CN104635138B - 带存储单元的集成芯片的复测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种带存储单元的集成芯片的复测方法,包括如下步骤:步骤一,通过读取CP1通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试;若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果;步骤二,通过读取CP2通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若失效则测试继续进行;步骤三,通过读CP2第一数据保存标记,判断是否需要进行数据保存功能测试;若需要则测试继续进行,若不需要则测试结束,返回失效结果;步骤四,通过写及读CP2第二数据保存标记,验证CP2第二数据保存标记,以便复测时判断数据保存功能是否失效。本发明能够保证测试结果的准确性并节省复测时间。

Description

带存储单元的集成芯片的复测方法
技术领域
本发明涉及集成电路芯片测试领域,特别是涉及一种带存储单元的集成芯片的复测方法。
背景技术
在现在的应用中,因测试环境影响及存储单元数据保存功能的不可重复测试性,对测试流程的可复测性提出了更高的要求。环境影响包括:针卡问题、测试板问题、甚至设备问题。环境影响可导致测试中断、数据误判;同时测试中断、数据误判在复测时可能导致芯片所带存储单元内的数据改变,影响对芯片数据保存功能判断。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种带存储单元的集成芯片的复测方法,能够保证测试结果的准确性并节省复测时间。
为解决上述技术问题,本发明的带存储单元的集成芯片的复测方法是采用如下技术方案实现的:
将第一次针测记为CP1,第二次针测记为CP2;
设置一CP1通过标记,用于判断芯片是否完全通过CP1测试;设置一CP2通过标记,用于判断芯片是否完全通过CP2测试;设置一CP2第一数据保存标记,用于判断是否进行数据保存功能测试;设置一CP2第二数据保存标记,用于判断芯片是否通过数据保存功能测试;包括如下步骤:
步骤一,通过读取CP1通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试;若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果;
步骤二,通过读取CP2通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若失效则测试继续进行;
步骤三,通过读CP2第一数据保存标记,判断是否需要进行数据保存功能测试;若需要则测试继续进行,若不需要则测试结束,返回失效结果;
步骤四,通过写及读CP2第二数据保存标记,验证CP2第二数据保存标记,以便复测时判断数据保存功能是否失效。
CP2第二数据保存标记与CP2第一数据保存标记写入相同地址的存储单元中;若CP2第一数据保存功能失效则写入CP2第二数据保存标记,且覆盖CP2第一数据保存标记。
采用本发明的方法,可以在任一测试项中断、数据误判时进行复测,得到与初测相同的测试结果并最大限度节省复测试时间。
本发明可用于多个测试流程间的反复复测,保证不影响测试结果。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是CP1测试流程图;
图2是CP2测试流程图。
具体实施方式
参见图1,所述带存储单元的集成芯片的复测方法中CP1测试流程,包括如下步骤:
步骤A、集成芯片上电后读取存储单元中的CP1通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若失效则测试继续进行。
步骤B、进行功能测试;若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果。
步骤C、写及读CP1通过标记,通过写及读CP1通过标记,验证通过该次CP1测试的CP1通过标记,以便后续复测使用。若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果。
步骤D、写及读CP2第一数据保存标记(即CP2数据保存标记1),通过写及读CP2第一数据保存标记,验证CP2第一数据保存标记,以便后续复测使用。若通过证明芯片为良品,若失效则测试结束,返回失效结果。
参见图2,所述带存储单元的集成芯片的可复测方法中CP2测试流程,包括如下步骤:
步骤a、集成芯片上电后、读取存储单元中的CP2通过标记,通过读取CP2通过标记判,断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若失效则测试继续进行。
步骤b、读取存储单元中的CP2第一数据保存标记(即CP2数据保存标记1),判断是否需要进行数据保存功能测试,若需要则测试继续进行,若不需要则测试结束,返回失效结果。
步骤c、进行数据保存功能测试,若通过则测试继续进行,若失效则写及读CP2第二数据保存标记(即CP2数据保存标记2),通过写及读CP2第二数据保存标记,验证CP2第二数据保存标记,以便复测时判断数据保存功能是否失效;然后测试结束,返回失效结果。
步骤d、写及读CP2通过标记,通过写及读CP2通过标记,验证通过该次CP2测试的CP2通过标记,以便后续复测使用。若通过证明芯片为良品,若失效则测试结束,返回失效结果。
步骤e、进行功能测试,若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果。
在上述步骤中“返回失效结果”即证明芯片为不良品,然后下电。
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明,但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下,本领域的技术人员还可做出许多变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种带存储单元的集成芯片的复测方法,其特征在于,将第一次针测记为CP1,第二次针测记为CP2;设置一CP1通过标记,用于判断芯片是否完全通过CP1测试;设置一CP2通过标记,用于判断芯片是否完全通过CP2测试;设置一CP2第一数据保存标记,用于判断是否进行数据保存功能测试;设置一CP2第二数据保存标记,用于判断芯片是否通过数据保存功能测试;包括如下步骤:
步骤一,通过读取CP1通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试;若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果;
步骤二,通过读取CP2通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若失效则测试继续进行;
步骤三,通过读CP2第一数据保存标记,判断是否需要进行数据保存功能测试;若需要则测试继续进行,若不需要则测试结束,返回失效结果;
步骤四,通过写及读CP2第二数据保存标记,验证CP2第二数据保存标记,以便复测时判断数据保存功能是否失效。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:CP2第二数据保存标记与CP2第一数据保存标记写入相同地址的存储单元中;若CP2第一数据保存功能失效则写入CP2第二数据保存标记,且覆盖CP2第一数据保存标记。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述CP1测试包括如下步骤:
步骤A、集成芯片上电后读取存储单元中的CP1通过标记,判断芯片是否做过并完全通过上次CP1测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若 失效则测试继续进行;
步骤B、进行功能测试;若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果;
步骤C、写及读CP1通过标记,通过写及读CP1通过标记,验证通过该次CP1测试的CP1通过标记,以便后续复测使用;若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果;
步骤D、写及读CP2第一数据保存标记,通过写及读CP2第一数据保存标记,验证CP2第一数据保存标记,以便后续复测使用;若通过证明芯片为良品,若失效则测试结束,返回失效结果。
4.如权利要求1至3任一所述的方法,其特征在于,所述CP2测试包括如下步骤:
步骤a、集成芯片上电后、读取存储单元中的CP2通过标记,通过读取CP2通过标记判断芯片是否做过并完全通过上次CP2测试;若通过则测试结束,返回通过结果;若失效则测试继续进行;
步骤b、读取存储单元中的CP2第一数据保存标记,判断是否需要进行数据保存功能测试,若需要则测试继续进行,若不需要则测试结束,返回失效结果;
步骤c、进行数据保存功能测试,若通过则测试继续进行,若失效则写及读CP2第二数据保存标记,通过写及读CP2第二数据保存标记,验证CP2第二数据保存标记,以便复测时判断数据保存功能是否失效;然后测试结束,返回失效结果;
步骤d、写及读CP2通过标记,通过写及读CP2通过标记,验证通过该次CP2测试的CP2通过标记,以便后续复测使用;若通过证明芯片为良品,若失效则测试结束,返回失效结果;
步骤e、进行功能测试,若通过则测试继续进行,若失效则测试结束,返回失效结果。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105469483B (zh) * 2015-11-20 2018-06-29 北京天诚盛业科技有限公司 虹膜门禁可靠性检测的方法和装置
CN106443415A (zh) * 2016-11-03 2017-02-22 上海华虹集成电路有限责任公司 带存储单元的集成芯片复测方法
CN112557881A (zh) * 2020-12-22 2021-03-26 上海华岭集成电路技术股份有限公司 管控集成电路测试质量的方法
CN114660443A (zh) * 2022-05-24 2022-06-24 南京宏泰半导体科技有限公司 一种基于机器学习的集成电路ate自动复测系统及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101154468A (zh) * 2006-09-27 2008-04-02 上海华虹Nec电子有限公司 内嵌存储器芯片测试方法
CN102592679A (zh) * 2011-01-13 2012-07-18 北京兆易创新科技有限公司 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050024078A1 (en) * 2001-11-02 2005-02-03 Tatsuo Takebayashi Device for making pass/fail judgement of semiconductor integrated circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101154468A (zh) * 2006-09-27 2008-04-02 上海华虹Nec电子有限公司 内嵌存储器芯片测试方法
CN102592679A (zh) * 2011-01-13 2012-07-18 北京兆易创新科技有限公司 一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片

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