CN104658884A - 制造装置基板的方法及使用该方法制造的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种制造装置基板的方法及使用该方法制造的显示装置。制造装置基板的方法包括在处理基板上形成表面修饰层。表面修饰层具有与处理基板的疏水性不同的疏水性。将处理基板设置在载体基板上。表面修饰层被设置在处理基板与载体基板之间。在处理基板上形成装置。将处理基板与载体基板分离。

Description

制造装置基板的方法及使用该方法制造的显示装置
本申请要求于2013年11月15日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0139186号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种装置基板，更具体地讲，涉及一种制造装置基板的方法以及使用该方法制造的显示装置。
背景技术
使用平板显示面板(例如，液晶显示(LCD)面板、场发射显示(FED)面板、等离子体显示面板(PDP)或有机发光二极管(OLED)面板)的显示装置可以应用于电视机和/或移动电话。可以使用不可弯曲的玻璃基板制造显示装置。已经进行了制造柔性显示装置的研究。例如，柔性材料(例如，塑料)可以替代不具有柔性的传统玻璃基板，并且可以被用在弯曲或曲形的显示装置中。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供制造柔性装置基板的方法以及使用该方法制造的显示装置。
根据本发明构思的示例性实施例，制造装置基板的方法包括在处理基板上形成表面修饰层。表面修饰层具有与处理基板的疏水性不同的疏水性。所述方法包括将处理基板设置在载体基板上。表面修饰层被设置在处理基板和载体基板之间。所述方法包括在处理基板上形成装置以及将处理基板与载体基板分离。
表面修饰层的疏水性可以大于处理基板的疏水性。
表面修饰层可以包括硅烷化合物。硅烷化合物可以包括六甲基二硅氧烷(HMDS)。
形成表面修饰层的步骤可以包括在处理基板上形成包括自组装单层的硅烷化合物层以及清洁处理基板。
表面修饰层可以包括金属氧化物。金属氧化物可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化锗锌(GZO)。
表面修饰层可以包括设置在处理基板上的硅烷化合物层。硅烷化合物层可以包括硅烷化合物。可以在处理基板与硅烷化合物层之间设置金属氧化物层。金属氧化物层可以包括金属氧化物。
当从平面图观察时，表面修饰层可以设置在处理基板的至少一部分上。处理基板可以包括：其上设置有表面修饰层的第一区域和其上未设置表面修饰层的第二区域。第二区域可以沿着处理基板的边缘设置。第一区域可以设置在处理基板的边缘的一部分上。第一区域可以通过处理基板的中心并可以沿与处理基板的边平行的方向延伸。
可以除去表面修饰层的一部分。可以通过刻蚀工艺或研磨工艺除去表面修饰层的所述一部分。
根据本发明的示例性实施例，显示装置包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的第一基板。像素设置在第一表面上。第一表面修饰层设置在第二表面上。第一表面修饰层具有与第一基板的疏水性不同的疏水性。
显示装置还可以包括具有面对第一基板的第三表面和与第三表面相对的第四表面的第二基板。第二表面修饰层可以设置在第四表面上。第二表面修饰层可以具有与第二基板的疏水性不同的疏水性。
第二表面修饰层可以包括金属氧化物层。金属氧化物层可以包括金属氧化物。
表面修饰层可以接地。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其他特征将变得更明显，在附图中：
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法的流程图；
图2A至图2D是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法的剖视图；
图3是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中的根据表面修饰层的存在的处理基板的接触角的图表；
图4是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板与载体基板之间的粘合强度的图表；
图5是示出粘合强度测量设备的示意图；
图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造包括表面修饰层的装置基板的方法的剖视图；
图7是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板与载体基板之间的粘合强度的图表；
图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造包括表面修饰层的装置基板的方法的剖视图；
图9是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板与载体基板之间的粘合强度的图表；
图10A至图10C是示出根据本发明构思的示例性实施例的形成在处理基板的一部分上的表面修饰层的位置的示例的平面图；
图11是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的剖视图；
图12A至图12E是示出制造在图11中示出的显示装置的方法的剖视图；
图13是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的剖视图；以及
图14A至图14E是示出制造在图13中示出的显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例，附图中示出了示例性实施例。通过将参照附图更详细地描述的以下示例性实施例，本发明构思的方面和特征将是明显的。然而，应该注意的是，本发明构思不限于以下示例性实施例，并可以以各种形式来实施。在附图中，本发明构思的示例性实施例不限于在这里提供的特定示例。
这里使用的术语是出于描述示例性实施例的目的，而不意图限制本发明构思。将理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，它可以直接连接或结合到所述另一元件，或者可以存在中间元件。
将理解的是，当诸如层、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上，或者可以存在中间元件。相反，术语“直接”表示不存在中间元件。
可以根据制造技术和/或容许误差来修改示例性视图的形状。本发明构思的示例性实施例不限于在示例性视图中示出的特定形状，而是可以包括可根据制造工艺创造的其他形状。在附图中例举的区域可以具有一般性质，并可以用于示出元件的特定形状。因此，这不应该被解释为局限于本发明构思的范围。
还将理解的是，虽然这里可以使用第一、第二、第三等术语来描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语可以用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，在本发明构思的示例性实施例中的第一元件在其他实施例中可以被称为第二元件。在这里解释并示出的本发明构思的方面的示例性实施例可以包括它们的补充对应物(complementary counterpart)。相同的参考数字或相同的参考符号在整个说明书中可以指示相同的元件。
这里可以参照可作为理想示例性视图的剖视图和/或平面视图来描述示例性实施例。可能发生由例如制造技术和/或公差导致的示图的形状的变化。本发明构思的示例性实施例不应被解释为局限于在这里示出的区域的形状，而将包括可由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出为长方形的刻蚀区域可以具有倒圆或弯曲的特征。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状可能没有示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制本发明构思的示例实施例的范围。
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法的流程图。图2A至图2D是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法的剖视图。在下文中，将参照图1及图2A至图2D来描述根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法。
参照图1，可以通过以下步骤来制造根据本发明构思的示例性实施例的装置基板：在处理基板PS上形成表面修饰层SML(S110)；将处理基板PS设置在载体基板CS上，使表面修饰层SML位于载体基板CS和处理基板PS之间(S120)；在处理基板PS上形成装置(S130)；将处理基板PS与载体基板CS分离(S140)。
参照图1和图2A，可以提供其上可以形成装置的处理基板PS，并且可以在处理基板PS上形成表面修饰层SML。
处理基板PS可以具有包括设置有装置的第一表面和与第一表面相对的另一表面的板形形状。例如，当从平面视图观察时，处理基板PS可以具有各种形状。例如，处理基板PS的形状可以包括倒圆形状、长方形形状、平行四边形形状、具有弯曲边缘的形状(例如，圆形形状或椭圆形形状)或不规则形状。处理基板PS可以为任何尺寸。
处理基板PS可以包括玻璃、水晶、有机/无机聚合物材料和/或纤维增强塑料。处理基板PS可以包括刚性基板。处理基板PS的至少一部分可以包括柔性基板。例如，整个处理基板PS可以是柔性的。根据本发明构思的示例性实施例，处理基板PS的一部分可以是柔性的，处理基板PS的一部分可以不是柔性的。例如，处理基板PS可以包括柔性区域和不可弯曲的刚性区域。术语“柔性的”、“不可弯曲的”和“刚性的”表示或表明处理基板PS的柔性区域和刚性区域的相对性质。因此，即使可以使用术语“不可弯曲的”和“刚性的”，但刚性区域可以是硬的而没有任何柔性，或者可以仅仅是柔性比柔性区域的柔性小。
在本发明构思的示例性实施例中，聚合物材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚砜、酚醛树脂、环氧树脂、聚酯、聚酰亚胺、聚醚酯、聚醚酰胺、醋酸纤维素、脂肪族聚氨酯、聚丙烯腈、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、聚(甲基(x-甲基丙烯酸酯))、脂肪族聚烯烃或环聚烯烃、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、含氟聚合物(例如，特氟隆)、聚(醚醚酮)、聚(醚酮)、聚(乙烯四氟乙烯)含氟聚合物、聚(甲基丙烯酸甲酯)和/或丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯共聚物。
可以在处理基板PS的第一表面上设置表面修饰层SML。表面修饰层SML可以包括表面能与处理基板PS的表面能不同的材料。例如，表面修饰层SML可以包括疏水性比处理基板PS的疏水性大的材料。
表面修饰层SML可以包括包含硅烷化合物的硅烷化合物层。硅烷化合物层可以是自组装单层型。
可以对处理基板PS执行预处理工艺，可以在处理基板PS上形成自组装单层，并且可以清洁处理基板PS以形成硅烷化合物层。
可以在修饰处理基板PS的表面之前通过预处理工艺使处理基板PS部分地氧化。可以执行预处理工艺，以增大后续修饰反应中的反应性。在本发明构思的示例性实施例中，可以在预处理工艺期间通过紫外线、氧气(O2)等离子体和/或臭氧(O3)等离子体对处理基板PS的表面进行处理。在等离子体处理工艺中，可以将处理基板PS插入到减压室中，并且可以通过等离子体注射器将氧气(O2)和/或臭氧(O3)注入到室中达例如从大约30秒到大约1分钟的范围中的预定时间。
可以在处理基板PS的经紫外线、氧气(O2)和/或臭氧(O3)处理过的表面上形成具有高反应性的-OH基。-OH基可以促进后续自组装单层的形成，并且可以增大自组装单层与处理基板PS之间的粘合强度。可以基于处理基板PS的材料来改变紫外线的强度和照射时间。
例如，根据处理基板PS的物理性质，可以省略预处理工艺。例如，如果处理基板PS的表面具有能够与硅烷化合物充分地反应的反应基，则可以省略预处理工艺。
可以通过将具有能够与处理基板PS的表面反应的官能团的化合物提供给处理基板PS来形成自组装单层。官能团可以以共价键的方式、氢键的方式或化学吸附的方式结合到处理基板PS的表面。化合物可以通过官能团在处理基板PS的表面上二维自对准。
构成自组装单层的硅烷化合物可以具有由下面的化学式1表示的结构式。
[化学式1]
在化学式1中，“Z1”、“Z2”、“Z3”和“Z4”中的每个是-H、-CH3、-Cl、-OCH3、-OCH2CH3,、-OCOCH3或-OCH2CH2CH3，而把“Z1”、“Z2”、“Z3”和“Z4”全部是-H或-CH3以及“Z1”、“Z2”、“Z3”和“Z4”仅由-H和-CH3构成的情况排除在外。在本发明构思的示例性实施例中，硅烷化合物包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)和六甲基二硅氧烷(HMDS)。可以选择具有合适的分子量的聚二甲基硅氧烷作为硅烷化合物。
自组装单层可以包括液态或汽态的硅烷化合物。
在下文中将更详细地描述使用液态的硅烷化合物来形成自组装单层的方法。可以制备包括硅烷化合物的溶液，并且可以将包括硅烷化合物的溶液涂覆到处理基板PS以形成自组装单层。包括硅烷化合物的溶液可以包括水。水可以用作催化剂。
在下文中将更详细地描述使用汽态的硅烷化合物来形成自组装单层的方法。可以将处理基板PS和硅烷化合物放到具有低压强(例如，大约500Pa或更低)的真空室中，可以形成自组装单层。真空室可以维持其内部温度和内部压强，并且可以使硅烷化合物蒸发。在真空室中的空气被排出至真空室的外部之后，可以将水汽输入到真空室中，硅烷化合物可以在处理基板PS上自组装。水汽可以用作催化剂。可以控制输入的水汽的量以将室的内部维持在大约500Pa的压强。
可以通过下面的化学式2来表示使用水作为催化剂的液体或蒸汽硅烷化。为了容易和方便解释的目的，下面的化学式2示出“Z1”是氢原子而“Z2”、“Z3”和“Z4”全部是-Cl的示例。下面的化学式2的块示出处理基板PS。
[化学式2]
通过下面的化学式3来表示未使用水作为催化剂的液体或蒸汽硅烷化的机理。为了容易和方便解释的目的，下面的化学式3示出“Z1”是氢原子、“Z2”和“Z4”是-CH3以及“Z3”是-OCH3的示例情况。下面的化学式3的块示出处理基板PS。
[化学式3]
在处理基板PS上自组装单层之后，可以清洁处理基板PS。可以使用去离子水或纯水作为清洁液来清洁处理基板PS。清洁工艺可以除去过量的具有官能团的硅烷化合物、与处理基板PS的表面的官能团未反应的硅烷化合物和/或其他杂质。可以通过清洁工艺除去硅烷化合物的非均匀排列或堆叠的部分。因此，硅烷化合物可以在处理基板PS的整个部分上形成均匀的单层。
如上所述，可以通过液体沉积法或蒸汽沉积法来形成自组装单层。然而，本发明构思不限于此。
参照图1和图2B，可以将处理基板PS设置在载体基板CS上。可以将处理基板PS设置在载体基板CS的顶表面上。可以将用于固定处理基板PS的固定件(未示出，例如，夹子)设置在载体基板CS上。可以通过固定件将处理基板PS固定到载体基板CS。
载体基板CS可以支撑处理基板PS。载体基板CS的尺寸可以与处理基板PS的尺寸相等或者比处理基板PS的尺寸大。载体基板CS可以具有比处理基板PS的面积小的面积。载体基板CS可以具有能够稳定地固定和支撑处理基板PS的尺寸。载体基板CS的尺寸不特别地局限于此，载体基板CS可以是任何期望的尺寸。
载体基板CS可以包括玻璃、水晶、有机/无机聚合物材料和/或纤维增强塑料。在本发明构思的示例性实施例中，载体基板CS可以由玻璃形成。
载体基板CS可以是不可弯曲的刚性基板。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，载体基板CS的至少一部分可以包括柔性基板。
处理基板PS的表面可以与载体基板CS的表面接触。在本发明构思的示例性实施例中，处理基板PS可以不与载体基板CS化学结合。在处理基板PS与载体基板CS之间可以不设置诸如粘合剂层或胶层的附加层；然而，可以在处理基板PS与载体基板CS之间设置空气层。可以在不破坏处理基板PS或载体基板CS的情况下通过外力来使处理基板PS和载体基板CS彼此分离。
处理基板PS的其上形成有表面修饰层SML的表面可以面对载体基板CS。表面修饰层SML可以与载体基板CS接触。可以通过固定件来维持处理基板PS与载体基板CS之间的接触。在本发明构思的示例性实施例中，范德华力或静电可以在表面修饰层SML与载体基板CS之间起作用，并且引力可以在处理基板PS与载体基板CS之间起作用。处理基板PS与载体基板CS之间的表面能差可以相对高，处理基板PS的表面修饰层SML可以具有疏水性。引力的大小不需要特别强。
参照图1和图2C，可以在处理基板PS上形成装置DV。
例如，装置DV可以包括诸如存储器装置的各种类型的装置中的至少一种。装置DV可以包括用在显示装置中的像素。可以根据期望装置的特性来选择装置DV，可以将装置形成在处理基板PS上。
在装置DV的形成期间，可以转移处理基板PS，和/或可以将处理基板PS设置在载体基板CS上。
在本发明构思的示例性实施例中，装置可以包括在显示装置中使用的像素。像素可以包括互连部、连接到互连部的薄膜晶体管、通过薄膜晶体管开关的电极以及通过电极控制的图像显示层。
互连部可以包括多条栅极线和与栅极线交叉的多条数据线。
对于无源矩阵驱动或有源矩阵驱动，可以设置多个薄膜晶体管。当薄膜晶体管以有源矩阵设置时，可以设置多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管可以连接到相应的栅极线和/或相应的数据线。
可以设置多个电极，每个电极可以连接到每个薄膜晶体管。
虽然未在附图中示出，但每个薄膜晶体管可以包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。栅电极可以从相应的栅极线分枝出。有源层可以与栅电极绝缘。源电极和漏电极可以在有源层上彼此分隔开，从而可以暴露在源电极和漏电极之间的有源层。源电极可以从相应的数据线分枝出。
根据图像显示方法，图像显示层可以包括液晶层、电泳层、电润湿层或有机发光层。可以响应于施加到电极或多个电极的电压来驱动图像显示层。下面将更详细地描述像素。
参照图1和图2D，可将处理基板PS与载体基板CS分离。
在本发明构思的示例性实施例中，将处理基板PS与载体基板CS分离的方法不限于特定的方法。例如，可以将楔子或刀的端部插入到处理基板PS与载体基板CS之间的界面中，并且可以将外力沿与两个基板PS和CS的外表面垂直的方向施加到两个基板PS和CS中的至少一个。因此，可以将两个基板PS和CS彼此分离。
可以将分离构件附着到处理基板PS和载体基板CS中每个的外表面，并且可以将外力沿与两个基板PS和CS的外表面垂直的向外方向施加到分离构件，从而将两个基板PS和CS彼此分离。
在处理基板PS和载体基板CS的分离步骤中，当根据本发明构思的示例性实施例的处理基板PS具有表面修饰层SML时，可以弱化处理基板PS与载体基板CS之间的粘合力。因此，可以通过相对小的力来将处理基板PS与载体基板CS分离，并且可以减小在将处理基板PS与载体基板CS分离时对处理基板PS的损坏。
图3是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中的根据表面修饰层的存在的处理基板的接触角以及根据制造装置基板的传统方法的接触角的图表。在图3中，对比示例的接触角与通过传统方法制造的装置基板的接触角对应。将对比示例的接触角定义为不具有表面修饰层的处理基板的表面与滴在处理基板上的一滴水的表面之间的角。在图3中，第一实施例的接触角与通过根据本发明构思的示例性实施例的方法制造的装置基板的接触角对应。将第一实施例的接触角定义为处理基板的具有硅烷化合物层的表面修饰层的表面与滴在处理基板上的一滴水的表面之间的角。对比示例和第一实施例的处理基板和载体基板由玻璃形成。除了表面修饰层之外，对比示例和第一实施例的其他条件彼此相同。在清洁工艺之前以及在清洁工艺之后测量对比示例和第一实施例中每个的接触角。
参照图3，无论是否经过清洁工艺，具有表面修饰层的第一实施例的接触角都大于不具有表面修饰层的对比示例的接触角。具有表面修饰层的处理基板的疏水性大于不具有表面修饰层的处理基板的疏水性。随着疏水性增大，载体基板与处理基板之间的粘合强度可以变弱。可以使用比不具有表面修饰层的处理基板小的力将根据本发明构思的示例性实施例的具有表面修饰层的处理基板与载体基板分离。
图4是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板和载体基板之间的粘合强度以及根据制造装置基板的替代方法的粘合强度的图表。在图4中的对比示例和第一实施例分别与参照图3描述的对比示例和第一实施例相同。可以在200摄氏度或更高的温度执行热退火工艺。
可以使用在图5中示出的粘合强度测量设备来测量粘合强度。参照图5，可以准备目标基板，即，放置在载体基板CS上的处理基板PS。可以将放置在载体基板CS上的处理基板PS装载到卡盘CHK上，然后可以通过升降器LFT将外力沿与载体基板CS的顶表面垂直的方向(即，向上方向)施加到载体基板CS。可以对载体基板CS施加外力直到载体基板CS与处理基板PS分离。在这种情况下，可以将外力表示成粘合强度。在图5中，处理基板PS可以与载体基板CS和卡盘CHK的顶表面接触。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，处理基板PS可以接触载体基板CS，并且载体基板CS可以接触卡盘CHK的顶表面。可以改变通过升降器LFT施加的外力的方向。
参照图4，当不执行热退火工艺时，通过没有表面修饰层的替代方法制造的装置基板的粘合强度可以为0.88N。然而，没有表面修饰层的装置基板在热退火工艺之后可以具有超过在图4中示出的图表的范围的很大的粘合强度。当为了将处理基板与载体基板分离而对载体基板施加外力时，处理基板没有与载体基板分离，而是处理基板与载体基板可能被一起破坏。当通过传统方法没有在处理基板上形成表面修饰层时，处理基板的至少一部分可以通过热退火工艺与载体基板化学结合。
再次参照图4，当不执行热退火工艺时，通过根据本发明构思的示例性实施例的方法制造的具有表面修饰层的装置基板的粘合强度可以为0.53N。在执行热退火工艺之后，具有表面修饰层的装置基板的粘合强度可以为1.46N。具有表面修饰层的装置基板在热退火工艺之后的粘合强度可以强于具有表面修饰层的装置基板在热退火工艺之前的粘合强度。然而，尽管可以对具有表面修饰层的装置基板执行热退火工艺，但当执行热退火工艺时，具有表面修饰层的装置基板仍然可以具有相对低的粘合强度。可以将具有表面修饰层的处理基板与载体基板分离。
图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造包括表面修饰层的装置基板的方法的剖视图。图6与图2B对应。在下文中，将描述本示例性实施例与上述示例性实施例(例如，在图2B中)之间的差异。省略的描述可以与上面关于图2B描述的内容相同。示例性实施例的表面修饰层SML′可以包括与上述示例性实施例的表面修饰层SML的材料不同的材料。
参照图6，表面修饰层SML′可以包括具有与处理基板PS的表面能不同的表面能的材料。根据本发明构思的示例性实施例的表面修饰层SML′可以包括包含金属氧化物的金属氧化物层。金属氧化物可以具有比处理基板PS的疏水性大的疏水性。金属氧化物层可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化锗锌(GZO)。
可以在处理基板PS上沉积金属氧化物层。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，可以在处理基板PS上涂覆包括金属氧化物的液体。可以将涂覆的金属氧化物加热以除去液体的溶剂，由此可以形成金属氧化物层。
可以将处理基板PS设置在载体基板CS上。处理基板PS的表面修饰层SML′可以面对载体基板CS。表面修饰层SML′(即，金属氧化物层)可以与载体基板CS接触。可以通过设置在载体基板CS上的固定件将处理基板PS固定到载体基板CS。范德华力和/或静电可以在金属氧化物层与载体基板CS之间起作用，使得引力可以在处理基板PS与载体基板CS之间起作用。处理基板PS和载体基板CS之间的表面能差可以相对高，处理基板PS的表面修饰层SML′可以具有疏水性。引力的大小可以相对低。
图7是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板和载体基板之间的粘合强度以及根据制造装置基板的传统方法的粘合强度的图表。使用在图5中示出的粘合强度测量设备来测量粘合强度。
在图7中，对比示例的粘合强度示出通过传统方法制造的没有作为表面修饰层的金属氧化物层的装置基板在热退火工艺之前和之后的粘合强度。图7的第二实施例和第三实施例是根据本发明构思的示例性实施例的具有作为表面修饰层的金属氧化物层的装置基板。图7的第二实施例和第三实施例的粘合强度可以是下述装置基板的热退火工艺之前和之后的粘合强度。可以将ITO用作第二实施例的金属氧化物层，可以将IZO用作第三实施例的金属氧化物层。上述替代示例和方法的处理基板和载体基板可以由玻璃形成。除了金属氧化物层之外，替代示例和上述方法的其他条件可以彼此相同。
参照图7，当不执行热退火工艺时，对比示例的没有表面修饰层的装置基板的粘合强度可以为0.88N。然而，对比示例的没有表面修饰层的装置基板在热退火工艺之后可以具有比在图7中示出的图表所示的粘合强度高的粘合强度。当为了使处理基板与载体基板分离而在热退火工艺之后将外力施加到替代示例的没有表面修饰层的载体基板时，替代示例的处理基板不与载体基板分离，而是处理基板和载体基板可能被一起破坏。尽管在不执行热退火工艺时上述方法的具有金属氧化物层的装置基板可以具有比传统装置基板的粘合强度大的粘合强度，但在热退火工艺之后上述方法的粘合强度可以明显小于替代装置基板的粘合强度。在具有使用ITO作为金属氧化物而形成的表面修饰层的上述方法中，热退火工艺之前的粘合强度可以为2.51N，热退火工艺之后的粘合强度可以为3.45N。第二实施例在热退火工艺之后的粘合强度可以明显小于替代方法的粘合强度。在具有使用IZO作为金属氧化物而形成的表面修饰层的上述方法中，热退火工艺之前的粘合强度可以为2.45N，热退火工艺之后的粘合强度可以为2.64N。上述方法的在热退火工艺之后的粘合强度可以明显小于替代方法的粘合强度，并且小于使用ITO作为金属氧化物的上述方法的粘合强度。
当在处理基板上形成装置时，可以执行多个热退火工艺。在热退火工艺之后的粘合强度可以是在使处理基板与载体基板彼此分离的工艺中的因素。
根据本发明构思的示例性实施例，可以使用金属氧化物层作为表面修饰层来制造装置基板。处理基板可以与载体基板分离。
图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的制造包括表面修饰层的装置基板的方法的剖视图。图8与根据本发明构思的示例性实施例的制造半导体装置的方法中的图2B对应。
参照图8，表面修饰层SML可以包括具有与处理基板PS的表面能不同的表面能的两种类型的材料。可以在处理基板PS上形成表面修饰层SML。在本发明构思的示例性实施例中，表面修饰层SML可以具有包括彼此不同的两种类型的材料的第一层SMLL和第二层SMLL′。第一层SMLL和第二层SMLL′可以包括具有与处理基板PS的表面能不同的表面能并具有比处理基板PS的疏水性大的疏水性的材料。在本发明构思的示例性实施例中，第一层SMLL可以是包括硅烷化合物的硅烷化合物层，第二层SMLL′可以是包括金属氧化物的金属氧化物层。
可以以自对准单层的形式包括硅烷化合物。硅烷化合物可以包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)。金属氧化物层可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化锗锌(GZO)。
第一层SMLL和第二层SMLL′的形成顺序不限于示出的方式。在本发明构思的示例性实施例中，可以将金属氧化物层和硅烷化合物层顺序地堆叠在处理基板PS上。
可以将处理基板PS设置在载体基板CS上。处理基板PS的其上形成有第一层SMLL和第二层SMLL′的表面可以面对载体基板CS。第一层SMLL和第二层SMLL′中的第一层SMLL(例如，硅烷化合物层)可以与载体基板CS接触。可以通过设置在载体基板CS上的固定件将处理基板PS固定到载体基板CS。
图9是示出在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中当执行热退火工艺时在处理基板和载体基板之间的粘合强度以及根据制造装置基板的替代方法的粘合强度的图表。使用图5中示出的粘合强度测量设备来测量粘合强度。
图9的替代示例的粘合强度示出通过替代方法制造的没有金属氧化物层的装置基板在热退火工艺之前和之后的粘合强度。
图9示出根据本发明构思的示例性实施例的具有顺序地形成在处理基板上的金属氧化物层和硅烷化合物层的装置基板。示出了在热退火工艺之前和之后的粘合强度。这里，可以将IZO用作金属氧化物，可以将聚二甲基硅氧烷(PDMS)用作硅烷化合物。
替代示例和当前方法的处理基板和载体基板可以由玻璃形成。除了金属氧化物层和硅烷化合物层之外，替代示例和当前方法的其他条件可以彼此相同。
参照图9，当不执行热退火工艺时，对比示例的没有表面修饰层的装置基板的粘合强度可以为0.88N。对比示例的没有表面修饰层的装置基板在热退火工艺之后可以具有比在图9中示出的图表中所示的粘合强度高的粘合强度。当为了使处理基板与载体基板分离而在热退火工艺之后将外力施加到替代示例的没有表面修饰层的载体基板时，对比示例的处理基板不与载体基板分离，而是处理基板与载体基板可能被一起破坏。尽管在不执行热退火工艺时，当前方法的具有金属氧化物层和硅烷化合物层的装置基板可以具有比替代装置基板的粘合强度大的粘合强度，但在热退火工艺之后，第四实施例的粘合强度可以明显小于替代装置基板的粘合强度。当前方法的在热退火工艺之前的粘合强度可以为2.08N，第四实施例的在热退火工艺之后的粘合强度可以为2.34N。当前方法的在热退火工艺之后的粘合强度可以明显小于处理基板不与载体基板分离的替代方法的粘合强度。在热退火工艺之前和之后，当前方法可以具有比上面讨论的仅具有金属氧化物层的方法的粘合强度小的粘合强度。上面讨论的方法的在热退火工艺之前的粘合强度可以分别为2.51N和2.45N，但当前方法的在退火工艺之前的粘合强度可以为2.08N。上面讨论的方法的在热退火工艺之后的粘合强度可以分别为3.45N和2.64N，但当前方法的在退火工艺之后的粘合强度可以为2.34N。
在本发明构思的示例性实施例中的使用金属氧化物层和硅烷化合物层作为表面修饰层SML而制造的装置基板中，处理基板PS可以与载体基板CS分离。
柔性基板可以弯曲，从而可能难以使用传统设备对柔性基板执行工艺。例如，如果将柔性基板设置在机器手上以进行传输，则柔性基板可能弯曲并落在机器手之间。根据本发明构思的示例性实施例，可以对设置在由硬质材料形成的载体基板CS上的柔性基板执行装置的制造工艺。可以在柔性处理基板上稳定地制造装置。处理基板PS和载体基板CS可以彼此分离。
当在目标基板上形成表面修饰层SML时，可以使载体基板CS的污染最小化，并且可以重复地使用载体基板CS而无需附加的清洁工艺。
在本发明构思的示例性实施例中，可以在处理基板PS的整个表面上形成表面修饰层SML。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，可以在处理基板PS的一部分上形成表面修饰层SML。为了在处理基板PS的一部分上形成表面修饰层SML，可以在处理基板PS的整个表面上形成表面修饰层SML，并可以将表面修饰层SML的一部分除去。可以通过刻蚀工艺或研磨工艺除去表面修饰层SML。
图10A至图10C是示出根据本发明构思的示例性实施例的形成在处理基板的一部分上的表面修饰层的位置的示例的平面图。在图10A至图10C中，第一区域RG1与其上形成有表面修饰层的区域对应，第二区域RG2与其上未形成表面修饰层的区域对应。
参照图10A，在本发明构思的示例性实施例中，处理基板PS可以具有包括一对长边和一对短边的长方形形状。当从平面图观察时，第一区域RG1可以设置在处理基板PS的内部，第二区域RG2可以构造成围绕第一区域RG1。第二区域RG2可以沿着处理基板PS的边缘设置，第一区域RG1可以设置在处理基板PS的除了设置第二区域RG2的区域之外的区域中。第二区域RG2可以围绕第一区域RG1。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，可以将第二区域RG2构造成与处理基板PS的一条、两条或三条长边和短边对应。
第一区域RG1可以比第二区域RG2宽。然而，本发明构思不限于此。
当处理基板PS和载体基板CS的与第一区域RG1对应的部分包括表面修饰层时，如上所述，它们的粘合强度可以减小，使得处理基板PS可以与载体基板CS接触，但二者之间的粘合强度相对低。当执行在处理基板PS上形成装置的工艺时，处理基板PS的与第二区域RG2对应的部分可以与载体基板CS结合。处理基板PS可被支撑在载体基板CS上。可以通过载体基板CS支撑处理基板PS，从而可以执行形成装置的工艺。可以在完成形成装置的工艺之后通过切割工艺除去与第二区域RG2对应的处理基板PS，并且可以将处理基板PS与载体基板CS分离。
当处理基板PS的第二区域RG2和载体基板CS之间的粘合强度根据装置的形成工艺相对低时，不需要除去处理基板PS的第二区域RG2。例如，如果形成装置的工艺包括在小于大约200摄氏度的温度下的热处理工艺，则不需要除去处理基板PS的第二区域RG2。如果处理基板PS是显示基板，则显示基板可以包括包含多个像素的显示区域以及与显示区域的至少一边对应的非显示区域。图像将不在非显示区域中显示。例如，显示区域可以与第一区域RG1对应，非显示区域可以与第二区域RG2对应。在第一区域RG1中的处理基板PS与载体基板CS之间的粘合强度可以小于在第二区域RG2中的处理基板PS与载体基板CS之间的粘合强度。可以用比在第二区域RG2中小的力来在第一区域RG1中将两个基板彼此分离，从而可以减少像素缺陷。
第一区域RG1和第二区域RG2不限于显示区域和非显示区域。在本发明构思的示例性实施例中，可以将第一区域RG1和第二区域RG2应用到其他区域，以使两个基板彼此分离。
参照图10B，可以将第一区域RG1设置在与处理基板PS的角对应的区域中。可以将第二区域RG2设置在与处理基板PS的剩余部分对应的区域中。
在本发明构思的示例性实施例中，当第一区域RG1设置在与处理基板PS的角对应的区域中时，可以将处理基板PS的角与载体基板CS分离。例如，可以将楔子或刀的端部插入到处理基板PS与载体基板CS之间的界面中以在处理基板PS和载体基板CS之间形成预定空间，并且可以拉或推处理基板PS和载体基板CS中的至少一个以将处理基板PS与载体基板CS彼此分离。例如，可以将楔子或刀的端部插入到处理基板PS的角和载体基板CS之间的界面中以将两个基板分离。为了将两个基板彼此分离，在两个基板之间可以仅需要小的空间，而可以不需要宽的第一区域RG1。第一区域RG1的面积可以小于第二区域RG2的面积。
参照图10C，可以以十字形形状设置第一区域RG1。可以将第二区域RG2设置在处理基板PS的剩余部分上。第一区域RG1的十字形形状可以具有与处理基板PS的中心重合的中心，十字形形状的每个分支可以与处理基板PS的至少一边平行。
在本发明构思的示例性实施例中，第一区域RG1可以具有比第二区域RG2的面积小的面积。处理基板PS和载体基板CS可以在与第二区域RG2对应的区域中通过相对高的粘合强度彼此接触。当通过第一区域RG1将第二区域RG2分成子区域时，处理基板PS和载体基板CS之间的整体粘合强度可以变弱。处理基板PS和载体基板可以彼此分离。
为了在薄基板上形成装置，可以使用根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法。然而，该方法不局限于特定用途。例如，可以使用制造装置基板的方法来形成显示装置。
将描述根据本发明构思的示例性实施例的通过制造方法制造的显示装置，然后将描述制造显示装置的方法。
图11是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图11，显示装置可以包括第一基板SUB1、与第一基板SUB1相对的第二基板SUB2以及设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的像素PXL。
第一基板SUB1可以具有彼此相对的两个表面(例如，第一表面和第二表面)。第一基板SUB1的第一表面可以面对第二基板SUB2。
像素PXL可以设置在第一基板SUB1上。像素PXL可以包括至少一个电极和由电极驱动的图像显示层。在本发明构思的示例性实施例中，如果显示装置是液晶显示装置，则电极可以包括彼此分隔开的至少两个电极(例如，第一电极和第二电极)，并且图像显示层可以为液晶层LC。在本发明构思的示例性实施例中，第一电极和第二电极可以产生电场，并且可以被定义为像素电极PE和公共电极CE。在本发明构思的示例性实施例中，第一电极和第二电极可以分别为像素电极PE和公共电极CE。图像显示层可以为液晶层LC。
第二基板SUB2可以具有彼此相对的两个表面(例如，第三表面和第四表面)。第二基板SUB2的第三表面可以面对第一基板SUB1的第一表面。
第二基板SUB2可以包括与第一基板SUB1相同的材料或不同的材料。在本发明构思的示例性实施例中，第一基板SUB1和第二基板SUB2可以包括玻璃。然而，本发明构思不限于此。在本发明构思的示例性实施例中，第一基板SUB1可以包括玻璃，第二基板SUB2可以包括塑料。
密封部SL可以设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。当从平面图观察时，密封部SL可以沿着第一基板SUB1和第二基板SUB2的边缘设置。密封部SL可以密封液晶层LC。
在本发明构思的示例性实施例中，第二基板SUB2与第一基板SUB1一起被示出。在本发明构思的示例性实施例中，可以省略第二基板SUB2。例如，像素PXL可以设置在第一基板SUB1上，包封层可以设置在像素PXL上。
像素PXL可以包括互连部和薄膜晶体管。互连部可以包括栅极线和数据线，薄膜晶体管可以连接到栅极线或数据线。薄膜晶体管可以连接到像素PXL的像素电极PE。
第一表面修饰层SML1可以设置在第一基板SUB1的第二表面上，第二表面修饰层SML2可以设置在第二基板SUB2的第四表面上。
在显示装置中，当将栅极信号施加到栅极线时，薄膜晶体管可以导通。施加到数据线的数据信号可以通过薄膜晶体管施加到像素电极PE。当薄膜晶体管导通以将数据信号施加到像素电极PE时，可以在像素电极PE与公共电极CE之间产生电场。可以通过由施加到公共电极CE和像素电极PE的电压之间的差产生的电场来驱动液晶层LC的液晶分子。传输通过液晶层LC的光的强度可以改变以显示图像。
图12A至图12E是示出制造在图11中示出的显示装置的方法的剖视图。在下文中，将参照图12A至图12E详细地描述根据本发明构思的示例性实施例的制造显示装置的方法。为了避免冗余的解释，将在专注于制造显示装置的方法和上面讨论的装置基板的制造方法之间的不同的同时描述本实施例。可以省略或简略地提及上面讨论的描述。
参照图12A，可以在第一基板SUB1上形成第一表面修饰层SMLL1。可以在第二基板SUB2上形成第二表面修饰层SMLL2。第二表面修饰层SMLL2可以独立于第一表面修饰层SMLL1而形成。
第一表面修饰层SMLL1和第二表面修饰层SMLL2中的每个可以包括硅烷化合物层或金属氧化物层的单层或者硅烷化合物层和金属氧化物层的双层。第一表面修饰层SMLL1可以包括与第二表面修饰层SMLL2相同的材料。第一表面修饰层SMLL1可以包括与第二表面修饰层SMLL2不同的材料。例如，在本发明构思的示例性实施例中，第一表面修饰层SMLL1和第二表面修饰层SMLL2可以包括硅烷化合物。在本发明构思的示例性实施例中，第一表面修饰层SMLL1可以包括硅烷化合物，第二表面修饰层SMLL2可以包括金属氧化物。
参照图12B，可以将具有第一表面修饰层SMLL1的第一基板SUB1设置在第一载体基板CS1上。可以将具有第二表面修饰层SMLL2的第二基板SUB2设置在第二载体基板CS2上。第一基板SUB1的第一表面修饰层SMLL1可以接触第一载体基板CS1，第二基板SUB2的第二表面修饰层SMLL2可以接触第二载体基板CS2。
参照图12C，可以在设置在第一载体基板CS1上的第一基板SUB1上形成像素电极PE。可以在设置在第二载体基板CS2上的第二基板SUB2上形成公共电极CE。
可以在第一基板SUB1和第二基板SUB2上分别沉积透明导电材料，并可以使用光刻工艺图案化沉积的透明导电材料来形成像素电极PE和公共电极CE。可以通过使用光刻工艺的图案化工艺来形成在像素电极PE与第一基板SUB1之间的栅极线、数据线和薄膜晶体管。然而，形成像素电极PE和公共电极CE的方法不限于以上描述。在本发明构思的示例性实施例中，可以通过各种已知的方法中的至少一种来形成像素电极PE和公共电极CE。
可以在第一基板SUB1和第二基板SUB2被设置在第一载体基板CS1和第二载体基板CS2上时执行形成像素电极PE和公共电极CE、栅极线和数据线以及薄膜晶体管的工艺。当第一基板SUB1和第二基板SUB2是薄的或具有柔性时，第一载体基板CS1和第二载体基板CS2可以保持第一基板SUB1和第二基板SUB2的平坦性并可以减少摆动。
参照图12D，可以将液晶层LC置于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间以完成显示装置。可以通过滴注(one-drop-filling，ODF)工艺形成液晶层LC。可以在第一基板SUB1和第二基板SUB2的周围设置密封部，从而通过密封部密封液晶层LC。可以在将液晶层LC置于两个基板SUB1和SUB2之间之前，将密封部设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2中的一个的边缘上。在将液晶层LC置于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间之后，可以将密封部硬化以密封液晶层LC。
参照图12E，可以将第一载体基板CS1和第二载体基板CS2从显示装置除去。可以将第一载体基板CS1与第一基板SUB1分离，可以将第二载体基板CS2与第二基板SUB2分离。可以使用上述方法执行将第一基板SUB1和第二基板SUB2与第一载体基板CS1和第二载体基板CS2分离的方法。
在本发明构思的示例性实施例中，可以通过使用第一表面修饰层SML1和第二表面修饰层SML2来执行第一基板SUB1与第一载体基板CS1的分离工艺以及第二基板SUB2与第二载体基板CS2的分离工艺。第一表面修饰层SML1和第二表面修饰层SML2可以允许显示装置的表面具有疏水性，以使基板SUB1和SUB2与载体基板CS1和CS2之间的粘合强度变弱。
在根据本发明构思的示例性实施例的制造装置基板的方法中，例如，当表面修饰层被涂覆到具有预定结构的显示装置时，表面修饰层SML可以具有除表面修饰层SML的功能之外的其他功能。图13是示出根据本发明构思的示例性实施例的显示装置的剖视图。图13的第二表面修饰层SML2可以用作表面修饰层。图13的第二表面修饰层SML2可以用作抗静电层。图14A至图14E是示出制造在图13中示出的显示装置的方法的剖视图。
参照图13，显示装置可以包括第一基板SUB1、设置在第一基板SUB1上的公共电极CE、与公共电极CE绝缘的像素电极PE、第二基板SUB2以及设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间的液晶层LC。公共电极CE和像素电极PE两者都可以设置在第一基板SUB1上。绝缘层IL可以设置在公共电极CE与像素电极PE之间。公共电极CE可以设置在第一基板SUB1上，绝缘层IL可以设置在公共电极CE上。像素电极PE可以设置在绝缘层IL上。然而，公共电极CE和像素电极PE的位置不限于这些位置。公共电极CE和像素电极PE的位置可以是任何期望的位置。例如，像素电极PE可以设置在第一基板SUB1上，绝缘层IL可以设置在像素电极PE上，公共电极CE可以设置在绝缘层IL上。像素电极PE和公共电极CE可以以同一水平设置在同一层上。
当从图13中的剖视图观察时，像素电极PE可以与公共电极CE重叠。然而，本发明构思不限于此。像素电极PE和公共电极CE可以沿与第一基板SUB1的顶表面平行的方向交替地且重复地布置。
密封部可以设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。当从平面图观察时，密封部可以沿着第一基板SUB1和第二基板SUB2的边缘设置。密封部可以密封液晶层LC。虽然未在图13中示出，但互连部和薄膜晶体管可以设置在第一基板SUB1和像素电极PE之间。互连部可以包括栅极线和数据线，薄膜晶体管可以连接到栅极线或数据线。像素电极PE可以连接到薄膜晶体管。
第一表面修饰层SML1和第二表面修饰层SML2可以分别设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2的外表面上。第二表面修饰层SML2可以包括金属氧化物层。金属氧化物层根据金属的掺杂量可以具有导电性。金属氧化物层可以接地以将提供至第二基板SUB2的外表面的静电释放到显示装置的外面。
在上述显示装置中，第二基板SUB2可以不具有由导电材料形成的电极。如果静电在第二基板SUB中累积，则可能发生静电的放电。如上所述，第二表面修饰层SML2可以包括具有导电性的材料，并且可以防止积累的静电的放电。
图14A至图14E是示出制造在图13中示出的显示装置的方法的剖视图。在下文中，为了避免冗余的解释，将在专注于与图12A至图12E的上述实施例的不同的同时来描述本实施例。
参照图14A，可以在第一基板SUB1上形成第一表面修饰层SMLL1。可以在第二基板SUB2上形成第二表面修饰层SMLL2。第二表面修饰层SMLL2可以独立于第一表面修饰层SMLL1而形成。第一表面修饰层SMLL1可以包括硅烷化合物层或金属氧化物层的单层或者硅烷化合物层和金属氧化物层的双层。第二表面修饰层SMLL2可以包括金属氧化物层的单层或者硅烷化合物层和金属氧化物层的双层。金属氧化物层可以用足量的金属掺杂以具有导电性。
参照图14B，可以将具有第一表面修饰层SMLL1的第一基板SUB1设置在第一载体基板CS1上。可以将具有第二表面修饰层SMLL2的第二基板SUB2设置在第二载体基板CS2上。
参照图14C，可以在设置在第一载体基板CS1上的第一基板SUB1上形成公共电极CE、绝缘层IL和像素电极PE。可以使用光刻工艺来形成公共电极CE、绝缘层IL和像素电极PE中的每个。
可以通过使用多个光刻工艺的多个图案化工艺来形成在像素电极PE与第一基板SUB1之间的栅极线、数据线和薄膜晶体管。然而，形成像素电极PE和公共电极CE的方法不限于以上描述。在本发明构思的示例性实施例中，可以通过各种已知方法中的至少一种方法来形成像素电极PE和公共电极CE。
参照图14D，可以将液晶层LC置于第一基板SUB1和第二基板SUB2之间以完成显示装置。
参照图14E，可以将第一载体基板CS1和第二载体基板CS2从显示装置除去。可以将第一载体基板CS1与第一基板SUB1分离，可以将第二载体基板CS2与第二基板SUB2分离。可以使用上述方法来执行将第一基板SUB1和第二基板SUB2与第一载体基板CS1和第二载体基板CS2分离的方法中的每种方法。
在本发明构思的示例性实施例中，可以通过使用第一表面修饰层SMLL1和第二表面修饰层SMLL2来执行第一基板SUB1与第一载体基板CS1的分离工艺以及第二基板SUB2与第二载体基板CS2的分离工艺。第二表面修饰层SMLL2可以由导电材料形成并可以接地，从而其可以防止由累积的静电的放电对显示装置造成的损坏。
本发明构思的示例性实施例提供将处理基板与载体基板分离的方法以及使用该方法制造柔性装置基板的方法。本发明构思的示例性实施例提供使用该方法制造的显示装置。
尽管已经参照本发明构思的示例性实施例具体地示出并描述了本发明构思，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，在这里可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (24)

1.一种制造装置基板的方法，所述方法包括下述步骤：
在处理基板上形成表面修饰层，其中，表面修饰层具有与处理基板的疏水性不同的疏水性；
将处理基板设置在载体基板上，其中，表面修饰层被设置在处理基板和载体基板之间；
在处理基板上形成装置；以及
将处理基板与载体基板分离。
2.如权利要求1所述的方法，其中，表面修饰层的疏水性大于处理基板的疏水性。
3.如权利要求2所述的方法，其中，表面修饰层包括硅烷化合物。
4.如权利要求3所述的方法，其中，硅烷化合物包括六甲基二硅氧烷。
5.如权利要求3所述的方法，其中，形成表面修饰层的步骤包括：
在处理基板上形成包括自组装单层的硅烷化合物层；以及
清洁处理基板。
6.如权利要求2所述的方法，其中，表面修饰层包括金属氧化物。
7.如权利要求6所述的方法，其中，金属氧化物包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌或氧化锗锌。
8.如权利要求2所述的方法，其中，表面修饰层包括：
硅烷化合物层，设置在处理基板上，其中，硅烷化合物层包括硅烷化合物；以及
金属氧化物层，设置在处理基板和硅烷化合物层之间，其中，金属氧化物层包括金属氧化物。
9.如权利要求8所述的方法，其中，硅烷化合物包括六甲基二硅氧烷。
10.如权利要求8所述的方法，其中，金属氧化物包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌或氧化锗锌。
11.如权利要求1所述的方法，其中，当从平面图观察时，表面修饰层设置在处理基板的至少一部分上，
其中，处理基板包括其上设置有表面修饰层的第一区域和其上未设置表面修饰层的第二区域。
12.如权利要求11所述的方法，其中，第二区域沿着处理基板的边缘设置。
13.如权利要求11所述的方法，其中，第一区域设置在处理基板的边缘的一部分上。
14.如权利要求11所述的方法，其中，第一区域通过处理基板的中心并沿与处理基板的边平行的方向延伸。
15.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括除去表面修饰层的一部分。
16.如权利要求15所述的方法，其中，通过刻蚀工艺或研磨工艺除去表面修饰层的所述一部分。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基板，包括彼此相对的第一表面和第二表面；
像素，设置在第一表面上；以及
第一表面修饰层，设置在第二表面上，其中，第一表面修饰层具有与第一基板的疏水性不同的疏水性。
18.如权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二基板，包括面对第一基板的第三表面和与第三表面相对的第四表面；以及
第二表面修饰层，设置在第四表面上，其中，第二表面修饰层具有与第二基板的疏水性不同的疏水性。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中，第二表面修饰层包括包含金属氧化物的金属氧化物层。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中，金属氧化物包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化铟锡锌或氧化锗锌。
21.如权利要求20所述的显示装置，其中，第二表面修饰层接地。
22.如权利要求21所述的显示装置，其中，像素包括：
第一电极，设置在第一基板上；
第二电极，设置在第二基板上，其中，第二电极与第一电极绝缘，第一电极和第二电极被构造成产生电场；以及
液晶层，设置在第一基板和第二基板之间。
23.如权利要求19所述的显示装置，其中，第二表面修饰层还包括硅烷化合物层。
24.如权利要求23所述的显示装置，其中，硅烷化合物包括六甲基二硅氧烷。
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