CN109244113A - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板与次要功能区对应的部分包括:基板，设于基板相对两个表面的第一导电层以及第二导电层，以及贯穿基板的导通层，导通层电连接第一导电层和第二导电层，设于第一导电层表面的驱动电路板，第二导电层内的线路与主要显示区的线路电连接，驱动电路板的线路与第一导电层的线路电连接；这样就取消了原本用于连接主要显示区及次要功能区之间的弯折区，直接将COF放置于基板背面，利用贯通基板的导通层连接主要显示区域与COF，无需再弯折，提高了器件的可靠性，解决了现有技术需要设置弯折区将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方的技术问题。

Description

阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
背景技术
OLED器件包括了主要显示区，如像素点、触控电极等，以及外围的次要功能区，如驱动电路板Cell on Film(COF)；二者需要通过导线进行连接。
为了实现OLED器件的窄边框设计，现有技术将导线区域进行弯折，从而将次要功能区放置在主要显示区的下方，缩短主要显示区与OLED器件边框之间的距离。
由于需要将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方，弯折角度大，因此对弯折区的柔韧性要求较高，增加了产品成本，同时弯折处存在膜层断裂等风险，导致产品不良。
即，现有技术需要设置弯折区将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方的技术问题。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制造方法，以解决现有技术需要设置弯折区将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供了一种阵列基板，其包括主要显示区和次要功能区，所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分包括:
一基板；
第一导电层，设于所述基板背离所述主要显示区的一面；
第二导电层，设于所述基板指向所述主要显示区的一面；
导通层，贯穿所述基板，电连接所述第一导电层的线路与所述第二导电层的线路；
驱动电路板，设于所述第一导电层背离所述主要显示区的一面；
其中，所述第二导电层内的线路与所述主要显示区的线路电连接；所述驱动电路板的线路与所述第一导电层的线路电连接。
根据本发明一优选实施例，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一绝缘层，所述绝缘层设于所述基板与所述第二导电层之间，所述导通层贯穿所述基板以及所述绝缘层。
根据本发明一优选实施例，所述绝缘层包括无机绝缘层。
根据本发明一优选实施例，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一封装层，所述封装层覆盖所述第二导电层。
根据本发明一优选实施例，所述基板包括一柔性基板。
根据本发明一优选实施例，所述第二导电层与所述导通层在同一道工艺内形成。
根据本发明一优选实施例，所述导通层为对所述基板进行掺杂形成。
本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，其包括：
提供第一基板，所述第一基板设置有主要显示区和次要功能区，所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧；
在所述第一基板的次要功能区内制备柔性层；
在所述柔性层上制备剥离层，所述剥离层覆盖所述柔性层；
在所述剥离层上制备第一导电层；
在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板，所述第二基板覆盖所述第一导电层；
在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层，并使所述第一导电层通过所述导通层与所述第二导电层导通；
剥离所述第一基板、所述柔性层以及所述剥离层；
将驱动电路板贴合在所述第二基板与所述第一导电层的表面，并使所述驱动电路板与所述第一基板上的主要显示区导通。
根据本发明一优选实施例，在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板的步骤之后，还包括：在所述第二基板上制备绝缘层。
根据本发明一优选实施例，所述在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层的步骤包括：
在对应所述第一导电层的部分区域内，对所述第二基板以及所述绝缘层进行蚀刻；所述蚀刻区域漏出所述第一导电层；
在所述绝缘层上制备所述第二导电层；所述第二导电层覆盖所述绝缘层以及所述蚀刻区域内的第一导电层；所述蚀刻区域内所述第一导电层与所述第二导电层的连接部形成所述导通层。
本发明的有益效果为：本发明提供一种新的阵列基板及其制造方法，该阵列基板与次要功能区对应的部分包括:基板，设于基板相对两个表面的第一导电层以及第二导电层，以及贯穿基板的导通层，导通层电连接第一导电层和第二导电层，设于第一导电层表面的驱动电路板，第二导电层内的线路与主要显示区的线路电连接，驱动电路板的线路与第一导电层的线路电连接；这样就取消了原本用于连接主要显示区及次要功能区之间的弯折区，直接将COF放置于基板背面，利用贯通基板的导通层连接主要显示区域与COF，无需再弯折，提高了器件的可靠性，解决了现有技术需要设置弯折区将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方的技术问题，同时也进一步降低了主要显示区距显示面板边框之间的间距，提高了OLED器件的用户体验。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的阵列基板的第一种示意图；
图2为本发明提供的阵列基板的第二种示意图；
图3a至图3p为本发明提供的阵列基板的制造示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
针对现有技术需要设置弯折区将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方的技术问题，本发明能够解决该缺陷。
如图1所示，本发明提供的阵列基板，其包括主要显示区和次要功能区，所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分包括:
一基板101；
第一导电层102，设于所述基板101背离所述主要显示区的一面；
第二导电层103，设于所述基板101指向所述主要显示区的一面；
导通层104，贯穿所述基板101，电连接所述第一导电层102的线路与所述第二导电层103的线路；
驱动电路板105，设于所述第一导电层102背离所述主要显示区的一面；
其中，所述第二导电层103内的线路与所述主要显示区的线路电连接；所述驱动电路板105的线路与所述第一导电层102的线路电连接。
可选的，为了增强设备韧性，所述基板包括一柔性基板。
可选的，所述导通层为对所述基板进行掺杂形成。
可选的，如图2所示，本发明提供的阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一绝缘层106，所述绝缘层106设于所述基板101与所述第二导电层103之间，所述导通层104贯穿所述基板101以及所述绝缘层106。
可选的，所述绝缘层包括无机绝缘层。
可选的，如图2所示，本发明提供的阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一封装层107，所述封装层107覆盖所述第二导电层103，用于保护导电层103。
可选的，如图2所示，所述第二导电层与所述导通层在同一道工艺内形成。
为了得到上述实施例中的阵列基板，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法，其包括以下步骤：
步骤1、提供第一基板，所述第一基板设置有主要显示区和次要功能区，所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧；
提供如图3a所示的第一基板，第一基板设置有主要显示区和次要功能区。
步骤2、在所述第一基板的次要功能区内制备柔性层；
如图3b所示，在第一基板，如硬性透明基板(如玻璃)上制备一层柔性聚合物材料层301，聚合物材料不做要求，如PI(聚酰亚胺)等；对材料层301的厚度不做要求，材料层301位于主要显示区(包括OLED发光区域、封装区域、模组区域、触控区域)外，不能覆盖主要显示区。
步骤3、在所述柔性层上制备剥离层，所述剥离层覆盖所述柔性层；
如图3c所示，在材料层301上方制备上一层剥离层302，制备工艺无要求，可采用热蒸镀、CVD等工艺，材料可为parylene(聚对二甲苯)类聚合物材料，如Parylene C、ParyleneN、Parylene AF4等，该类材料具有耐高温、抗紫外、对基板无腐蚀，同时该剥离层302无粘性，易从基板表面剥离；要求剥离层302需完全覆盖材料层301表面，不能覆盖主要显示区域，厚度无要求。
步骤4、在所述剥离层上制备第一导电层；
如图3d所示，在剥离层302上方制备第一导电层303，导电材料无要求，如Al、Cu、Ti、ITO、IZO等；制备工艺无要求，如：PVD、Sputting等；要求第一导电层303覆盖区域不能超过下方材料层301覆盖区域，厚度不做要求。
如图3e所示，对第一导电层303进行图案化处理，形成第一导电层的线路。
步骤5、在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板，所述第二基板覆盖所述第一导电层；
如图3f所示，在次要功能区域表面涂覆柔性聚合物材料层，从而形成柔性基板层304等第二基板，聚合物材料不做要求，如PI(聚酰亚胺)等；柔性基板层304厚度无强制要求，但必须完全能包覆住材料层301、剥离层302以及第一导电层303。
步骤6、在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层，并使所述第一导电层通过所述导通层与所述第二导电层导通；
本步骤包括：在所述第二基板上制备绝缘层；在对应所述第一导电层的部分区域内，对所述第二基板以及所述绝缘层进行蚀刻；所述蚀刻区域漏出所述第一导电层；在所述绝缘层上制备所述第二导电层；所述第二导电层覆盖所述绝缘层以及所述蚀刻区域内的第一导电层；所述蚀刻区域内所述第一导电层与所述第二导电层的连接部形成所述导通层。
如图3g所示，在柔性基板层304上方制备无机绝缘层305，用于阻隔水氧从下方入侵，材料不做要求，如SiNx、SiOxNy、SiOx、AlOx、ZrOx等，要求无机绝缘层305完全覆盖非显示区域表面，无机绝缘膜层厚度无要求。
如图3h所示，利用曝光-显影-蚀刻工艺，分别对第一导电层303上方的无机绝缘膜层305以及柔性基板层304进行蚀刻，制备出相应图案，要求制备该图案区域边界不能超出第一导电层303边界，图案处无机绝缘膜层305以及柔性基板层304被完全蚀刻，表面露出第一导电层303；该图案的个数和图案不做要求。蚀刻处理后，无机绝缘膜层305的表面如图3i所示。
如图3j所示，在整个次要功能区表面的第二导电层设定区域内沉积第二导电层306，其中第二导电层306在图案处与第一导电层303相连通，导电材料无要求，如Al、Cu、Ti、ITO、IZO等；制备工艺无要求，如：PVD、Sputting等；厚度不做要求。
如图3k所示，对第二导电层306进行图案化处理，得到第二导电层的线路。
如图3l所示，在整个次要功能区表面沉积封装层307。
步骤7、剥离所述第一基板、所述柔性层以及所述剥离层；
如图3m以及图3n所示，利用激光剥离技术Laser Lift-off将柔性基板层304和材料层301与第一基板进行分离。
如图3o所示，从下方撕除剥离层302以及剥离层302下方的材料层301，剥离层302的撕膜工艺不做要求，如手工撕除或胶带粘黏后撕除，从而在柔性基板层304下表面获得裸露的第一导电层303。
步骤8、将驱动电路板308贴合在所述第二基板与所述第一导电层的表面，并使所述驱动电路板308与所述第一基板上的主要显示区导通。
如图3p所示，直接将驱动电路板COF贴合在柔性基板下方的第一导电层下表面，即可实现COF与主要显示区域的导通。
本发明还提供一种显示设备，显示设备包括上述阵列基板。将上述阵列基板应用于触摸智能手机、TV等显示设备上。含有上述阵列基板的显示设备具有高可靠性，更大的屏幕占比，提高了OLED器件的用户体验。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种新的阵列基板及其制造方法，该阵列基板包括主要显示区和次要功能区，阵列基板与次要功能区对应的部分包括:一基板；第一导电层，设于所述基板背离所述主要显示区的一面；第二导电层，设于所述基板指向所述主要显示区的一面；导通层，贯穿所述基板，电连接所述第一导电层的线路与所述第二导电层的线路；驱动电路板，设于所述第一导电层背离所述主要显示区的一面；其中，所述第二导电层内的线路与所述主要显示区的线路电连接；所述驱动电路板的线路与所述第一导电层的线路电连接；这样就取消了原本用于连接主要显示区及次要功能区之间的弯折区，直接将COF放置于基板背面，利用贯通基板的导通层连接主要显示区域与COF，无需再弯折，提高了器件的可靠性，解决了现有技术需要设置弯折区将次要功能区域完全弯折至主要显示区下方的技术问题，同时也进一步降低了主要显示区距显示面板边框之间的间距，提高了OLED器件的用户体验。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括主要显示区和次要功能区，所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分包括:
一基板；
第一导电层，设于所述基板背离所述主要显示区的一面；
第二导电层，设于所述基板指向所述主要显示区的一面；
导通层，贯穿所述基板，电连接所述第一导电层的线路与所述第二导电层的线路；
驱动电路板，设于所述第一导电层背离所述主要显示区的一面；
其中，所述第二导电层内的线路与所述主要显示区的线路电连接；所述驱动电路板的线路与所述第一导电层的线路电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一绝缘层，所述绝缘层设于所述基板与所述第二导电层之间，所述导通层贯穿所述基板以及所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括无机绝缘层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板与所述次要功能区对应的部分还包括一封装层，所述封装层覆盖所述第二导电层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板包括一柔性基板。
6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层与所述导通层在同一道工艺内形成。
7.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述导通层为对所述基板进行掺杂形成。
8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，所述第一基板设置有主要显示区和次要功能区，所述次要功能区设置于所述主要显示区的至少一侧；
在所述第一基板的次要功能区内制备柔性层；
在所述柔性层上制备剥离层，所述剥离层覆盖所述柔性层；
在所述剥离层上制备第一导电层；
在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板，所述第二基板覆盖所述第一导电层；
在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层，并使所述第一导电层通过所述导通层与所述第二导电层导通；
剥离所述第一基板、所述柔性层以及所述剥离层；
将驱动电路板贴合在所述第二基板与所述第一导电层的表面，并使所述驱动电路板与所述第一基板上的主要显示区导通。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述第一基板的次要功能区内制备第二基板的步骤之后，还包括：在所述第二基板上制备绝缘层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二基板上制备导通层以及第二导电层的步骤包括：
在对应所述第一导电层的部分区域内，对所述第二基板以及所述绝缘层进行蚀刻；所述蚀刻区域漏出所述第一导电层；
在所述绝缘层上制备所述第二导电层；所述第二导电层覆盖所述绝缘层以及所述蚀刻区域内的第一导电层；所述蚀刻区域内所述第一导电层与所述第二导电层的连接部形成所述导通层。
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Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9286826B2 (en) * 2011-10-28 2016-03-15 Apple Inc. Display with vias for concealed printed circuit and component attachment
US9214507B2 (en) * 2012-08-17 2015-12-15 Apple Inc. Narrow border organic light-emitting diode display
US9504124B2 (en) 2013-01-03 2016-11-22 Apple Inc. Narrow border displays for electronic devices
US10170711B2 (en) * 2015-05-05 2019-01-01 Apple Inc. Display with vias to access driver circuitry
CN104851892A (zh) * 2015-05-12 2015-08-19 深圳市华星光电技术有限公司 窄边框柔性显示装置及其制作方法
CN104992956B (zh) 2015-05-15 2018-11-09 深圳市华星光电技术有限公司 无边框显示装置及其制作方法
CN106950763A (zh) 2017-03-28 2017-07-14 武汉华星光电技术有限公司 显示模组及终端
CN106973520A (zh) * 2017-05-27 2017-07-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

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