CN104638960B - 用于三电平逆变器的控制电路 - Google Patents

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Abstract

提出了具有一个初级侧电路部分和四个次级侧电路部分的控制电路，初级侧电路部分具有控制逻辑电路和初级侧基准电位，次级侧电路部分分别具有驱动级，该驱动级为了控制三电平逆变器的相位而构造，三电平逆变器分别具有第一至第四半导体开关，其中，每个半导体开关和分配给它的次级侧电路部分具有所分配的第一至第四次级侧基准电位，并且其中，各电平转换器将初级侧电路部分和各自的次级侧电路部分连接起来，并且因此被分别分配给两个电路部分。在这里，初级侧基准电位相应于第一次级侧基准电位。此外，至少控制逻辑电路、第一和第二电平转换器以及第一和第二驱动级是单片集成的。

Description

用于三电平逆变器的控制电路
技术领域
本发明描述了具有多个电平转换器的控制电路，该电平转换器用于将控制信号从具有第一基准电位的控制逻辑电路传输至具有至少部分地不同的另外的基准电位的驱动级。原则上，在功率电子系统中需要这样的控制电路来控制半导体开关，该半导体开关作为单个开关地布置或者布置在桥式电路中。这种桥式电路作为单相、双相或三相桥式电路而已知，其中，单相的、所谓的半桥电路是许多功率电子电路的基础元件。在二电平半桥电路中，将两个功率开关、下方的所谓第一BOT开关和上方的所谓第二TOP开关布置在串联电路中。这样的半桥通常具有至直流电压中间电路的连接。构造为半桥的交流电压接头的输出端以本领域常规方式与负载连接。
背景技术
通过TOP开关和BOT开关的交替切换，在中间电路上的正负电压接头的固定电压值之间的半桥电路中的输出电压发生改变。因为因此存在两个静态电压状态，所以将该半桥电路称为二电平半桥电路或二电平逆变器。
除了二电平半桥电路，还已知更复杂的桥式电路，通过所述更复杂的桥式电路可切换三个或更多个静态电压状态。这被称为多电平逆变器。多电平逆变器的优点是可以使输出电压的曲线接近期望的正弦形曲线。由此可以降低输出电流的总谐波失真(TotalHarmonic Distortion，THD)，从而可以使用较小的且成本较低廉的电源滤波器。另一方面，借助多电平逆变器，相对于二电平逆变器而言可以以较低的切换频率实现相同的TDH值，由此产生较小的切换损耗。然而，在多电平逆变器的情况下不利的是提高了的用于调节的耗费，以及较高数量的所需器件和控制电路。
多电平逆变器的最简单的设计方案是具有三个可切换电压状态的三电平逆变器。原则上，已知两种用于三电平逆变器的拓扑结构，其共同点是它们以本领域常规方式通过两个串联联接的高压中间电路利用正接头和负接头供电。串联电路的中点被称为中性节点，并且以本领域常规方式处于接地电位。中性节点被用作第三电压状态。
用于三电平逆变器的控制电路以本领域常规方式利用一个初级侧和多个次级侧之间的电流隔离来实施。在这种情况下，控制电路由多个部分电路或功能块组成。将置于上游的控制逻辑电路例如微控制器的控制信号在第一初级侧电路部分中为了控制逻辑电路而进行预处理。在这种情况下，初级侧电路部分的基准电位位于接地的中性节点上。控制信号向次级侧电路部分的传输以电流隔离的方式通过变压器式工作的脉冲传输器或者以光学方式通过光电耦合器或光纤来实现。作为次级侧电路部分的一部分的驱动级相应于传输的控制信号控制半导体开关，例如IGBT。
原则上可以将所有初级侧的以及各次级侧的功能分别整合在单片集成电路中。然而，根据现有技术，所需的电流隔离的电位隔离件不是能集成的，从而初级侧电路部分和次级侧电路部分的功能块以通常方式连同电位隔离件分散地构建在电路板(PCB-印制电路板)上。
对于二电平逆变器，在集成电路技术中，例如在高压开关电路(HVIC-高压集成电路)中，借助电位隔离的控制电路原则上是已知的。由于不同的优点，例如小体积、低价格和长寿命，HVIC使用得越来越多。在这种情况下，HVIC提供了在初级侧控制电路与次级侧驱动电路之间实现电位隔离的可能性，以及另一方面将电平转换器与高压器件集成的可能性，该高压器件具有与电位差相应的HVIC的击穿电压，该电平转换器可用于初级侧和次级侧电路部分之间的信号传输。
这种电平转换器可以实施为控制电路的一部分并在HVIC中集成式地实施。它用于使信号从具有规定的基准电位的初级侧电路部分向具有暂时较高或较低的基准电位的次级侧电路部分的传输。
此外，用于形成HVIC的两种隔离技术是原则上已知的。一方面为SOI(绝缘层上的硅)技术，另一方面为pn隔离技术(结隔离)。SOI技术提供器件或器件组的介电电位隔离，但是目前由于受限的耐电压强度仅可获得最高800V的电位差。在pn隔离技术的情况下，电位差由反向偏置的pn过渡区来承担。该技术目前可获得最高1200V的电位差。
电平转换器的一种简单的设计方案由串联电路中的高压晶体管(HV晶体管)和电阻组成，该高压晶体管具有与待桥接的电位差相应的阻隔能力。如果在初级侧的电路部分上在HV晶体管的栅极上给出一个信号，则该电路部分接通。由此产生的通过电平转换器的横向电流导致电阻上的电压降，该电压降可以作为信号由分析电路在次级侧电路部分上采集。由原理决定地，这种具有HV晶体管的电平转换器含有信号传输所需的横向电流路径，从而使得存在电位隔离但是不存在电流隔离。
在DE 101 52 930A1中公开了一种扩展的电平转换器拓扑结构，其中，将控制信号逐步地通过多个相同类型的、级联的电平转换器传输到中间电位上。因此可使用晶体管，所述晶体管仅具有整个电平转换器的所需阻隔能力的一部分。因此，电平转换器的阻隔能力可以显著提高。
DE 10 2006 037 336A1公开了一种电平转换器，该电平转换器实施为n沟道类型的HV晶体管的串联电路。该拓扑结构具有如下优点：与根据DE 101 52 930A1的拓扑结构相比，一方面将功率消耗并且另一方面将电路耗费降低。这尤其导致较小的空间需求。
所有针对HVIC列出的设计方案具有如下共同点：在电平转换器的互补构建的情况下，信号从具有高的基准电位的电路部分向具有低的基准电位的电路部分的传输在原则上也是可能的。该特性因此可以用于信号从次级侧电路部分向初级侧电路部分的反向传输并因此用于那里的控制逻辑电路。然而，为此的前提条件是p沟道类型的HV晶体管。
基于由功率半导体模块和控制电路组成的系统的寄生电感，会在功率开关的快速切换期间在控制侧基准电位下主要在正方向上但也在负方向上发生次级侧电路部分的各基准电位的强烈变动。这在中等功率或高功率的系统中以特别大的程度地发生，其中，接通大的电流，尤其是大于50A的电流。然而，目前可用的电平转换器大多不是为了在负方向上的这种信号传输而设计的。已知的pn隔离技术还具有如下缺点：在基准电位在负方向上发生相应变动的情况下，失去了初级侧和次级侧电路部分之间的阻隔能力，并且流通的漏电流会导致寄生闸流管结构的导通，即所谓的闩锁。这导致功能损失并可能导致相关电路的损坏。
由介电隔离以及与之相关的隔离区域的双向阻隔能力所决定地，在SOI技术的情况下不受这样的限制，从而传输电路可通过电路技术转换，该传输电路即使在短时间或持久的负的次级侧基准电位的情况下也保证可靠的信号传输和隔离。DE 10 2006 050 913A1公开了一种这样的用于BOT次级侧的电平转换器，该电平转换器在SOI技术中实施有各一个上电平转换器支路和下电平转换器支路，而DE 10 2007 006319A1公开了一种这样的用于TOP次级侧的电平转换器，该电平转换器同样在SOI技术中实施为上电平转换器支路和下电平转换器支路。
发明内容
本发明基于如下任务：提供一种用于控制三电平逆变器的控制电路，该三电平逆变器具有对称供电的中间电路，该中间电路的形式为至少部分地单片集成的电路，该单片集成的电路可以构建在壳体中或者基底上，尤其是构建在功率半导体模块的金属化陶瓷基底的印制导线上。
根据本发明，该任务通过如下控制电路解决。
本发明涉及具有一个初级侧电路部分和四个次级侧电路部分的控制电路，该初级侧电路部分具有控制逻辑电路和初级侧基准电位，该次级侧电路部分分别具有驱动级，该驱动级用于控制三电平逆变器的相位地构造，该三电平逆变器分别具有第一至第四半导体开关，其中，每个半导体开关和分配给它的次级侧电路部分具有所分配的第一至第四次级侧基准电位，其中，两个次级侧基准电位完全可以相等。在这里，各电平转换器将初级侧电路部分和各自的次级侧电路部分连接起来，并且因此被分别分配给两个电路部分。在该控制电路的情况下，初级侧基准电位相应于第一次级侧基准电位，这两个电位因而是相等的，以及初级侧基准电位相应于三电平逆变器的负电压接头的电位。此外，至少将控制逻辑电路、第一和第二电平转换器以及第一和第二驱动级单片集成到HVIC中。该单片集成(下面也会提到)优选地以SOI技术实现。
优选的实施方式在下文中进行了说明。
有利的是，三电平逆变器的半导体开关串联联接或者联接成T拓扑结构，并且在这种情况下第一半导体开关与三电平逆变器的负电压接头连接并且第四半导体开关与三电平逆变器的正电压接头连接。
特别优选的是，控制逻辑电路以及所有的电平转换器和所有的驱动级都是单片集成的。
备选地，第三和第四电平转换器也可以分别由两个部分电平转换器构成，其中，各第一部分电平转换器与控制逻辑电路以及第一和第二电平转换器以及第一和第二驱动级共同地单片集成于第一HVIC上，并且其中，各第二部分电平转换器与所分配的驱动级单片集成于第二或第三HVIC上。
在这里，第一、第二和第三HVIC可以在多芯片模块中利用共同的壳体遮蔽，或者将每个HVIC布置在一条印制导线上，该印制导线相对功率半导体模块的其它印制导线是电绝缘的。
在控制电路中，可以构造至少一个电平转换器，以便将控制信号从初级侧电路部分向所分配的次级侧电路部分单向传输，或者以便传输控制信号和应答信号并因此提供双向传输。
有利地，半导体开关由至少一个功率晶体管构成，尤其是由具有反并联联接的续流二极管的IGBT构成，其中，IGBT的发射极的电位为其基准电位。
要理解的是，本发明的不同的设计方案可以单独地或者以任意的本身不相抵触的组合来实现，以获得改进。尤其是，以上所提及和所解释的特征，无论它们是在方法还是主题范畴内被提及，都不仅可以在所给出的组合中使用，而且也可以在其它的组合中或单独地使用，而不脱离本发明的保护范围。
附图说明
本发明的进一步解释、有利的细节以及特征从对根据本发明的布置或其部分在图1至图6中所示实施例的下列说明得出。
图1示出根据现有技术的具有第一拓扑结构的三电平逆变器的控制电路。
图2示出根据现有技术的具有第二拓扑结构的三电平逆变器的控制电路。
图3示出具有第一拓扑结构的三电平逆变器的根据本发明的控制电路。
图4示出具有第二拓扑结构的三电平逆变器的根据本发明的控制电路。
图5示出根据图4的控制电路的变型方案。
图6示出另一种根据本发明的控制电路。
具体实施方式
图1示出根据现有技术的三电平逆变器10的第一拓扑结构，该三电平逆变器具有所属的控制电路30，该控制电路具有传输器51至54，这些传输器用于一个初级侧电路部分4和四个次级侧电路部分6之间的电流电位隔离。三电平逆变器10由四个待控制的半导体开关的串联电路组成，这些半导体开关在这里分别构造为IGBT T1至T4，其具有所分配的反并联联接的续流二极管D1至D4并具有两个箝位二极管D5、D6。三电平逆变器10通过两个串联联接的相同的高压中间电路电容器C1、C2利用正电压接头+DC和负电压接头-DC供电。
中间电路电容器的共同连接部被称为中性节点N并且通常接地。第二箝位二极管D6限定第三IGBT T3的发射极E3上的电压并因此也限定交流电压接头AC上的电压，其方式为，使其仅可以取中性节点N和正电压接头+DC的电压之间的值。第一箝位二极管D5限定第二IGBT T2的发射极E2上的电压并因此也限定交流电压接头AC上的电压，其方式为，使其仅可以取负电压接头-DC和中性节点N的电压之间的值。由于中性节点N上的电压的这种限定，该拓扑结构被称为NPC(中性点箝位)拓扑结构。NPC拓扑结构的三电平逆变器10具有如下优点：为了获得期望的耐电压强度，可以使用其击穿电压低于总的中间电路电压的器件。例如，对于1200V电压等级的三电平逆变器，可以使用600V电压等级的器件。
控制电路30由多个部分电路或功能块组成。置于上游的、未示出的电路的控制信号在初级侧电路部分4的控制逻辑电路40中进行预处理。在这种情况下，控制逻辑电路40的参考电位400处于接地的中性节点N上。控制信号的传输通过电流隔离的电位隔离件进行，在这里通过传输器51至54传输至各个次级侧电路部分6。各个次级侧电路部分6的驱动级61至64根据传输的控制信号来控制IGBT T1至T4。在这种情况下，驱动级61至64的基准电位610、620、630、640分别与所分配的待控制的IGBT T1至T4的发射极E1至E4连接。根据现有技术，控制电路30的功能块分散地构建在电路板上。
图2示出根据现有技术的三电平逆变器20的第二拓扑结构，该三电平逆变器具有所属的控制电路30，该控制电路基本上类似于图1地设计。三电平逆变器20由第一和第四半导体开关的半桥电路以及第二和第三半导体开关在交流电压接头AC和中性节点N之间的串联电路组成，其中，该第一和第四半导体开关分别构造为具有所属的续流二极管D1、D4的IGBT T1、T4，第二和第三半导体开关的IGBT T2、T3的发射极E2、E3彼此连接。该三电平逆变器20同样通过两个串联联接的相同的高压中间电路电容器C1、C2利用正电压接头+DC和负电压接头-DC供电。中间电路电容器的共同连接部也就是中性节点N通常接地。当第二IGBTT2接通时，交流电压接头AC上的电压通过第三二极管D3限定，其方式为，使其仅可以取中性节点N和正电压接头+DC的电压之间的值。当第三IGBT T3接通时，交流电压接头AC上的电压以类似方式通过第二二极管D2限定，其方式为，使其仅可以取负电压接头-DC和中性节点N的电压之间的值。在这里，还存在具有对中性节点N上的电压进行限定的拓扑结构。由于其T形电路图，将其称为TNPC(T型中性点箝位)拓扑结构。与NPC拓扑结构的三电平逆变器(参见图1)相比，TNPC拓扑结构的三电平逆变器20具有不需要额外的箝位二极管D5、D6的优点。相反，不利的是为了获得期望的耐电压强度，必须针对第一和第四功率开关T1、D1、T4、D4使用击穿电压与总中间电路电压相等或优选地略大于总中间电路电压的器件。例如，对于1200V电压等级的三电平逆变器，必须也使用1200V电压等级的器件，其中，它在本领域具有略高的耐电压强度。
为了控制TNPC拓扑结构的三电平逆变器，如为了控制根据图1的NPC拓扑结构的三电平逆变器那样，使用控制电路30。然而，第二和第三次级侧电路部分62、63的基准电位620、630与相同的电位也就是第二和第三IGBT T2、T3的发射极E2、E3的电位连接。
图3示出用于控制第一拓扑结构的也就是NPC拓扑结构的三电平逆变器10的根据本发明的控制电路32，该拓扑结构具有对称接地的中间电路。具有一个初级侧电路部分4和四个次级侧电路部分6的根据本发明的控制电路32借助于HVIC(高压集成电路)70中的集成电路技术实现，并且因此也包括单个单片集成电路中的电位隔离。控制信号从具有控制逻辑电路42的初级侧电路部分4向具有驱动级61至64的各次级侧电路部分6的电位隔离的传输通过电平转换器81至84进行。用于三电平逆变器10的整个控制电路32在壳体中(例如在具有相应的针脚隔离间距的标准IC壳体中)的可能的集成，形成根据图1和图2的现有技术的依据本发明的改进方案的重要部分。同样有利的是将HVIC直接布置在三电平功率半导体模块的金属化陶瓷基底的印制导线上的可能性，由此可以使三电平逆变器10和控制电路32直接在功率半导体模块中电连接。
在根据本发明的控制电路32的情况下，将初级侧基准电位420联接到整个电路布置的最低电位上，也就是联接到负电压接头-DC的电位上，或者换言之联接到利用第一晶体管T1构造的第一半导体开关的基准电位上。
从该基准电位也就是负电压接头-DC的电位出发，为了电位隔离地控制NPC拓扑结构的三电平逆变器10的IGBT T1至T4，必须由电平转换器81至84来克服初级侧电路部分4与次级侧电路部分6之间的下列电位差：
第一驱动级的基准电位610是第一IGBT T1的发射极电位并因此也是初级侧基准电位420。因此，这里不强制性地要求通过高压电平转换器的信号传输。然而，由于系统内部的电感，例如三电平逆变器10的功率半导体模块中或者通向控制电路32的引线中的导线电感，会在半导体开关的切换期间发生第一IGBT T1的发射极电位在正方向或负方向上的强烈变动。这尤为强烈地发生在中等功率或高功率的功率半导体系统中，其中，接通大的电流，例如大于50A的电流。由于所产生的电位差，具有例如20V至30V的耐电压强度、尤其是具有UP和DOWN特征的MV(中等电压)电平转换器81对于可靠的信号传输是足够的。
第二驱动级62的基准电位620是第二IGBT T2的发射极电位，该电位在负电压接头-DC和中性节点N的电位之间变化。因此，第二电平转换器82的耐电压强度必须至少略高于第一中间电路电容器C1上的电压。
第三驱动级63的基准电位630是第三IGBT T3的发射极电位并因此是三电平逆变器10的交流电压接头AC的电位，该电位在负电压接头-DC和正电压接头+DC的电位之间变化。因此，第三电平转换器83的耐电压强度必须至少略高于两个中间电路电容器C1、C2上的总电压。
第四驱动级64的基准电位640是第四IGBT T4的发射极电位，其在中性节点N和正电压接头+DC的电位之间变化。因此，第四电平转换器84的耐电压强度同样必须至少略高于两个中间电路电容器C1、C2上的总电压。
图4示出用于控制具有对称接地的中间电路的第二拓扑结构也就是TNPC拓扑结构的三电平逆变器20的根据本发明的控制电路32。
从和图3相同的基准电位也就是负电压接头-DC的电位出发，下面仅描述了相对于图3不同的设计方案：
在TNPC拓扑结构的三电平逆变器20的情况下，第二和第三IGBTT2、T3的发射极E2、E3彼此连接并因此具有相同的基准电位620、630，其在负电压接头-DC和中性节点N的电位之间变化。因此，第二和第三电平转换器82、83的耐电压强度必须至少略高于第一中间电路电容器C1上的电压。
图5示出控制电路34，该控制电路相对于根据图4的控制电路进行了修改。因为在TNPC拓扑结构的三电平逆变器20的情况下第二和第三IGBT T2、T3的发射极E2、E3彼此连接并因此具有相同的基准电位620、630，所以可以将第二和第三驱动级组合成共同的驱动级623。
如果可单片集成的高压器件的耐电压强度并且进而尤其是HV电平转换器的耐电压强度小于两个中间电路电容器C1、C2上的总电压，则可以使用实施为HV晶体管的串联电路的扩展的电平转换器拓扑结构，以达到所需的耐电压强度。因为在大部分情况下针对HVIC技术上的隔离的击穿电压和HV晶体管的击穿电压几乎同样大，因此在将每个HV晶体管布置在独立的且与其它HV晶体管绝缘的基底上时，可以将总电平转换器的耐电压强度仅提高一个因数。
图6示出用于控制尤其是NPC拓扑结构的三电平逆变器10的另一种根据本发明的控制电路36，在这里用于例如为1200V的电压等级，其超过可用的HVIC技术上的耐电压强度(在这里例如为600V)。通过应用具有各两个部分电平转换器831、832和841、842的串联电路的扩展的电平转换器拓扑结构，可以达到用于控制第三和第四IGBTT3、T4所需的1200V的耐电压强度。在这种情况下，控制电路由三个HVIC组成，其中，第一HVIC 761具有控制电路42、第一和第二电平转换器81、82以及第一和第二驱动级61、62以及两个部分电平转换器831、841，所述两个部分电平转换器分别形成第三或第四电平转换器83、84的一部分。在此，第二电平转换器82具有例如600V的耐电压强度。第二和第三HVIC 762、763分别具有第三和第四电平转换器83、84的第二部分电平转换器832、842。各部分电平转换器831、832、841、842同样具有例如600V的耐电压强度。HVIC 761、762、763可以在经修改的标准IC壳体(所谓的多芯片模块)中布置在彼此绝缘的微区(Inseln)上。单个芯片之间的电连接可以通过键合工艺来实现。此外，各个HVIC 761、762、763的结构可以是三电平功率半导体模块的金属化陶瓷基底的彼此绝缘的印制导线。
该控制电路36原则上也可以用于TNPC拓扑结构的三电平逆变器20，其中，在必要的情况下仅需要两个HVIC。

Claims (10)

1.一种具有一个初级侧电路部分(4)和四个次级侧电路部分(6)的控制电路(32、34、36)，所述初级侧电路部分具有控制逻辑电路(42)和初级侧基准电位(420)，所述次级侧电路部分分别具有第一驱动级(61)、第二驱动级(62)、第三驱动级(63)或第四驱动级(64)，所述第一驱动级(61)、所述第二驱动级(62)、所述第三驱动级(63)和所述第四驱动级(64)为了控制三电平逆变器(10、20)的相位而构造，所述三电平逆变器分别具有第一至第四半导体开关(T1、D1、T2、D2、T3、D3、T4、D4)，其中，每个半导体开关和分配给所述半导体开关的次级侧电路部分(6)具有所分配的第一至第四次级侧基准电位(610、620、630、640)，其中，第一电平转换器(81)、第二电平转换器(82)、第三电平转换器(83)和第四电平转换器(84)分别将所述初级侧电路部分(4)与各自的次级侧电路部分(6)连接起来，并且因此被分别分配给两个电路部分，其中，所述初级侧基准电位(420)相应于所述第一次级侧基准电位(610)以及相应于所述三电平逆变器(10、20)的负电压接头(-DC)的电位，并且其中，至少所述控制逻辑电路(42)、所述第一电平转换器(81)和所述第二电平转换器(82)以及所述第一驱动级(61)和所述第二驱动级(62)是单片集成在HVIC(70)中的。
2.根据权利要求1所述的控制电路，其中，所述三电平逆变器的半导体开关串联联接或者联接成T拓扑结构，并且其中，所述第一半导体开关(T1、D1)与所述三电平逆变器的负电压接头(-DC)连接并且所述第四半导体开关(T4、D4)与所述三电平逆变器的正电压接头(+DC)连接。
3.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，所述控制逻辑电路(42)以及所有的电平转换器(81、82、83、84)和所有的驱动级(61、62、63、64)都是单片集成的。
4.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，所述第三电平转换器(83)和所述第四电平转换器(84)各由两个部分电平转换器(831、832、841、842)构成，其中，各个第一部分电平转换器(831、841)与所述控制逻辑电路(42)以及所述第一电平转换器(81)和所述第二电平转换器(82)以及所述第一驱动级(61)和第二驱动级(62)共同地单片集成在第一HVIC(761)上，并且其中，各个第二部分电平转换器(832、842)与所分配的驱动级(63、64)单片集成在自身的第二HVIC(762)或第三HVIC(763)中。
5.根据权利要求4所述的控制电路，其中，所述第一HVIC(761)、所述第二HVIC(762)和所述第三HVIC(763)在多芯片模块中利用共同的壳体来遮蔽，或者将每个HVIC布置在印制导线上，所述印制导线与功率半导体模块的其它印制导线是电绝缘的。
6.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，至少一个电平转换器被构造成用于将控制信号从所述初级侧电路部分(4)向所分配的次级侧电路部分(6)单向传输，或者以便传输控制信号和应答信号并因此提供双向传输。
7.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，半导体开关由至少一个功率晶体管(T1、T2、T3、T4)构成。
8.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，半导体开关由具有反并联联接的续流二极管(D1、D2、D3、D4)的IGBT构成。
9.根据权利要求8所述的控制电路，其中，发射极(E1、E2、E3、E4)的电位是各个IGBT的基准电位。
10.根据权利要求1或2所述的控制电路，其中，所述单片集成以SOI技术来实现。
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