CN101349824B - 可挠式显示面板及其制造方法、光电装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可挠式显示面板及其制造方法、光电装置及其制造方法该制造方法包括：首先，提供一第一与一第二玻璃基板。在第一玻璃基板的内表面上形成一第一蚀刻终止层与一主动层。在第二玻璃基板的内表面上形成一第二蚀刻终止层与一覆盖层；于第一与第二玻璃基板之间形成一显示介质；在第二玻璃基板的外表面形成一第一保护层；进行一第一蚀刻程序以暴露出第一蚀刻终止层；在暴露的第一蚀刻终止层上形成一第一可挠式基材；于第一可挠式基材上形成一第二保护层；移除第一保护层；进行一第二蚀刻程序以暴露出第二蚀刻终止层；在暴露的第二蚀刻终止层上形成一第二可挠式基材；移除第二保护层。

Description

可挠式显示面板及其制造方法、光电装置及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制造方法、光电装置及其制造方法，且特别是有关于一种可挠式显示面板及其制造方法、光电装置及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步，显示器的技术也不断地发展。轻、薄、短、小的平面显示器(Flat Panel Display，FPD)逐渐取代传统厚重的阴极映像管显示器(Cathode Ray Tube，CRT)。在众多类型的平面显示器中，例如液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、电浆显示器(plasma display panel，PDP)、电致发光显示器(electroluminescent display，ELD)和真空荧光显示器(vacuumfluorescent display，VFD)，通常包含玻璃基板。由于平面显示器的整体重量是由玻璃基板的重量决定，因而不断减小玻璃基板的重量与厚度，以便获得具有较轻重量与较薄厚度的平面显示器。

图1A至图1C是现有技术一种显示面板的制造方法的剖面示意图。请先参考图1A，关于现有显示面板1的制造方法，首先，提供一第一玻璃基板10与一第二玻璃基板20，并于第一玻璃基板10的内表面10a形成一薄膜晶体管层12，于第二玻璃基板20的内表面20a形成一彩色滤光层22。请参考图1B，接着，于第一玻璃基板10与第二玻璃基板20之间形成一液晶层30，并将第一玻璃基板10与第二玻璃基板20组立在一起。请参考图1C，最后，薄化第一玻璃基板10与第二玻璃基板20，以形成一第一次玻璃基板10’与一第二次玻璃基板20’。

目前玻璃薄化技术是采用研磨且抛光工艺，来减轻玻璃基板的重量与厚度，使显示面板1应用于显示器(未绘示)时能更加轻薄。现有未薄化前的第一玻璃基板10与第二玻璃基板20，其厚度约为0.5公厘(mm)，因此尺寸较大的第一玻璃基板10与第二玻璃基板20具有足够的抗压强度。但是，为了符合显示器轻薄化的趋势，将原来的玻璃基板的厚度减少，使第一玻璃基板10与第二玻璃基板20的厚度从原来的0.5公厘(mm)薄化到第一次玻璃基板10’与第二次玻璃基板20’的厚度为0.3公厘(mm)。此时玻璃基板会因为抗压强度不够而容易产生破裂。此外，第一玻璃基板10与第二玻璃基板20属于硬质基板，即使薄化后的第一次玻璃基板10’与第二次玻璃基板20’虽然可以减轻显示器整体的重量与厚度，但是仍无法使得显示器具有弯曲特性来容忍特定程度的形变，进而影响显示器应用的普及度。

发明内容

本发明提供一种可挠式显示面板，其采用可挠式基材取代现有的玻璃基材，使得其应用于显示器时可具有较轻薄的外型并具有可弯曲的特性。

本发明更提供一种可挠式显示面板的制造方法，其可制作出上述的可挠式显示面板。

本发明更提供一种光电装置，其具有上述的可挠式显示面板，使得其具有较轻薄的外型。

本发明更提供一种上述的光电装置的制造方法。

本发明提出一种可挠式显示面板的制造方法。首先，提供一第一玻璃基板以及一第二玻璃基板。接着，在第一玻璃基板的内表面上依序形成一第一蚀刻终止层以及一主动层。在第二玻璃基板的内表面上依序形成一第二蚀刻终止层以及一覆盖层。在第一玻璃基板与第二玻璃基板之间形成一显示介质，并将第一玻璃基板与第二玻璃基板组立在一起。在第二玻璃基板的外表面形成一第一保护层。进行一第一蚀刻程序，以将第一玻璃基板完全移除，而暴露出第一蚀刻终止层。在暴露的第一蚀刻终止层的表面上形成一第一可挠式基材，并且于第一可挠式基材上形成一第二保护层。移除第二玻璃基板的外表面上的第一保护层。进行一第二蚀刻程序，以将第二玻璃基板完全移除，而暴露出第二蚀刻终止层。最后，在暴露的第二蚀刻终止层的表面上形成一第二可挠式基材，并且移除第一可挠式基材上的第二保护层。

本发明提出一种可挠式显示面板，其包括一第一可挠式基材、一第二可挠式基材以及一显示介质。第一可挠式基材上依序配置有一第一蚀刻终止层以及一主动层，其中第一蚀刻终止层的材质包括聚酰胺类或富含硅的介电材料。第二可挠式基材的下表面依序配置有一第二蚀刻终止层以及一覆盖层，其中第二蚀刻终止层的材质包括聚酰胺类或富含硅的氮化硅。显示介质位于该主动层与该覆盖层之间。

本发明提出一种光电装置的制造方法，包含如上述所述的可挠式显示面板的制造方法。

本发明提出一种光电装置，包含如上述所述的可挠式显示面板。

基于上述，由于本发明采用可挠式基材作为可挠式显示面板的基板，相较于现有采用硬质的玻璃作为显示面板的基板而言，本发明的可挠式显示面板具有可弯曲的特性，可容忍特定程度的形变，且当其应用于显示器时可具有较轻薄的外型。另外，本发明亦提供上述的可挠式显示面板的制造方式。采用上述的可挠式显示面板的光电装置同样地具有可弯曲的特性及较为轻薄的优点。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1C是现有技术一种显示面板的制造方法的剖面示意图；

图2为本发明的一实施例的一种可挠式显示面板的剖面示意图；

图3A至图3J绘示为图2的可挠式显示面板的制造方法的剖面示意图；

图4为本发明的一实施例的一种光电装置的示意图。

【主要组件符号说明】

1：显示面板

10：第一玻璃基板

10’：第一次玻璃基板

10a：内表面

12：薄膜晶体管层

20：第二玻璃基板

20’：第二次玻璃基板

20a：内表面

22：彩色滤光层

30：液晶层

100：可挠式显示面板

110：第一可挠式基材

110’：第一玻璃基板

110a：内表面

110b：外表面

112：第一蚀刻终止层

114：主动层

116：第二保护层

120：第二可挠式基材

120’：第二玻璃基板

120a：内表面

120b：外表面

122：第二蚀刻终止层

124：覆盖层

126：第一保护层

130：显示介质

140a、140b：黏着层

200：光电装置

210：电子组件

具体实施方式

图2为本发明的一实施例的一种可挠式显示面板的剖面示意图。请参考图2，在本实施例中，可挠式显示面板100包括一第一可挠式基材110、一第二可挠式基材120以及一显示介质130，其中显示介质130位于第一可挠式基材110与第二可挠式基材120之间。

详细而言，第一可挠式基材110上配置有一第一蚀刻终止层112以及一主动层114。第二可挠式基材120上配置有一第二蚀刻终止层122以及一覆盖层124。特别是，第一蚀刻终止层112位于主动层114与第一可挠式基材110之间，且第二蚀刻终止层122位于覆盖层124与第二可挠式基材120之间。另外，显示介质130位于第一可挠式基材110的主动层114与第二可挠式基材120的覆盖层124之间。

在本实施例中，第一可挠式基材110与第二可挠式基材120包括塑料基材、金属基材、具有曲度的玻璃、或上述的组合，使得可挠式显示面板100可以容忍特定程度的形变。在此必须说明的是，若是选择金属基材作为第一或第二可挠式基材110、120材质，由于金属基材不透光，因此可挠式显示面板100在第一可挠式基材110与第二可挠式基材120的材料选择上，只能有一者为金属基材。也就是说，第一可挠式基材110与第二可挠式基材120其中的一必须是选择可透光的基材(如：塑料基材、具有曲度的玻璃、或上述的组合)，以使光源可穿透可挠式显示面板100。此外，在其它的实施例中，第一可挠式基材110与第二可挠式基材120其中至少之一可具有极化、相位差、增光、光延迟或是上述至少二者的功能。换言之，第一可挠式基材110与第二可挠式基材120除了可具有透光性与可弯曲的特性外，还可具有一般偏光片、相位差板、光延迟片及/或增光片等功效，而不需要再设置额外的偏光片、相位差板及/或增光片。

另外，位于第一可挠式基材110上的主动层114具有多条扫描线(未绘示)、多条资料线(未绘示)、多个薄膜晶体管(未绘示)以及多个画素电极(未绘示)，其中扫描线与数据线交错配置，薄膜晶体管电性连接对应的扫描线与数据线，且画素电极与对应的薄膜晶体管电性连接。此外，薄膜晶体管的结构包含底闸型、顶闸型、或其它型态、且薄膜晶体管的掺杂型态包含N型、P型、或上述的组合。

此外，位于主动层114与第一可挠式基材110之间的第一蚀刻终止层112为单层或多层结构，且其材质包括聚酰胺类或富含硅的介电材料，且第一蚀刻终止层112的结构为单层或多层结构。在本实施例中，富含硅的介电材料较佳地以富含硅的氮化硅为例，且其所谓的富含硅的氮化硅(SixNy)，指的是氮化硅的硅原子对氮原子的较佳地比例实质上为1～1.25，但不限于此值，氮化硅的硅原子对氮原子的比例实质上大于或实质上等于1。于其它实施例其它富含硅的介电材料，如：富含硅的氧化硅、富含硅的氮氧化硅、富含硅的碳化硅、富含硅的硅化锗、富含硅的硅化砷或其它合适的材料，且其富含硅的定义亦实质上如同于富含硅的氮化硅的定义方式。

另外，位于第二可挠式基材120上的覆盖层124的材料，可依照显示介质130的材料来选用，若显示介质130为光电偏折材料，例如：液晶材料或其它合适材料，则覆盖层124的材料可以是一共享电极层(未绘示)、一彩色滤光层(未绘示)、一平坦层(未绘示)、一配向层(未绘示)或者是上述至少二者的多层覆盖材料。举例而言，若，覆盖层124有四层材料层，如共享电极层、平坦层、配向层及彩色滤光层，则设置方式可以是平坦层配置于彩色滤光层与共享电极层之间，且配向层覆盖共享电极层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列，或者是平坦层配置于彩色滤光层与共享电极层之间，且配向层覆盖彩色滤光层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列。若，覆盖层124有三层材料层，例如：共享电极层、配向层及彩色滤光层，则设置方式可以是共享电极层配置于彩色滤光层与配向层之间，且配向层覆盖共享电极层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列，或者是彩色滤光层配置于共享电极层与配向层之间，且配向层覆盖彩色滤光层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列。若，覆盖层124有另外一种三层材料层，例如：配向层、共享电极层及平坦层，则设置方式为：共享电极层配置于配向层与平坦层之间，且配向层覆盖共享电极层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列，且此时所需要的显示彩色画面的色光可由光源(未绘示)提供或将彩色滤光层(未绘示)配置于第一可挠性式基材110上。若，覆盖层124有二层材料层，例如：共享电极层及配向层，则设置方式为配向层覆盖共享电极层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列，且此时所需要的显示彩色画面的色光可由光源提供或将彩色滤光层配置于第一可挠式基材110上。若，覆盖层124有另外一种二层材料层，例如：共享电极层及彩色滤光层，则设置方式可以是彩色滤光层覆盖共享电极层或者是共享电极层覆盖彩色滤光层。若，覆盖层124有再另外一种二层材料层，例如：平坦层及配向层，则设置方式可以是为配向层覆盖平坦层，其中配向层可以使液晶分子沿特定的序向排列，且此时所需要的显示彩色画面的色光可由光源提供或将彩色滤光层配置于第一可挠式基材110上。若，覆盖层124有更另外一种二层材料层，例如：平坦层及共享电极层，则设置方式可以是共享电极层覆盖平坦层，且此时所需要的显示彩色画面的色光可由光源提供或彩色滤光层配置于第一可挠式基材上，或者是平坦层覆盖共享电极层，且此时所需要的显示彩色画面的色光可由光源提供或彩色滤光层配置于第一可挠式基材110上。覆盖层仅有一层材料的配置，如上所述的材料来选用，而不再赘言之。此外，共享电极层的材质例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化铪、氧化锌、氧化铝、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉锡氧化物、镉锌氧化物或上述的组合，但不限于此。平坦层的材质可以是使用无机材质(如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化铝、或其它材质、或上述的组合)、有机材质(如：光阻、苯并环丁烯、环烯类、聚酰亚胺类、聚酰胺类、聚酯类、聚醇类、聚环氧乙烷类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类、或其它材料、或上述的组合)、或上述的组合。在其它实施例中，若显示介质130为自发光材料，例如：电激发光材料，则覆盖层124的材料也可以是干燥层、阻氧阻水层或是吸氧吸水层。

类似地，位于覆盖层124与第二可挠式基材120之间的第二蚀刻终止层122为单层或多层结构，且其材质包括聚酰胺类或富含硅的介电材料。在本实施例中，富含硅的介电材料较佳地以富含硅的氮化硅为例，但不限于此，且其所谓的富含硅的氮化硅(SixNy)，指的是氮化硅的硅原子对氮原子的较佳比例实质上为1～1.25，但不限于此，也就是说，氮化硅的硅原子对氮原子的比例实质上大于或实质上等于1。于其它实施例中其它富含硅的介电材料，如：富含硅的氧化硅、富含硅的氮氧化硅、富含硅的碳化硅、富含硅的硅化锗、富含硅的硅化砷或其它合适的材料，且其富含硅的定义亦实质上如同于富含硅的氮化硅的定义方式。另外，于本实施例中，较佳地，第一蚀刻终止层112的材质实质上相同于第二蚀刻终止层122的材质，但不限于此，于其它实施例中，第一蚀刻终止层112的材质亦实质上不同于第二蚀刻终止层122的材质。

再者，显示介质130包括液晶材料、电致发光材料或是上述的组合。当可挠式显示面板100中的显示介质130为液晶时，可挠式显示面板100称为液晶显示面板(如：穿透型显示面板、半穿透型显示面板、反射型显示面板、彩色滤光片于主动层上(color filter on array)的显示面板、主动层于彩色滤光片上(array on color filter)的显示面板、垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向列型(TN)显示面板、超扭曲向列型(STN)显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、超级图案垂直配向型(S-PVA)显示面板、先进大视角型(ASV)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板、连续焰火状排列型(CPA)显示面板、轴对称排列微胞型(ASM)显示面板、光学补偿弯曲排列型(OCB)显示面板、超级水平切换型(S-IPS)显示面板、先进超级水平切换型(AS-IPS)显示面板、极端边缘电场切换型(UFFS)显示面板、高分子稳定配向型显示面板、双视角型(dual-view)显示面板、双面(double screen)显示面板、三面显示面板、三视角型(triple-view)显示面板、三维显示面板(three-dimensional)、电润湿(electrowetting)显示器、或其它型面板、或上述的组合)，亦称为非自发光显示面板。若显示介质130为电致发光材料，可挠式显示面板100则称为电致发光显示面板(如：磷光电致发光显示面板、荧光电致发光显示面板、或上述的组合)，亦称为自发光显示面板，且其电致发光材料可为有机材料、有机材料、无机材料、或上述的组合。再者，上述材料的分子大小包含小分子、高分子、或上述的组合。若，显示介质130同时包含液晶及电致发光材料，则可挠式显示面板100称为混合式(hybrid)显示面板或半自发光显示面板。

此外，在本实施例中，可挠式显示面板100，较佳地，于第一蚀刻终止层112与主动层114之间与第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间分别配置一黏着层140a、140b，用以增加第一蚀刻终止层112与主动层114之间的附着力以及第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间的附着力。更甚者，可以降低主动层114与第一蚀刻终止层112之间的应力。黏着层140a、140b的材质为单层或多层的介电材料，本发明的实施例以无机介电材料的氧化硅及/或氮氧化硅为例，但不限于此，其它无机材料，如，平坦层所使用的材料，且亦可使用有机介电材料，如平坦层所使用的材料，或上述的无机或有机材料的组合。在此必须说明的是，在其它未绘示的实施例中，可挠式显示面板100可选择性地于第一蚀刻终止层112与主动层114之间及第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间其中至少一者配置一黏着层或是不配置黏着层于第一蚀刻终止层112与主动层114之间及第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。

简言之，本实施例是采用第一可挠式基材110与第二可挠式基材120作为可挠式显示面板100的基板，由于可挠式基材具有可弯曲的特性，因此可挠式显示面板100可以容忍特定程度的形变。相较于现有采用硬质的玻璃作为显示面板1(请参考图1C)的基板而言，本实施例的可挠式显示面板100可以避免因受压而产生破裂的情形，且当其应用于显示器(未绘示)时可具有较轻薄的外型。

以上所介绍的可挠式显示面板100可以下述的制造方法制出。以下将以图2中的可挠式显示面板100的结构作为举例说明，并配合图3A至图3J对本发明的可挠式显示面板100的制造方法进行详细的说明。

图3A至图3J绘示为图2的可挠式显示面板的制造方法的剖面示意图。请先参考图3A，关于本实施例的可挠式显示面板100的制造方法，首先，提供一第一玻璃基板110’以及一第二玻璃基板120’，其中第一玻璃基板110’具有一内表面110a与一外表面110b，第二玻璃基板120’具有一内表面120a与一外表面120b。

请参考图3B，接着，在第一玻璃基板110’的内表面110a上依序形成一第一蚀刻终止层112、一黏着层140a以及一主动层114，在第二玻璃基板120’的内表面120a上依序形成一第二蚀刻终止层122、一黏着层140b以及一覆盖层124，其中黏着层140a、140b可以增加第一蚀刻终止层112与主动层114之间与第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间的附着力。更甚者，可以分别降低主动层114与第一蚀刻终止层112之间的应力与第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间的应力。特别值得一提的是，在其它的实施例中，是可以省略形成黏着层140a、140b其中至少一者的步骤。也就是说，于其它实施例，可完全不存在黏着层于第一蚀刻终止层112与主动层114之间及第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间或是可选择性地于第一蚀刻终止层112与主动层114之间及第二蚀刻终止层122与覆盖层124之间其中至少一者配置一黏着层。

详细而言，第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122的材质其中至少一者包括氮化硅或是聚酰胺类，而且第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122可为单层或多层结构。举例而言，在本实施例中，第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122的材质皆以富含硅的介电材料，较佳地以富含硅的氮化硅(SixNy)为范例，但不限于此，其中氮化硅的硅原子对氮原子的较佳地比例实质上为1～1.25，但不限于此值，也就是说，氮化硅的硅原子对氮原子的比例实质上大于或实质上等于1。于其它实施例中其它富含硅的介电材料，如：富含硅的氧化硅、富含硅的氮氧化硅、富含硅的碳化硅、富含硅的硅化锗、富含硅的硅化砷或其它合适的材料，且其富含硅的定义亦实质上如同于富含硅的氮化硅的定义方式。此外，黏着层140a、140b、主动层114以及覆盖层124的材质与设置模式如上述图2所述的材质与设置模式，主动层114以及覆盖层124的结构与设置模式如上述图2所述的结构与设置模式，故在此不再赘述。

请参考图3C，接着，于第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’之间形成一显示介质130，并将第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’组立在一起。在本实施例中，显示介质130包括非自发光材料或是电致发光材料，因此本实施例并不限定显示介质130的材质，端视可挠式显示面板100(请参考图2)的类型而作选择。有关显示介质130的部分已经说明如先前段落，因此在此不再赘述。

请参考图3D，接着，在第二玻璃基板120’的外表面120b形成一第一保护层126，其中第一保护层126为单层结构或多层结构，且其材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸二乙酯、聚醚、或是其它合适的材料、或上述的组合。接着，请参考图3E，进行一第一蚀刻程序，以将第一玻璃基板110’完全移除，而暴露出第一蚀刻终止层112。

详细而言，在本实施例中，第一蚀刻程序较佳地以在室温26℃下为范例进行，且第一蚀刻程序的蚀刻速率实质上为15～50um/min当作范例，但不限于上述的温度及/或蚀刻速率。当进行第一蚀刻程序时，由于第二玻璃基板120’的外表面120b具有第一保护层126，因此第二玻璃基板120’不会直接接触到蚀刻液，可以避免蚀刻液的侵蚀。而第一玻璃基板110’无保护层的保护，因此第一玻璃基板110’会受到蚀刻液的侵蚀。当蚀刻液侵蚀到第一蚀刻终止层112时，蚀刻液即会被第一蚀刻终止层112给阻挡下来，此时，蚀刻液已将第一玻璃基板110’完全移除。也就是说，第一玻璃基板110’是被溶解于蚀刻液中，而不是第一蚀刻终止层112被蚀刻液移除并让第一玻璃基板110’脱落。

此外，在本实施例中，较佳地，第一蚀刻程序为多次蚀刻步骤，可包含第一次蚀刻步骤及第二次蚀刻步骤，且第一次蚀刻步骤的蚀刻速率实质上大于第二次蚀刻步骤的蚀刻速率，也就是说，可以藉由蚀刻速率较快的第一次蚀刻步骤将大部分的第一玻璃基材110’移除，接着，再藉由蚀刻速率较慢的第二次蚀刻步骤将剩余的第一玻璃基材110’移除，以防止蚀刻液过度蚀刻至蚀刻终止层112，换言之，藉由两次不同蚀刻速率的蚀刻步骤，可以较为精准的控制蚀刻深度。于其它实施例中，亦可使用仅有一次蚀刻步骤或再加入另外的次蚀刻步骤于第一次蚀刻步骤与第二次蚀刻步骤之间与第二次蚀刻步骤之后其中至少一者，且另外的次蚀刻步骤的蚀刻速率依情况所需，较佳地，若另外的次蚀刻步骤配置于第一次蚀刻步骤与第二次蚀刻步骤之间，则另外的次蚀刻步骤的蚀刻速率为第一次蚀刻步骤的蚀刻速率与第二次蚀刻步骤的蚀刻速率之间。或者是，若另外的次蚀刻步骤配置于第二次蚀刻步骤之后，则另外的次蚀刻步骤的蚀刻速率实质上小于第二次蚀刻步骤的蚀刻速率，但不限于此。此外，另外的次蚀刻步骤亦可选择为分为多次次蚀刻步骤。

另外，第一蚀刻终止层112对第一玻璃基板110’较佳地蚀刻选择比实质上为20～25，但不限于此，第一蚀刻终止层112对第一玻璃基板110’的蚀刻选择比实质上大于或实质上等于20。举例而言，当第一蚀刻终止层112的材质较佳地以富含硅的介电材料中的富含硅的氮化硅为例时，蚀刻第一玻璃基材110’约20微米(μm)时只会蚀刻第一蚀刻终止层112约1微米(μm)。当第一蚀刻终止层112的材质以聚酰胺类为例时，蚀刻第一玻璃基材110’约25微米(μm)时只会蚀刻第一蚀刻终止层112约1微米(μm)。

请参考图3F与图3G，接着，在暴露的第一蚀刻终止层112的表面上形成一第一可挠式基材110，并且于第一可挠式基材110上形成一第二保护层116，其中第二保护层116为单层结构或多层结构，且其材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸二乙酯、聚醚或是其它合适的材料。此外，第一可挠式基材110的材质如先前段落描述(对应图2的段落)，故在此不再赘述。

请参考图3H，移除第二玻璃基板120’的外表面120b上的第一保护层126，以暴露出第二玻璃基板120’。接着，请参照图3I，进行一第二蚀刻程序，以将第二玻璃基板120’完全移除，而暴露出第二蚀刻终止层122。

详细而言，第二蚀刻程序较佳地以在室温26℃下为范例进行，且第二蚀刻程序的蚀刻速率实质上为15～50um/min当作范例，但不限于上述的温度及/或蚀刻速率。当进行第二蚀刻程序时，由于第一可挠式基材110的表面具有第二保护层116，因此第一可挠式基材110不会直接接触到蚀刻液，可以避免蚀刻液的侵蚀。而第二玻璃基板120’的外表面120b无保护层的保护，因此第二玻璃基板120’会受到蚀刻液的侵蚀。当蚀刻液侵蚀到第二蚀刻终止层122时，蚀刻液即会被第二蚀刻终止层122给阻挡下来，此时，蚀刻液已将第二玻璃基板120’完全移除。也就是说，第二玻璃基板120’是被溶解于蚀刻液中，而不是第二蚀刻终止层122被蚀刻液移除并让第二玻璃基板120’脱落。

此外，在本实施例中，较佳地，第二蚀刻程序为多次蚀刻步骤，可包含第一次蚀刻步骤及第二次蚀刻步骤，且第一次蚀刻步骤的蚀刻速率实质上大于第二次蚀刻步骤的蚀刻速率，也就是说，可以藉由蚀刻速率较快的第一次蚀刻步骤将大部分的第二玻璃基材120’移除，接着，再藉由蚀刻速率较慢的第二次蚀刻步骤将剩余的第二玻璃基材120’移除，以防止蚀刻液蚀刻至过多的蚀刻终止层112，换言之，藉由两次不同蚀刻速率的蚀刻步骤，可以较为精准的控制蚀刻深度。于其它实施例中，亦可使用仅有一次蚀刻步骤或再加入另外的次蚀刻步骤于第一次蚀刻步骤与第二次蚀刻步骤之间与第二次蚀刻步骤之后其中至少一者，且另外的次蚀刻步骤的蚀刻速率依情况所需，较佳地，若另外的次蚀刻步骤配置于第一次蚀刻步骤与第二次蚀刻步骤之间，则另外的次蚀刻步骤的蚀刻速率为第一次蚀刻步骤的蚀刻速率与第二次蚀刻步骤的蚀刻速率之间。或者是，若另外的次蚀刻步骤配置于第二次蚀刻步骤之后，则另外的次蚀刻步骤的蚀刻速率实质上小于第二次蚀刻步骤的蚀刻速率，但不限于此。此外，另外的次蚀刻步骤亦可选择为分为多次次蚀刻步骤。

另外，第二蚀刻终止层122对第二玻璃基板120’较佳地蚀刻选择比实质上为20～25，但不限于此，第二蚀刻终止层122对第二玻璃基板120’的蚀刻选择比实质上大于或实质上等于20。举例而言，当第二蚀刻终止层122的材质较佳地以富含硅的介电材料中的富含硅的氮化硅为例时，蚀刻第二玻璃基材120’约20微米(μm)时只会蚀刻第二蚀刻终止层122约1微米(μm)。当第二蚀刻终止层122的材质以聚酰胺类为例时，蚀刻第二玻璃基材120’约25微米(μm)时只会蚀刻第二蚀刻终止层122约1微米(μm)。另外，本发明实施例所述的第一蚀刻终止层112对第一玻璃基板110’的蚀刻选择比以实质上相同于第二蚀刻终止层122对第二玻璃基板120’的蚀刻选择比为范例，但不限于此，第一蚀刻终止层112对第一玻璃基板110’的蚀刻选择比以实质上不同于第二蚀刻终止层122对第二玻璃基板120’的蚀刻选择比。另外，对第一玻璃基板110’的蚀刻步骤次数可相同或不同于对第二玻璃基板120’的蚀刻步骤次数。

值得一提的是，在本实施例中，第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122的材质较佳地以富含硅的介电材料中的富含硅的氮化硅(SixNy)为范例，但不限于此。其中氮化硅的硅原子对氮原子较佳地的比例实质上为1～1.25，但不限于此值，氮化硅的硅原子对氮原子的比例实质上大于或实质上等于1，且第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122分别对第一玻璃基板110’(请参考图3D)与第二玻璃基板120’的较佳的蚀刻选择比实质上为20～25，但不限于此，第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122分别对第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’的蚀刻选择比实质上大于或实质上等于20。

表一

实验条件	1	2	3	4
					含硅气体流量/含氮气体流量	0.15	0.33	0.5	1
蚀刻选择比	5.11	8.68	16.05	24.69

详细而言，表一分别为第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122分别对第一玻璃基板110’(请参考图3D)与第二玻璃基板120’的蚀刻选择比与产生第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122以富含硅的介电材料中的富含硅的氮化硅为例的含硅气体流量/含氮气体流量的实验数据，其中本发明含硅气体包含硅甲烷(silane)、硅乙烷、二硅甲烷(di-silane)、二硅乙烷、四甲基硅烷(tetramethylsilane)、或其它合适的气体、或上述的组合。本发明含氮气体包含氮气、氨气、笑气(一氧化二氮)、氧化二氮、氧化氮、二氧化氮、或其它合适的气体、或上述的组合。本发明实施例的含硅气体与含氮气体分别以硅甲烷与氨气为例，但不限于此。根据表一的数据可得知：当产生第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122的氮化硅的含硅气体流量/含氮气体流量的值分别约为1、0.5、0.33、0.15时，其分别对第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’的蚀刻选择比约为25、16、9、5，也就是说，当产生第一蚀刻终止层112与第二蚀刻终止层122的氮化硅的含硅气体流量/含氮气体流量的值越小时，其对第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’的蚀刻选择比也越小，其对于阻挡蚀刻液的能力越弱。再者，本发明上述实施例所述的蚀刻液包含氢氟酸、醋酸、盐酸、磷酸、硝酸、硫酸、或其它合适的蚀刻液、或上述至少二种的混酸。本发明上述实施例所述的蚀刻液以氢氟酸为例，但不限于此。

请参考图3J，最后，在暴露的第二蚀刻终止层122的表面上形成一第二可挠式基材120，并且移除第一可挠式基材110上的第二保护层116，其中第二可挠式基板110的材质如上述图2所述的材质，在此不再赘述。至此，可挠式显示面板100已大致完成。

简言之，本实施的可挠式显示面板100的制造方法，其先将第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’藉由显示介质130组立在一起后，再利用第一蚀刻程序与第二蚀刻程序来移除第一玻璃基板110’与第二玻璃基板120’，以形成第一可挠式基材110与第二可挠式基材120。由于玻璃基板属于硬质基板，因此此种制造方式可以避免可挠式显示面板100各层间对位精准度不良的问题。此外，由于可挠式基材具有可弯曲的特性，因此制作出的可挠式显示面板100可以容忍特定程度的形变。相较于现有采用硬质的玻璃作为显示面板1的基板而言，本实施例的可挠式显示面板100可以避免因受压而产生破裂的情形，且当其应用于显示器(未绘示)时可具有较轻薄的外型。

图4为本发明的一实施例的一种光电装置的示意图。请参考图4，由上述实施例所述的的可挠式显示面板100可以跟电子组件210电连接而组合成一光电装置200。而光电装置200的制造方法，包含如上所述的可挠式显示器100的制造方法，再依照各种光电装置200的制造程序并组装所得显示器，以获得光电装置200。由于，在本实施例中，可挠式显示面板100是采用可挠式基材作为基板，因此采用上述的可挠式显示面板100的光电装置200除了可具有可弯曲的特性外，同时兼具有较为轻薄的优点。

另外，电子组件210包括如：控制组件、操作组件、处理组件、输入组件、存储元件、驱动组件、发光组件、保护组件、感测组件、侦测组件、或其它功能组件、或前述的组合。而光电装置200的类型包括可携式产品(如手机、摄影机、照相机、笔记型计算机、游戏机、手表、音乐播放器、电子信件收发器、地图导航器、数字相片、或类似的产品)、影音产品(如影音放映器或类似的产品)、屏幕、电视、广告牌、投影机内的面板、或合适的产品。

综上所述，由于本发明采用可挠式基材作为可挠式显示面板的基板，因此本发明的可挠式显示面板可以容忍特定程度的形变。相较于现有采用硬质的玻璃作为显示面板的基板而言，本发明的可挠式显示面板可以避免因受压而产生破裂的情形，且当其应用于显示器时可具有较轻薄的外型。另外，本发明亦提供上述的可挠式显示面板的制作方式，其先藉由显示介质将玻璃基板组立在一起，之后，再利用蚀刻程序来移除玻璃基板，以形成可挠式基材，此方式可以避免对位精准度不良的问题。除此之外，将上述的可挠式显示面板应用于光电装置中，同样地，也可使光电装置具有可弯曲的特性以及较为轻薄外型的优点。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (15)

1.一种可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一玻璃基板以及一第二玻璃基板；

在该第一玻璃基板的内表面上依序形成一第一蚀刻终止层以及一主动层；

在该第二玻璃基板的内表面上依序形成一第二蚀刻终止层以及一覆盖层；

在该第一与该第二玻璃基板之间形成一显示介质，并将该第一与该第二玻璃基板组立在一起；

在该第二玻璃基板的外表面形成一第一保护层；

进行一第一蚀刻程序，以将该第一玻璃基板完全移除，而暴露出该第一蚀刻终止层；

在暴露的该第一蚀刻终止层的表面上形成一第一可挠式基材，并且于该第一可挠式基材上形成一第二保护层；

移除该第二玻璃基板的外表面上的该第一保护层；

进行一第二蚀刻程序，以将该第二玻璃基板完全移除，而暴露出该第二蚀刻终止层；以及

在暴露的该第二蚀刻终止层的表面上形成一第二可挠式基材，并且移除该第一可挠式基材上的该第二保护层。

2.如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，该第一与第二蚀刻终止层的材质包括介电材料或是聚酰胺类其中至少一者。

3.如权利要求2所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，该介电材料为富含硅的介电材料。

4.如权利要求3所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，富含硅的介电材料为富含硅的氮化硅时，该富含硅的氮化硅的硅原子对氮原子的比例为大于或等于1。

5.如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，该第一与第二蚀刻终止层对该第一与该第二玻璃基板的蚀刻选择比大于或等于20。

6.如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，该第一与第二蚀刻程序其中至少一者包含第一次蚀刻步骤及第二次蚀刻步骤，且该第一次蚀刻步骤的蚀刻速率大于该第二次蚀刻步骤的蚀刻速率。

7.如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，该第一与该第二可挠式基材包括塑料基材、金属基材、具有曲度的玻璃、或上述至少二者的组合。

8.如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，该第一与该第二可挠式基材其中至少一者具有极化、相位差、增光、或是上述至少二者的功能。

9.如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法，其特征在于，还包括于该第一蚀刻终止层与该主动层之间与该第二蚀刻终止层与该覆盖层之间其中至少一者形成一黏着层。

10.一种可挠式显示面板，其特征在于，包括：

一第一可挠式基材，且该第一可挠式基材上依序配置有一第一蚀刻终止层以及一主动层，其中该第一蚀刻终止层的材质包括聚酰胺类或富含硅的氮化硅；

一第二可挠式基材，且该第二可挠式基材的下表面依序配置有一第二蚀刻终止层以及一覆盖层，其中该第二蚀刻终止层的材质包括聚酰胺类或富含硅的介电材料；以及

一显示介质，位于该主动层与该覆盖层之间。

11.如权利要求10所述的可挠式显示面板，其特征在于，该第一与该第二可挠式基材包括塑料基材、金属基材、具有曲度的玻璃、或上述的组合。

12.如权利要求10所述的可挠式显示面板，其特征在于，该第一与该第二可挠式基材具有极化、相位差、增光、或是上述至少二者的功能。

13.如权利要求10所述的可挠式显示面板，其特征在于，还包括于该第一蚀刻终止层与该主动层之间与该第二蚀刻终止层与该覆盖层之间其中，至少一者配置一黏着层。

14.一种光电装置的制造方法，包含如权利要求1所述的可挠式显示面板的制造方法。

15.一种光电装置，包含如权利要求11所述的可挠式显示面板。

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