CN104635388B - 显示面板及包含该显示面板的显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示面板及包含该显示面板的显示装置，该显示面板包含：一基板；一第一电极，形成于该基板上；一第一绝缘层，形成于该第一电极上；一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，该闸极电极侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，其介于30度与90度之间；一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该闸极电极侧面；以及一主动层及一第二电极，形成于该第二绝缘层上，且该主动层覆盖该闸极电极侧面；其中，该主动层连接该第一电极与该第二电极。

Description

显示面板及包含该显示面板的显示装置

技术领域

本发明关于一种显示面板及包含该显示面板的显示装置。

背景技术

液晶显示器的面板(Panel)通常具有二个上下叠合的玻璃基板：薄膜电晶体(Thin-film transistor，简称TFT)基板与彩色滤光(Color filter，简称CF)基板。目前对于显示面板内的薄膜电晶体，其源极、主动层、及汲极通常是横向排列的平面式布局方式，其中，该主动层或其内所形成的带电载子通道(channel)平行于该TFT基板。此类带电载子通道的长度受到光微影或黄光制程的曝光精度的限制，也就是所谓的其临界尺度(critical dimension，简称CD)，而难以将带电载子通道的长度缩小到3μm以下。

未来平面显示器将朝高解析度的方向发展，对于主动式开关元件的效能要求也随而增高，例如，薄膜电晶体的开关速度，以符合画面更新率(Frame rate)大于120Hz、解析度超过320PPI、以及开口率提高的设计要求；然而，平面式布局方式的薄膜电晶体受限于上述的制程临界尺度(critical dimension，简称CD)，带电载子通道长度难有缩减的空间而无法加快开关速度，同时也无法缩减薄膜电晶体面积以减少遮光比例。因此，有必要发展新的显示面板技术，以对治及改善上述的问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于：提供一种显示面板及包含该显示面板的显示装置，解决平面式布局方式的薄膜电晶体受限于上述的制程临界尺度(criticaldimension，简称CD)，带电载子通道长度难有缩减的空间而无法加快开关速度，同时也无法缩减薄膜电晶体面积以减少遮光比例的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种显示面板，其特征在于，其包含：

一基板；

一第一电极，形成于该基板上；

一第一绝缘层，形成于该第一电极上；

一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，并具有一侧面；

一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该侧面；

一主动层，相对该侧面形成于该第二绝缘层上，并电性连接该第一电极；以及

一第二电极，电性连接该主动层；

其中，该侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，该倾斜角的角度介于30度与90度之间。

在一实施例中，该第二电极位于该第二绝缘层及该主动层之间。

在一实施例中，该主动层位于该第二绝缘层及该第二电极之间。

在一实施例中，该主动层的材质为氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锌(IZO)。

在一实施例中，进一步包括一第一穿孔，其贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层，以曝露出该第一电极。

在一实施例中，进一步包括：

一第三绝缘层，形成于该第二电极上并覆盖该主动层，一第二穿孔贯穿该第三绝缘层，以曝露出该第二电极；以及

一像素电极，形成于该基板上并覆盖该第三绝缘层；

其中，该像素电极电性连接该第二电极。

在一实施例中，该闸极电极包括一第一闸极金属层、一第二闸极金属层及一第四绝缘层，该第四绝缘层介于该第一闸极金属层与该第二闸极金属层之间。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种液晶显示装置，其特征在于，其包含一显示面板，该显示面板包括一薄膜电晶体基板、一彩色滤光片基板以及一液晶层，该彩色滤光片基板相对该薄膜电晶体基板设置，该液晶层介于该薄膜电晶体基板及该彩色滤光片基板之间，其中：

该薄膜电晶体基板又包括：

一基板；

一第一电极，形成于该基板上；

一第一绝缘层，形成于该第一电极上；

一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，并具有一侧面；

一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该侧面；

一主动层，相对该侧面形成于该第二绝缘层上，并电性连接该第一电极；以及

一第二电极，电性连接该主动层；

其中，该侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，该倾斜角的角度介于30度与90度之间。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，其包含一显示面板，该显示面板包括一薄膜电晶体基板、一盖板以及一有机发光二极管，该盖板相对该薄膜电晶体基板设置，该有机发光二极管介于该薄膜电晶体基板及该盖板之间，其中：

该薄膜电晶体基板又包括：

一基板；

一第一电极，形成于该基板上；

一第一绝缘层，形成于该第一电极上；

一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，并具有一侧面；

一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该侧面；

一主动层，相对该侧面形成于该第二绝缘层上，并电性连接该第一电极；以及

一第二电极，电性连接该主动层；

其中，该侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，该倾斜角的角度介于30度与90度之间。

与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是：本发明的垂直式薄膜电晶体具有主动层长度被大幅缩短的功效。

附图说明

图1为本发明实施例的显示面板的平面布局图；

图2为本发明实施例的显示面板的剖面示意图，其为沿着图1所示的A-A’方向的剖面结构；

图3～图8为本实施例显示面板的制作程序的结构剖面图；

图9为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图，其也为沿着图1所示的A-A’方向的剖面结构；

图10为本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图，其也为沿着图1所示的A-A’方向的剖面结构；

图11为本发明实施例的显示装置的结构示意图，其包含一根据前述实施例的显示面板。

附图标记说明：10显示装置；20、100、200、300显示面板；110基板；120像素电极；130薄膜电晶体；131第一电极；132第一绝缘层；133闸极电极；1331第一闸极金属层；1332第四绝缘层；1333第二闸极金属层；134第二绝缘层；135主动层；136第二电极；137第一穿孔；138第三绝缘层；139第二穿孔；140扫描线；150资料线。

具体实施方式

为对本发明的特征、目的及功能有更进一步的认知与了解，兹配合图式详细说明本发明的实施例如后。在所有的说明书及图示中，将采用相同的元件编号以指定相同或类似的元件。

在各个实施例的说明中，当一元素被描述是在另一元素的“上方/上”或“下方/下”，指直接地或间接地在该另一元素之上或之下的情况，其可能包含设置于其间的其他元素；所谓的“直接地”指其间并未设置其他中介元素。“上方/上”或“下方/下”等的描述以图式为基准进行说明，但也包含其他可能的方向转变。所谓的“第一”、“第二”、及“第三”用以描述不同的元素，这些元素并不因为此类谓辞而受到限制。为了说明上的便利和明确，图式中各元素的厚度或尺寸，以夸张或省略或概略的方式表示，且各元素的尺寸并未完全为其实际的尺寸。

图1为本发明实施例的显示面板100的平面布局图，为了说明上的清楚及方便，该图只显示单一个像素的布局图，其包含一个像素电极120、一个薄膜电晶体130、一条扫描线140以及一条资料线150。然而，在本实施例中，该显示面板100实际上包含复数个具有像素电极120的像素、复数个薄膜电晶体130、复数个扫描线140以及复数个资料线150；如图所示，所述的这些扫描线140为横向排列的信号线，所述的这些资料线150为纵向排列的信号线，所述的这些像素电极120以及其所对应的薄膜电晶体130则排列成矩阵的形式，且各个薄膜电晶体的闸极连接至其中一条扫描线140、其汲极连接至其中一条资料线150。

图2为本发明实施例的显示面板100的剖面示意图，其为沿着图1所示的A-A’方向的剖面结构。如图2所示，该显示面板100包含一基板110、一第一电极131、一第一绝缘层132、一闸极电极133、一第二绝缘层134、一主动层135及一第二电极136；其中，第一电极131可为汲极或源极，而第二电极136可为相对应的源极或汲极，于本实施例中，第一电极131为汲极而第二电极131为源极。该第一电极131形成于该基板110上，该第一绝缘层132形成于该第一电极131上并覆盖该第一电极131，该闸极电极133形成于该第一绝缘层132上且与该第一电极131电性隔绝，该第二绝缘层134形成于该闸极电极133上并覆盖该闸极电极133及部分该第一绝缘层132，该主动层135形成于该第二绝缘层134上并通过第一绝缘层132及第二绝缘层134的穿孔与第一电极131电性连接，该第二电极136形成于该主动层135上与的电性连接，且该主动层135作为半导体通道电性连接该第一电极131与该第二电极136。如此，该闸极电极133、该主动层135、该第一电极131及该第二电极136可组合成一电晶体结构，也就是图1的平面布局图的薄膜电晶体130。该薄膜电晶体130的第二电极136、主动层135、及第一电极131属于垂直于该基板110的立体堆叠结构，且其通道非平行于该基板而有别于现有技术的平面式的布局结构，也就是薄膜电晶体的源极电极、主动层、及汲极电极为横向排列的结构，其主动层或所形成的通道平行于该基板。

该基板110用以承载该像素电极120、该薄膜电晶体130、该扫描线140、及该资料线150。该基板110可以是软性或刚性的透明基板或非透明基板。在本实施例中，该基板110材料是玻璃，在其他实施例中该基板110的材料也可为高分子塑胶、压克力、玻璃纤维或金属。由于该基板110上制做有该薄膜电晶体130，在显示面板的制程技术中，该基板110可称为薄膜电晶体基板(TFT substrate)。

该显示面板100的复数个像素以矩阵的形式设置于该基板110上。对于彩色显示器而言，一个像素可包含红色子像素、绿色子像素、及蓝色子像素各一个。如图1所示，所述的这些扫描线140为横向排列的信号线，用以传送一扫描驱动器(未图示)所输出对每条扫描线140依序进行扫描的扫描信号；所述的这些资料线150为纵向排列的信号线，用以传送一资料驱动器(未图示)所输出的像素资料信号，该资料驱动器输出该像素资料相对应的电压、以驱动所述的这些资料线150。每条扫描线140与每条资料线150的交叉处可定义一个所谓的子像素。各个薄膜电晶体130的闸极连接一条扫描线140，其汲极连接一条资料线150，凭借扫描信号、资料信号、与该像素电极而决定该像素的开或关(On/Off)。

以下凭借第3～8图的元件结构剖面图，详细说明本实施例的显示面板100的该薄膜电晶体130的制作程序。首先，凭借适当的沉积技术，例如，蒸镀法或溅镀法，形成一金属层于该基板110上，并凭借适当的光微影技术及蚀刻(干式或湿式)技术，图案化该金属层以定义出该薄膜电晶体的第一电极131，如图3所示。该第一电极131的组成材料可以是铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、铝钕(Al-Nd)合金、钼钨(MoW)合金、或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)多层金属，但本发明对此不加以限制。

接着，凭借适当的沉积技术，例如，物理气相沉积或化学气相沉积，形成一绝缘层于该第一电极131上，以作为如图2的该第一绝缘层132。该第一绝缘层132覆盖第一电极131用以保护该第一电极131，并隔开该闸极电极133与该第一电极131，如图4所示。该第一绝缘层132的组成材料可以是氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNx)、氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、或氧化钛(TiOx)，其中的下标x表示化合物的原子莫耳比率；但本发明对该第一绝缘层132的组成材料不加以限制。

接着，凭借适当的沉积技术，例如，蒸镀法或溅镀法，形成另一金属层于该第一绝缘层132上，并凭借适当的光微影(photolithography)技术及蚀刻(干式或湿式)技术，图案化该金属层以定义出该薄膜电晶体的闸极电极133，如图4所示，闸极电极133与第一电极131电性隔绝。该闸极电极133的组成材料可以是铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、铝钕(Al-Nd)合金、钼钨(MoW)合金、或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)多层金属，但本发明对此不加以限制。如前所述，本实施例的薄膜电晶体130的第二电极136、主动层135、及第一电极131为垂直式堆叠结构；因此，该闸极电极133位于该第一电极131的上方，其宽度小于该第一电极131的宽度，且该闸极电极133的侧面，例如，如图4的右侧面，相对于该基板110或该第一绝缘层132的上表面而言，具有一介于30度与90度之间的倾斜角θ。由于本实施例后续即将制作的主动层135，将形成于该闸极电极133的侧面上，因此，该侧面不宜过于陡峭，例如，90度的倾斜角θ，这将导致该主动层135不易附着及形成于该侧面上而产生缺陷；该侧面也不宜过于平缓，例如，小于30度的倾斜角θ，这将导致该主动层135未能达到本发明垂直式堆叠结构薄膜电晶体所预期的缩短通道长度的功效。

接着，凭借适当的沉积技术，例如，物理气相沉积或化学气相沉积，形成另一绝缘层于该闸极电极133上，以作为该薄膜电晶体130的闸极绝缘层(Gateinsulator)，其为如图2的该第二绝缘层134，其完整覆盖闸极电极133及部分第一绝缘层132。该第二绝缘层134用以隔开该闸极电极133与该主动层135，如图5所示。该第二绝缘层134的组成材料可以是氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNx)、氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、或氧化钛(TiOx)，其中的下标x表示化合物的原子莫耳比率；但本发明对该第二绝缘层134的组成材料不加以限制。接着，凭借适当的光微影技术及蚀刻技术，图案化该第一绝缘层132及该第二绝缘层134以定义出一第一穿孔137，其贯穿该第一绝缘层132与该第二绝缘层134，以曝露出该第一电极131，如图5所示。该第一穿孔137将作为本实施例的后续制程中，该第一电极131连接该主动层135接触孔(contact hole)。

接着，凭借适当的沉积技术，例如，物理气相沉积或化学气相沉积，形成该主动层135于该第二绝缘层134上，并保形地(confirmally)覆盖该第一穿孔137；如此，该第一电极131可连接该主动层135。接着，凭借适当的光微影技术及蚀刻技术，图案化该主动层135以定义出适合于该薄膜电晶体130的通道区，如图6所示。该主动层135经过图案化制程之后，覆盖该闸极电极133的侧面及部分顶端、该第一穿孔137的内侧面、以及该第一电极131的曝露区表面；如此，该主动层135可连接该第一电极131。该主动层135的组成材料可以是适当的半导体材料；但本发明对该主动层135的组成材料不加以限制。该主动层135也可由带电载子移动性(mobility)较佳的氧化物半导体材料所组成，例如，硅(Si)、锗(Ge)等元素，或氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)等，形成所谓的“氧化物薄膜电晶体(Oxide TFT)”，此类实施例可另外设计适当的元件结构，这将详述于后文中。

接着，凭借适当的沉积技术，例如，蒸镀法或溅镀法，又形成另一金属层于该主动层135及该第二绝缘层134上，并凭借适当的光微影技术及蚀刻(干式或湿式)技术，图案化该金属层以定义出该薄膜电晶体的第二电极136；如图7所示，该第二电极136覆盖该闸极电极133的顶端与左侧面以及部分的该第一电极131；如此，该主动层135可连接该第二电极136。该第二电极136的宽度小于该第一电极131的宽度，且可略大于该闸极电极133的宽度，使得本实施例的薄膜电晶体130的第二电极136、主动层135、及第一电极131易于形成垂直式堆叠的结构。该第二电极136的组成材料可以是铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、铝钕(Al-Nd)合金、钼钨(MoW)合金、或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)多层金属，但本发明对此不加以限制。

本实施例的显示面板100的制作程序进行至此，已初步完成垂直式堆叠结构的薄膜电晶体130，如图7所示，其主要包含该闸极电极133、该第一电极131、该第二电极136、及该主动层135，元件结构上明显不同于现有的平面式薄膜电晶体。该主动层135的长度可以由该第一绝缘层132、该闸极电极133、及该第二绝缘层134的宽度加总来加以估算。由于一般制程所制作的绝缘层的厚度约为100～200nm，金属电极层的厚度约为180～250nm，因此该主动层135的长度可缩短至约500nm(0.5μm)以下。相较于现有的平面式薄膜电晶体，其主动层长度至少大于3μm，本发明实施例的垂直式薄膜电晶体具有主动层长度被大幅缩短的功效。

为了使该薄膜电晶体130受到适当的保护、并电性连接至其所对应的像素电极，我们可继续凭借适当的沉积技术，例如，物理气相沉积或化学气相沉积，形成一第三绝缘层138于该第二电极136及该主动层135上，用以保护该第二电极136及该主动层135，如图8所示。该第三绝缘层138的组成材料可以是氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNx)、氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、或氧化钛(TiOx)，其中的下标x表示化合物的原子莫耳比率；但本发明对该第三绝缘层138的组成材料不加以限制。接着，凭借适当的光微影技术及蚀刻技术，图案化该第三绝缘层138以定义出一第二穿孔139，其贯穿该第三绝缘层138，以曝露出该第二电极136，如图8所示。该第二穿孔139将作为本实施例的后续制程中，该第二电极136连接该像素电极120的接触孔。

最后，凭借适当的沉积技术，例如，物理气相沉积或化学气相沉积，形成一透明导电层于该第三绝缘层138上，并凭借适当的光微影技术及蚀刻(干式或湿式)技术，图案化该金属层以定义出该像素的像素电极120，则该显示面板100平面布局及剖面结构图可如第1及2图所示。该像素电极120的组成材料可以是氧化物半导体的透明导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、或氧化锌(ZnO)等，但本发明对此不加以限制。

此外，为了减少该薄膜电晶体130在逆向偏压时可能产生的漏电流问题，我们可以使用夹有绝缘层的双金属层结构来设计该闸极电极133，如图9所示。图9为本发明另一实施例的显示面板200的剖面示意图，其也为沿着图1所示的A-A’方向的剖面结构；其中，该闸极电极133包括一第一闸极金属层1331、一形成于该第一闸极金属层1331上的第四绝缘层1332、以及一形成于该第四绝缘层1332上的第二闸极金属层1333，其余部分则与上述图2实施例描述相同。该第一闸极金属层1331及该第二闸极金属层1333的组成材料可以是铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、铝钕(Al-Nd)合金、钼钨(MoW)合金、或钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)多层金属，但本发明对此不加以限制；该第二闸极金属层1333的宽度大于该第一闸极金属层1331的宽度；该第四绝缘层1332的组成材料可以是氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNx)、氧化铝(AlOx)、氧化硅(SiOx)、或氧化钛(TiOx)，其中的下标x表示化合物的原子莫耳比率；但本发明对该第三绝缘层138的组成材料不加以限制。凭借增加该第四绝缘层1332的厚度，该薄膜电晶体130的逆向偏压漏电流可得到适当的抑制。

此外，具有良好带电载子移动性的非结晶形(amorphous)氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锌(IZO)等也可选用来作为该主动层135的组成材料，但因此类氧化物半导体材料容易受到其后续制程的影响，而受到伤害或产生缺陷，影响其导电特性，我们可在另一实施例中，将上述实施例的图6及图7的制程顺序对调，以减少氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锌(IZO)的主动层135的后续金属化制程，则其剖面结构图可如图10所示。图10为本发明另一实施例的显示面板300的剖面示意图，其也为沿着图1所示的A-A’方向的剖面结构；其中，该第二电极136先形成于于该第二绝缘层134上，该主动层135再形成于该第二电极136上，其余部分则与上述图2实施例的描述相同。

最后，图11为根据本发明实施例的显示装置10的结构示意图，该显示装置10包含一依据前述实施例的显示面板20。该显示装置10可以是含有显示面板作为萤幕的电脑设备、行动电话、平板电脑、或数位相框等，但本发明并不对此加以限制。该显示面板20可以是液晶面板，是薄膜电晶体基板、彩色滤光片基板及液晶层的组合，凭借液晶分子排列会受到外部电压或电场的影响而造成光极化的变化，以达成影像的显示；该显示面板20也可以是以有机发光二极管(Organic light emitting diode，简称OLED)技术来制作，是薄膜电晶体基板、彩色滤光片基板及有机发光二极管的组合；本发明的另一实施例，更可包括一盖板，相对该薄膜电晶体基板设置；以及一有机发光二极体，介于该薄膜电晶体基板及该盖板之间。此外，该显示面板20也可以是以电浆显示面板(Plasma display panel，简称PDP)技术来制作。

以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，其包含：

一基板；

一第一电极，形成于该基板上；

一第一绝缘层，形成于该第一电极上；

一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，并具有一侧面；

一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该侧面；

一主动层，相对该侧面形成于该第二绝缘层上，并电性连接该第一电极；以及

一第二电极，电性连接该主动层；

其中，该侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，该倾斜角的角度介于30度与90度之间，并且该闸极电极包括一第一闸极金属层、一第二闸极金属层及一第四绝缘层，该第四绝缘层介于该第一闸极金属层与该第二闸极金属层之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第二电极位于该第二绝缘层及该主动层之间。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该主动层位于该第二绝缘层及该第二电极之间。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该主动层的材质为氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锌(IZO)。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，进一步包括一第一穿孔，其贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层，以曝露出该第一电极，其中该第一穿孔作为该第一电极连接该主动层的接触孔。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，进一步包括：

一第三绝缘层，形成于该第二电极上并覆盖该主动层，一第二穿孔贯穿该第三绝缘层，以曝露出该第二电极；以及

一像素电极，形成于该基板上并覆盖该第三绝缘层；

其中，该第二穿孔作为该第二电极连接该像素电极的接触孔，以使该像素电极电性连接该第二电极。

7.一种液晶显示装置，其特征在于，其包含一显示面板，该显示面板包括一薄膜电晶体基板、一彩色滤光片基板以及一液晶层，该彩色滤光片基板相对该薄膜电晶体基板设置，该液晶层介于该薄膜电晶体基板及该彩色滤光片基板之间，其中：

该薄膜电晶体基板又包括：

一基板；

一第一电极，形成于该基板上；

一第一绝缘层，形成于该第一电极上；

一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，并具有一侧面；

一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该侧面；

一主动层，相对该侧面形成于该第二绝缘层上，并电性连接该第一电极；以及

一第二电极，电性连接该主动层；

其中，该侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，该倾斜角的角度介于30度与90度之间，并且该闸极电极包括一第一闸极金属层、一第二闸极金属层及一第四绝缘层，该第四绝缘层介于该第一闸极金属层与该第二闸极金属层之间。

8.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，其包含一显示面板，该显示面板包括一薄膜电晶体基板、一盖板以及一有机发光二极管，该盖板相对该薄膜电晶体基板设置，该有机发光二极管介于该薄膜电晶体基板及该盖板之间，其中：

该薄膜电晶体基板又包括：

一基板；

一第一电极，形成于该基板上；

一第一绝缘层，形成于该第一电极上；

一闸极电极，形成于该第一绝缘层上，并具有一侧面；

一第二绝缘层，形成于该闸极电极上并覆盖该侧面；

一主动层，相对该侧面形成于该第二绝缘层上，并电性连接该第一电极；以及

一第二电极，电性连接该主动层；

其中，该侧面相对于该基板的上表面具有一倾斜角，该倾斜角的角度介于30度与90度之间，并且该闸极电极包括一第一闸极金属层、一第二闸极金属层及一第四绝缘层，该第四绝缘层介于该第一闸极金属层与该第二闸极金属层之间。