CN104641436A - 供在微机电及其它系统中使用的开关及其制造工艺 - Google Patents

Abstract

开关(10)的实施例包含导电壳体(30、60)及悬置于所述壳体(30、60)内且与所述壳体(30、60)电隔离的电导体(34、64)。另一电导体(52)经配置以在其中所述电导体(52)与所述壳体(30、60)内的所述电导体(34、64)电隔离的第一位置与其中所述电导体(52)与所述壳体(30、60)内的所述电导体(34、64)电接触的第二位置之间移动。所述开关(10)进一步包含致动器(70、72、74、76)，所述致动器(70、72、74、76)包括导电基底(80)及具有受所述基底(80)约束的第一端的导电臂(82a、82b)。所述电导体(52)由所述臂(82a、82b)支撑，且所述臂(82a、82b)操作以偏转且借此使所述电导体(52)在其第一与第二位置之间移动。

Description

供在微机电及其它系统中使用的开关及其制造工艺

技术领域

发明性布置涉及开关，例如宽带悬臂微机电系统(MEMS)开关。

背景技术

通信系统(例如宽带卫星通信系统)通常在从300MHz(UHF频带)到300GHz(毫米波频带)间的任何频带下操作。此类实例包含TV广播(UHF频带)、陆地移动(UHF频带)、全球定位系统(GPS)(UHF频带)、气象(C频带)及卫星TV(SHF频带)。这些频带中的大多数对移动及固定卫星通信开放。较高频带通常伴随着较高带宽，从而产生较高数据速率。这些类型的系统中所使用的切换装置需要在这些超高频率下以相对低的损耗(例如，小于一分贝(dB)的插入损耗)操作。

由于对宽带通信系统的组件所施加的严格大小限制，因此通常将小型化开关(例如单片微波集成电路(MMIC)及MEMS开关)用于此类系统中，尤其用于基于卫星的应用中。当前，同级别最优开关在20GHz下以例如约0.8dB的插入损耗、约17dB的回波损耗及约40dB的隔离级别等累积属性操作。

可通过利用循序构建工艺来形成三维微结构。举例来说，第7,012,489号及第7,898,356号美国专利描述用于制作同轴波导微结构的方法。这些工艺提供传统薄膜技术的替代方案，而且提出关于其有效利用以有利实施例如小型化开关等各种装置的新的设计挑战。

发明内容

开关的实施例包含导电接地壳体及悬置于所述接地壳体内且与所述接地壳体电隔离的第一电导体。所述开关进一步包含导电第二壳体及悬置于所述第二壳体内且与所述第二壳体电隔离的第二电导体。所述开关还具有第三电导体，所述第三电导体经配置以在其中所述第三电导体与所述第一及第二电导体电隔离的第一位置与其中所述第三电导体与所述第一及第二电导体电接触的第二位置之间移动。所述开关进一步包含致动器，所述制动器包括导电基底及具有受所述基底约束的第一端的导电臂。所述第三电导体由所述臂支撑，且所述臂操作以偏转且借此使所述第三电导体在所述第一与第二位置之间移动。

附图说明

将参考以下绘图描述实施例，其中在所有各图中，相似元件符号表示相同物项且其中：

图1是MEMS开关的俯视透视图，其描绘处于其相应断开位置中的开关的接触突片；

图2是图1中所展示的开关的接地壳体的俯视透视图，而出于清楚地图解说明，未展示壳体的顶层；

图3A是图1中指定为“A”的区域的放大视图，其描绘处于其相应断开位置中的接触突片；

图3B是图1中指定为“A”的区域的放大视图，其描绘处于其闭合位置中的接触突片中的一者；

图4A是图1中指定为“B”的区域的放大视图，其描绘处于其断开位置中的接触突片中的一者；

图4B是图1中指定为“B”的区域的放大视图，其描绘处于其闭合位置中的接触突片中的一者；

图5及6是图1中指定为“C”的区域的放大视图；

图7是图1中指定为“D”的区域的放大视图；

图8是图1到7中所展示的开关的侧视图，其描绘所述开关的分层结构；

图9A、10A、11A、12A、13A、14A、15A、16A、17A、18A、19A及20A是沿图1的线“E-E”所截取的横截面图，其描绘在各个制造阶段期间图1到8中所展示的开关的部分；且

图9B、10B、11B、12B、13B、14B、15B、16B、17B、18B、19B及20B是沿图1的线“F-F”所截取的横截面图，其描绘在各个制造阶段期间图1到8中所展示的开关的部分。

具体实施方式

参考附图描述本发明。各图未按比例绘制且其经提供以仅图解说明本发明。为了图解说明，下文参考实例性应用描述本发明的数个方面。应理解，陈述众多特定细节、关系及方法以提供对本发明的完全理解。然而，相关领域的技术人员将容易地认识到，可在不具有特定细节中的一或多者的情况下或借助其它方法实践本发明。在其它实例中，未详细展示众所周知的结构或操作以避免使本发明模糊。本发明不受动作或事件的所图解说明的次序限制，这是因为某些动作可以不同于其它动作或事件的次序发生及/或与其它动作或事件同时发生。此外，并非所有所图解说明的动作或事件都需要实施根据本发明的方法。

各图描绘MEMS开关10。开关10可选择性地建立且废除第一电子组件(未展示)与电连接到开关10的四个其它电子组件(也未展示)之间的电接触。开关10具有约1mm的最大高度(“z”尺寸)、约3mm的最大宽度(“y”尺寸)及约3mm的最大长度(“x”尺寸)。将开关10描述为具有这些特定尺寸的MEMS开关仅出于示范性目的。开关10的替代实施例可根据特定应用的要求(包含大小、重量及电力(SWaP)要求)按比例放大或缩小。

开关10包括由介电材料(例如硅(Si))形成的衬底12，如图1及8中所展示。在替代实施例中，衬底12可由例如玻璃、硅锗(SiGe)或砷化镓(GaAs)等其它材料形成。开关10还包含安置于衬底12上的接地平面14。开关10可由五层导电材料(例如铜(Cu))形成。每一层可具有(举例来说)约50μm的厚度。接地平面14是所述导电材料的第一层或最下层的部分。导电材料层的数目为应用相依的，且可随例如设计的复杂性、其它装置的混合或单片集成、开关10的总高度(“z”尺寸)、每一层的厚度等因子而变化。

开关10包括输入端口20。输入端口20可电连接到第一电子装置(未展示)。开关10还包括第一输出端口22、第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28，如图1中所展示。第一输出端口22、第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28可电连接到相应第二、第三、第四及第五电子装置(未展示)。如下文所论述，输入端口20在选择性基础上经由导电集线器50且经由呈接触突片52的形式的电导体电连接到第一输出端口22、第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28，接触突片52移动成与集线器50及相应第一输出端口22、第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28接触及不接触。

输入端口20包括安置于接地平面14上的接地壳体30。接地壳体30由第二到第五层导电材料的部分形成，如图2及8中所展示。当从上面看去时，接地壳体30具有实质矩形形状。接地壳体30及接地平面14的下伏部分界定实质上沿“x”方向延伸的第一内部通道32，如图2中所描绘。

输入端口20进一步包含具有实质矩形横截面的导电内导体34。内导体34形成为第三层导电材料的部分。内导体34定位于通道32内，如图2及5到8中所展示。内导体34的第一端38a定位于通道32的第一端处。内导体34的第二端38b定位于通道32的第二端处。用于混合集成的方法包含引线接合及倒装芯片接合。

内导体34悬置于电绝缘突片37上的通道32内，如图2中所图解说明。突片37由例如聚乙烯、聚酯、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、苯环丁烯、SU8等介电材料形成，前提为所述材料将不会被如下文所论述用于在开关10的制造期间溶解牺牲抗蚀剂的溶剂侵蚀。突片37可各自具有(举例来说)约15μm的厚度。每一突片37跨越宽度，即，通道32的x方向尺寸。每一突片37的端夹在形成接地壳体30的侧的第二层与第三层导电材料的部分之间。内导体34被接地壳体30的内表面环绕且与接地壳体30的内表面间隔开空气间隙42。空气间隙42充当将内导体34与接地壳体30电隔离的电介质。所述类型的传输线配置通常称作“矩形同轴”配置，或者称为微同轴。

集线器50包括实质圆柱形接触部分56及邻接接触部分56且从接触部分56延伸的过渡部分58，如图1及7中所描绘。集线器50安置于衬底12上，且由第一、第二及第三层导电材料的部分形成。对应于第一层导电材料的集线器50的部分与接地平面14电隔离。接触部分56也由第三层导电材料的部分形成。接触部分56邻接输入端口20的第一内导体34，且因此经由过渡部分58永久性地连接到第一内导体34，如图7中所展示。

第一输出端口22、第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28实质上相同。除非另有说明，否则对第一输出端口22的以下说明因此同样适用于第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28。

第一输出端口22包括安置于接地平面14上的接地壳体60。接地壳体60邻接输入端口20的接地壳体30。接地壳体60由第二到第五层导电材料的部分形成。当从上面看去时，接地壳体60为实质上L形，如图1中所展示。接地壳体60与接地平面14的下伏部分界定实质上沿“x”方向延伸的内部通道62，如图2中所描绘。

第一输出端口22进一步包含具有实质矩形横截面的导电内导体64。内导体64形成为第三层导电材料的部分。内导体64定位于通道62内，如图2中所展示。内导体64的第一端68a定位于通道62的第一端处。内导体64的第二端68b定位于通道62的第二端处。

内导体64以与输入端口20的内导体34实质上相同的方式悬置于电绝缘突片37上的通道62内，如图2中所描绘。内导体64由接地壳体60的内表面环绕，且与接地壳体60的内表面间隔开空气间隙62。空气间隙62充当将内导体64与接地壳体60电隔离的电介质。

第二输出端口24具有与第一输出端口22的定向实质上垂直的定向，如图1中所展示。第三输出端口26具有与第一输出端口22的定向实质上相反的定向。第四输出端口28具有与第二输出端口24的定向实质上相反的定向。

开关10进一步包括第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76。第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76与相应第一输出端口22、第二输出端口24、第三输出端口26及第四输出端口28相关联。第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76实质上相似。对第一致动器70的以下说明也适用于第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76，除非另有指示。

第一致动器70包括安置于衬底12上的导电基底80，如图1及8中所展示。第一致动器70进一步包括臂82a。臂82a包含邻接基底80的导电第一部分86及邻接第一部分86的导电第二部分88，如图1及4A到5B中所图解说明。臂82a进一步包含邻接第二部分88的电绝缘第三部分90及导电第四部分92。第四部分92的第一端邻接第三部分90。第四部分92的第二端在其第一与第二端之间的接触突片52上的位置处邻接与第一输出端口22相关联的接触突片52。臂82a因此配置为悬臂梁，其中接触突片52安置于臂82a的独立端处，且臂82a的另一端受基底80限制。臂部分82a的配置为应用相依的，且并不限于图1中所描绘的配置。

第一致动器70使接触突片52在断开位置与闭合位置之间移动。接触突片52的第一端在接触突片52处于断开位置中时与接线器50的接触部分56的上表面间隔开，如图3A及4A中所描绘。接触突片52的第二端同样在接触突片52处于断开位置中时与第一输出端口22的内导体64的上表面间隔开。接触突片52与集线器50之间的间隙中的空气将接触突片52与集线器50电隔离。接触突片52与第一输出端口22的内导体64之间的间隙中的空气将接触突片52与内导体64电隔离。因此，在接触突片52处于其断开位置中时电流不在输入端口20的内导体34与第一输出端口22的内导体64之间流动，且第一电子装置与第二电子装置电隔离。

臂82a的电绝缘第三部分90将臂82a的第四部分92及邻接接触突片52与臂82a的第二部分88电隔离，借此将开关10内的信号路径与臂82a的第一部分86及第二部分88以及基底80隔离。第三部分90可由例如聚乙烯、聚酯、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、苯环丁烯、SU8等合适介电材料形成，条件是所述材料将不会被如下文所论述用于在开关10的制造期间溶解牺牲抗蚀剂的溶剂侵蚀。

接触突片52的第一端在接触突片52处于闭合位置中时接触集线器50的接触部分56的上表面，如图3B及4B中所描绘。接触突片52的第二端在接触突片52处于闭合位置中时接触第一输出端口22的内导体64的上表面。接触突片52、集线器50与内导体64之间的所述接触建立第一输出端口22与输入端口20之间的电接触。电流因此可经由由输入端口20的内导体34、集线器50、与第一致动器70相关联的接触突片52及第一输出端口22的内导体64形成的信号路径流动穿过开关10，借此建立第一与第二电子装置之间的电接触。

接触突片52及内导体64与集线器50之间的相应空气间隙的量值可为(举例来说)约65μm。空气间隙的量值的最优值为应用相依的，且可随例如臂82a的硬度、尺寸及形状、开关10将暴露于其的冲击及振动的量值及形成臂82a的材料的性质(例如，杨氏模量)等因子而变化。

臂82a偏转以促进相关联接触突片52在断开位置与闭合位置之间移动。所述偏转主要由以如下述形式出现的臂82a的第二部分88与接地平面14的下伏部分之间的静电吸引力而引起。

臂82a的第一部分86的一端邻接第一致动器70的基底80，且因此受基底80严格限制，如图1及8中所展示。第一致动器70的基底80电连接到电压源，例如120伏直流(DC)电压源(未展示)。臂82a的第二部分88借助于臂82a的导电第一部分86电连接到基底80。因此，第二部分88在第一致动器70通电时经受电压电位。臂82a的电绝缘第三部分90将臂82a的第二部分88与臂82a的第四部分92及邻接接触突片52电隔离。因此，基底80以及臂82a的第一及第二部分通电，且臂82a的第三及第四部分在第一致动器70的基底80经受来自电压源的电压时不通电。

臂82a的第二部分88在通电时充当电极，即，电场因第二部分88正经受的电压电位而形成于第二部分88周围。第二部分88定位于接地平面14上方，且因此如图1及8中所展示与接地平面14重叠，且与接地平面14间隔开一间隙。所述间隙在臂82a处于不偏转状态下时为(举例来说)约65μm。此间隙足够小使得下伏于第二部分88的接地平面14的部分经受由第二部分88周围的电场产生的静电力。第二部分88与中性接地平面14之间的所得静电吸引力致使第二部分88朝向接地平面14被吸引，而此又致使相关联接触突片52移动到其闭合位置。如图1及3A到4B中所展示，与臂82a的其它部分相比，第二部分88跨越其大部分长度具有相对大宽度，即，y方向尺寸。以此方式增加第二部分88的表面积有助于增大与第二部分88相关联的静电力。

臂82a经配置以弯曲以便促进第二部分88朝向接地平面14的上述移动。施加到致动器70的电压或“吸合电压”应足以致使臂82a经历突跳屈曲，从而有助于在接触突片52处于其闭合位置中时建立接触突片52及集线器50与内导体64之间的安全接触。举例来说，估计需要约129.6伏的吸合电压来实现开关10中的接触突片52的示范性65μm偏转。最优吸合电压为应用相依的，且可随例如接触突片52的所需偏转、臂82a的硬度、尺寸及形状、形成臂82a的材料的属性(例如，杨氏模数)等因子而变化。

此外，梁82a的长度、宽度及高度可经选择使得梁82a具有耐受开关10将经受的冲击及振动所必需的硬度水平，而无需非常高的吸合电压。梁82a的配置应经选择使得梁82a的偏转保持在弹性区内。此特性为必需的以帮助确保梁82a将在移除电压电位时返回到其不偏转位置，借此允许接触突片52移动到其断开位置且借此切断相关联信号路径。

第二致动器72与第一致动器70实质上相同。除第三致动器74及第四致动器76的臂82b的形状以外，第三致动器74及第四制动器76实质上类似于第一致动器70。如图1中所展示，臂82b各自具有第五部分93以适应紧邻第三致动器74及第四制动器76的开关10的特定几何形状。

第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76可具有除上文在替代实施例中所描述的配置以外的配置。举例来说，可在替代方案中使用合适的梳状、板状或其它类型的静电致动器。此外，也可在替代方案中使用除静电制动器以外的制动器，例如热、磁及压电致动器。

开关10的替代实施例可经配置以将一个电子装置电连接到一个、两个或三个或四个以上其它电子装置，即，替代实施例可配置有一个、两个、三个或四个以上输出端口22、24、26、28，致动器70、72、74、76及接触突片52。在仅包含一个输出端口22的替代实施例(即，其中所述开关用于仅将两个电子组件电连接的实施例)中，可去除集线器50且所述开关可经配置以使得接触突片52移动成与相应输入端口20及输出端口22的电导体34、64直接物理接触及不直接物理接触。

对穿过开关10的信号路径的电隔离是借助于以下各项实现：输入端口20的内导体34与接地壳体30的内表面之间的空气间隙42、输出端口22的内导体64与接地壳体60的内表面之间的空气间隙62及臂82a的第三部分90。所述电隔离据信产生对开关10非常有利的信号发射特性。举例来说，基于有限元法(FEM)模拟，开关10在20GHz下的插入损耗预测为约0.12dB，而此据信是相对于相当能力的同级别最优开关的至少约85％的改进。开关10在20GHz下的回波损耗预测为约17.9dB，而此据信为相对于相当能力的同级别最优开关的至少约79％的改进。开关10在20GHz下的隔离预测为约46.8dB，而此据信为相对于相当能力的同级别最优开关的至少约17％的改进。

此外，由于与通常基于薄膜技术的其它类型的MEMS开关相比开关10并入有相对大量的铜，因而与相当大小的其它类型的开关相比，开关10据信必须相对于DC及RF信号两者的发射具有实质上较高电力处置能力及线性。此外，开关10的配置使其能够经由微同轴线的路由而单片地集成到系统中。此外，开关10可制作或转移到一套不同外来衬底上。

开关10及其替代实施例可使用用于形成包含同轴传输线的三维微结构的已知处理技术来制造。举例来说，其揭示内容以引用方式并入本文中的第7,898,356号及第7,012,489号美国专利中所描述的处理方法可适用于且应用于开关10及其替代实施例的制造。

可根据图9A到20B中所描绘的以下过程形成开关10。第一层导电材料形成接地平面14以及第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76中的每一者的基底80的部分。可利用例如掩模等合适技术将第一光致抗蚀剂层(未展示)图案化于衬底12的上表面上，使得仅所述上表面的暴露部分对应于其中接地平面12以及第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76将位于此处的位置。举例来说，通过利用掩模或其它合适技术将光可定义材料或光致抗蚀剂材料图案化于衬底12的上表面上而形成第一光致抗蚀剂层。

随后可将导电材料沉积于衬底12的未掩蔽或暴露部分上(即，于未被光致抗蚀剂材料覆盖达预定厚度的衬底12的部分上)，以形成第一层导电材料，如图9A及9B中所展示。可使用例如化学气相沉积(CVD)的合适技术来实现导电材料的沉积。可在替代方案中使用例如物理气相沉积(PVD)的其它合适技术。可使用例如化学机械平坦化(CMP)的合适技术将新形成的第一层的上表面平坦化。

第二层导电材料形成接地壳体30、60的侧的部分以及第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76的基底80的另一部分。第二光致抗蚀剂层100可通过以下方式施加到部分构造开关10：利用掩模或其它合适技术在部分构造开关10上方及在第一光致抗蚀剂层上方以第二光致抗蚀剂层100的所要形状将额外光致抗蚀剂材料图案化，使得仅部分构造开关10上的暴露区域对应于其中上述组件将位于此处的位置，如图10A及10B中所展示。可随后将导电材料沉积于开关10的暴露部分上达预定厚度，以形成如图11A及11B中所展示的第二层导电材料。然后可将开关10的新形成部分的上表面平坦化。

可如图12A及12B中所展示将形成突片37的介电材料沉积并图案化于先前形成的光致抗蚀剂层的顶部上。第三层导电材料形成：接地壳体30、60的侧的额外部分；集线器50的接触部分56及过渡部分58；第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76的基底80的另一部分；及内导体34、64。第三光致抗蚀剂层104可通过以下方式施加到部分构造开关10：利用掩模或其它合适技术在部分构造开关10上方及在第二光致抗蚀剂层100上方以第三光致抗蚀剂层104的所要形状将额外光致抗蚀剂材料图案化，使得仅部分构造开关10上的暴露区域对应于其中上述组件将位于此处的位置，如图13A及13B中所展示。可随后将导电材料沉积于开关10的暴露部分上达预定厚度，以形成如图14A及14B中所展示的第三层导电材料。然后可将开关10的新形成部分的上表面平坦化。

第四层导电材料形成接地壳体30、60的侧的额外部分以及第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76的基底80的额外部分。第四层是以类似于第一、第二及第三层的方式形成。特定来说，第四层是通过以下方式而形成：利用掩模或其它合适技术将额外光致抗蚀剂材料图案化到先前形成的层，以形成如图15A及15B中所展示的第四光致抗蚀剂层106，且然后将额外导电材料沉积到所述暴露区域，以形成如图16A及16B中所展示的第四层导电材料。可在施加第四层之后将开关10的新形成部分的上表面平坦化。

第五层导电材料形成：接地壳体30、60的侧的额外部分；第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76的基底80的额外部分；第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76的臂82a、82b；及接触突片52。可将形成第一致动器70、第二致动器72、第三致动器74及第四致动器76中的每一者的臂82a的第三部分90的介电材料沉积并图案化于先前形成的光致抗蚀剂层的顶部上，如图17A及17B中所展示。第五层的剩余部分是以类似于第一、第二、第三及第四层的方式形成。特定来说，第五层的剩余部分是通过以下方式形成：利用掩模或其它合适技术将额外光致抗蚀剂材料图案化到先前形成的层，以形成如图18A及18B中所展示的第五光致抗蚀剂层106，且然后将额外导电材料沉积到所述暴露区域，以形成如图19A及19B中所展示的第五层导电材料。可在施加第五层之后将开关10的新形成部分的上表面平坦化。

举例来说，可在如图20A及20B中所描绘已完成施加第五层之后通过将所述光致抗蚀剂材料暴露于致使所述光致抗蚀剂材料蒸发或溶解的适当溶剂而移除或释放从所述遮蔽步骤中的每一者剩下的光致抗蚀剂材料。

Claims (10)

1.一种开关，其包括：

导电第一壳体；

第一电导体，其悬置于所述第一壳体内且与所述第一壳体电隔离；

导电第二壳体；

第二电导体，其悬置于所述第二壳体内且与所述第二壳体电隔离；

第三电导体，其经配置以在其中所述第三电导体与所述第一及第二电导体电隔离的第一位置与其中所述第三电导体与所述第一及第二电导体电接触的第二位置之间移动；及

第一致动器，其包括导电基底及具有受所述基底约束的第一端的导电臂，其中所述第三电导体由所述臂支撑，且所述臂操作以偏转且借此使所述第三电导体在所述第一与第二位置之间移动。

2.根据权利要求1所述的开关，其进一步包括电绝缘衬底及安置于所述衬底上的接地平面，其中所述第一及第二壳体与所述接地平面电接触，且所述致动器的所述基底安置于所述衬底上。

3.根据权利要求2所述的开关，其进一步包括导电集线器，其中所述第一电导体电连接到所述集线器；所述第三电导体经配置以在所述第三电导体处于所述第一位置中时与所述集线器及所述第二电导体间隔开，且所述第三电导体进一步经配置以在所述第三电导体处于所述第二位置中时接触所述集线器及所述第二电导体。

4.根据权利要求3所述的开关，其进一步包括：

导电第三壳体；

第四电导体，其悬置于所述第三壳体内且与所述第三壳体电隔离；

第五电导体，其经配置以在其中所述第五电导体与所述集线器及所述第四电导体间隔开的第一位置与其中所述第五电导体接触所述集线器及所述第四电导体的第二位置之间移动；及

第二致动器，其包括导电基底及具有受所述第二致动器的所述基底约束的第一端的导电臂，其中所述第五电导体由所述第二致动器的所述臂支撑，且所述第二致动器的所述臂操作以偏转且借此使所述第五电导体在所述第五电导体的所述第一与第二位置之间移动。

5.根据权利要求3所述的开关，其进一步包括：

导电第四壳体；

第六电导体，其悬置于所述第四壳体内且与所述第四壳体电隔离；

第七电导体，其经配置以在其中所述第七电导体与所述集线器及所述第六电导体间隔开的第一位置与其中所述第七电导体接触所述集线器及所述第六电导体的第二位置之间移动；

第三致动器，其包括导电基底及具有受所述第三致动器的所述基底约束的第一端的导电臂，其中所述第七电导体由所述第三致动器的所述臂支撑，且所述第三致动器的所述臂操作以偏转且借此使所述第七电导体在所述第七电导体的所述第一与第二位置之间移动。

6.根据权利要求5所述的开关，其进一步包括：

导电第五壳体；

第八电导体，其悬置于所述第五壳体内且与所述第五壳体电隔离；

第九电导体，其经配置以在其中所述第九电导体与所述集线器及所述第八电导体间隔开的第一位置与其中所述第九电导体接触所述集线器及所述第八电导体的第二位置之间移动；及

第四致动器，其包括导电基底及具有受所述第四致动器的所述基底约束的第一端的导电臂，其中所述第九电导体由所述第四致动器的所述臂支撑，且所述第四致动器的所述臂操作以偏转且借此使所述第九电导体在所述第九电导体的所述第一与第二位置之间移动。

7.根据权利要求2所述的开关，其中：

所述臂包括位于邻近所述基底处的导电第一部分及位于邻近所述第一部分处的导电第二部分，所述第二部分面向所述接地平面且在所述接地平面上方间隔开；且

所述第二部分在经受电压电位时操作以产生静电力，所述静电力将所述第二部分朝向所述接地平面吸引借此致使所述第三电导体从所述第一位置移动到所述第二位置。

8.根据权利要求7所述的开关，其中所述臂经配置以响应于所述臂的所述第二部分朝向所述接地平面的所述吸引而弯曲。

9.根据权利要求7所述的开关，其中所述臂进一步包括位于邻近所述第二部分处的电绝缘第三部分及位于邻近所述臂的所述第三部分及第三电触点处的导电第四部分。

10.根据权利要求2所述的开关，其中所述接地平面、所述第一及第二壳体、所述第一、第二及第三电导体以及所述致动器包括若干层导电材料。