CN107678222A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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CN107678222A
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CN
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common electrode
electrode
insulating barrier
display panel
tft
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CN201710645169.6A
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杨东周
金昇辰
朴钒首
金亨哲
朴恩惠
李正音
李准起
洪知润
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

公开了显示面板及其制造方法，该显示面板包括第一基底基板、栅极线、栅电极、薄膜晶体管、共用电极、辅助共用电极线、像素电极和盖电极，其中：栅极线设置在第一基底基板上并且在第一方向上延伸；栅电极电连接至栅极线；薄膜晶体管包括有源图案，有源图案包括源极区域、漏极区域和与栅电极重叠的沟道区域；共用电极设置在第一基底基板上，其中共用电极被施加共用电压；辅助共用电极线电连接至共用电极并且包括不透明金属；像素电极电连接至薄膜晶体管，并且在共用电极上设置成与共用电极重叠；以及盖电极连接至辅助共用电极线并且与沟道区域重叠。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及显示面板和制造显示面板的方法。更具体地，本发明的示例性实施方式涉及用于液晶显示装置的显示面板和制造显示面板的方法。
背景技术
近来，已经制造了具有轻重量和小尺寸的显示装置。由于诸如性能和竞争价格的优势，已经使用了阴极射线管(“CRT”)显示装置。然而，CRT显示装置具有尺寸或便携性的缺点。因此，由于诸如小尺寸、轻重量和低功耗的各种优势，诸如等离子体显示装置、液晶显示(“LCD”)装置和有机发光显示装置的显示装置已被高度关注。
LCD装置向配置的特定分子取向施加电压以改变分子取向。LCD装置根据分子取向的改变利用液晶单元的光学性质(例如，双折射、旋转偏振、二向色性和光散射)的改变来显示图像。
发明内容
当不期望的光由于液晶显示(“LCD”)装置的元件而入射在薄膜晶体管(“TFT”)的沟道区域上时，TFT的特性恶化，从而可能使得LCD的显示质量恶化。
本发明的一个或多个示例性实施方式提供了提高显示质量的显示面板。
本发明的一个或多个示例性实施方式还提供了制造显示面板的方法。
根据本发明的示例性实施方式，显示面板包括第一基底基板、栅极线、栅电极、TFT、共用电极、辅助共用电极线、像素电极和盖电极，其中：栅极线设置在第一基底基板上并且在第一方向上延伸；栅电极电连接至栅极线；TFT包括有源图案，有源图案包括源极区域、漏极区域以及与栅电极重叠的沟道区域；共用电极设置在第一基底基板上，共用电极被施加共用电压；辅助共用电极线电连接至共用电极并且包括不透明金属；像素电极电连接至TFT，并且在共用电极上设置成与共用电极重叠；以及盖电极连接至辅助共用电极线并且与沟道区域重叠。
在示例性实施方式中，共用电极可包括透明导电材料。盖电极可在与辅助共用电极线相同的层中，并且可包括与辅助共用电极线的材料相同的材料。
在示例性实施方式中，辅助共用电极线可在第一方向上延伸并且与栅极线重叠。
在示例性实施方式中，沟道区域的整体可由盖电极覆盖。
在示例性实施方式中，栅电极可与盖电极的整体重叠。
在示例性实施方式中，辅助共用电极线和盖电极可直接地与共用电极接触。
在示例性实施方式中，显示面板还可包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其中，第一绝缘层设置在栅电极与有源图案之间，第二绝缘层设置在有源图案与共用电极之间，以及第三绝缘层设置在共用电极与像素电极之间。
在示例性实施方式中，辅助共用电极线和盖电极可设置在共用电极与第三绝缘层之间。
在示例性实施方式中，辅助共用电极线和盖电极可设置在共用电极与第二绝缘层之间。
在示例性实施方式中，共用电极孔可通过共用电极限定。在平面图中，通过第二绝缘层和第三绝缘层限定的接触孔限定在共用电极孔中。像素电极可通过接触孔连接至TFT。
在示例性实施方式中，像素电极处可限定有多个狭缝状开口。
在示例性实施方式中，显示面板还可包括第二基底基板和黑矩阵，其中：第二基底基板面对第一基底基板；黑矩阵设置在第二基底基板上，黑矩阵与TFT、辅助共用电极线和盖电极重叠。
在示例性实施方式中，显示面板还可包括设置在第一基底基板与共用电极之间的滤色器。
在示例性实施方式中，可向共用电极、辅助共用电极线和盖电极施加共用电压。
根据本发明的示例性实施方式，制造显示面板的方法包括：在第一基底基板上形成包括有源图案的TFT，其中有源图案包括沟道区域、源极区域和漏极区域；在其上设置有TFT的第一基底基板上形成共用电极；形成辅助共用电极线和盖电极，其中，辅助共用电极线电连接至共用电极并且包括不透明金属，其中，盖电极连接至辅助共用电极线并且与有源图案的沟道区域重叠，并且盖电极包括与辅助共用电极线的材料相同的材料；以及形成电连接至TFT的像素电极。
在示例性实施方式中，该方法还可包括：在第一基底基板上形成栅电极；在栅电极上形成第一绝缘层；在TFT上形成第二绝缘层；以及在共用电极、辅助共用电极线和盖电极上形成第三绝缘层。共用电极可设置在第二绝缘层与第三绝缘层之间。第三绝缘层可设置在共用电极与像素电极之间。
在示例性实施方式中，该方法还可包括：通过第二绝缘层和第三绝缘层限定暴露TFT的接触孔。可通过共用电极限定共用电极孔。在平面图中，通过第二绝缘层和第三绝缘层限定的接触孔可限定在共用电极孔中。像素电极可通过接触孔连接至TFT。
在示例性实施方式中，沟道区域的整体可由盖电极覆盖。栅电极可与盖电极的整体重叠。
在示例性实施方式中，可在设置共用电极之前设置辅助共用电极线和盖电极。
在示例性实施方式中，该方法还可包括：在形成TFT之后以及形成共用电极之前，在第一基底基板上形成滤色器。
根据本发明，显示面板包括栅电极、TFT、共用电极、辅助共用电极线、像素电极和盖电极，其中：TFT包括有源图案，有源图案具有与栅电极重叠的沟道区域；辅助共用电极线电连接至共用电极并且包括不透明金属；像素电极电连接至TFT并且与共用电极重叠；以及盖电极连接至辅助共用电极线并且与沟道区域重叠。盖电极包括不透明金属并且覆盖沟道区域，使得其可防止光被显示面板的内部结构反射并入射至沟道区域中。因此，可防止TFT的电特性降低，并且可提高包括该显示面板的显示装置的显示质量。
另外，盖电极和辅助共用电极线可设置在相同的层中，以使得不需要用于形成盖电极的附加工艺。
将理解的是，前述一般描述和以下详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的上述特征和其它特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据本发明的显示面板的示例性实施方式的平面图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图；
图3是示出根据本发明的显示面板的另一示例性实施方式的剖视图；
图4是示出根据本发明的显示面板的另一示例性实施方式的剖视图；
图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A和图8B是示出制造图1和图2的显示面板的方法的平面图和剖视图；
图9A、图9B、图10A和图10B是示出制造图3的显示面板的方法的平面图和剖视图；以及
图11是示出制造图4的显示面板的方法的剖视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细说明本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本发明将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员完全传达本发明的范围。全文中相同的附图标记表示相同的元件。
将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，其可直接地在该另一层上或它们之间可以有中间元件。反之，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，尽管本文中术语“第一”、“第二”、“第三”等可用于描述各种元件、组件、区域，层和/或区段，但这些元件、组件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一元件、组件、区域、层或区段区分开。因此，在不背离本文的教导的情况下，以下讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“区段”可被命名为第二元件、组件、区域、层或区段。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，而不旨在进行限制。如本文中所使用的，除非内容清楚地另有所指，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包含有”或者“包括”和/或“包括有”时，指明所陈述的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的群组的存在或附加。
另外，诸如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语在本文中可用于描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了图中描述的方位之外，相对术语旨在包括设备的不同方位。在示例性实施方式中，当附图中的一个图中的设备被翻转时，则被描述为在其它元件“下”侧的元件将然后被定位为在该其它元件“上”侧。因此，示例性术语“下”可根据图的具体方位包含“上”和“下”两个方位。类似地，当附图中的一个图中的设备被翻转时，则被描述为在其它元件“之下”或“下方”的元件将然后被定位为在该其它元件“之上”。因此，示例性术语“在……之下”或“在……下方”可包含“在……之上”和“在……之下”两个方位。
考虑到测量问题和与具体量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的，“约”或“大致”包括所陈述的值和如本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以指在一个或多个标准偏差内，或在陈述的值的±30％、20％、10％、5％内。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非本文中明确地如此限定，否则诸如那些在常用词典中限定的术语应被解释为具有与其在本发明和相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不是将以理想或过于正式的意义来解释。
在本文中，参照理想化实施方式的示意图的剖面图示描述示例性实施方式。这样，例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化将是预期的。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造导致的形状上的偏差。在示例性实施方式中，被示出或描述为平坦的区域可能通常具有粗糙的和/或非线性的特征。另外，示出的尖角可能是圆的。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出区域的精确形状且不旨在限制权利要求的范围。
图1是示出根据本发明示例性实施方式的显示面板的平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。显示面板可包括以矩阵形式布置的多个像素。图中示出了与显示面板的一个像素对应的结构。
参照图1和图2，显示面板可包括TFT基板(即，具有薄膜晶体管TFT的基板)、面对TFT基板的相对基板以及位于TFT基板与相对基板之间的液晶层LC。
TFT基板可包括第一基底基板100、栅极图案、第一绝缘层110、有源图案ACT、数据图案、第二绝缘层120、共用电极130、金属图案、第三绝缘层150和像素电极PE。
第一基底基板100可包括具有良好的透光性、耐热性和耐化学性的材料。在示例性实施方式中，第一基底基板100可包括例如玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。用于第一基底基板100的透明树脂基板的示例可包括基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酰的树脂、基于聚丙烯酸酯的树脂、基于聚碳酸酯的树脂、基于聚醚的树脂、包括磺酸的树脂、基于聚乙二醇对苯二甲酸酯的树脂等。
栅极图案可设置在第一基底基板100上。在示例性实施方式中，栅极图案可包括例如金属、合金、导电金属氧化物、透明导电材料等。栅极图案可包括栅极线GL和栅电极GE。
栅极线GL可在第一方向D1上延伸。栅极线GL可接收栅极信号以驱动显示面板。
栅电极GE可电连接至栅极线GL，并且可在与第一方向D1相交的第二方向D2上从栅极线GL突出。
第一绝缘层110可设置在其上设置有栅极图案的第一基底基板100上。在示例性实施方式中，第一绝缘层110可包括例如硅化合物、金属氧化物等。在示例性实施方式中，第一绝缘层110可使用例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)、钽氧化物(TaOx)、铪氧化物(HfOx)、锆氧化物(ZrOx)、钛氧化物(TiOx)等来提供。这些可单独使用或以它们的组合的方式使用。在示例性实施方式中，第一绝缘层110可沿着栅极图案的轮廓均匀地设置在第一基底基板100上。此处，第一绝缘层110可具有基本上小的厚度，使得台阶部分可设置在第一绝缘层110的与栅极图案邻近的部分处。在示例性实施方式中，第一绝缘层110可具有相对大的厚度以充分覆盖栅极图案，使得第一绝缘层110可具有基本上水平的表面。
有源图案ACT可设置在第一绝缘层110上并且与栅电极GE重叠。有源图案ACT可包括源极区域和漏极区域以及沟道区域，其中，漏极区域和源极区域是掺杂了杂质的区域，沟道区域位于源极区域与漏极区域之间。栅电极GE可提供成足够地大，以便不仅与有源图案ACT的沟道区域重叠而且还与源极区域和漏极区域的一部分重叠。
数据图案可设置在有源图案ACT上。数据图案可包括数据线DL、与源极区域接触的源电极SE和与漏极区域接触的漏电极DE。在示例性实施方式中，数据图案可使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等来提供。
数据线DL可在与第一方向D1相交的第二方向D2上延伸。第二方向D2可基本上与第一方向D1垂直。数据线DL可在相对于第二方向D2以预定角度倾斜的方向上延伸，或者可以以如图中所示的“<”或“>”的形状弯曲。
第二绝缘层120可设置在其上设置有有源图案ACT和数据图案的第一绝缘层110上。第二绝缘层120可使用有机材料来提供。在示例性实施方式中，第二绝缘层120可包括光刻胶、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、基于硅氧烷的树脂等。这些可例如单独使用或以互相组合的方式使用。在示例性实施方式中，第二绝缘层120可使用例如无机材料(诸如，硅化合物、金属氧化物等)来提供。
第二绝缘层120可具有相对大的厚度以充分覆盖有源图案ACT和数据图案，使得第二绝缘层120可具有基本上水平的表面。在示例性实施方式中，第二绝缘层120可沿着有源图案ACT和数据图案的轮廓均匀地设置在第一绝缘层110上。
共用电极130可设置在第二绝缘层120上。共用电极130可包括透明导电材料。在示例性实施方式中，共用电极130可使用诸如铟锡氧化物(“ITO”)、铟锌氧化物(“IZO”)等的透明导电材料来提供。
共用电极孔132可通过共用电极130限定。共用电极孔132可与漏电极DE重叠。可向共用电极130施加共用电压。
金属图案可设置在共用电极130上。金属图案可包括低电阻不透明金属。在示例性实施方式中，金属图案可包括例如铝(Al)、钛(Ti)、金(Au)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)等。金属图案可包括辅助共用电极线140和盖电极142。
辅助共用电极线140可在第一方向D1上延伸。辅助共用电极线140可与栅极线GL重叠。辅助共用电极线140可直接接触共用电极130，并且与包括透明导电材料的共用电极130不同，辅助共用电极线140可包括低电阻不透明金属以使得共用电压可被稳定地维持。
盖电极142可在第二方向D2上从辅助共用电极线140突出。盖电极142可与有源图案ACT的沟道区域重叠。优选地，盖电极142可完全覆盖沟道区域。由于盖电极142包括不透明金属并且覆盖沟道区域，因此其可防止光被显示面板的内部结构反射并入射至沟道区域中。因此，防止了薄膜晶体管TFT的电特性降低，并且提高了包括显示面板的显示装置的显示质量。
第三绝缘层150可设置在金属图案、共用电极130和第二绝缘层120上。在示例性实施方式中，第三绝缘层150可使用例如硅氧化物、金属氧化物等来提供。在示例性实施方式中，第三绝缘层150可使用有机材料来提供。
在示例性实施方式中，第三绝缘层150可沿着金属图案和共用电极130的轮廓均匀地设置在第二绝缘层120上。在此，第三绝缘层150可具有相对薄的厚度。在示例性实施方式中，第三绝缘层150可具有相对大的厚度以充分覆盖金属图案和共用电极130，使得第三绝缘层150可具有基本上水平的表面。
像素电极PE可设置在第三绝缘层150上。像素电极PE可通过由第二绝缘层120和第三绝缘层150限定的接触孔CNT电连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。在示出的示例性实施方式中，接触孔CNT通过第二绝缘层120和第三绝缘层150被限定为单个孔。然而，在其它的示例性实施方式中，可通过第二绝缘层120限定第一接触孔，以及可通过第三绝缘层150限定比第一接触孔小的第二接触孔，使得像素电极PE可通过第一接触孔和第二接触孔电连接至漏电极DE。可在像素电极PE中限定多个狭缝状开口SL。
像素电极PE可包括透明导电材料。在示例性实施方式中，像素电极PE可使用例如透明导电材料(诸如ITO、IZO等)来提供。
相对基板可包括第二基底基板200、黑矩阵BM、滤色器CF和外覆层210。
第二基底基板200可包括具有良好的透光性、耐热性和耐化学性的材料。在示例性实施方式中，第二基底基板200可包括例如玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。用于第二基底基板200的透明树脂基板的示例可包括基于聚酰亚胺的树脂、基于丙烯酰的树脂、基于聚丙烯酸酯的树脂、基于聚碳酸酯的树脂、基于聚醚的树脂、包括磺酸的树脂、基于聚乙二醇对苯二甲酸酯的树脂等。
黑矩阵BM可设置在第二基底基板200上。黑矩阵BM可布置成与位于其中显示有图像的像素区域外部的区域对应，并且可阻挡光。黑矩阵BM可在第一方向D1上延伸。黑矩阵BM可设置成与栅极线GL、辅助共用电极线140、盖电极142和薄膜晶体管TFT重叠。
滤色器CF可设置在其上设置有黑矩阵BM的第二基底基板200上。滤色器CF可向传播通过液晶层LC的光提供颜色。在示例性实施方式中，滤色器CF可以是表示红颜色的红色滤色器、表示绿颜色的绿色滤色器和表示蓝颜色的蓝色滤色器。然而，本发明不限于此，并且滤色器CF可表示各种其它的颜色。滤色器CF可设置成与像素中的每一个对应，并且可布置成在相邻像素之间具有不同的颜色。滤色器CF可在相邻像素的边界处被相邻滤色器CF部分地重叠，或者滤色器CF可与相邻像素的边界间隔开。
外覆层210可设置在黑矩阵BM上。在示例性实施方式中，外覆层210可保护黑矩阵BM和滤色器CF以及使黑矩阵BM和滤色器CF平坦化，并且可使用例如丙烯酸环氧树脂材料来提供。
液晶层LC可设置在TFT基板与相对基板之间。液晶层LC可包括具有光学各向异性的液晶分子。液晶分子可由电场驱动以传播或阻挡穿过液晶层LC的光，从而显示图像。
另外，包括显示面板的显示装置还可包括安置在TFT基板的背表面上的背光组件(未示出)。从背光组件产生的光可在第二基底基板200、黑矩阵BM、滤色器CF、外覆层210等上反射，并且可能行进到有源图案ACT的沟道区域。此处，盖电极142可防止反射的光进入沟道区域。因此，可防止薄膜晶体管TFT的电特性降低，并且可提高显示装置的显示质量。
另外，栅电极GE可设置成足够大，以便不仅与有源图案ACT的沟道区域重叠而且还与源极区域和漏极区域的一部分重叠。因此，其可防止从背光组件产生的光直接地进入沟道区域。因此，可防止薄膜晶体管TFT的电特性降低，并且可提高显示装置的显示质量。
图3是示出根据本发明另一示例性实施方式的显示面板的剖视图。
参照图3，除了辅助共用电极线与盖电极的位置之外，该显示面板可与图1和图2的显示面板基本上相同。因此，将省略关于相同元件的任何进一步详细描述。
金属图案可设置在第二绝缘层120上。金属图案可包括低电阻不透明金属。金属图案可包括辅助共用电极线140(参考图1)和盖电极142。
共用电极130可设置在其上设置有金属图案的第二绝缘层120上。共用电极130可包括透明导电材料。共用电极孔132可通过共用电极130限定。共用电极130可设置在金属图案上并且直接接触金属图案。
图4是示出根据本发明另一示例性实施方式的显示面板的剖视图。
参照图4，除了滤色器的位置之外，该显示面板可与图1和图2的显示面板基本上相同。因此，将省略关于相同元件的任何进一步详细描述。
滤色器CF可设置在其上设置有薄膜晶体管TFT的第一绝缘层110上。滤色器CF可向传播通过液晶层LC的光提供颜色。在示例性实施方式中，滤色器CF可以是例如表示红颜色的红色滤色器、表示绿颜色的绿色滤色器和表示蓝颜色的蓝色滤色器。滤色器CF可设置成与像素中的每一个对应，并且可布置成在相邻像素之间具有不同的颜色。滤色器CF可在相邻像素的边界处被相邻滤色器CF部分地重叠，或者滤色器CF可与相邻像素的边界间隔开。
共用电极130可设置在滤色器CF上。包括辅助共用电极线140(参考图1)和盖电极142的金属图案可设置在共用电极130上。第三绝缘层150可设置在滤色器CF、金属图案和共用电极130上。像素电极PE可通过由第三绝缘层150和滤色器CF限定的接触孔电连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
黑矩阵BM可设置在相对基板的第二基底基板200上。外覆层210可设置在其上设置有黑矩阵BM的第二基底基板200上。
图5A、图5B、图6A、图6B、图7A、图7B、图8A和图8B是示出制造图1和图2的显示面板的方法的平面图和剖视图。
参照图5A和图5B，可在第一基底基板100上设置栅极图案。可在第一基底基板100上设置导电层(未示出)，并且然后可使用附加掩模通过光刻工艺或蚀刻工艺对导电层进行部分地蚀刻，并且可获得栅极图案。在示例性实施方式中，可通过例如印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、真空蒸发工艺、脉冲激光沉积工艺等来提供导电层。栅极图案可包括栅极线GL和栅电极GE。
然后，可在其上设置有栅极图案的第一基底基板100上设置第一绝缘层110。在示例性实施方式中，可通过例如旋涂工艺、化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体-化学气相沉积工艺等来提供第一绝缘层110。
参照图6A和图6B，可在第一绝缘层110上设置有源图案ACT和数据图案。在示例性实施方式中，可通过例如回蚀刻工艺等在第一绝缘层110上设置数据图案和有源图案ACT。在示例性实施方式中，可在第一绝缘层110上设置有源层(未示出)，并且然后可在有源层上设置导电层。然后，可使导电层和有源层同时图案化以提供有源图案ACT和数据图案。
在示例性实施方式中，有源层可包括半导体层和欧姆接触层，半导体层包括非晶硅(α-Si:H)，欧姆接触层包括例如n+非晶硅(n+α-Si:H)。因此，可在有源图案ACT与数据图案之间设置欧姆接触层。另外，有源图案ACT可包括氧化物半导体。在示例性实施方式中，氧化物半导体可包括非晶氧化物，非晶氧化物包括例如铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)和铪(Hf)中的至少一种。
数据图案可包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。
然后，可在其上设置有有源图案ACT和数据图案的第一绝缘层110上设置第二绝缘层120。在示例性实施方式中，可根据第二绝缘层120中包括的成分，通过例如旋涂工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体-化学气相沉积工艺或真空蒸发工艺来提供第二绝缘层120。
参照图7A和图7B，可在第二绝缘层120上设置其中限定有共用电极孔132的共用电极130。在示例性实施方式中，可在第二绝缘层120上设置透明导电层(未示出)，并且然后，可去除透明导电层的与共用电极孔132对应的部分以提供共用电极130。
然后，可在共用电极130上设置包括辅助共用电极线140和盖电极142的金属图案。在示例性实施方式中，可在共用电极130上设置金属层(未示出)，并且然后，可使用附加掩模通过光刻工艺或蚀刻工艺对金属层进行部分地蚀刻。因此，可获得金属图案。在示例性实施方式中，可通过例如印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、真空蒸发工艺、脉冲激光沉积工艺等来提供金属层。
此处，盖电极142可设置在与辅助共用电极线140相同的层中并且可具有与辅助共用电极线140相同的材料，以使得不需要用于形成盖电极142的附加工艺。
参照图8A和图8B，可在金属图案、共用电极130和第二绝缘层120上设置第三绝缘层150。在示例性实施方式中，可通过例如旋涂工艺、化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体-化学气相沉积工艺等来提供第三绝缘层150。
然后，可通过第三绝缘层150和第二绝缘层120限定接触孔CNT。在示例性实施方式中，接触孔CNT通过第二绝缘层120和第三绝缘层150限定为单个孔。然而，在其它示例性实施方式中，可通过第二绝缘层120限定第一接触孔，以及可通过第三绝缘层150限定比第一接触孔小并且与第一接触孔重叠的第二接触孔。
然后，可在第三绝缘层150上设置像素电极PE。在示例性实施方式中，可在第三绝缘层150上设置透明导电层(未示出)，并且然后，可使用附加掩模通过光刻工艺或蚀刻工艺对透明导电层进行部分地蚀刻，并且可获得像素电极PE。在示例性实施方式中，可通过例如印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、真空蒸发工艺、脉冲激光沉积工艺等来提供透明导电层。因此，可提供TFT基板。
参照图1和图2，在形成相对基板之后，可在TFT基板与相对基板之间设置液晶层LC以制造显示装置。
可通过在第二基底基板200上形成黑矩阵BM，在其上设置有黑矩阵BM的第二基底基板200上形成滤色器CF以及在滤色器CF上形成外覆层210来提供相对基板。
图9A、图9B、图10A和图10B是示出制造图3的显示面板的方法的平面图和剖视图。除了辅助共用电极线和盖电极的形成顺序之外，该方法与图5A至图8B的方法基本上相同。因此，将省略关于相同元件的任何进一步详细描述。
参照图9A和图9B，可在第一基底基板100上设置栅极图案。栅极图案可包括栅极线GL和栅电极GE。然后，可在其上设置有栅极图案的第一基底基板100上设置第一绝缘层110。可在第一绝缘层110上设置有源图案ACT和数据图案。数据图案可包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。然后，可在其上设置有有源图案ACT和数据图案的第一绝缘层110上设置第二绝缘层120。
可在第二绝缘层120上设置包括辅助共用电极线140和盖电极142的金属图案。在示例性实施方式中，可在第二绝缘层120上设置金属层(未示出)，并且然后，可使用附加掩模通过光刻工艺或蚀刻工艺对金属层进行部分地蚀刻，并且可获得金属图案。
然后，可在其上设置有金属图案的第二绝缘层120上设置其中限定有共用电极孔132的共用电极130。在示例性实施方式中，可在其上设置有金属图案的第二绝缘层120上设置透明导电层(未示出)，并且然后，可去除例如透明导电层的与共用电极孔132对应的部分以提供共用电极130。
参照图10A和图10B，可在共用电极130和第二绝缘层120上设置第三绝缘层150。然后，可通过第三绝缘层150和第二绝缘层120限定接触孔CNT。然后，可在第三绝缘层150上设置像素电极PE。因此，可提供TFT基板。
参照图3，在形成相对基板之后，可在TFT基板与相对基板之间设置液晶层LC以制造显示装置。
可通过在第二基底基板200上形成黑矩阵BM、在其上设置有黑矩阵BM的第二基底基板200上形成滤色器CF以及在滤色器CF上形成外覆层210来提供相对基板。
图11是示出制造图4的显示面板的方法的剖视图。除了滤色器之外，该方法与图5A至图8B的方法基本上相同。因此，将省略关于相同元件的任何进一步详细描述。
参照图11，可在第一基底基板100上设置栅极图案。栅极图案可包括栅极线GL(参考图1)和栅电极GE。然后，可在其上设置有栅极图案的第一基底基板100上设置第一绝缘层110。可在第一绝缘层110上设置有源图案ACT和数据图案。数据图案可包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。
然后，可在其上设置有有源图案ACT和数据图案的第一绝缘层110上设置滤色器CF。可在滤色器CF上设置其中限定有共用电极孔132的共用电极130。然后，可在共用电极130上设置包括辅助共用电极线140(参考图1)和盖电极142的金属图案。可在共用电极130、金属图案和滤色器CF上设置第三绝缘层150。然后，可通过第三绝缘层150和滤色器CF限定接触孔CNT。然后，可在第三绝缘层150上设置像素电极PE。因此，可设置TFT基板。
参照图4，在形成相对基板之后，可在TFT基板与相对基板之间设置液晶层LC以制造显示装置。
可通过在第二基底基板200上形成黑矩阵BM以及在其上设置有黑矩阵BM的第二基底基板200上形成外覆层210来提供相对基板。
根据本发明，显示面板包括栅电极、薄膜晶体管、共用电极、辅助共用电极线、像素电极和盖电极，其中：薄膜晶体管包括有源图案，有源图案具有与栅电极重叠的沟道区域；辅助共用电极线电连接至共用电极并且包括不透明金属；像素电极电连接至薄膜晶体管并且与共用电极重叠；盖电极连接至辅助共用电极线并且与沟道区域重叠。盖电极包括不透明金属并且覆盖沟道区域，使得其可防止光被显示面板的内部结构反射并入射至沟道区域中。因此，可防止薄膜晶体管的电特性降低，并且可提高包括显示面板的显示装置的显示质量。
另外，盖电极和辅助共用电极线可设置在相同的层中并且可由相同的材料形成，使得不需要用于形成盖电极的附加工艺。
前述是本发明的例示，而不被解释为限制本发明。尽管已经描述了本发明的若干示例性实施方式，但本领域技术人员将容易理解的是，在实质上不背离本发明的新颖教导和有益效果的情况下，可对实施方式中进行多种修改。因此，所有的这些修改旨在包括在如权利要求中所限定的本发明的范围内。在权利要求中，装置加功能的条款旨在涵盖本文中描述的如执行所述功能的结构，并且不仅仅涵盖结构等同而且涵盖等同结构。因此，将理解的是，前述是本发明的例示，并且不被解释为限于公开的具体示例性实施方式，以及对公开的示例性实施方式以及其它示例性实施方式的修改旨在包括在所附权利要求的范围内。本发明由所附权利要求与包括在其中的等同限定。

Claims (20)

1.显示面板，包括：
第一基底基板；
栅极线，设置在所述第一基底基板上并且在第一方向上延伸；
栅电极，电连接至所述栅极线；
薄膜晶体管，包括有源图案，所述有源图案包括源极区域、漏极区域和与所述栅电极重叠的沟道区域；
共用电极，设置在所述第一基底基板上，并且所述共用电极被施加共用电压；
辅助共用电极线，电连接至所述共用电极并且包括不透明金属；
像素电极，电连接至所述薄膜晶体管，所述像素电极设置在所述共用电极上并且与所述共用电极重叠；以及
盖电极，连接至所述辅助共用电极线并且与所述沟道区域重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述共用电极包括透明导电材料，以及
所述盖电极设置在与所述辅助共用电极线相同的层中，并且包括与所述辅助共用电极线的材料相同的材料。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述辅助共用电极线在所述第一方向上延伸并且与所述栅极线重叠。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述沟道区域的整体由所述盖电极覆盖。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述栅电极与所述盖电极的整体重叠。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述辅助共用电极线和所述盖电极直接接触所述共用电极。
7.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：
第一绝缘层，设置在所述栅电极与所述有源图案之间；
第二绝缘层，设置在所述有源图案与所述共用电极之间；以及
第三绝缘层，设置在所述共用电极与所述像素电极之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述辅助共用电极线和所述盖电极设置在所述共用电极与所述第三绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述辅助共用电极线和所述盖电极设置在所述共用电极与所述第二绝缘层之间。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，通过所述共用电极限定共用电极孔，
在平面图中，通过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层限定的接触孔限定在所述共用电极孔中，以及
所述像素电极通过所述接触孔连接至所述薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述像素电极处限定有多个狭缝状开口。
12.根据权利要求11所述的显示面板，还包括：
第二基底基板，面对所述第一基底基板；以及
黑矩阵，设置在所述第二基底基板上，所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、所述辅助共用电极线和所述盖电极重叠。
13.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：
滤色器，设置在所述第一基底基板与所述共用电极之间。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述共用电极、所述辅助共用电极线和所述盖电极被施加共用电压。
15.制造显示面板的方法，所述方法包括：
在第一基底基板上形成包括有源图案的薄膜晶体管，所述有源图案包括沟道区域、源极区域和漏极区域；
在设置有所述薄膜晶体管的所述第一基底基板上形成共用电极；
形成电连接至所述共用电极并且包括不透明金属的辅助共用电极线；
形成连接至所述辅助共用电极线的盖电极，所述盖电极与所述有源图案的所述沟道区域重叠并且包括与所述辅助共用电极线的材料相同的材料；以及
形成电连接至所述薄膜晶体管的像素电极。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述第一基底基板上形成栅电极；
在所述栅电极上形成第一绝缘层；
在所述薄膜晶体管上形成第二绝缘层；以及
在所述共用电极、所述辅助共用电极线和所述盖电极上形成第三绝缘层，
其中，所述共用电极设置在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间，以及所述第三绝缘层设置在所述共用电极与所述像素电极之间。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
通过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层限定暴露所述薄膜晶体管的接触孔，
其中，通过所述共用电极限定共用电极孔，
在平面图中，通过所述第二绝缘层和所述第三绝缘层限定的所述接触孔限定在所述共用电极孔中，以及
所述像素电极通过所述接触孔连接至所述薄膜晶体管。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，
所述沟道区域的整体由所述盖电极覆盖，以及
所述栅电极与所述盖电极的整体重叠。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，在形成所述共用电极之前形成所述辅助共用电极线和所述盖电极。
20.根据权利要求15所述的方法，还包括：
在形成所述薄膜晶体管之后以及形成所述共用电极之前，在所述第一基底基板上形成滤色器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108363236A (zh) * 2018-03-07 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其控制方法、显示系统
CN109541862A (zh) * 2018-12-03 2019-03-29 惠科股份有限公司 主动开关及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN109884833A (zh) * 2019-05-09 2019-06-14 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种多路分用电路、液晶显示装置以及像素补偿方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102621447B1 (ko) * 2016-08-31 2024-01-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시장치

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6356330B1 (en) * 1998-10-27 2002-03-12 Hitachi, Ltd. Active matrix liquid crystal display device
US20120161137A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Min-Jic Lee Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and fabricating method thereof
CN102651371A (zh) * 2012-04-06 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103268045A (zh) * 2012-09-24 2013-08-28 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板及其制作方法、液晶显示设备
CN103268878A (zh) * 2012-11-07 2013-08-28 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置
CN103353699A (zh) * 2013-06-24 2013-10-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
CN103499906A (zh) * 2013-10-15 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
US20150131017A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20150311232A1 (en) * 2013-08-30 2015-10-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof and display device
US20160187695A1 (en) * 2014-12-31 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. In-cell touch liquid crystal display device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100943469B1 (ko) 2003-06-28 2010-02-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
KR101386194B1 (ko) * 2007-06-22 2014-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
KR20090096226A (ko) * 2008-03-07 2009-09-10 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101881277B1 (ko) * 2011-05-18 2018-07-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20130075528A (ko) 2011-12-27 2013-07-05 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101611923B1 (ko) * 2012-02-27 2016-04-14 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102028988B1 (ko) 2013-04-02 2019-10-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6356330B1 (en) * 1998-10-27 2002-03-12 Hitachi, Ltd. Active matrix liquid crystal display device
US20120161137A1 (en) * 2010-12-27 2012-06-28 Min-Jic Lee Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and fabricating method thereof
CN102651371A (zh) * 2012-04-06 2012-08-29 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103268045A (zh) * 2012-09-24 2013-08-28 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板及其制作方法、液晶显示设备
CN103268878A (zh) * 2012-11-07 2013-08-28 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置
CN103353699A (zh) * 2013-06-24 2013-10-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
US20150311232A1 (en) * 2013-08-30 2015-10-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof and display device
CN103499906A (zh) * 2013-10-15 2014-01-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法及显示装置
US20150131017A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
US20160187695A1 (en) * 2014-12-31 2016-06-30 Lg Display Co., Ltd. In-cell touch liquid crystal display device and method for manufacturing the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108363236A (zh) * 2018-03-07 2018-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其控制方法、显示系统
CN109541862A (zh) * 2018-12-03 2019-03-29 惠科股份有限公司 主动开关及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN109884833A (zh) * 2019-05-09 2019-06-14 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种多路分用电路、液晶显示装置以及像素补偿方法

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Publication number Publication date
KR20180014902A (ko) 2018-02-12
KR102553976B1 (ko) 2023-07-12
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