2-푸릴카르보닐), 아릴옥시카르보닐기 (바람직하게는, 탄소수 7 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴옥시카르보닐기, 예를 들어, 페녹시카르보닐, o-클로로페녹시카르보닐, m-니트로페녹시카르보닐, p-t-부틸페녹시카르보닐), 알콕시카르보닐기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환 알콕시카르보닐기, 예를 들어, 메톡시카르보닐, 에톡시카르보닐, t-부톡시카르보닐, n-옥타데실옥시카르보닐),

카르바모일기 (바람직하게는, 탄소수 1 내지 30 의 치환 또는 무치환의 카르바모일, 예를 들어, 카르바모일, N-메틸카르바모일, N,N-디메틸카르바모일, N,N-디-n-옥틸카르바모일, N-(메틸술포닐)카르바모일), 아릴 및 복소 고리 아조기 (바람직하게는 탄소수 6 내지 30 의 치환 또는 무치환의 아릴아조기, 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 무치환의 복소 고리 아조기, 예를 들어, 페닐아조, p-클로로페닐아조, 5-에틸티오-1,3,4-티아디아졸-2-일아조), 이미드기 (바람직하게는, N-숙신이미드, N-프탈이미드), 포스피노기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 포스피노기, 예를 들어, 디메틸포스피노, 디페닐포스피노, 메틸페녹시포스피노), 포스피닐기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 포스피닐기, 예를 들어, 포스피닐, 디옥틸옥시포스피닐, 디에톡시포스피닐), 포스피닐옥시기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 포스피닐옥시기, 예를 들어, 디페녹시포스피닐옥시, 디옥틸옥시포스피닐옥시), 포스피닐아미노기 (바람직하게는, 탄소수 2 내지 30 의 치환 또는 무치환의 포스피닐아미노기, 예를 들어, 디메톡시포스피닐아미노, 디메틸아미노포스피닐아미노), 실릴기 (바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 치환 또는 무치환의 실릴기, 예를 들어, 트리메틸실릴, t-부틸디메틸실릴, 페닐디메틸실릴) 를 나타낸다.

상기의 관능기 중에서, 수소 원자를 갖는 것은, 이것을 제거하고 추가로 상기의 기로 치환되어 있어도 된다. 그러한 관능기의 예로는, 알킬카르보닐아미노술포닐기, 아릴카르보닐아미노술포닐기, 알킬술포닐아미노카르보닐기, 아릴술포닐아미노카르보닐기 등을 들 수 있다. 그 예로는, 메틸술포닐아미노카르보닐, p-메틸페닐술포닐아미노카르보닐, 아세틸아미노술포닐, 벤조일아미노술포닐기 등을 들 수 있다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알케닐기는, 직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알케닐기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 50, 더욱 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 30, 특히 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 20 이다. 바람직한 예로는, 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 올레일, 2-시클로펜텐-1-일, 2-시클로헥센-1-일, 비시클로[2.2.1]헵토-2-엔-1-일, 비시클로[2.2.2]옥토-2-엔-4-일) 등을 들 수 있다. 더욱 바람직하게는, 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 올레일, 2-시클로펜텐-1-일, 2-시클로헥센-1-일이고, 특히 바람직하게는, 비닐, 알릴, 프레닐, 게라닐, 올레일, 2-시클로펜텐-1-일, 2-시클로헥센-1-일이다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알케닐기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

또한, 알케닐기에는, 상기 알킬기와 동일하게, -CO-, -NH-, -O-, -S- 또는 이들을 조합한 기 등의 연결기가 함유되어 있어도 된다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알키닐기는, 직사슬, 분기, 고리형의 치환 또는 무치환의 알키닐기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 50, 더욱 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 30, 특히 바람직하게는 탄소수 2 ∼ 20 이다. 바람직한 예로는, 에티닐, 프로파르길 등을 들 수 있다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알키닐기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

또한, 알키닐기에는, 상기 알킬기와 동일하게, -CO-, -NH-, -O-, -S- 또는 이들을 조합한 기 등의 연결기가 함유되어 있어도 된다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 아릴기는, 치환 또는 무치환의 아릴기를 나타내고, 바람직하게는 탄소수 6 ∼ 50, 더욱 바람직하게는 탄소수 6 ∼ 30, 특히 바람직하게는 탄소수 6 ∼ 20 이다. 바람직한 예로는, 페닐, 2-메틸페닐, 3-메틸페닐, 4-메틸페닐, 2-에틸페닐, 4-에틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 2,4,6-트리메틸페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 2-클로로페닐, 3-클로로페닐, 4-클로로페닐, 2-메톡시페닐, 3-메톡시페닐, 4-메톡시페닐, 2-벤질페닐, 4-벤질페닐, 2-메틸카르보닐페닐, 4-메틸카르보닐페닐 등을 들 수 있다.

더욱 바람직하게는, 페닐, 2-메틸페닐, 4-메틸페닐, 2-에틸페닐, 4-에틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 2,4,6-트리메틸페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 2-클로로페닐, 4-클로로페닐, 2-메톡시페닐, 3-메톡시페닐, 4-메톡시페닐, 2-벤질페닐, 4-벤질페닐 등을 들 수 있고, 특히 바람직하게는, 페닐, 2-메틸페닐, 4-메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 2,4,6-트리메틸페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 2-클로로페닐, 4-클로로페닐, 2-메톡시페닐, 4-메톡시페닐, 2-벤질페닐, 4-벤질페닐 등을 들 수 있다.

R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 아릴기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

R₄ 및 R₅ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

R₄ 및 R₅ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있고, 바람직하게는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 또는 이들을 조합한 기이고, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₄ 및 R₅ 로 나타내는 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

R₁ 및 R₆ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

R₁ 및 R₆ 으로 나타내는 치환기로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있고, 바람직하게는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 또는 이들을 조합한 기이고, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₁ 및 R₆ 으로 나타내는 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

n 은 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. 단, n 이 0 일 때, P 및 Q 의 양자가 모두 OH 인 경우는 없고, CHR₄R₅ 인 경우도 없다. n 이 2 이상의 수를 나타낼 때, (CR₁=Y) 로 나타내는 복수의 원자군은 동일해도 되고 상이해도 된다.

일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 사슬형이어도 되고 고리형이어도 되고, 고리형인 경우에는, R₁, R₂, R₃, R₄, R₅, 또는 R₆ 으로 나타내는 기 중 적어도 2 개의 기가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

또한, 2 개의 기가 결합할 때에는, 단결합, 이중 결합 및 삼중 결합 중 어느 결합 형식이 포함되어 있어도 된다.

또한, R₁ ∼ R₆ 중 적어도 1 개의 기 중에는 불소 원자가 함유된다. 또한, 불소 원자는, 불소 함유율이 상기 서술한 범위가 되도록 함유되는 것이 바람직하다. 불소 원자는, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물의 임의의 탄소 원자로 치환해도 된다.

또한, R₁ ∼ R₆ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 는, 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소 원자는, 플루오로알킬기 (이하, R_f 기라고도 한다) 또는 R_f 기로 치환된 기로서 함유되는 것이 바람직하다. 요컨대, R₁ ∼ R₆ 중 적어도 1 개의 기 중에는, 플루오로알킬기가 함유되는 것이 바람직하다.

R_f 기는, 탄소 원자수 1 내지 14 의 직사슬 혹은 분기의 퍼플루오로알킬기, 또는 탄소 원자수 1 내지 14 의 직사슬 혹은 분기의 퍼플루오로알킬기로 치환된 탄소 원자수 2 내지 20 의 치환기인 것이 바람직하다.

탄소 원자수 1 내지 14 의 직사슬 또는 분기 사슬 퍼플루오로알킬기의 예로는, CF₃-, C₂F₅-, C₃F₇-, C₄F₉-, C₅F₁₁-, (CF₃)₂-CF-(CF₂)₂-, C₆F₁₃-, C₇F₁₅-, (CF₃)₂-CF-(CF₂)₄-, C₈F₁₇-, C₉F₁₉-, C₁₀F₂₁-, C₁₂F₂₅- 및 C₁₄F₂₉- 를 들 수 있다.

탄소 원자수 1 내지 14 의 퍼플루오로알킬기에 의해 치환된 탄소 원자수 2 내지 20 의 치환기의 예로는, (CF₃)₂CF(CF₂)₄(CH₂)₂-, C₉F₁₉CH₂-, C₈F₁₇CH₂CH(OH)CH₂-, C₈F₁₇CH₂CH(OH)CH₂OC=OCH₂-, (CF₃)₂CF(CF₂)₄(CH₂)₂OC=OCH₂-, C₈F₁₇CH₂CH(OH)CH₂OC=O(CH₂)₂-, (CF₃)₂CF(CF₂)₄(CH₂)₂OC=O(CH₂)₂-, (CF₃)₂CFOC₂F₄-, CF₃CF₂CF₂O[CF(CF₃)CF₂O]₄-CF(CF₃)- 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.

R_f 기는 분자 중에 1 내지 4 개 함유되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 서술한 일반식 (1) 로 나타내는 화합물은 2 종 이상 사용해도 된다.

일반식 (1) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (6) ∼ 일반식 (21) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.

또한, 일반식 (6) ∼ 일반식 (21) 로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

[화학식 5]

상기 일반식 (6) 으로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 OH 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 2 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 이중 결합을 형성하여 고리를 형성했을 경우의 화합물이다.

일반식 (6) 에 있어서, V₆ 은 치환기를 나타낸다. a 는 1 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. 또한, V₆ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 요컨대, V₆ 이 1 개인 경우, 그 치환기에는 불소 원자가 함유되고, V₆ 이 2 개 이상인 경우, 적어도 1 개의 V₆ 에 불소 원자가 함유되어 있으면 된다. 불소 원자는, 적어도 1 개의 V₆ 으로 나타내는 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 로 치환하여 도입되는 것이 바람직하다. 그 중에서도, V₆ 중에 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다.

V₆ 으로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (6) 에 복수의 V₆ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

이하에, 일반식 (6) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하, 화합물의 구조식에 병기한 백분율 표시는, 불소 원자의 질량 함률 (불소 함유율) 을 나타내는 것이다.

[화학식 6]

상기 일반식 (7) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 OH 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 1 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (7) 에 있어서, V₇ 은 치환기를 나타낸다. a 는 1 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. 또한, V₇ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 요컨대, V₇ 이 1 개인 경우, 그 치환기에는 불소 원자가 함유되고, V₇ 이 2 개 이상인 경우, 적어도 1 개의 V₇ 에 불소 원자가 함유되어 있으면 된다. 불소 원자는, 적어도 1 개의 V₇ 로 나타내는 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 로 치환하여 도입되는 것이 바람직하다. 그 중에서도, V₇ 중에 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다.

V₇ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (7) 에 복수의 V₇ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

이하에, 일반식 (7) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 7]

상기 일반식 (8) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P 가 OH, Q 가 NR₂R₃ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 2 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 이중 결합을 형성하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (8) 에 있어서, V₈ 은 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₈ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (8) 에 복수의 V₈ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₈₁ 및 R₈₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₈, R₈₁ 및 R₈₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₈, R₈₁ 및 R₈₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₈, R₈₁ 및 R₈₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₈ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₈, R₈₁ 및 R₈₂ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (8) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 8]

일반식 (9) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P 가 OH, Q 가 NR₂R₃ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 1 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (9) 에 있어서, V₉ 는 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₉ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (9) 에 복수의 V₉ 가 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₉₁ 및 R₉₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₉, R₉₁ 및 R₉₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₉, R₉₁ 및 R₉₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₉, R₉₁ 및 R₉₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₉ 가 복수 있는 경우, 복수의 V₉, R₉₁ 및 R₉₂ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (9) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 9]

일반식 (10) 으로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P 가 OH, Q 가 CHR₄R₅ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 2 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 이중 결합을 형성하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (10) 에 있어서, V₁₀ 은 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₀ 으로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (10) 에 복수의 V₁₀ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있고, 바람직하게는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 아릴기이고, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 가 치환기를 나타내는 경우, 이들 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

V₁₀, R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₀, R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 그 중에서도, V₁₀, R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다.

또한, V₁₀ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₁₀, R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (10) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 10]

일반식 (11) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P 가 OH, Q 가 CHR₄R₅ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 1 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (11) 에 있어서, V₁₁ 은 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₁ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (11) 에 복수의 V₁₁ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.

R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있고, 바람직하게는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 아릴기이고, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₁₁₁ 또는 R₁₁₂ 가 치환기를 나타내는 경우, 이들 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

V₁₁, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₁, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₁, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₁ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₁₁, R₁₁₁ 및 R₁₁₂ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (11) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 11]

일반식 (12) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 NR₂R₃ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 2 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 이중 결합을 형성하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (12) 에 있어서, V₁₂ 는 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₂ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (12) 에 복수의 V₁₂ 가 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₂₁, R₁₂₂, R₁₂₃ 및 R₁₂₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₁₂, R₁₂₁, R₁₂₂, R₁₂₃ 및 R₁₂₄ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₂, R₁₂₁, R₁₂₂, R₁₂₃ 및 R₁₂₄ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₂, R₁₂₁, R₁₂₂, R₁₂₃ 및 R₁₂₄ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₂ 가 복수 있는 경우, 복수의 V₁₂, R₁₂₁, R₁₂₂, R₁₂₃ 및 R₁₂₄ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (12) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 12]

일반식 (13) 으로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 NR₂R₃ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 1 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (13) 에 있어서, V₁₃ 은 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₃ 으로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (13) 에 복수의 V₁₃ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₃₁, R₁₃₂, R₁₃₃ 및 R₁₃₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₁₃, R₁₃₁, R₁₃₂, R₁₃₃ 및 R₁₃₄ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₃, R₁₃₁, R₁₃₂, R₁₃₃ 및 R₁₃₄ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₃, R₁₃₁, R₁₃₂, R₁₃₃ 및 R₁₃₄ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₃ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₁₃, R₁₃₁, R₁₃₂, R₁₃₃ 및 R₁₃₄ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (13) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 13]

일반식 (14) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 OH 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 1 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (14) 에 있어서, V₁₄ 는 치환기를 나타낸다. c 는 1 ∼ 2 의 정수 (바람직하게는 11) 를 나타낸다. 또한, V₁₄ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 요컨대, V₁₄ 가 1 개인 경우, 그 치환기에는 불소 원자가 함유되고, V₁₄ 가 2 개 이상인 경우, 적어도 1 개의 V₁₄ 에 불소 원자가 함유되어 있으면 된다. 불소 원자는, 적어도 1 개의 V₁₄ 로 나타내는 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 로 치환하여 도입되는 것이 바람직하다. 그 중에서도, V₁₄ 중에 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

V₁₄ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (14) 에 복수의 V₁₄ 가 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

이하에, 일반식 (14) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 14]

일반식 (15) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P 가 OH, Q 가 NR₂R₃ 이고, Y 가 CR₆ 이고, n 이 1 이고, P 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₁ 및 Q 에 인접하는 탄소 원자 상의 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (15) 에 있어서, V₁₅ 는 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₅ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (15) 에 복수의 V₁₅ 가 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₅₁ 및 R₁₅₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₁₅, R₁₅₁ 및 R₁₅₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₅, R₁₅₁ 및 R₁₅₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₅, R₁₅₁ 및 R₁₅₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₅ 가 복수 있는 경우, 복수의 V₁₅, R₁₅₁ 및 R₁₅₂ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (15) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 15]

일반식 (16) 으로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 NR₂R₃ 이고, n 이 0 이고, R₂ 및 R₃ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (16) 에 있어서, V₁₆ 은 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₆ 으로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (16) 에 복수의 V₁₆ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₆₁ 및 R₁₆₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₁₆, R₁₆₁ 및 R₁₆₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₆, R₁₆₁ 및 R₁₆₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₆, R₁₆₁ 및 R₁₆₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₆ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₁₆, R₁₆₁ 및 R₁₆₂ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (16) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 16]

일반식 (17) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 NR₂R₃ 이고, n 이 0 이고, R₂ 및 R₃ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (17) 에 있어서, V₁₇ 은 치환기를 나타낸다. d 는 0 또는 1 을 나타낸다. V₁₇ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (17) 에 복수의 V₁₇ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₇₁, R₁₇₂ 및 R₁₇₃ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

V₁₇, R₁₇₁, R₁₇₂ 및 R₁₇₃ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₇, R₁₇₁, R₁₇₂ 및 R₁₇₃ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₇, R₁₇₁, R₁₇₂ 및 R₁₇₃ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₇ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₁₇, R₁₇₁, R₁₇₂ 및 R₁₇₃ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (17) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 17]

일반식 (18) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 OH 이고, Y 가 CR₆ 및 질소 원자이고, n 이 3 이고, R₁ 및 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (18) 에 있어서, V₁₈ 은 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₈ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (18) 에 복수의 V₁₈ 이 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₈₁ 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. R₁₈₁ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있고, 바람직하게는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 아릴기이고, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₁₈₁ 이 치환기를 나타내는 경우, 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

V₁₈ 및 R₁₈₁ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₈ 및 R₁₈₁ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₈ 및 R₁₈₁ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₈ 이 복수 있는 경우, 복수의 V₁₈ 및 R₁₈₁ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (18) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 18]

일반식 (19) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 OH 이고, Y 가 CR₆ 및 질소 원자이고, n 이 2 이고, R₁ 및 R₆ 이 서로 결합하여 고리를 형성했을 경우의 일례이다.

일반식 (19) 에 있어서, V₁₉ 는 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수 (바람직하게는 1 ∼ 2 의 정수를 나타내고, 보다 바람직하게는 1) 를 나타낸다. V₁₉ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 일반식 (19) 에 복수의 V₁₉ 가 존재하고 있는 경우, 각각의 기는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₁₉₁ 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. R₁₉₁ 로 나타내는 치환기로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있고, 바람직하게는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 아릴기이고, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₁₉₁ 이 치환기를 나타내는 경우, 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

V₁₉ 및 R₁₉₁ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, V₁₉ 및 R₁₉₁ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, V₁₉ 및 R₁₉₁ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

또한, V₁₉ 가 복수 있는 경우, 복수의 V₁₉ 및 R₁₉₁ 중 적어도 1 개의 기에 불소 원자가 함유된다.

이하에, 일반식 (19) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 19]

일반식 (20) 으로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P, Q 가 각각 NR₂R₃ 이고, n 이 0 인 경우의 일례이다.

일반식 (20) 에 있어서, R₂₀₁, R₂₀₂, R₂₀₃ 및 R₂₀₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

R₂₀₁, R₂₀₂, R₂₀₃ 및 R₂₀₄ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, R₂₀₁, R₂₀₂, R₂₀₃ 및 R₂₀₄ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, R₂₀₁, R₂₀₂, R₂₀₃ 및 R₂₀₄ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

이하에, 일반식 (20) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 20]

일반식 (21) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (1) 에 있어서, P 가 각각 NR₂R₃ 이고, Q 가 OH 이고, n 이 0 인 경우의 일례이다.

일반식 (21) 에 있어서, R₂₁₁ 및 R₂₁₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

R₂₁₁ 및 R₂₁₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, R₂₁₁ 및 R₂₁₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, R₂₁₁ 및 R₂₁₂ 중 적어도 1 개에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

이하에, 일반식 (21) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 21]

또, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물의 가장 바람직한 양태로는, 이하의 일반식 (X1) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.

[화학식 22]

R_x1 및 R_x2 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 12 의 알킬기를 나타낸다.

알킬기 중의 탄소수는, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수한 점에서, 바람직하게는 1 ∼ 8, 보다 바람직하게는 1 ∼ 6, 특히 바람직하게는 1 ∼ 5 이다. 알킬기의 바람직한 구체예로는, 예를 들어, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, t-부틸, 이소부틸, 2,2-디메틸프로필, 헥실, 시클로헥실 등을 들 수 있다.

A 는 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬렌기를 나타낸다. A 로서 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂- 이고, 보다 바람직하게는, -CH₂CH₂- 이다.

X₁₁ 은 수산기를 함유하고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬렌기를 나타낸다. X₁₁ 로서 바람직하게는 -CH₂-_, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)-, -CH₂CH₂CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH(CH₂OH)- 이고, 더욱 바람직하게는 -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH₂CH₂- 이고, 특히 바람직하게는 -CH₂-, -CH₂CH₂- 이다.

Y₁₁ 은 탄소수 4 ∼ 12 의 직사슬형의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다. 바람직한 퍼플루오로알킬기의 예로는, C₄F₉-, C₅F₁₁-, C₆F₁₃-, C₇F₁₅-, C₈F₁₇-, C₉F₁₉-, C₁₀F₂₁-, C₁₂F₂₅- 를 들 수 있다. 탄소수가 상기 범위 내이면, 이온 마이그레이션 억제 기능이 보다 우수하다.

상기 R_x1, R_x2, A, 및 X₁₁ 은 추가로 상기 서술한 치환기를 가지고 있어도 된다.

(일반식 (2) 로 나타내는 화합물)

다음으로, 일반식 (2) 로 나타내는 화합물에 대해 설명한다.

R₇-C(=O)-H 일반식 (2)

본 발명에 있어서 일반식 (2) 로 나타내는 화합물에는, 알데히드체와 헤미아세탈체의 사이에 평형이 존재함으로써 환원성을 나타내는 화합물 (알도스 등) 이나, 로브리·드 브로인-반 엑켄슈타인 전위 반응에 의한 알도스-케토스간의 이성화에 의해 알데히드체를 형성할 수 있는 화합물 (프룩토오스 등) 도 함유한다.

일반식 (2) 중, R₇ 은 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소 고리기, 또는 이들의 기를 조합한 기를 나타낸다.

R₇ 이 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 아릴기를 나타낼 때, 각각의 바람직한 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₇ 이 복소 고리기를 나타낼 때, 바람직하게는 5 또는 6 원자의 치환 또는 무치환의 방향족 또는 비방향족의 복소 고리 화합물로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 1 가의 기이고, 더욱 바람직하게는, 탄소수 3 내지 30 의 5 또는 6 원자의 방향족, 또는 비방향족의 복소 고리기이다. 바람직한 예로는, 2-푸라닐, 2-티에닐, 2-피리미디닐, 2-벤조티아졸릴, 2-벤조옥사졸릴, 2-이미다졸릴, 4-이미다졸릴, 트리아졸릴, 벤조트리아졸릴, 티아디아졸릴, 피롤리디닐, 피페리디닐, 이미다졸리디닐, 피라졸리디닐, 모르폴리닐, 테트라하이드로푸라닐, 테트라하이드로티에닐 등을 들 수 있다.

R₇ 로서 더욱 바람직하게는 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기이고, 특히 바람직하게는, 알킬기, 아릴기이다.

R₇ 로 나타내는 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 또는 복소 고리기는, 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

R₇ 로 나타내는 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 는 불소 원자로 치환되어 있다. 그 중에서도, R₇ 중에는, 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다. 또한, 일반식 (2) 로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

또, R₇ 로 나타내는 기 중에는, 하이드록실기, 또는 -COO- 로 나타내는 기가 함유되어 있어도 된다.

이하에, 일반식 (2) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 23]

(일반식 (3) 으로 나타내는 화합물)

다음으로, 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물에 대해 설명한다.

[화학식 24]

일반식 (3) 중, R₈, R₉ 및 R₁₀ 으로 나타내는 기는, 각각 독립적으로 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소 고리기, 또는 이들의 기를 조합한 기를 나타낸다. 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 및 복소 고리기의 바람직한 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₈, R₉ 및 R₁₀ 으로 나타내는 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

R₈ ∼ R₁₀ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 는 불소 원자로 치환되어 있다. 그 중에서도, R₈ ∼ R₁₀ 중 적어도 1 개의 기 중에는, 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다. 또한, 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

이하에, 일반식 (3) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 25]

(일반식 (4) 로 나타내는 화합물)

다음으로, 일반식 (4) 로 나타내는 화합물에 대해 설명한다.

[화학식 26]

일반식 (4) 중, R₁₁ 및 R₁₂ 는 각각 독립적으로 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소 고리기, 또는 이들의 기를 조합한 기를 나타낸다. 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 및 복소 고리기의 바람직한 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

R₁₁ 및 R₁₂ 로 나타내는 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

R₁₁ ∼ R₁₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 는 불소 원자로 치환되어 있다. 그 중에서도, R₁₁ ∼ R₁₂ 중 적어도 1 개의 기 중에는, 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다. 또한, 일반식 (4) 로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

이하에, 일반식 (4) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 27]

(일반식 (5) 로 나타내는 화합물)

다음으로, 일반식 (5) 로 나타내는 화합물에 대해 설명한다.

Z-SH 일반식 (5)

일반식 (5) 중, Z 는 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 복소 고리기, 또는 이들의 기를 조합한 기를 나타낸다. 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기 및 복소 고리기의 바람직한 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 의 예를 들 수 있다.

Z 로 나타내는 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

Z 로 나타내는 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 는 불소 원자로 치환되어 있다. 그 중에서도, Z 중에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 바람직하다. 또한, 일반식 (5) 로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

일반식 (5) 로 나타내는 화합물은, 일반식 (51) 내지 일반식 (54) 로 나타내는 화합물인 것이 바람직하다.

[화학식 28]

일반식 (51) 에 있어서, R₅₁₁ 은 불소 원자가 함유되는 치환기를 나타낸다.

치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. R₅₁₁ 로 나타내는 기는 추가로 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기의 예로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

또한, R₅₁₁ 에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, R₅₁₁ 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, R₅₁₁ 에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

이하에, 일반식 (51) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 29]

일반식 (52) 에 있어서, R₅₂₁ 및 R₅₂₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. R₅₂₃ 은 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다. 또, 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. R₅₂₁, R₅₂₂ 및 R₅₂₃ 은 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₅₂₁, R₅₂₂ 및 R₅₂₃ 중 적어도 1 개의 기 중에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, R₅₂₁, R₅₂₂ 및 R₅₂₃ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, R₅₂₁, R₅₂₂ 및 R₅₂₃ 중 적어도 1 개의 기 중에는, 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

이하에, 일반식 (52) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 30]

일반식 (53) 에 있어서, R₅₃₁ 은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. R₅₃₂ 는 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다. 또, 치환기로는, 전술한 일반식 (1) 에 있어서 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. R₅₃₁ 및 R₅₃₂ 는 동일해도 되고, 상이해도 되고, 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다.

R₅₃₁ 및 R₅₃₂ 중 적어도 1 개의 기 중에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, R₅₃₁ 및 R₅₃₂ 중 적어도 1 개의 기 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, R₅₃₁ 및 R₅₃₂ 중 적어도 1 개의 기 중에는, 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

이하에, 일반식 (53) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 31]

일반식 (54) 에 있어서, R₅₄₁ 은 불소 원자가 함유되는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. 질소 원자로 치환 가능한 기로는, 전술한 일반식 (1) 의 R₂ 및 R₃ 에 예시한 기를 바람직하게 들 수 있다.

R₅₄₁ 에는 불소 원자가 함유된다. 그 중에서도, R₅₄₁ 중의 일부 또는 전부의 수소 원자 (바람직하게는, 탄소 원자에 결합하고 있는 일부 또는 전부의 수소 원자) 가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하다. 또, R₅₄₁ 에는 상기 서술한 R_f 기가 함유되는 것이 보다 바람직하다.

이하에, 일반식 (54) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 32]

또, 일반식 (5) 로 나타내는 화합물의 가장 바람직한 양태로는, 이하의 일반식 (Y) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.

[화학식 33]

일반식 (Y) 중, R_y1 및 R_y2 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. n1 은 1 또는 2 를 나타내고, 바람직하게는 2 를 나타낸다. n1 이 2 일 때, 복수의 CR_y1R_y2 로 나타내는 단위의 구조는 동일해도 되고 상이해도 된다.

R_y1 및 R_y2 가 알킬기를 나타낼 때, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 30, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 15, 특히 바람직하게는 1 ∼ 6 이고, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, t-부틸, n-옥틸, 에이코실, 클로로메틸, 하이드록시메틸, 아미노에틸, N,N-디메틸아미노메틸, 2-클로로에틸, 2-시아노에틸, 2-하이드록시에틸, 2-(N,N-디메틸아미노)에틸, 2-에틸헥실 등을 바람직하게 들 수 있다.

(CR_y1R_y2)_n1 로 나타내는 구조로서 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)- 이고, 더욱 바람직하게는 -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)- 이고, 특히 바람직하게는 -CH₂CH₂- 이다.

R_y3 및 R_y4 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. m1 은 1 ∼ 6 의 정수를 나타낸다. m1 이 2 이상일 때, 복수의 CR_y3R_y4 로 나타내는 단위의 구조는 동일해도 되고 상이해도 된다. 또, R_y3 및 R_y4 는 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. 또한, 치환기의 정의는 상기 서술한 바와 같다.

(CR_y3R_y4)_m1 로 나타내는 구조로서 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)-, -CH₂CH₂CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH(CH₂OH)- 이고, 더욱 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH₂CH₂- 이고, 특히 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂- 이다.

l1 은 1 ∼ 6 의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, 불소계 수지와의 상용성이 보다 우수한 점에서, 2 ∼ 5 가 바람직하고, 3 ∼ 4 가 보다 바람직하다.

q1 은 0 또는 1 을 나타내고, p1 은 2 또는 3 을 나타내고, p1 + q1 은 3 을 나타낸다. 그 중에서도, 불소계 수지와의 상용성이 보다 우수한 점에서, q1 이 1 이고, p1 이 2 인 것이 바람직하다.

R_y5 는 탄소수 1 ∼ 14 의 퍼플루오로알킬기를 나타낸다. 퍼플루오로알킬기는, 직사슬형이어도 되고 분기 사슬형이어도 된다.

탄소 원자수 1 ∼ 14 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 퍼플루오로알킬기의 예로는, CF₃-, C₂F₅-, C₃F₇-, C₄F₉-, C₅F₁₁-, C₆F₁₃-, C₇F₁₅-, C₈F₁₇-, C₉F₁₉-, C₁₀F₂₁-, C₁₂F₂₅-, C₁₄F₂₉- 등을 들 수 있다.

(일반식 (22) 로 나타내는 화합물)

다음으로, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물에 대해 설명한다. 또한, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

[화학식 34]

일반식 (22) 중, Rf₁ 은 에테르성 산소 원자를 가져도 되는 수소 원자의 적어도 1 개가 불소 원자로 치환된 탄소수 22 이하의 플루오로알킬기, 또는 불소 원자를 나타낸다.

상기 플루오로알킬기 중의 수소 원자는 불소 원자 이외의 다른 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다. 다른 할로겐 원자로는 염소 원자가 바람직하다. 또, 에테르성 산소 원자 (-O-) 는, 플루오로알킬기의 탄소-탄소 결합 고리에 존재해도 되고, 플루오로알킬기의 말단에 존재해도 된다. 또, 플루오로알킬기의 구조는, 직사슬 구조, 분기 구조, 고리 구조, 또는 부분적으로 고리를 갖는 구조를 들 수 있고, 직사슬 구조가 바람직하다.

Rf₁ 로는, 퍼플루오로알킬기 또는 수소 원자 1 개를 함유하는 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 퍼플루오로알킬기가 특히 바람직하다 (단, 에테르성 산소 원자를 갖는 것을 포함한다).

Rf₁ 로는, 탄소 원자수가 4 ∼ 6 인 퍼플루오로알킬기, 또는 에테르성 산소 원자를 갖는 탄소 원자수가 4 ∼ 9 인 퍼플루오로알킬기가 바람직하다.

Rf₁ 의 구체예로는, 이하를 들 수 있다.

Rf₁ 로는, 특히 -(CF₂)CF₃ 또는 -(CF₂)₅CF₃ 이 바람직하다.

X₁ 은 수소 원자, 불소 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.

그 중에서도, 불소 원자, 트리플루오로메틸기가 바람직하다.

L₁ 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬렌기가 바람직하다.

L₂ 는 단결합, 또는 수산기 혹은 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다. 그 중에서도, 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬렌기가 바람직하다.

L₃ 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다. 그 중에서도, 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 2 의 알킬렌기가 바람직하다.

Y₁ 및 Z₁ 은 단결합, -CO₂-, -CO-, -OC(=O)O-, -SO₃-, -CONR₂₂₂-, -NHCOO-, -O-, -S-, -SO₂NR₂₂₂-, 또는 -NR₂₂₂- 를 나타낸다. R₂₂₂ 는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다.

그 중에서도, -CO₂-, -O-, -S-, -SO₂NR₂₂₂-, 또는 -CONR₂₂₂- 가 바람직하다.

R₂₂₁ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 에 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 또는 Rf₁-CFX₁-L₁-Y₁-L₂-Z₁-L₃- 을 나타낸다.

단, Y₁ 및 Z₁ 이 모두 단결합 이외인 경우, L₂ 는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다.

이하에, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 35]

(일반식 (23) 으로 나타내는 화합물)

다음으로, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물에 대해 설명한다. 또한, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

[화학식 36]

일반식 (23) 중, R₂₃₁ 및 R₂₃₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. R₂₃₁ 및 R₂₃₂ 가 알킬기를 나타낼 때, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 30, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 15, 특히 바람직하게는 1 ∼ 6 이고, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, t-부틸, n-옥틸, 에이코실, 클로로메틸, 하이드록시메틸, 아미노에틸, N,N-디메틸아미노메틸, 2-클로로에틸, 2-시아노에틸, 2-하이드록시에틸, 2-(N,N-디메틸아미노)에틸, 2-에틸헥실 등을 바람직하게 들 수 있다.

(CR₂₃₁R₂₃₂)_n 으로 나타내는 구조로서 바람직하게는 -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)- 이고, 더욱 바람직하게는 -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)- 이고, 특히 바람직하게는 -CH₂CH₂- 이다.

R₂₃₃ 및 R₂₃₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

(CR₂₃₃R₂₃₄)_m 으로 나타내는 구조로서, 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(CH₃)-, -CH₂CH₂CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH(CH₂OH)- 이고, 더욱 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂-, -CH₂CH(OH)CH₂-, -CH₂CH₂CH₂- 이고, 특히 바람직하게는, -CH₂-, -CH₂CH₂- 이다.

Y₂ 는 단결합, -CO-, 또는 -COO- 를 나타낸다.

Y₂ 가 단결합 또는 -CO- 일 때, n 은 0 을 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, m 은 0 ∼ 4 가 바람직하고, 1 ∼ 2 가 보다 바람직하다.

Y₂ 가 -COO- 일 때, n 은 1 또는 2 를 나타내고, 바람직하게는 2 를 나타낸다. m 은 1 ∼ 6 의 정수를 나타내고, 1 ∼ 4 가 바람직하고, 1 ∼ 2 가 보다 바람직하다.

Rf₂ 는, 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬 혹은 분기의 퍼플루오로알킬렌기, 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬 혹은 분기의 퍼플루오로에테르기를 나타낸다.

퍼플루오로알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 20 이지만, 2 ∼ 15 가 바람직하고, 3 ∼ 12 가 보다 바람직하다. 퍼플루오로알킬렌기의 구체예로는, 예를 들어, -C₄F₈-, -C₅F₁₀-, -C₆F₁₂-, -C₇F₁₄-, -C₈F₁₆-, -C₉F₁₈-, -C₁₀F₂₀-, -C₁₂F₂₄- 등을 들 수 있다.

퍼플루오로에테르기란, 상기 퍼플루오로알킬렌기 중의 1 지점 이상의 탄소-탄소 원자간, 또는 퍼플루오로알킬렌기의 결합 말단에 에테르성 산소 원자 (-O-) 가 삽입된 기를 의미한다. 퍼플루오로알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 20 이지만, 2 ∼ 15 가 바람직하고, 3 ∼ 12 가 보다 바람직하다. 퍼플루오로에테르기의 구체예로는, -(C_gF_2gO)_h- (식 중, g 는 각각 독립적으로 1 ∼ 20 의 정수이고, h 는 1 이상의 정수이고, g × h ≤ 20 이하의 관계를 만족한다) 로 나타내는 퍼플루오로에테르기를 들 수 있다.

p 는 2 ∼ 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 ∼ 1 의 정수를 나타내고, p + l = 3 의 관계를 만족한다. 그 중에서도, p 가 3 이고, l 이 0 인 것이 바람직하다.

이하에, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 37]

(일반식 (24) 로 나타내는 기와 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물)

다음으로, 일반식 (24) 로 나타내는 기와 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물 (이후, 화합물 X 라고도 칭한다) 에 대해 설명한다. 또한, 화합물 X 에는, 상기 서술한 불소 함유율을 만족하는 불소 원자가 함유되는 것이 바람직하다.

[화학식 38]

일반식 (24) 중, R₂₄₁, R₂₄₂, R₂₄₃ 및 R₂₄₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다. 그 중에서도, 치환기로는 알킬기가 바람직하고, 특히, R₂₄₂ 및 R₂₄₃ 이 알킬기 (특히, tert-부틸기) 인 것이 바람직하다. R₂₄₁ 및 R₂₄₄ 는 수소 원자인 것이 바람직하다.

* 는 결합 위치를 나타낸다.

일반식 (25) 중, X 는 수소 원자, 불소 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. 그 중에서도, 불소 원자, 또는 트리플루오로메틸기가 바람직하다.

Rf 는 에테르성 산소 원자를 가지고 있어도 되는 수소 원자의 적어도 1 개가 불소 원자로 치환된 탄소 원자수 20 이하의 플루오로알킬기, 또는 불소 원자를 나타낸다. Rf 의 정의는, 탄소 원자수가 상이한 점을 제외하고 상기 Rf₁ 과 동일한 의미이고, 바람직한 양태도 동일한 의미이다.

* 는 결합 위치를 나타낸다.

화합물 X 의 바람직한 양태로는, 이하의 일반식 (26) 으로 나타내는 반복 단위 및 일반식 (27) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리머 A 를 들 수 있다.

[화학식 39]

일반식 (26) 및 일반식 (27) 중, R₂₆₁ 및 R₂₆₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 치환 혹은 무치환의 알킬기를 나타낸다.

Z₂ 는 단결합, 에스테르기, 아미드기, 또는 에테르기를 나타낸다.

L₄ 는 단결합 또는 2 가의 유기기를 나타낸다. L₄ 로 나타내는 유기기로는, 직사슬, 분기, 혹은 고리형의 알킬렌기, 방향족기, 또는 이들을 조합한 기인 것이 바람직한 양태의 하나이다. 그 알킬렌기와 방향족기를 조합한 기는, 추가로 에테르기, 에스테르기, 아미드기, 우레탄기, 우레아기를 개재하고 있어도 된다. 그 중에서도, L₄ 중의 총탄소수가 1 ∼ 15 인 것이 바람직하다. 또한, 여기서, 총탄소수란, 예를 들어, L₄ 로 나타내는 치환 혹은 무치환의 2 가의 유기기에 함유되는 총탄소 원자수를 의미한다. 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 페닐렌기, 및 이들의 기가 메톡시기, 하이드록실기, 염소 원자, 브롬 원자, 불소 원자 등으로 치환된 것, 나아가서는, 이들을 조합한 기를 들 수 있다.

L₅ 는 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 불소를 갖지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다. 그 중에서도, 탄소수 2 ∼ 4 의 알킬렌기인 것이 바람직하다.

또한, 일반식 (26) 및 일반식 (27) 중의 R₂₄₁ ∼ R₂₄₄, X 및 Rf 의 정의는, 상기 서술한 바와 같다.

폴리머 A 중에 있어서의 일반식 (26) 으로 나타내는 반복 단위의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 폴리머 중의 전체 반복 단위에 대하여, 5 ∼ 90 몰％ 가 바람직하고, 10 ∼ 70 몰％ 가 보다 바람직하다.

폴리머 A 중에 있어서의 일반식 (27) 로 나타내는 반복 단위의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 폴리머 중의 전체 반복 단위에 대하여, 10 ∼ 95 몰％ 가 바람직하고, 30 ∼ 90 몰％ 가 보다 바람직하다.

폴리머 A 의 중량 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 3,000 ∼ 500,000 이 바람직하고, 5,000 ∼ 100,000 이 보다 바람직하다.

화합물 X 의 다른 바람직한 양태로는, 이하의 일반식 (28) 로 나타내는 기가 추가로 함유되는 것이 바람직하다. * 는 결합 위치를 나타낸다.

*-(R₂₈₁O)_qR₂₈₂ 일반식 (28)

R₂₈₁ 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬렌기를 나타낸다.

R₂₈₂ 는 수소 원자 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기를 나타낸다. 그 중에서도, 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기가 바람직하다. 치환기의 예로는, 전술한 R₂ 및 R₃ 으로 나타내는 알킬기의 치환기를 들 수 있다.

q 는 1 ∼ 210 의 정수를 나타낸다.

일반식 (28) 로 나타내는 기의 바람직한 양태로는, 이하의 일반식 (28-1) 로 나타내는 기를 들 수 있다.

*-(R₂₈₃O)_k(R₂₈₄O)_jR₂₈₂ 일반식 (28-1)

R₂₈₃ 은 에틸렌기를 나타낸다. R₂₈₄ 는 탄소수 3 ∼ 4 의 알킬렌기를 나타낸다.

k 는 0 ∼ 100 의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, 1 ∼ 50 이 바람직하고, 2 ∼ 23 이 보다 바람직하다.

j 는 0 ∼ 100 의 정수를 나타낸다. 그 중에서도, 0 ∼ 50 이 바람직하고, 0 ∼ 23 이 보다 바람직하다.

또한, k + j 는 2 ≤ k + j ≤ 100 을 만족한다.

화합물 X 의 바람직한 양태로는, 상기 일반식 (26) 으로 나타내는 반복 단위, 상기 일반식 (27) 로 나타내는 반복 단위, 및 일반식 (29) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리머 B 를 들 수 있다.

일반식 (26) 및 일반식 (27) 의 설명은 상기 서술한 바와 같다.

[화학식 40]

일반식 (29) 중, R₂₆₃ 은 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 치환 혹은 무치환의 알킬기를 나타낸다.

L₆ 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 10 의 불소 원자를 가지지 않는 2 가의 유기기이다. L₆ 이 상기 유기기인 경우, 직사슬 구조, 분기 구조, 고리 구조, 부분적으로 고리를 갖는 구조의 탄소수 1 ∼ 10 의 옥시알킬렌기인 것이 바람직하다. 옥시알킬렌기로서 구체적으로는, CH₂CH₁₀CH₂O (식 중, C₆H₁₀ 은 시클로헥실렌기이다), CH₂O, CH₂CH₂O, CH₂CH(CH₃)O, CH(CH₃)O, CH₂CH₂CH₂O, C(CH₃)₂O, CH(CH₂CH₃)CH₂O, CH₂CH₂CH₂CH₂O, CH(CH₂CH₂CH₃)O, CH₂(CH₂)₃CH₂O, CH(CH₂CH(CH₃)₂)O 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 탄소수 2 ∼ 4 의 옥시알킬렌기인 것이 바람직하다.

또한, 일반식 (29) 중, R₂₈₁, R₂₈₂, q 의 정의는 상기 서술한 바와 같다.

폴리머 B 중에 있어서의 일반식 (26) 으로 나타내는 반복 단위의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 폴리머 중의 전체 반복 단위에 대하여, 5 ∼ 80 몰％ 가 바람직하고, 10 ∼ 60 몰％ 가 보다 바람직하다.

폴리머 B 중에 있어서의 일반식 (27) 로 나타내는 반복 단위의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 폴리머 중의 전체 반복 단위에 대하여, 10 ∼ 85 몰％ 가 바람직하고, 20 ∼ 70 몰％ 가 보다 바람직하다.

폴리머 B 중에 있어서의 일반식 (29) 로 나타내는 반복 단위의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수한 점에서, 폴리머 중의 전체 반복 단위에 대하여, 10 ∼ 85 몰％ 가 바람직하고, 20 ∼ 70 몰％ 가 보다 바람직하다.

폴리머 B 의 중량 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 이온 마이그레이션 억제능이 보다 우수한 점에서, 3,000 ∼ 500,000 이 바람직하고, 5,000 ∼ 100,000 이 보다 바람직하다.

이하에, 화합물 X 의 구체예를 나타낸다. 단, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 41]

[화학식 42]

다음으로, 본 발명의 배선 기판의 제 2 실시양태에 대해 도면을 참조하여 상세히 서술한다.

도 2 는 배선 기판의 제 2 실시양태의 모식적 단면도를 나타내고, 배선 기판 (100) 은, 절연 기판 (12) 과, 절연 기판 (12) 상에 배치된 2 개의 배선층 (114) 을 구비한다. 배선층 (114) 은, 세선상의 제 1 금속층 (114a) 과, 제 2 금속층 (114b) 을 갖는다.

도 2 에 나타내는 배선 기판 (100) 은, 배선층 (114) 의 형상이 상이한 점을 제외하고, 도 1 에 나타내는 배선 기판 (10) 과 동일한 구성을 갖는 것이므로, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 설명을 생략하며, 주로 배선층 (114) 에 대해 설명한다.

배선층 (114) 은, 세선상의 제 1 금속층 (114a) 과 제 1 금속층 (114a) 의 절연 기판 (12) 과 접하지 않은 표면을 덮는 제 2 금속층 (114b) 을 갖는다.

배선층 (114) 은, 도 1 에 나타내는 배선 기판 (10) 중의 배선층 (14) 에 상당하여 동일한 구성을 갖고, 그 형상만이 상이하다. 요컨대, 제 1 금속층 (114a) 은 도 1 에 나타내는 배선 기판 (10) 중의 제 1 금속층 (14a) 에 상당하고, 제 2 금속층 (114b) 은 도 1 에 나타내는 배선 기판 (10) 중의 제 1 금속층 (14b) 에 상당한다.

보다 구체적으로는, 배선층 (114) 을 구성하는 금속의 종류의 바람직한 양태는, 상기 서술한 제 1 실시형태의 경우와 동일하다.

또, 제 2 금속층 (114b) 의 두께 (T1) 는, 상기 서술한 제 1 실시형태의 경우와 동일하게, 배선층 (114) 의 전체 두께 (T2) 의 1/10 의 두께에 상당한다.

또, 제 2 금속층 (114b) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 는, 제 1 실시형태의 경우와 동일하게, 제 1 금속층 (114a) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 크고, 그 바람직한 양태도 동일하다.

또한, 배선층 (114) 전체에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량의 바람직한 범위, 및 제 2 금속층 (114b) 에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량의 바람직한 범위는, 상기 서술한 제 1 실시형태의 경우와 동일하다.

도 2 에 있어서, 제 1 금속층 (114a) 은 세선상이고, 제 1 금속층 (114a) 을 덮도록 (제 1 금속층 (114a) 의 상면 (16) 과 2 개의 측면 (18) 을 덮도록) 제 2 금속층 (114b) 이 존재한다.

또한, 도 2 에 있어서는, 배선층 (114) 은 수직 단면이 사각형상의 층이지만, 특별히 그 형상은 제한되지 않고 임의의 형상이어도 된다.

도 2 에 있어서, 2 개의 배선층 (114) 이 스트라이프상으로 배치되어 있지만, 그 수 및 배치 패턴은 특별히 제한되지 않는다.

배선층 (114) 의 폭 (W) 은, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.1 ∼ 10000 ㎛ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 100 ㎛ 가 더욱 바람직하고, 0.2 ∼ 50 ㎛ 가 특히 바람직하다.

배선층 (114) 간의 간격 (D) 은, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.1 ∼ 1000 ㎛ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 300 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.1 ∼ 100 ㎛ 가 더욱 바람직하고, 0.2 ∼ 50 ㎛ 가 특히 바람직하다.

배선층 (114) 의 두께 (T2) 는, 배선 기판의 고집적화의 점에서, 0.001 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하고, 0.01 ∼ 30 ㎛ 가 보다 바람직하고, 0.01 ∼ 20 ㎛ 가 더욱 바람직하다.

본 발명의 배선 기판은 여러 가지 용도 및 구조에 대해 사용할 수 있다. 예를 들어, 프린트 배선 기판, 플라즈마 디스플레이 패널용 패널 기판, 태양 전지 전극용 기판, 멤브레인 배선판, 터치 패널 전극용 기판 등을 들 수 있다.

또, 배선 기판은 전자 기기에 포함되는 것이 바람직하다. 전자 기기란, 터치 패널 혹은 멤브레인 스위치나 그것들을 탑재한 텔레비전·모바일 통신 기기·퍼스널 컴퓨터·게임 기기·차재 표시 기기·넷 통신 기기, 조명·표시용 LED, 태양 전지 제어에 관한 전자 배선 기기, RFID 등의 무선 통신 디바이스, 혹은 반도체 배선 기판이나 유기 TFT 배선 기판으로 구동 제어된 기기류를 가리킨다.

본 발명의 배선 기판의 배선층측 상에는, 필요에 따라, 추가로 절연층을 형성해도 된다.

예를 들어, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 상기 서술한 배선 기판 (100) 의 배선층 (114) 측 상에는, 필요에 따라, 추가로 배선층 (114) 을 덮도록 절연층 (20) 을 형성하여, 절연층이 부착된 배선 기판 (200) 을 형성해도 된다. 절연층 (20) 을 형성함으로써, 배선층 (114) 간의 절연 특성이 보다 향상된다.

절연층 (20) 의 재료로는, 공지된 절연성의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아라미드 수지, 결정성 폴리올레핀 수지, 비정성 폴리올레핀 수지, 불소 함유 수지 (폴리테트라플루오로에틸렌, 전체 불소화 폴리이미드, 전체 불소화 아모르퍼스 수지 등), 폴리이미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술파이드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 아크릴레이트 수지 등을 들 수 있다.

또, 절연층 (20) 으로서 이른바 광학용 투명 점착 시트 (OCA) 를 사용해도 된다. OCA 는 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 3M (주) 제조 8171CL 시리즈, 8146 시리즈 등을 들 수 있다.

또, 절연층 (20) 으로서 이른바 솔더레지스트층을 사용해도 된다. 솔더레지스트는 시판품을 사용해도 되고, 예를 들어, 타이요 잉크 제조 (주) 제조 PFR800, PSR4000 (상품명), 히타치 화성 공업 (주) 제조 SR7200G 등을 들 수 있다.

[배선 기판의 제조 방법 (그 1)]

배선 기판의 제조 방법은 상기 서술한 배선층을 형성할 수 있으면 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.

배선 기판의 제조 방법의 바람직한 양태의 하나로는, 금속 미립자를 함유하는 조성물 (도전성 페이스트) 을 절연 기판 상에 도포하고, 필요에 따라 가열 처리를 실시하여 배선층을 제조하는 방법이 바람직하다.

그 중에서도, 배선 기판의 제조 방법의 바람직한 양태의 하나로는, 적어도 금속 미립자를 함유하는 조성물 (도전성 페이스트에 상당. 이후, 조성물 X 라고도 칭한다) 과, 적어도 마이그레이션 억제제를 함유하는 조성물 (이후, 조성물 Y 라고도 칭한다) 의 적어도 2 종의 조성물을 사용하는 방법을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 조성물 X 와 조성물 Y 를 각각 독립한 코팅용 조성물로서 절연 기판 상에 도포하는 방법 (이후, 제 1 방법이라고도 칭한다) 과, 조성물 X 와 조성물 Y 를 혼합하여 이루어지는 혼합 조성물을 절연 기판 상에 도포하는 방법 (이후, 제 2 방법이라고도 칭한다) 을 들 수 있다.

또한, 조성물을 절연 기판 상에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 잉크젯법, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 그라비아 오프셋 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 플렉소 인쇄법 등을 들 수 있다.

이하에, 잉크젯법을 사용한 제 1 방법 및 제 2 방법에 대해 상세히 서술한다.

또한, 후술하는 설명을 용이하게 하기 위해서, 제 1 방법 및 제 2 방법에서 사용되는 조성물 Y 에는 마이그레이션 억제제는 함유되지만, 조성물 X 에는 마이그레이션 억제제는 함유되지 않는 것으로 한다. 또, 배선 기판의 제조 방법에서 사용되는 도전 페이스트의 상세한 것에 대해서는 후술한다.

제 1 방법은, 조성물 X 와 조성물 Y 의 양자의 도포량의 비율을 조절하면서, 동시에 도포하여 절연 기판 상에서 혼합시키는 방법이다. 요컨대, 절연 기판 상에 도포되는 조성물 X 의 양과 조성물 Y 의 양의 비율을 결정하는 제어 공정과, 결정된 비율에 따라 조성물 X 및/또는 조성물 Y 를 절연 기판 상에 도포하여 1 개의 층을 형성하는 형성 공정과, 형성 공정을 반복하여 절연 기판 상에 상기 층을 복수층 적층하여 상기 서술한 배선층을 얻는 적층 공정을 구비하고, 제어 공정에 있어서, 복수층의 두께 방향에 있어서 절연 기판에 가까운 층으로부터 먼 층을 향해 조성물 X 의 비율이 커지고, 또한 조성물 Y 의 비율이 작아지도록 비율을 결정하는 방법이다. 이와 같은 방법을 실시함으로써, 배선층의 외측 표면 부근 (절연 기판으로부터 먼 쪽의 표면 부근) 에 있어서 마이그레이션 억제제를 보다 많이 편재시킬 수 있다.

상기 제 1 방법을 잉크젯법에 의해 실시한 양태를 도 4 를 사용하여 설명한다.

먼저, 스테이지 (22) 상에 절연 기판 (12) 을 재치 (載置) 한다. 스테이지 (22) 는, 통상적으로 절연 기판 (12) 보다 넓은 폭 치수를 가지고 있으며, 도시되지 않은 이동 기구에 의해 수평 방향으로 자유롭게 이동 가능하게 구성되어 있다. 이동 기구로는, 랙 앤드 피니언 기구, 볼 나사 기구 등을 들 수 있다. 또, 도시되지 않은 스테이지 제어부에 의해 이동 기구를 제어하여, 스테이지 (22) 를 원하는 위치로 이동시킬 수 있다.

다음으로, 절연 기판 (12) 을 향해 조성물 X 를 토출하는 잉크젯 헤드 (24) 로부터 조성물 X 를 1 층 또는 수 층분 (層分) 적층하여 제 1 층 (30) 을 형성한다. 이 조성물 X 의 적층은, 도 4(A) 에 나타내는 바와 같이, 이동 기구에 의해 스테이지 (22) 를 이동시키면서 (도면에서는 왼쪽 방향으로 이동), 잉크젯 헤드 (24) 로부터 조성물 X 를 토출한다. 여기서는, 절연 기판 (12) 을 향해 조성물 Y 를 토출하는 잉크젯 헤드 (26) 로부터는 조성물 Y 의 토출은 실시하지 않는다.

토출 종료 후, 필요에 따라, 제 1 층 (30) 을 가열하는 공정을 실시해도 된다. 가열 처리를 실시함으로써, 용매를 제거할 수 있음과 함께, 금속 미립자끼리를 융착시킬 수 있다. 예를 들어, 조성물 X 토출 종료 후, 25 ∼ 250 ℃ (보다 바람직하게는, 80 ∼ 230 ℃) 의 환경 온도로 일정 시간 유지하는 것이 바람직하다.

다음으로, 제 1 층 (30) 상에, 조성물 X 와 조성물 Y 의 혼합층 (32) 을 형성한다. 이 혼합층 (32) 의 형성은, 도 4(B) 에 나타내는 바와 같이, 스테이지 (22) 를 이동시키면서, 잉크젯 헤드 (24) 로부터 조성물 X 를 토출하고, 동시에 잉크젯 헤드 (26) 로부터 조성물 Y 를 토출하여 실시한다. 이 때, 조성물 X 의 토출량과 조성물 Y 의 토출량을 원하는 비율로 조정한다. 여기서는, 조성물 X 의 토출량이 25 ％, 조성물 Y 의 토출량이 75 ％ 가 되도록 각 노즐의 토출량을 조정하여 토출하고 있다.

또한, 각 노즐로부터의 토출량의 조정은, 묘화 (描畵) 의 도트 피치 밀도에 의해 조정해도 된다. 예를 들어, 잉크젯 헤드 (24) 와 잉크젯 헤드 (26) 의 각 노즐의 토출량을 일정하게 한 채로, 잉크젯 헤드 (24) 의 수와 잉크젯 헤드 (26) 의 수를 25 : 75 가 되도록 제어함으로써, 토출량의 비율의 조정을 실시하는 것도 가능하다.

조성물 X 및 조성물 Y 의 토출 후, 도 4(C) 에 나타내는 바와 같이, 각각의 토출량으로 토출된 조성물 X 및 조성물 Y 가 확산 혼합됨으로써, 혼합층 (32) 이 적층된다.

토출 종료 후, 필요에 따라, 혼합층 (32) 을 가열하는 공정을 실시해도 된다. 가열 처리를 실시함으로써, 용매를 제거할 수 있음과 함께, 금속 미립자끼리를 융착시킬 수 있다. 예를 들어, 토출 종료 후, 25 ∼ 250 ℃ (보다 바람직하게는, 80 ∼ 230 ℃) 의 환경 온도로 일정 시간 유지하는 것이 바람직하다.

상기 방법으로 형성된 혼합층 (32) 에서는 조성물 Y 에 함유되어 있던 마이그레이션 억제제가 함유되어, 결과적으로 제 1 층 (30) 과 혼합층 (32) 으로 이루어지는 배선층 (34) 중의 외측에 위치하는 혼합층 (32) 에 마이그레이션 억제제를 편재시킬 수 있다. 요컨대, 조성물 X 및 조성물 Y 중의 마이그레이션 억제제의 농도를 조정함과 함께, 그 도포량 (토출량) 의 비율을 조정하여 복수의 층을 적층함으로써, 상기 서술한 마이그레이션 억제제가 편재된 배선층을 형성할 수 있다.

또한, 도 4 에 있어서는, 제 1 층 (30) 과 혼합층 (32) 의 2 층 적층의 경우에 대해 설명했지만, 적층시키는 층의 수는 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 배선층이 형성되면, 몇 층 적층해도 된다. 또, 제 1 층 (30) 과 혼합층 (32) 이 각각 상기 서술한 제 1 금속층 (14a) (또는 제 1 금속층 (114a)) 과 제 2 금속층 (14b) (또는 제 2 금속층 (114b)) 에 상당하도록, 조성물 X 및 조성물 Y 의 혼합 비율을 조정하여 배선층 (34) 을 형성해도 된다.

또, 상기에서는, 조성물 X 에 마이그레이션 억제제가 함유되지 않는 양태에 대해 설명했지만, 조성물 X 와 조성물 Y 의 양방에 마이그레이션 억제제 및 금속 미립자가 함유되어 있어도 된다.

제 2 방법은, 미리 조성물 X 와 조성물 Y 를 혼합시킨 혼합 조성물로 양자의 비율이 상이한 것을 복수 종류 조제한 것을 준비하고, 그 비율이 상이한 혼합 조성물을 순차 도포하는 방법이다. 요컨대, 조성물 X 와 조성물 Y 의 혼합 비율이 상이한 복수의 혼합 조성물을 준비하는 조제 공정과, 조성물 X 의 비율의 높은 혼합 조성물로부터 순서대로 선택하고, 선택된 혼합 조성물을 절연 기판 상에 도포하여 1 개의 층을 형성하는 형성 공정과, 형성 공정을 반복하여 절연 기판 상에 상기 층을 복수층 적층하여 상기 서술한 배선층을 얻는 적층 공정을 구비하는 방법이다. 이와 같은 방법을 실시함으로써, 배선층의 외측 표면 부근에 있어서 마이그레이션 억제제를 보다 많이 편재시킬 수 있다.

상기 제 2 방법을 잉크젯법에 의해 실시했을 경우를 도 5 를 사용하여 설명한다.

먼저, 스테이지 (22) 상에 절연 기판 (12) 을 재치한다.

다음으로, 절연 기판 (12) 을 향해 조성물 X 를 토출하는 잉크젯 헤드 (24) 로부터 조성물 X 를 1 층 또는 수 층분 적층하여 제 1 층 (30) 을 형성한다. 조성물 X 의 적층은, 제 1 방법과 동일하게, 이동 기구에 의해 스테이지 (22) 를 이동시키면서 (도 5(A) 에서는 왼쪽 방향으로 이동), 잉크젯 헤드 (24) 로부터 조성물 X 를 토출한다.

토출 종료 후, 필요에 따라, 제 1 층 (30) 을 가열하는 공정을 실시해도 된다. 가열 처리를 실시함으로써, 용매를 제거할 수 있음과 함께, 금속 미립자끼리를 융착시킬 수 있다. 예를 들어, 조성물 X 토출 종료 후, 25 ∼ 250 ℃ (보다 바람직하게는, 80 ∼ 230 ℃) 의 환경 온도로 일정 시간 유지하는 것이 바람직하다.

다음으로, 잉크젯 헤드 (28) 로부터 혼합 조성물 (조성물 X 와 조성물 Y 의 혼합 비율이 25 : 75 인 혼합 조성물) 을 제 1 층 (30) 상에 토출하여 혼합층 (32) 을 형성한다. 혼합 조성물의 적층은, 제 1 방법과 동일하게, 이동 기구에 의해 스테이지 (22) 를 이동시키면서 (도 5(B) 에서는 왼쪽 방향으로 이동), 잉크젯 헤드 (28) 로부터 혼합 조성물을 토출한다.

토출 종료 후, 필요에 따라, 혼합층 (32) 을 가열하는 공정을 실시해도 된다. 가열 처리를 실시함으로써, 용매를 제거할 수 있음과 함께, 금속 미립자끼리를 융착시킬 수 있다. 예를 들어, 토출 종료 후, 25 ∼ 250 ℃ (보다 바람직하게는, 80 ∼ 230 ℃) 의 환경 온도로 일정 시간 유지하는 것이 바람직하다.

상기 방법으로 형성된 혼합층 (32) 에서는 조성물 Y 에 함유되어 있던 마이그레이션 억제제가 함유되어, 결과적으로 제 1 층 (30) 과 혼합층 (32) 으로 이루어지는 배선층 (34) 중의 외측에 위치하는 혼합층 (32) 에 마이그레이션 억제제를 편재시킬 수 있다.

또한, 도 5 에 있어서는, 제 1 층 (30) 과 혼합층 (32) 의 2 층 적층인 경우에 대해 설명했지만, 적층시키는 층의 수는 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 배선층이 형성되면 몇 층 적층해도 된다.

또, 상기에서는, 조성물 X 에 마이그레이션 억제제가 함유되지 않는 양태에 대해 설명했지만, 조성물 X 와 조성물 Y 의 양방에 마이그레이션 억제제 및 금속 미립자가 함유되어 있어도 된다.

상기 제 2 방법에서는, 조성물 X 와 조성물 Y 를 혼합한 혼합 조성물을 사용했지만, 금속 미립자와 마이그레이션 억제제의 혼합 비율을 바꾼 조성물을 복수 준비하고, 동일한 순서를 실시하여 배선 기판을 제조해도 된다.

상기 제 1 방법 및 제 2 방법에 관해서는 잉크젯법을 사용한 양태에 대해 상세히 서술했지만, 잉크젯법 대신에 다른 방법 (예를 들어, 스크린 인쇄법, 디스펜서법 등) 을 사용하여, 동일한 순서로 배선층을 제조해도 된다.

상기 서술한 제 1 방법이나 제 2 방법 등에서 사용되는 배선층을 형성하기 위한 조성물 (이후, 도전 페이스트라고도 칭한다) 에는, 통상적으로 금속 미립자가 함유된다. 이와 같은 조성물을 절연 기판 상에 도포하고, 필요에 따라 가열 처리를 실시함으로써, 금속 미립자끼리가 융착하여 그레인을 형성하고, 또한 그레인끼리가 접착·융착하여 배선층 (바꿔 말하면, 제 1 금속층 및 제 2 금속층) 이 형성된다.

금속 미립자를 구성하는 금속의 종류는 특별히 제한되지 않고, 용도에 따라 적절히 최적인 금속의 종류가 선택된다. 그 중에서도, 프린트 배선 기판 등의 배선 회로로서의 점에서, 금, 은, 동, 알루미늄, 니켈 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다.

금속 미립자의 평균 입경은 특별히 제한되지 않고, 도전 페이스트 중에서는, 주로 마이크로오더의 평균 입경을 갖는 금속 미립자 (이후, 금속 마이크로 입자라고도 칭한다), 또는 나노오더의 평균 입경을 갖는 금속 미립자 (이후, 금속 나노 입자라고도 칭한다) 의 2 종이 사용된다.

금속 마이크로 입자의 평균 입경은 특별히 제한되지 않고, 배선층의 도전 특성이 보다 우수한 점에서, 0.5 ∼ 10 ㎛ 가 바람직하고, 1 ∼ 5 ㎛ 가 보다 바람직하다.

금속 나노 입자의 평균 입경은 특별히 제한되지 않고, 배선층의 도전 특성이 보다 우수한 점에서, 5 ∼ 100 ㎚ 가 바람직하고, 10 ∼ 20 ㎚ 가 보다 바람직하다.

또한, 금속 미립자의 평균 입경은, 금속 미립자를 전자 현미경 (SEM 혹은 TEM) 에 의해 관찰하여, 20 개 이상의 금속 미립자의 1 차 입경 (직경) 을 측정하고, 그것들을 산술 평균하여 얻어지는 평균치이다.

또한, 필요에 따라, 금속 미립자의 표면은 보호제에 의해 피복되어 있어도 된다. 보호제에 의해 피복됨으로써, 도전 페이스트 중에서의 금속 미립자의 보존 안정성이 향상된다.

사용되는 보호제의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지된 폴리머 (예를 들어, 폴리비닐피롤리돈 등 측사슬에 자유 전자를 갖는 관능기를 갖는 폴리머) 나, 공지된 계면 활성제 등을 들 수 있다.

그 중에서도, 금속 나노 입자의 경우, 그 표면이 보호제로 덮여 있는 것이 바람직하고, 특히, 열중량 측정 (TGA) 에 있어서 160 ℃ 까지 가열했을 때의 중량 감소율이 30 ％ 이상인 보호제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 보호제이면, 가열 처리를 실시하여 배선층을 형성했을 때, 보호제가 배선층 중에 잔존하기 어려워, 도전 특성이 우수한 배선층이 얻어진다.

도전 페이스트에는, 상기 서술한 마이그레이션 억제제가 함유되어 있어도 된다.

또, 도전 페이스트에는, 필요에 따라, 금속 미립자 및 마이그레이션 억제제 이외에 다른 성분이 함유되어 있어도 된다.

예를 들어, 도전 페이스트에는 수지 바인더가 함유되어 있어도 된다. 수지 바인더가 함유됨으로써, 절연 기판과 배선층의 밀착성이 보다 향상된다. 사용되는 수지 바인더의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐피롤리돈, 또는 실란 커플링제의 반응물 등을 들 수 있다.

또, 도전 페이스트에는 용매가 함유되어 있어도 된다. 사용되는 용매의 종류는 특별히 제한되지 않고, 물 또는 유기 용매를 들 수 있다.

또한, 사용되는 유기 용매로는, 예를 들어, 알코올계 용매 (예를 들어, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, sec-부탄올, 카르비톨, 2-헵탄올, 옥탄올, 2-에틸헥산올, α-테르피네올, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르), 케톤계 용매 (예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논), 탄화수소계 용매 (예를 들어, 헵탄, 옥탄, 도데칸), 방향족 탄화수소 용매 (예를 들어, 톨루엔, 자일렌), 아미드계 용매 (예를 들어, 포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸프로필렌우레아), 니트릴계 용매 (예를 들어, 아세토니트릴, 프로피오니트릴), 에스테르계 용매 (예를 들어, 아세트산메틸, 아세트산에틸), 카보네이트계 용매 (예를 들어, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트), 에테르계 용매, 할로겐계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매를 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.

[배선 기판의 제조 방법 (그 2)]

상기 배선 기판의 제조 방법 (그 1) 이외의 다른 배선 기판의 제조 방법의 바람직한 양태의 하나로는, 상기 서술한 일반식 (1) ∼ 일반식 (5) 로 나타내는 화합물, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물, 및 일반식 (24) 로 나타내는 기와 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 마이그레이션 억제제 (이후, 이들 화합물을 정리하여 「불소 원자 함유 마이그레이션 억제제」 라고도 칭한다) 와, 금속 미립자를 함유하는 도전 페이스트 (배선층 형성용 조성물) 를 사용하여 배선층을 제조하는 방법을 들 수 있다.

상기 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제에는 불소 원자가 함유된다. 그 때문에, 상기 도전 페이스트를 사용하여 배선층을 형성하면, 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제의 표면 에너지가 낮기 때문에, 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제가 배선층의 표면 근방으로 이동하여, 상기 서술한 소정의 마이그레이션 억제제의 농도 분포를 갖는 배선층이 형성된다. 요컨대, 상기 도전 페이스트를 절연 기판 상에 도포하고, 필요에 따라 경화 처리를 실시하는 것만으로 원하는 배선층을 제조할 수 있다.

도전 페이스트 중에 있어서의 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 형성되는 배선층의 도전 특성과 이온 마이그레이션 억제 기능의 밸런스에서, 금속 미립자 전체 질량에 대하여, 0.05 ∼ 5 질량％ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 3 질량％ 가 보다 바람직하다.

도전 페이스트 중에 함유되는 금속 미립자의 정의는 상기 서술한 바와 같다.

또, 도전 페이스트에는, 상기 서술한 용매나 수지 바인더 등이 함유되어 있어도 된다.

절연 기판 상에 대한 도전 페이스트의 도포 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 배선 기판의 제조 방법 (그 1) 에서 서술한 도포 방법 등을 들 수 있다.

또, 도전 페이스트를 도포하여 얻어지는 도막에 대한 경화 처리의 방법도 특별히 제한되지 않고, 상기 서술한 배선 기판의 제조 방법 (그 1) 에서 서술한 가열 처리 등을 들 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해, 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.

<합성예 1 : 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-1 의 합성>

N,N-디메틸-1,3-디아미노프로판 (도쿄 화성, 특급) 2.04 g (20.0 m㏖) 과, n-옥틸아민 (카오, 순도 98 ％) 1.94 g (15.0 m㏖) 과, n-도데실아민 (칸토 화학, 특급) 0.93 g (5.0 m㏖) 을 혼합하고, 이 혼합 용액에 옥살산은 [질산은 (칸토 화학, 1 급) 과 옥살산암모늄 1 수화물 또는 옥살산 2 수화물 (칸토 화학, 특급) 로부터 합성한 것] 6.08 g (20.0 m㏖) 을 첨가하고, 3 분간 교반하여, 옥살산 이온·알킬아민·알킬디아민·은 착화합물을 조제하였다. 이것을 95 ℃ 에서 20 ∼ 30 분 가열 교반하면, 이산화탄소의 발포를 수반하는 반응이 완결되어, 청색 광택을 나타내는 현탁액으로 변화하였다. 이것에 메탄올 (칸토 화학, 1 급) 10 ㎖ 를 첨가하고, 원심 분리에 의해 얻어진 침전물을 자연 건조시키면, 청색 광택의 피복 은 초미립자의 고체물 4.62 g (은 기준 수율 97.0 ％) 이 얻어졌다. 이 고체물을 n-부탄올 (칸토 화학, 특급) 과 n-옥탄 (칸토 화학, 특급) 의 혼합 용매 (4/1 : v/v) 에 6.93 g 으로 분산시켜, 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-1 을 얻었다.

<합성예 2 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-1 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, DL-α 토코페롤 (도쿄 화성사 제조) 0.3 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-1 을 얻었다.

<합성예 3 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-2 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, IRGANOX245 (BASF 사 제조) 0.15 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-2 를 얻었다.

<합성예 4 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-3 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, IRGANOX1135 (BASF 사 제조) 0.15 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-3 을 얻었다.

<합성예 5 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-4 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, 5-Mercapto-1-phenyl-1H-tetrazole (도쿄 화성사 제조) 0.15 g 을 첨가, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-4 를 얻었다.

<마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-2>

마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-2 로서, 폴리머형 도전성 페이스트 LS-450-7H (아사히 화학 연구소 제조) 를 사용하였다.

<합성예 6 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-5 의 합성>

전술한 도전성 페이스트 A-2 (10 g) 에 대해, DL-α 토코페롤 (도쿄 화성사 제조) 0.8 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-5 를 얻었다.

<합성예 7 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-6 의 합성>

전술한 도전성 페이스트 A-2 (10 g) 에 대해, IRGANOX245 (BASF 사 제조) 0.4 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-6 을 얻었다.

<합성예 8 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-7 의 합성>

전술한 도전성 페이스트 A-2 (10 g) 에 대해, IXEPLAS B1 (토아 합성사 제조) 0.4 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-7 을 얻었다.

<마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-3>

마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-3 으로서, 나노 페이스트 NPS (하리마 화성사 제조) 를 사용하였다.

<합성예 9 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-8 의 합성>

전술한 도전성 페이스트 A-3 (10 g) 에 대해, DL-α 토코페롤 (도쿄 화성사 제조) 0.4 g 을 첨가하고, 교반하여, 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-8 을 얻었다.

(합성예 10 : 화합물 M-1)

반응 용기에, 3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피온산 (3.5 g, 12.6 m㏖), 디클로로메탄 (20 ㎖), 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-노나데카플루오로데칸-1-올 (6.3 g, 12.6 m㏖), 테트라하이드로푸란 (10 ㎖), 1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드 염산염 (2.4 g, 12.6 m㏖), 4-디메틸아미노피리딘 (0.05 g, 0.4 m㏖) 을 이 순서로 첨가하였다.

반응 용액을 실온에서 3 시간 교반한 후, 반응 용액에 1 N 염산 (50 ㎖) 을 첨가하고, 아세트산에틸 100 ㎖ 로 추출하였다. 유기층을 포화 식염수로 세정하고, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 고형분을 여과 분리한 후, 감압 농축하여, 백색의 조 (粗) 결정을 얻었다. 메탄올로 재결정을 실시하여, 화합물 M-1 을 6.0 g 얻었다 (수율 63 ％).

얻어진 화합물 M-1 의 ¹H-NMR 스펙트럼은 이하와 같다.

¹H-NMR (용매 : 중클로로포름, 기준 : 테트라메틸실란)

6.98 (2H, s), 5.09 (1H, s), 4.59 (2H, t), 2.90 (2H, t), 2.71 (2H, t), 1.43 (9H, s)

¹H-NMR 의 데이터에 있어서, 각 프로톤의 피크가 특징적인 위치에 관찰되는 점에서, 화합물 M-1 이라고 동정하였다.

[화학식 43]

(합성예 11 : 화합물 M-2)

반응 용기에, 1,3,4-티아디아졸-2,5-디티올 (와코우 순약 제조) (4.0 g, 26.6 m㏖), 테트라하이드로푸란 (80 ㎖) 을 첨가하여 완전히 용해시켰다. 그 후, 아크릴산3,3,4,4,5,5,6,6,7,8,8,8-도데카플루오로-7-(트리플루오로메틸)옥틸 (12.5 g, 26.6 m㏖) 을 적하 깔때기로부터 0.5 시간에 걸쳐 반응 용액에 적하하였다. 반응 용액을 65 ℃ 에서 6 시간 교반 후, 실온까지 냉각시켜, 반응 용액을 감압 농축하였다. 반응 용액에 헥산 200 ㎖ 를 첨가하고, 빙욕 (氷浴) 에서 냉각시켜, 조결정 16 g 을 얻었다. 조결정 중 8 g 을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (이동상 : 헥산/아세트산에틸 = 2/1 ∼ 1/1) 로 정제하여, 본 발명의 화합물 M-2 를 6 g 얻었다 (수율 72 ％).

얻어진 화합물 M-2 의 ¹H-NMR 스펙트럼은 이하와 같다.

¹H-NMR (용매 : 중클로로포름, 기준 : 테트라메틸실란)

11.1 (1H, br), 4.44 (2H, t), 3.40 (2H, t), 2.85 (2H, t), 2.49 (2H, t), 2.49 (2H, m)

¹H-NMR 의 데이터에 있어서, 각 프로톤의 피크가 특징적인 위치에 관찰되는 점에서, 화합물 M-2 라고 동정하였다.

[화학식 44]

(합성예 12 : 화합물 M-3)

반응 용기에, 1H-벤조트리아졸-5-카르복실산 (1.5 g, 9.19 m㏖), 테트라하이드로푸란 (27 ㎖), 디메틸포름아미드 (3 ㎖), 3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로-1-옥탄올 (3.35 g, 9.19 m㏖), 1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드 염산염 (1.76 g, 9.19 m㏖), 4-디메틸아미노피리딘 (0.11 g, 0.91 m㏖) 을 이 순서로 첨가하였다. 70 ℃ 에서 24 시간 교반한 후, 물 50 ㎖ 를 첨가하고, 아세트산에틸 100 ㎖ 로 추출하였다. 유기층을 포화 식염수로 세정하고, 유기층을 황산마그네슘으로 건조시켰다. 고형분을 여과 분리한 후, 용액을 감압 농축하였다. 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (이동상 : 헥산/아세트산에틸 = 2/1) 로 정제하여, 화합물 M-3 을 3.1 g 얻었다 (수율 66 ％).

[화학식 45]

(합성예 13 : 화합물 M-4)

하기 스킴에 따라 화합물 M-4A 를 합성하였다.

[화학식 46]

반응 용기에, 1,3,4-티아디아졸-2,5-디티올 (와코우 순약 제조) (4.0 g, 26.6 m㏖), 테트라하이드로푸란 (80 ㎖) 을 첨가하여 완전히 용해시켰다. 아크릴산3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로옥틸 (11.13 g, 26.6 m㏖) 을 적하 깔때기로부터 0.5 시간에 걸쳐 적하하였다. 65 ℃ 에서 6 시간 교반 후, 실온까지 냉각시켜, 용액을 감압 농축하였다. 반응 혼합물에 헥산 200 ㎖ 를 첨가하고, 빙욕에서 냉각시켜, 조결정 15 g 을 얻었다. 조결정 중 7.5 g 을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (이동상 : 헥산/아세트산에틸 = 2/1 ∼ 1/1) 로 정제하여, 화합물 M-4A 를 6 g 얻었다 (수율 79 ％).

다음으로, 얻어진 화합물 M-4A 를 사용하여, 하기 스킴에 따라 화합물 M-4 를 합성하였다.

[화학식 47]

반응 용기에, 화합물 M-4A (3.0 g, 5.28 m㏖), 아세트산에틸 (20 ㎖) 을 첨가하여 완전히 용해시켰다. 요오드화나트륨 (79.1 mg, 0.528 m㏖) 과 30 ％ 과산화수소 (22.11 m㏖, 2.39 g) 를 이 순서로 첨가하고, 실온에서 1 시간 교반하였다. 석출한 결정을 100 ㎖ 의 물로 세정하고, 얻어진 조결정 2.7 g 을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (이동상 : 헥산/아세트산에틸 = 2/1 ∼ 1/1) 로 정제하여, 화합물 M-4 를 2.4 g 얻었다 (수율 80 ％).

얻어진 본 발명의 화합물 M-4 의 NMR 스펙트럼은 이하와 같았다.

¹H-NMR (용매 : 중클로로포름, 기준 : 테트라메틸실란) : 4.43 (2H, t), 3.60 (2H, t), 2.95 (2H, t), 2.49 (2H, m)

¹H-NMR 의 데이터에 있어서, 각 프로톤의 피크가 특징적인 위치에 관찰되는 점에서, 화합물 M-4 라고 동정하였다.

[화학식 48]

(합성예 14 : 화합물 M-5)

300 ㎖ 의 3 구 플라스크에, 4-메틸-2-펜타논 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 27.3 g 을 넣고, 질소 기류하, 80 ℃ 까지 가열하였다. 거기에, 아크릴산3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로-옥틸 37.6 g, 글리시딜메타크릴레이트 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 1.42 g, V-601 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 0.92 g, 4-메틸-2-펜타논 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 63.8 g 용액을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 2 시간 교반 후, 90 ℃ 로 승온시키고, 추가로 2 시간 교반하였다. 상기의 반응 용액에, 3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피온산 3.34 g, 디메틸도데실아민 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 0.21 g 을 첨가하고, 120 ℃ 로 가열하여 24 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 헥산 500 ㎖, 아세트산에틸 500 ㎖ 를 첨가하고, 유기층을 5 ％ 시트르산 수용액 300 ㎖ 로 세정 후, 5 ％ 암모니아 수용액 300 ㎖ 로 세정하였다. 추가로, 5 ％ 시트르산 수용액 300 ㎖ 로 세정 후, 물 300 ㎖ 로 세정하였다. 유기층을 감압 농축 후, 헥산으로 재침을 실시하고, 감압하에서 건조시켜, 화합물 M-5 (Mw = 7,000) 를 30 g 얻었다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 법으로 측정된 폴리스티렌 환산치이다. 중량 평균 분자량의 GPC 법에 의한 측정은, 폴리머를 테트라하이드로푸란에 용해시키고, 토소 (주) 제조 고속 GPC (HLC-8220GPC) 를 사용하고, 칼럼으로서 TSKgel SuperHZ4000 (TOSOH 제조, 4.6 mmI.D. × 15 ㎝) 을 사용하고, 용리액으로서 THF (테트라하이드로푸란) 를 사용하여 실시하였다.

화합물 M-5 는 일반식 (24) 로 나타내는 기와 일반식 (25) 로 나타내는 기를 갖는 화합물에 해당한다.

(합성예 15 : 화합물 M-6)

300 ㎖ 의 3 구 플라스크에, 1-메톡시-2-프로판올 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 14.3 g 을 넣고, 질소 기류하, 80 ℃ 까지 가열하였다. 거기에, 아크릴산3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-트리데카플루오로-옥틸 4.81 g, 글리시딜메타크릴레이트 (도쿄 화성 공업 (주) 제조) 1.56 g, 브렘머 AE-400 (닛폰 유지사 제조) 14.09 g, V-601 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 0.46 g, 1-메톡시-2-프로판올 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 33.4 g 용액을 4 시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후, 2 시간 교반 후, 90 ℃ 로 승온시키고, 추가로 2 시간 교반하였다. 상기의 반응 용액에, 3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피온산 3.67 g, 디메틸도데실아민 (와코우 순약 공업 (주) 제조) 0.23 g 을 첨가하고, 120 ℃ 로 가열하여 24 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 감압 농축 후 물 200 g 으로 희석하였다. 반응액을 필터 여과한 후, 60 ℃ 로 가열하고, 분리한 폴리머 용액을 취출하여, 화합물 M-6 (Mw = 8,000) 의 35 w％ 수용액 45 g 을 얻었다.

중량 평균 분자량은, GPC (겔 퍼미에이션 크로마토그래피) 법으로 측정된 폴리스티렌 환산치이다. 중량 평균 분자량의 GPC 법에 의한 측정은, 폴리머를 테트라하이드로푸란에 용해시키고, 토소 (주) 제조 고속 GPC (HLC-8220GPC) 를 사용하고, 칼럼으로서 TSKgel SuperHZ4000 (TOSOH 제조, 4.6 mmI.D. × 15 ㎝) 을 사용하고, 용리액으로서 THF (테트라하이드로푸란) 를 사용하여 실시하였다.

화합물 M-6 은, 일반식 (24) 로 나타내는 기와, 일반식 (25) 로 나타내는 기와, 일반식 (28) 로 나타내는 기를 갖는 화합물에 해당한다.

<합성예 16 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-9 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, 합성예 10 으로 얻어진 화합물 M-1 (0.12 g) 을 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-9 를 얻었다.

<합성예 17 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-10 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, 상기 합성예 11 로 얻어진 화합물 M-2 (0.12 g) 를 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-10 을 얻었다.

<합성예 18 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-11 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, 상기 합성예 12 로 얻어진 화합물 M-3 (0.12 g) 을 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-11 을 얻었다.

<합성예 19 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-12 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, 상기 합성예 13 으로 얻어진 화합물 M-4 (0.12 g) 를 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-12 를 얻었다.

<합성예 20 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-13 의 합성>

합성예 1 로 얻어진 도전성 페이스트 A-1 (11.55 g) 에 대해, 상기 합성예 14 로 얻어진 화합물 M-5 (고분자형) (0.12 g) 를 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-13 을 얻었다.

<합성예 21 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-14 의 합성>

플로우 메탈 SW-1020 (반도 화학사 제조 : 도전성 페이스트 A-4, 11.55 g) 에 대해, 합성예 15 로 얻어진 화합물 M-6 (고분자형) (0.12 g) 을 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-14 를 얻었다.

<합성예 22 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-15 의 합성>

전술한 도전성 페이스트 A-2 (10 g) 에 대해, 합성예 10 으로 얻어진 화합물 M-1 (0.12 g) 을 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-15 를 얻었다.

<합성예 23 : 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-16 의 합성>

전술한 도전성 페이스트 A-2 (10 g) 에 대해, 합성예 12 로 얻어진 화합물 M-3 (0.12 g) 을 첨가하고, 교반하여 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-16 을 얻었다.

<실시예 1 ∼ 4 및 비교예 1 ∼ 2 : 잉크젯에 의한 배선 형성>

머티리얼 프린터 DMP-2831 (FUJIFILM Dimatix 사 제조) 을 사용하여, 토출량 : 10 pL, 토출 간격 : 50 ㎛ 의 조건으로, 유리 기판 상에 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A 를 L/S = 75/75 ㎛ 의 빗 형상으로 묘화를 실시하고, 이것을 3 층분 중첩하여 묘화를 실시하였다. 다음으로, 그 동 위치에 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B 를 동 패턴으로 1 층분의 묘화를 실시하였다. 그 후, 오븐으로 230 ℃, 1 시간 베이크를 실시하여, 시험용 배선 기판을 제조하였다.

또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 도전성 페이스트 A 및 도전성 페이스트 B 로는, 후술하는 표 1 에 기재된 상기 도전 페이스트를 각각 사용하였다. 또, 본 방법은, 표 1 의 「배선 형성 방법」 란에 있어서 「IJ」 로 표기한다.

<실시예 5 : 잉크젯에 의한 배선 형성 2>

머티리얼 프린터 DMP-2831 (FUJIFILM Dimatix 사 제조) 을 사용하여, 토출량 : 10 pL, 토출 간격 : 50 ㎛ 의 조건으로, 유리 기판 상에 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A-1 을 L/S = 75/75 ㎛ 의 빗 형상으로 묘화를 실시하고, 이것을 3 층분 중첩하여 묘화를 실시하였다. 다음으로, 토출 간격을 100 ㎛ 로 변경하고, 추가로 1 층분 도전성 페이스트 A-1 의 묘화를 실시하며, 그 동 위치에 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B-1 을 동 패턴, 토출 간격 : 100 ㎛ 의 조건으로 1 층분의 묘화를 실시하였다. 그 후, 오븐으로 230 ℃, 1 시간 베이크를 실시하여, 시험용 배선 기판을 제조하였다.

또, 본 방법은, 표 1 의 「배선 형성 방법」 란에 있어서 「IJ2」 로 표기한다.

<실시예 6 ∼ 9 및 비교예 3 ∼ 6 : 스크린 인쇄에 의한 배선 형성>

DP-320 형 스크린 인쇄기 (뉴롱 정밀 공업 주식회사 제조) 를 사용하여, 유리 기판 상에 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A 를 L/S = 75/75 ㎛ 의 빗 형상으로 인쇄를 실시하고 (300 메시 스크린을 사용), 그 동 위치에 마이그레이션 억제제를 함유하는 도전성 페이스트 B 를 동 패턴으로 인쇄를 실시하였다 (500 메시 스크린을 사용). 그 후, 오븐으로 230 ℃, 1 시간 베이크를 실시하여, 시험용 배선 기판을 제조하였다.

또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 도전성 페이스트 A 및 도전성 페이스트 B 는 후술하는 표 1 에 기재된 종류를 각각 사용하였다. 또, 본 방법은, 표 1 의 「배선 형성 방법」 란에 있어서 「스크린」 으로 표기한다.

<시험용 배선 막두께 측정 방법>

제조한 시험용 배선 기판을 에폭시 수지로 포매 (包埋) 하고, 연마에 의한 단면 노출을 실시한 후, S-3000N (HITACHI 사 제조 SEM) 을 사용하여 단면을 관찰하여, 배선층의 층두께의 측정을 실시하였다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.

또한, 각 시험용 배선 기판 중의 배선층의 노출 표면으로부터 배선층의 전체 두께의 1/10 에 상당하는 깊이 위치까지의 영역을 제 2 금속층으로 하고, 나머지 부분을 제 1 금속층으로 하였다.

<제 1 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 와, 제 2 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 의 비 (X/Y) 의 측정 방법>

전술한 SEM 사진과, INCA PentaFETx3 (OXFORD 사 제조 EDX) 을 사용하여, 마이그레이션 억제제의 존재부의 검출을 실시하여, 제 1 금속층과 제 2 금속층에 있어서의 검출 강도, 면적비로부터 질량 X 와 질량 Y 의 비 (X/Y) 를 구하였다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다.

<도전성 평가 방법>

얻어진 시험용 배선 기판의 도전성 평가를 저항률계 로레스타 EP MCP-T360 (미츠비시 화학 애널리텍사 제조) 을 사용하여 실시하였다.

평가 방법으로서, 제조한 시험용 배선 기판의 저항 측정치를 R1, 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A 만으로 제조한 비교용 배선 기판 (도전성 페이스트 B 를 사용하는 부분을 도전성 페이스트 A 로 대체한 것) 의 저항 측정치를 R2 로 하고, 그 변화 비율 R1/R2 를 계산하였다. 이하의 기준에 따라 평가하였다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다. 또한, 실용상은 C 이상이 사용 가능하고, B 이상이 바람직하다.

「A」 : R1/R2 ≤ 1.1 의 경우

「B」 : 1.1 < R1/R2 ≤ 1.25 의 경우

「C」 : 1.25 < R1/R2 ≤ 2.0 의 경우

「D」 : 2.0 < R1/R2 의 경우

또한, 도전성 페이스트 A 로서 도전성 페이스트 A-1 을 사용한 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 에서는, 도전성 페이스트 A-1 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또, 도전성 페이스트 A 로서 도전성 페이스트 A-2 를 사용한 실시예 6 ∼ 8및 비교예 3 에서는, 도전성 페이스트 A-2 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또, 도전성 페이스트 A 로서 도전성 페이스트 A-3 을 사용한 실시예 9 및 비교예 5 에서는, 도전성 페이스트 A-3 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또한, 비교예 2 에 있어서는, 도전성 페이스트 A-1 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또, 비교예 4 에 있어서는, 도전성 페이스트 A-2 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또한, 비교예 6 에 있어서는, 도전성 페이스트 A-3 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

<절연 신뢰성 평가 방법>

얻어진 시험용 배선 기판을 사용하여, 습도 85 ％, 온도 85 도, 압력 1.0 atm, 전압 80 V 의 조건으로 수명 측정 (사용 장치 : 에스펙 (주) 사 제조, EHS-221MD) 을 실시하였다.

평가 방법으로는, 먼저, 제조한 시험용 배선 기판 상에 고투명성 접착제 전사 테이프 8146-2 (3M 사 제조) 를 첩합 (貼合) 하고, 반대측에 유리 기판을 접착하여 제조된 절연 신뢰성 시험용 기판을 사용하여 상기 조건으로 수명 측정을 실시하여, 배선층간의 저항치가 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 T1 을 측정하였다.

다음으로, 마이그레이션 억제제를 함유하지 않는 도전성 페이스트 A 만으로 제조한 비교용 배선 기판 (도전성 페이스트 B 를 사용하는 부분을 A 로 대체한 것) 을 사용하여 동일한 방법으로 절연 신뢰성 시험용 기판을 제조하고, 상기 조건으로 수명 측정을 실시하여, 배선층간의 저항치가 1 × 10⁵ Ω 가 될 때까지의 시간 T2 를 측정하였다.

얻어진 시간 T1 및 시간 T2 를 사용하여 수명의 개선 효과 (T1/T2) 를 계산하였다. 이하의 기준에 따라 평가하였다. 결과를 표 1 에 정리하여 나타낸다. 또한, 실용상은 C 이상이 사용 가능하고, B 이상이 바람직하다.

「A」 : T1/T2 ≥ 5 의 경우

「B」 : 5 > T1/T2 ≥ 2 의 경우

「C」 : 2 > T1/T2 > 1 의 경우

「D」 : 1 ≥ T1/T2 의 경우

또한, 도전성 페이스트 A 로서 도전성 페이스트 A-1 을 사용한 실시예 1 ∼ 5 및 비교예 1 에서는, 도전성 페이스트 A-1 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또, 도전성 페이스트 A 로서 도전성 페이스트 A-2 를 사용한 실시예 6 ∼ 8및 비교예 3 에서는, 도전성 페이스트 A-2 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또, 도전성 페이스트 A 로서 도전성 페이스트 A-3 을 사용한 실시예 9 및 비교예 5 에서는, 도전성 페이스트 A-3 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또한, 비교예 2 에 있어서는, 도전성 페이스트 A-1 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또, 비교예 4 에 있어서는, 도전성 페이스트 A-2 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

또한, 비교예 6 에 있어서는, 도전성 페이스트 A-3 만으로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하여 상기 평가를 실시하였다.

상기 표 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 가 제 1 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 큰 실시예 1 ∼ 9 에 있어서는, 도전성이 우수함과 함께, 이온 마이그레이션 억제능도 우수하였다. 또한, 실시예 1 ∼ 9 의 비교로부터, X/Y 가 0.30 미만이면, 도전성 평가 및 절연 신뢰성 평가에 있어서 「C」 가 없어, 양자의 밸런스가 보다 우수한 것이 확인되었다.

한편, 마이그레이션 억제제를 사용하고 있지 않은 비교예 1, 3 및 5 에서는, 도전성은 우수하지만, 절연 신뢰성이 떨어지고 있었다.

또, 제 2 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 가 제 1 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 작은 비교예 2, 4 및 6 에서는, 절연 신뢰성은 우수하지만, 도전성이 떨어지고 있었다.

<실시예 10 ∼ 15 및 비교예 7 ∼ 8 : 잉크젯에 의한 배선 형성>

머티리얼 프린터 DMP-2831 (FUJIFILM Dimatix 사 제조) 을 사용하여, 토출량 : 10 pL, 토출 간격 : 50 ㎛ 의 조건으로, 유리 기판 상에 도전성 페이스트 A 또는 B 를 L/S = 75/75 ㎛ 의 빗 형상으로 묘화를 실시하고, 이것을 2 층분 중첩하여 묘화를 실시하였다. 그 후, 오븐으로 230 ℃, 1 시간 베이크를 실시하여, 시험용 배선 기판을 제조하였다.

또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 도전성 페이스트 A 및 도전성 페이스트 B 로는, 후술하는 표 2 에 기재된 상기 도전 페이스트를 각각 사용하였다. 본 방법은, 표 2 의 「배선 형성 방법」 란에 있어서 「IJ3」 으로 표기한다.

<실시예 16 ∼ 17 및 비교예 9 : 스크린 인쇄에 의한 배선 형성>

DP-320 형 스크린 인쇄기 (뉴롱 정밀 공업 주식회사 제조) 를 사용하여, 유리 기판 상에 도전성 페이스트 A 또는 B 를 L/S = 75/75 ㎛ 의 빗 형상으로 인쇄를 실시하고 (300 메시 스크린을 사용), 그 후, 오븐으로 230 ℃, 1 시간 베이크를 실시하여, 시험용 배선 기판을 제조하였다.

또한, 각 실시예 및 비교예에 있어서 도전성 페이스트 A 및 도전성 페이스트 B 로는, 후술하는 표 2 에 기재된 상기 도전 페이스트를 각각 사용하였다. 본 방법은, 표 2 의 「배선 형성 방법」 란에 있어서 「스크린 2」 로 표기한다.

상기 실시예 10 ∼ 17, 비교예 7 ∼ 9 로 얻어진 시험용 배선 기판에 대해, 상기 서술한 <도전성 평가 방법> 및 <절연 신뢰성 평가 방법> 을 실시하였다.

또한, <도전성 평가 방법> 및 <절연 신뢰성 평가 방법> 에서 사용되는 비교용 배선 기판으로는, 실시예 10 ∼ 14 에서는 도전성 페이스트 A-1 을 사용하여 상기와 동일한 순서 (IJ3) 로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하였다.

실시예 15 에서는, 도전성 페이스트 A-4 를 사용하여 상기와 동일한 순서 (IJ3) 로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하였다.

실시예 16 및 17 에서는, 도전성 페이스트 A-2 를 사용하여 상기와 동일한 순서 (스크린 2) 로 제조한 비교용 배선 기판을 사용하였다.

표 2 에 나타내는 바와 같이, 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제를 사용한 실시예 10 ∼ 17 에 있어서는, 배선층 중에 있어서 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제가 표면측에 편재되어 있는 것이 확인되며, 배선층이 도전성이 우수함과 함께, 이온 마이그레이션 억제능도 우수하였다.

한편, 비교예 7 ∼ 9 에 나타내는 바와 같이, 불소 원자 함유 마이그레이션 억제제가 함유되지 않는 경우에는, 도전성은 우수하지만, 절연 신뢰성이 떨어지고 있었다.

10, 100 배선 기판
12 절연 기판
14, 34, 114 배선층
14a, 114a 제 1 금속층
14b, 114b 제 2 금속층
16 상면
18 측면
20 절연층
22 스테이지
24, 26, 28 잉크젯 헤드
30 제 1 층
32 혼합층
200 절연층이 부착된 배선 기판

Claims (8)

1. 절연 기판과,
   상기 절연 기판 상에 배치된 배선층을 갖고,
   상기 배선층은 상기 배선층의 노출 표면으로부터 전체 두께의 1/10 에 상당하는 깊이 위치까지의 영역인 제 2 금속층과, 상기 제 2 금속층 이외의 영역인 제 1 금속층을 갖고,
   상기 배선층이 하기의 마이그레이션 억제제를 함유하고,
   상기 제 2 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 Y 가 상기 제 1 금속층에 함유되는 마이그레이션 억제제의 질량 X 보다 큰, 배선 기판.
   (마이그레이션 억제제)
   하기 일반식 (1A) 로 나타내는 화합물, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물, 일반식 (22) 로 나타내는 화합물, 일반식 (23) 으로 나타내는 화합물, 일반식 (26) 으로 나타내는 반복 단위와 일반식 (27) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리머, 및 비스무트 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나.
   [화학식 1]
   

   

   
   (일반식 (1A) 중, R_1a ∼ R_5a 는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기, 산소 원자를 가지고 있어도 되는 지방족 탄화수소기, 산소 원자를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기를 나타낸다. Z 는 수소 원자, 아실기, 또는 RzOC(=O) 기를 나타낸다. Rz 는 지방족 탄화수소기 또는 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 단, R_1a ∼ R_5a 의 각 기 중에 함유되는 탄소 원자의 수의 합계는 4 이상이다. 또한, R_1a ∼ R_5a 는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다.
   P-(CR₁=Y)_n-Q 일반식 (1)
   일반식 (1) 중, P 및 Q 는 각각 독립적으로 OH, NR₂R₃ 또는 CHR₄R₅ 를 나타낸다. R₂ 및 R₃ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 질소 원자로 치환 가능한 기를 나타낸다. R₄ 및 R₅ 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. Y 는 CR₆ 또는 질소 원자를 나타낸다. R₁ 및 R₆ 은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
   R₁, R₂, R₃, R₄, R₅, 또는 R₆ 으로 나타내는 기는, 그 중 적어도 2 개의 기가 서로 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다. n 은 0 ∼ 5 의 정수를 나타낸다. 단, n 이 0 일 때, P 및 Q 의 양방이 CHR₄R₅ 인 경우는 없고, P 및 Q 의 양방이 OH 인 경우도 없다. n 이 2 이상의 수를 나타낼 때, (CR₁=Y) 로 나타내는 복수의 원자군은 동일해도 되고 상이해도 된다.
   또한, R₁ ∼ R₆ 중 적어도 1 개의 기 중에는 불소 원자가 함유된다.)
   [화학식 2]
   

   

   
   (일반식 (22) 중, Rf₁ 은 에테르성 산소 원자를 가져도 되는 수소 원자의 적어도 1 개가 불소 원자로 치환된 탄소수 22 이하의 플루오로알킬기, 또는 불소 원자를 나타낸다. X₁ 은 수소 원자, 불소 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. L₁ 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다. L₂ 는 단결합, 또는 수산기 혹은 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다. L₃ 은 단결합 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다. Y₁ 및 Z₁ 은 단결합, -CO₂-, -CO-, -OC(=O)O-, -SO₃-, -CONR₂₂₂-, -NHCOO-, -O-, -S-, -SO₂NR₂₂₂-, 또는 -NR₂₂₂- 를 나타낸다. R₂₂₂ 는 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기를 나타낸다. R₂₂₁ 은 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 8 에 직사슬 혹은 분기의 알킬기, 또는 Rf₁-CFX₁-L₁-Y₁-L₂-Z₁-L₃- 을 나타낸다.
   단, Y₁ 및 Z₁ 이 모두 단결합 이외인 경우, L₂ 는 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타낸다.)
   [화학식 3]
   

   

   
   (일반식 (23) 중, R₂₃₁ 및 R₂₃₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. R₂₃₃ 및 R₂₃₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. Y₂ 는 단결합, -CO-, 또는 -COO- 를 나타낸다. Rf₂ 는 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬 혹은 분기의 퍼플루오로알킬렌기, 또는 탄소수 1 ∼ 20 의 직사슬 혹은 분기의 퍼플루오로에테르기를 나타낸다. Y₂ 가 단결합 또는 -CO- 일 때, n 은 0 을 나타내고, m 은 0 ∼ 6 의 정수를 나타낸다. Y₂ 가 -COO- 일 때, n 은 1 또는 2 를 나타내고, m 은 1 내지 6 의 정수를 나타낸다. p 는 2 ∼ 3 의 정수를 나타내고, l 은 0 ∼ 1 의 정수를 나타내고, p + l = 3 의 관계를 만족한다.)
   [화학식 4]
   

   

   
   (일반식 (26) 중, R₂₆₁ 은 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 치환 혹은 무치환의 알킬기를 나타낸다. Z₂ 는 단결합, 에스테르기, 아미드기, 또는 에테르기를 나타낸다. L₄ 는 단결합 또는 2 가의 유기기를 나타낸다. R₂₄₁, R₂₄₂, R₂₄₃ 및 R₂₄₄ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다.
   일반식 (27) 중, R₂₆₂ 는 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 치환 혹은 무치환의 알킬기를 나타낸다. L₅ 는 단결합, 또는 탄소수 1 ∼ 6 의 불소를 갖지 않는 2 가의 유기기를 나타낸다. X 는, 수소 원자, 불소 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. Rf 는, 에테르성 산소 원자를 가지고 있어도 되는 수소 원자의 적어도 1 개가 불소 원자로 치환된 탄소 원자수 20 이하의 플루오로알킬기, 또는 불소 원자를 나타낸다.)
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 마이그레이션 억제제가, 일반식 (1A) 로 나타내는 화합물, 일반식 (1) 로 나타내는 화합물, 일반식 (26) 으로 나타내는 반복 단위와 일반식 (27) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리머, 및 비스무트 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 함유하는, 배선 기판.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 일반식 (1) 로 나타내는 화합물이, 일반식 (10) 으로 나타내는 화합물인, 배선 기판.
   [화학식 5]
   

   

   
   (일반식 (10) 중, V₁₀ 은 치환기를 나타낸다. R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. b 는 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다. 또한, V₁₀, R₁₀₁ 및 R₁₀₂ 중 적어도 1 개에는 불소 원자가 함유된다.)
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 질량 X 와 상기 질량 Y 의 비 (X/Y) 가 0.001 이상 0.30 미만인, 배선 기판.
5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 배선층 중의 금속이 금, 은, 동, 및 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는, 배선 기판.
6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 절연 기판 상에, 측면이 노출되는 가는 선 형상을 갖는 상기 제 1 금속층이 배치되고,
   상기 제 1 금속층의 상기 측면을 포함하는 상기 절연 기판과 접촉하고 있지 않은 표면을 덮도록 상기 제 2 금속층이 배치되어 있는, 배선 기판.
7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 배선 기판과, 상기 배선 기판의 상기 배선층 상에 배치된 절연층을 갖는, 절연층이 부착된 배선 기판.
8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
   프린트 배선 기판에 사용되는, 배선 기판.

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