KR20060052050A - 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 집적 회로 장치 - Google Patents
전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 집적 회로 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060052050A KR20060052050A KR1020050093532A KR20050093532A KR20060052050A KR 20060052050 A KR20060052050 A KR 20060052050A KR 1020050093532 A KR1020050093532 A KR 1020050093532A KR 20050093532 A KR20050093532 A KR 20050093532A KR 20060052050 A KR20060052050 A KR 20060052050A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chip
- switch
- adjusting
- power semiconductor
- integrated
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
본 발명은 단일의 전력 반도체 스위치 또는 반브릿지 구조인 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 집적 회로 장치에 관한 것이다. 회로 장치는 전위가 보다 높은 스위치용 제1 레벨 시프터를 적어도 포함하는 복수의 기능 그룹을 포함하는 제1 집적 조절칩과, 제2 레벨 시프터 및 상기 스위치용 구동기를 적어도 포함하는 복수의 기능 그룹을 포함하는 적어도 하나의 제2 집적 조절칩으로 이루어진다. 여기서, 상기 적어도 하나의 제2 조절칩은 제1 조절칩 후방에 연결되고, 제2 조절칩의 기본 전위는 제1 조절칩의 레벨 시프터의 출력 전위로 존재하며, 조절칩은 조절칩이 서로에 대해 적합하게 절연된 상태로 공통 하우징에 배치된다.
전력 반도체 스위치, 집적 회로 장치, 전위, 레벨 시프터, 집적 조절칩
Description
도1은 종래 기술에 따른 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 회로 장치의 도면.
도2는 전력 스위치의 반브릿지 회로용 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 본 발명에 따른 회로 장치의 도면.
도3은 전력 스위치의 삼상 브릿지 회로용 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 본 발명에 따른 회로 장치의 도면.
도4는 브레이크 초퍼(brake chopper)를 포함하는 삼상 브릿지 회로용 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 본 발명에 따른 회로 장치의 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
40: 전력 반도체 스위치
70: 공통 하우징
72: 제1 집적 조절칩
74: 제2 집적 조절칩
730: 제1 레벨 시프터
740: 제2 레벨 시프터
746: 구동기
본 발명은 단일 스위치로서 또는 브릿지 회로에 배치된 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 집적 회로 장치에 관한 것이다. 이와 같은 전력 스위치의 브릿지 구조는 단상, 이상 또는 삼상 반브릿지 회로 또는 H-브릿지 회로로 알려져 있으며, 단상 반브릿지는 전력 전자 회로의 기본 모듈을 나타낸다. 반브릿지 회로에서는 2개의 전력 스위치, 제1, 소위, TOP-스위치 및 제2, 소위, BOT-스위치가 직렬 회로로 배치된다. 이러한 반브릿지는 일반적으로 중간 직류 링크(intermediate direct current link)에 대한 결합을 포함한다. 일반적으로 중간탭은 부하와 연결된다.
전력 반도체 구조 또는 직렬 연결된 복수의 동종의 전력 반도체 구조를 구비하는 전력 스위치 구조에서, 전력 스위치를 조절하기 위해 조절 회로가 요구된다. 이러한 조절 회로는 일반적으로 종래 기술에 따르면 복수의 부분 회로 또는 기능 블록으로 이루어진다. 상류에 존재하는 제어 장치로부터 오는 제어 신호는 제1 부분 회로인 조절 논리 회로에서 처리되어 다른 부품을 통해 구동기 회로 및 마지막으로 각 전력 스위치의 제어 입력부로 공급된다. 직류 링크 전압이 보다 높은, 예를 들면 100V 이상인 반브릿지 구조에서, 제어 신호 처리용 조절 논리 회로는 전위면에서/전기적으로(galvanic) 구동기 회로로부터 분리되는데, 왜냐하면 관련된 전력 스위치가 서로 상이한 전위로 존재하여 전압에 있어서의 절연이 필요하기 때문 이다. 이러한 분리는 종래 기술에 따르면 예를 들면 트랜스듀서, 광커플러 또는 광도파관에 의해 행해진다. 이러한 전기적 분리는 적어도 TOP-스위치에 대해 적용되지만, 그러나 전력이 보다 높은 경우 BOT-스위치에 대해서도 접지 전위의 만일의 분리에 의해 스위칭 시 행해진다.
외부의 전기적 분리가 생략되는 600V까지의 전압 등급의 전력 스위치용 집적 회로 장치가 알려져 있다. 이는 모놀리식 집적 회로이며, 종래 기술에 따르면 레벨 시프터(level shifter)가 예를 들면 조절 논리 회로를 본래의 구동기 회로로부터 전기적으로 분리하기 위한 소위 SOI(절연체 상의 실리콘) 기술에서 사용된다. 보다 더 높은 전압 등급에 대해 상기 기술은 기술적으로 제한되며 높은 비용으로만 사용이 이루어진다.
또한, "접점 절연(junction isolation)"에 의한 조절 논리 회로 및 구동기 회로의 모놀리식 집적화가 알려져 있다. 이 기술은 1200V의 전압 등급까지 사용된다. 집적 회로 장치의 이러한 구성은 물론 제조 기술상 매우 소모적이므로 비용이 들게 된다. 또한, 예를 들면 높은 온도(>125℃ 작동 온도)에서 누설 전류 및 래치업(latch-up) 효과 등에 의한 기술적 문제점 및 빠른 역학적 과정에서 접지 전위의 분리에 의한 기술적인 문제점이 존재한다.
본 발명의 목적은, 알려진 제조 기술을 사용하고 상기 제조 기술에 있어서 통상적인 것보다 더 높은 전압 등급에 대해 사용될 수 있는 동시에 125?? 이상의 높은 작동 온도에서의 사용에도 적합한 집적 회로 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적은 본 발명에 따르면 청구범위 제1항 또는 제2항의 특징부의 수단을 통해 달성된다. 양호한 실시예가 종속항에 개시되어 있다.
본 발명에 따른 집적 회로 장치는 단일의 스위치로서 또는 브릿지 회로에 배치되는 전력 반도체 스위치를 조절하도록 사용된다. 여기서 브릿지 회로는 잘 알려진 사용예이므로, 이하에서는 주로 이와 관련하여 설명된다. 브릿지 회로에서 TOP- 및 BOT-스위치는 직렬 연결되며 중간 직류 링크 및 부하와 연결된다. 여기서 브릿지 회로는 다양하게 구성될 수 있으며, 예를 들면 단상, 이상 또는 삼상 반브릿지로서 또는 다른 전력 스위치, 소위 브레이크 초퍼(brake chopper)를 구비하는 삼상 브릿지로서 구성될 수도 있다. 브릿지 회로의 구성에 따라 본 발명에 따른 집적 회로 장치는 제1 집적 조절칩 및 적어도 하나의 제2 집적 조절칩을 포함한다. 제1 조절칩은 복수의 기능 그룹으로서 조절 논리 회로 및 BOT-스위치의 적어도 하나의 구동기 및 TOP-스위치용 적어도 하나의 제1 레벨 시프터를 포함한다. 상기 적어도 하나의 제2 집적 조절칩은 복수의 기능 그룹으로서 본 발명에 따르면 적어도 하나의 제2 레벨 시프터 및 TOP-스위치의 구동기를 포함한다. 본 발명에 따르면, 상기 적어도 하나의 제2 조절칩은 제1 조절칩 후방에 연결된다. 여기서, 각 제2 조절칩의 기본 전위는 관련되는 TOP-스위치용 제1 조절칩의 레벨 시프터의 출력 전위로 존재한다. 제1 및 적어도 하나의 제2 조절칩은 유리하게는 모든 조절칩이 서로에 대해 적합하게 절연된 상태로 공통 하우징에 배치된다.
물론 단일의 스위치를 조절하는 경우는 회로 장치의 BOT-스위치용 구동기는 존재하지 않고, 다른 전위로 존재하는 전력 스위치 또는 전력 스위치들용 레벨 시 프터 또는 레벨 시프터들만이 있게 된다.
본 발명의 사상은 도1 내지 도4의 실시예에 의해 보다 상세히 설명된다.
도1은 종래 기술에 따른 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 회로 장치를 도시한다. 제1 전력 스위치(40), 즉 TOP-스위치 및 이에 직렬 배치된 제2 전력 스위치(50), 즉 BOT-스위치로 이루어진 반브릿지 회로가 도시되어 있다. 상기 양 스위치는 그 자체로 각각 전력 트랜지스터, 예를 들면 IGBT(절연 게이트 양극 트랜지스터) 및 비병렬 연결된 프리휠링 다이오드(free wheeling diode) 또는 이에 대한 대안으로 MOS-FET로 이루어진다. 종래 기술에 상응하게, 각 전력 스위치는 또한 병렬 연결된 복수의 IGBT 및 여기에 비병렬 연결된 복수의 프리휠링 다이오드 또는 유사하게 복수의 MOS-FET로 이루어질 수 있다.
제어 입력부인 각 트랜지스터의 게이트는 구동 회로와 연결된다. 여기서, 구동 회로(20)는 TOP-스위치(40)에 관련되고, 구동 회로(30)는 BOT-스위치(50)에 관련된다. 상기 양 전력 스위치는 작동 시 상이한 전위로 존재하므로, 양 구동 회로(20, 30)는 전기적으로 서로 절연되어 배치되어야 한다.
상류에 존재하는 제어 장치의 제어 신호(5)는 조절 논리 회로(10)에서 처리되고, 전기적으로 분리되어 구동 회로로 전달된다. 전기적 분리를 위해, 여기서, 조절 논리 회로(10)와 구동 회로(20, 30) 사이에 트랜스듀서(22, 32)가 연결된다. 어떤 사용예의 경우, 예를 들면 전력이 작은 경우, 종래 기술에 따르면, BOT-스위치(50)의 구동 회로(30)에 대한 트랜스듀서(32)가 제거된다. 이러한 경우, 조절 논 리 회로(10)와 BOT-구동 회로(30)는 동일한 전위로 존재한다.
도2는 상기 전력 스위치의 반브릿지 회로용 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 본 발명에 따른 회로 장치를 도시한다. 반브릿지 회로는 도1에서와 동일하다. 여기서 전력 스위치(40, 50)로서 전압 등급 1200V의 IGBT가 구비된다.
본 발명에 따르며, 상류에 존재하는 제어 장치의 제어 신호(5)는 단일 모듈에 의해 처리되어 각 전력 스위치(40, 50)의 게이트에 공급된다. 상기 모듈은 서로에 대해 절연되어 공통 하우징(70)에 배치되어 있는 2개의 조절칩(72, 74)으로 구성된다. 제1 조절칩(72)은 논리 구조 그룹(750), BOT-스위치(50)용 구동기(732) 및 TOP-스위치용 제1 레벨 시프터(730)를 포함한다. 상기 레벨 시프터의 출력부는 제2 조절칩(74)의 입력부와 연결된다. 제2 조절칩(74)은 제2 레벨 시프터(740) 및 TOP-스위치(40)의 구동기(746)를 포함한다.
따라서, 논리 구조 그룹(750)과 TOP-스위치(40)의 구동기(746) 사이의 신호는 제2 레벨 시프터(730, 740)에 의해 필요한 전위로 상승된다. 제1 레벨 시프터(730)는 제1 조절칩(72)의 일체형 부품이고 제2 레벨 시프터(740)는 제2 조절칩(74)의 일체형 부품이므로, 각 조절칩(72, 74)에 있어서 전위차로서 최대 전압의 절반만을 넘어야 한다. 여기서 제1 조절칩(72)의 기본 전위는 예를 들면 0V와 600V 사이이며 제2 조절칩(74)의 기본 전위는 600V와 1200V 사이에서 변동할 수 있다. 따라서, 종래 기술에 따른 600V 절연 방법, 예를 들면 SOI가 각 조절칩(72, 74)에 대해 사용될 수 있다. 양 조절칩(72, 74)이 서로에 대해 절연되어 배치되어 있으므로, 따라서, 전체 집적 회로 장치의 각 조절칩(72, 74)의 전위차와 비교하여 이중 전위차를 넘게된다. 본 실시예에서 600V의 조절칩(72, 74) 내의 내부 절연에 의해, 본 발명에 따른 1200V의 전압 등급용 집적 회로 장치(70)가 구현된다.
도3은 전력 스위치의 삼상 브릿지 회로용 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 본 발명에 따른 회로 장치를 도시한다. 삼상 브릿지 회로는 도1에서와 동일한 반브릿지 회로 3개로 이루어진다. 삼상 브릿지 회로는 마찬가지로 전압 등급 1200V의 IGBT로서 형성된 3개의 TOP- 및 3개의 BOT-스위치를 각각 포함한다. 부하(60)는 예를 들면 삼상- 전동 모터로서 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상류에 존재하는 제어 장치의 제어 신호(5)는 단일 모듈(70)에 의해 처리되어 삼상 브릿지 회로의 각 전력 스위치(40, 50)의 게이트에 공급된다. 상기 모듈(70)은 서로에 대해 절연되어 공통 하우징(70)에 배치되어 있는 4개의 조절칩(72, 74)으로 구성된다. 여기서 제1 조절칩(72)은 도2에 비해 보다 복잡하게 도시되어 있으며, 기능 그룹인 전압 조절기(724), 입력 인터페이스(720), 처리 논리 회로(722), 에러 관리부(726) 및 보안 회로(728) 및 BOT-스위치(50)용 3개의 구동기(732) 및 삼상 브릿지 회로의 TOP-스위치(40)용 3개의 레벨 시프터(730)를 포함한다. 레벨 시프터(730)의 출력부는 3개의 제2 조절칩(74)의 입력부와 연결된다. 제2 조절칩(74)은 각각 레벨 시프터(740), 신호 구성부(742), 처리 논리 회로 및 보안 회로(744) 및 각 TOP-스위치(40)의 구동기(746)를 포함한다.
처리 논리 회로(722)와 TOP-스위치(40)의 구동기(746) 사이의 신호는 재차 제2 레벨 시프터(730, 740)에 의해 필요한 전위로 상승된다. 제1 레벨 시프터(730)는 제1 조절칩(72)의 일체형 부품이고 제2 레벨 시프터(740)는 각 제2 조절칩(74) 의 일체형 부품이며, 각 제2 조절칩(74)의 출력 전위는 작동 시 600V와 1200V 사이의 다양한 전위로 존재하며, 이 전위는 작동 시간 동안 변동된다. 삼상 브릿지 회로의 조절 시에도 종래 기술에 따른 절연 방법이 각 조절칩(72, 74)에 대해 사용될 수 있다. 모든 조절칩(72, 74)이 서로에 대해 절연되어 배치되어 있으므로, 따라서, 마찬가지로 도2에 따른 실시예에서와 같이 전체 집적 회로 장치(70)의 조절칩(72, 74) 내의 전위차와 비교하여 이중 전위차를 넘게 된다.
도4는 브레이크 초퍼를 포함하는 삼상 브릿지 회로용 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 본 발명에 따른 회로 장치를 도시한다. 여기에는 제7 전력 스위치(80)가 추가적으로 3개의 TOP-, 및 3개의 BOT-스위치(50)에 대해 배치되어 있다. 상기 제7 스위치(80)는 작동 시, 예를 들면 전동 모터(60)의 에너지 회수 시스템으로부터 회로의 잉여 전기 에너지를 배출하도록 사용되는 소위 브레이크 초퍼용 제어 장치로서 기능한다. 브레이크 초퍼용 전력 스위치(80)를 조절하기 위해, 도3에 따른 조절칩에 비해, 제1 조절칩은 BOT-스위치(50)의 구동기(732)와 동일한 전위로 존재하는 다른 구동기(734)를 포함한다.
본 발명에 따른 집적회로 장치는 전위가 보다 높은 스위치용 제1 레벨 시프터를 포함하여 복수의 기능 그룹을 포함하는 제1 집적 조절칩과 제2 레벨 시프터 및 스위치용 구동기를 포함하며, 복수의 기능 그룹을 포함하는 제2 집적 조절칩으로 구성되어 있어서, 기존의 집적회로 장치보다 높은 전압등급에 대해 사용 될 수 있고, 또한 125℃ 이상의 높은 작동 온도에서도 원활히 사용 될 수 있다.
Claims (9)
- 전력 반도체 스위치(40)를 조절하기 위한 집적 회로 장치이며,상기 회로 장치는 스위치(40)용 적어도 하나의 제1 레벨 시프터(730)를 적어도 포함하는 복수의 기능 그룹을 포함하는 제1 집적 조절칩(72)과,제2 레벨 시프터(740) 및 스위치(40)용 구동기(746)를 적어도 포함하는 복수의 기능 그룹을 포함하는 적어도 하나의 제2 집적 조절칩(74)으로 이루어지며상기 적어도 하나의 제2 조절칩(74)은 제1 조절칩(72) 후방에 연결되고, 제2 조절칩(74)의 기본 전위는 제1 조절칩(72)의 레벨 시프터(730)의 출력 전위로 존재하며, 조절칩(72, 74)은 조절칩(72, 74)이 서로에 대해 적합하게 절연된 상태로 공통 하우징(70)에 배치되는 집적 회로 장치.
- 중간 직류 링크 및 부하(60)와 연결되는 TOP-(40) 및 BOT-(50) 스위치인 브릿지 회로에 배치되는 전력 반도체 스위치(40, 50)를 조절하기 위한 집적 회로 장치이며,상기 회로 장치는 BOT-스위치(50)의 구동기(732) 및 TOP-스위치(40)용 적어도 하나의 제1 레벨 시프터(730)를 적어도 포함하는 복수의 기능 그룹을 포함하는 제1 집적 조절칩(72)과,제2 레벨 시프터(740) 및 TOP-스위치(40)의 구동기(746)를 적어도 포함하는 복수의 기능 그룹을 포함하는 적어도 하나의 제2 집적 조절칩(74)으로 이루어지며상기 적어도 하나의 제2 조절칩(74)은 제1 조절칩(72) 후방에 연결되고, 제2 조절칩(74)의 기본 전위는 제1 조절칩(72)의 레벨 시프터(730)의 출력 전위로 존재하며, 조절칩(72, 74)은 조절칩(72, 74)이 서로에 대해 적합하게 절연된 상태로 공통 하우징(70)에 배치되는 집적 회로 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 전력 반도체 스위치(40, 50)는 비병렬 배치된 프리휠링 다이오드를 포함하는 IGBTs 또는 MOSFETs와 같은 동종의 전력 반도체 부품 또는 복수의 동종의 전력 반도체 부품을 포함하는 집적 회로 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 집적 조절칩(72)은 다른 기능 그룹인 전압 조절기(724), 입력 인터페이스(720), 처리 논리 회로(722), 에러 관리부(726) 및 보안 회로(728)를 포함하는 집적 회로 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2 집적 조절칩(74)은 다른 기능 그룹인 신호 구성부(742), 처리 논리 회로 및 보안 회로(744)를 포함하는 집적 회로 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 제1 레벨 시프터(730)의 출력 전위는 제1 집적 조절칩(72)의 기본 전위 이상의 0과 600V 사이에서 변화되는 집적 회로 장치.
- 제2항에 있어서, 각각 TOP- 및 BOT-스위치로 이루어진 반브릿지 회로 장치의 전력 반도체 스위치(40, 50)를 조절하기 위한 회로 장치는 제1(72) 및 제2(74) 조절칩을 포함하는 집적 회로 장치.
- 제2항에 있어서, 삼상 브릿지 회로 장치의 전력 반도체 스위치(40, 50)를 조절하기 위한 회로 장치는 3개의 BOT-구동기(732) 및 3개의 레벨 시프터(730)를 구비하는 제1 조절칩(72) 및 각각 레벨 시프터(740) 및 TOP-구동기(746)를 구비하는 3개의 제2 조절칩(74)을 포함하는 집적 회로 장치.
- 제2항에 있어서, 브레이크 초퍼를 구비하는 삼상 브릿지 회로 장치의 전력 반도체 스위치(40, 50)를 조절하기 위한 회로 장치는 3개의 BOT-구동기(732), 브레이크 초퍼용 다른 스위치(80)의 구동기(734) 및 3개의 레벨 시프터(730)를 구비하는 제1 조절칩(72) 및 각각 레벨 시프터(740) 및 TOP-구동기(746)를 구비하는 3개의 제2 조절칩(74)을 포함하는 집적 회로 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004049817A DE102004049817A1 (de) | 2004-10-13 | 2004-10-13 | Integrierte Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern |
| DE102004049817.2 | 2004-10-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060052050A true KR20060052050A (ko) | 2006-05-19 |
| KR100723373B1 KR100723373B1 (ko) | 2007-05-30 |
Family
ID=35539339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050093532A KR100723373B1 (ko) | 2004-10-13 | 2005-10-05 | 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 집적 회로 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060087260A1 (ko) |
| EP (1) | EP1648086A1 (ko) |
| JP (1) | JP2006115472A (ko) |
| KR (1) | KR100723373B1 (ko) |
| CN (1) | CN1855679A (ko) |
| DE (1) | DE102004049817A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005023652B3 (de) * | 2005-05-23 | 2006-08-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit Fehlererkennung zur Ansteuerung von Leistungshalbleiterschaltern und zugehöriges Verfahren |
| DE102006050913B4 (de) | 2006-10-28 | 2012-08-23 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Ansteuerschaltung mit BOT-Levelshifter zur Übertragung eines Eingangssignals und zugeordnetes Verfahren |
| DE102007006319B4 (de) * | 2007-02-08 | 2012-12-13 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Ansteuerschaltung mit TOP-Levelshifter zur Übertragung eines Eingangssignals und zugeordnetes Verfahren |
| US7977887B2 (en) * | 2008-09-09 | 2011-07-12 | Delphi Technologies, Inc. | Low leakage current LED drive apparatus with fault protection and diagnostics |
| US9678524B2 (en) * | 2015-09-25 | 2017-06-13 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for power regulation based on input power |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2763237B2 (ja) * | 1992-11-02 | 1998-06-11 | 株式会社日立製作所 | レベルシフト回路及びこれを用いたインバータ装置 |
| DE19611401C2 (de) * | 1996-03-22 | 2000-05-31 | Danfoss As | Frequenzumrichter für einen Elektromotor |
| DE19730215C2 (de) * | 1997-07-15 | 2001-01-25 | Dialog Semiconductor Gmbh | Schaltungsanordnung mit einer ersten Steuereinheit und einer zweiten Steuereinheit |
| JP3493313B2 (ja) * | 1998-12-07 | 2004-02-03 | シャープ株式会社 | 負電圧レベルシフタ回路および不揮発性半導体記憶装置 |
| US6507226B2 (en) * | 2000-07-31 | 2003-01-14 | Intersil Americas Inc. | Power device driving circuit and associated methods |
| JP4462776B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2010-05-12 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置および信号レベル変換装置 |
| JP3806644B2 (ja) * | 2001-12-13 | 2006-08-09 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| US6531895B1 (en) * | 2002-02-08 | 2003-03-11 | Delphi Technologies, Inc. | Isolated gate drive circuit having a switched input capacitor |
| JP3983622B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2007-09-26 | 三菱電機株式会社 | パワーデバイス駆動回路 |
| EP1494354B1 (en) * | 2003-07-04 | 2010-12-01 | Dialog Semiconductor GmbH | High-voltage interface and driver control circuit |
-
2004
- 2004-10-13 DE DE102004049817A patent/DE102004049817A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-08-12 EP EP05017562A patent/EP1648086A1/de not_active Withdrawn
- 2005-08-15 JP JP2005235322A patent/JP2006115472A/ja active Pending
- 2005-10-05 KR KR1020050093532A patent/KR100723373B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-11 US US11/247,319 patent/US20060087260A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-12 CN CNA2005101067739A patent/CN1855679A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102004049817A1 (de) | 2006-04-27 |
| JP2006115472A (ja) | 2006-04-27 |
| CN1855679A (zh) | 2006-11-01 |
| US20060087260A1 (en) | 2006-04-27 |
| EP1648086A1 (de) | 2006-04-19 |
| KR100723373B1 (ko) | 2007-05-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3228093B2 (ja) | 高耐圧ｉｃ | |
| US4890009A (en) | Monolithic integrated circuit device | |
| KR900004074A (ko) | 절연된 게이트 트랜지스터, 절연된 게이트 트랜지스터를 갖는 스위칭회로, 절연된 게이트트랜지스터를 갖는 유도전동기 시스템, 과전류검출방법 그리고 절연게이트트랜지스터를 위한 회로를 위한 드라이브회로와 반도체장치 | |
| JP2016046693A (ja) | 半導体装置、電力制御装置および電子システム | |
| US20160301308A1 (en) | Compensation circuit, commutation cell and power converter controlling turn-on and turn-off of a power electronic switch | |
| US9143078B2 (en) | Power inverter including SiC JFETs | |
| US10439605B2 (en) | Circuit arrangement for an electronic device | |
| CN110401335B (zh) | 驱动电路、功率模块以及电力变换系统 | |
| KR100723373B1 (ko) | 전력 반도체 스위치를 조절하기 위한 집적 회로 장치 | |
| WO2015015721A1 (ja) | 半導体装置、および電力変換装置 | |
| US6967518B2 (en) | High voltage level shifting IC with under-ground voltage swing withstanding capability | |
| CN109768787B (zh) | 半导体装置及其驱动方法 | |
| CN113497549A (zh) | 栅极驱动器集成电路和操作栅极驱动器集成电路的方法 | |
| JP3384399B2 (ja) | 高耐圧ｉｃの高耐圧レベルシフト回路 | |
| JPH07263626A (ja) | 少なくとも２つのパワー半導体スイッチモジュールを有するパワー半導体モジュールおよび回路装置 | |
| TWI787725B (zh) | 逆變器系統 | |
| WO2013145792A1 (ja) | 電力変換装置 | |
| EP0544047B1 (en) | High current MOS transistor integrated bridge structure optimising conduction power losses | |
| AU2006219967A1 (en) | Transistor arrangement for rectifier and inverter | |
| Vogler et al. | 600V Converter/Inverter/Brake (CIB)-Module with integrated SOI Gate Driver IC for Medium Power Applications | |
| US11349303B2 (en) | Power module with integrated surge voltage limiting element | |
| US11329596B2 (en) | Control circuit for a multi-phase motor | |
| CN114079446A (zh) | 开关装置及用于制造开关装置的方法 | |
| CN110829802B (zh) | 三电平半桥驱动电路及变流器 | |
| US10218345B2 (en) | High-side gate drive circuit, semiconductor module, and three-phase inverter system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100309 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |