CN104600160A - 一种利用aao模板制备复合纳米图形化衬底的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于LED图形化衬底技术领域，提供一种利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其步骤包括：在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后将AAO模板的孔道底部打穿、直至与单晶衬底表面连接，最终获得长有AAO薄层的复合纳米图形化衬底。采用本发明提供的纳米图形化衬底的制备方法，能够在降低制造成本的同时提高GaN基LED光效。

Description

一种利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法
技术领域：
本发明属于LED图形化衬底技术领域，主要涉及一种图形化衬底的制备方法。
背景技术：
图形化蓝宝石衬底(PSS)是目前商业化应用较广的衬底技术，它不但能提升GaN基LED外延层的晶体质量而且可以改变外延层内的光路从而提高发光强度。但是PSS制程需要用到光刻技术，其核心设备光刻机价格昂贵，并且光刻技术的图形缺陷较多(如图形缺失、图形均匀性不佳等)，这些因素都限制了图形化衬底技术的发展。
AAO(Anodic Aluminum Oxide)模板也称多孔阳极氧化铝模板，这种材料可自组织生长成纳米级密排柱形的孔道结构。通过控制氧化条件(如电解液、氧化电压、温度等)可以得到十几纳米到几百纳米孔径范围的有序AAO模板。由于其价廉，制备工艺简单，以及有序的多孔结构和多样的组装方法，成为目前生长纳米量子点、纳米线及纳米管材料的有效模板。目前，AAO尚未见应用于LED图形化衬底技术。
发明内容：
本发明提出一种新的纳米图形化衬底的制备方法，旨在降低制造成本的同时提高GaN基LED光效。
本发明的技术方案如下：
一种利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，首先在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后将AAO模板的孔道底部打穿、直至与单晶衬底表面连接，最终获得长有AAO薄层的纳米图形化衬底。
上述衬底可以是蓝宝石单晶衬底，也可以是单晶硅衬底。
基于以上方案，本发明还进一步作如下优化：
在单晶衬底上制备出有序AAO模板的过程包括以下步骤：
1)在单晶衬底上物理溅射或热蒸镀一层高纯铝膜，然后高温退火，清洗、甩干；
2)对铝膜进行一次阳极氧化，然后溶解去除氧化层，在铝膜表面留下有序的凹坑；其中阳极氧化过程中的电解液采用硫酸、草酸、磷酸、硌酸或其中任意两种酸液的混合液；
3)对铝膜进行二次阳极氧化，直至将铝膜全部氧化，即得有序AAO模板。
进一步的参数优化：所述步骤1)中高纯铝膜的厚度为2～10μm，若采用物理溅射工艺，则靶材纯度为99.99％的高纯铝靶，溅射温度80～150℃；若采用热蒸镀工艺，则蒸料选用纯度为99.99％的高纯铝，蒸发温度1000～1200℃。
步骤1)中高温退火的温度300～350℃，时间1～2h；退火后，使用H2SO4(98％)：H2O2(30％)＝3:1～4:1混合液清洗，甩干。
步骤2)中一次阳极氧化的工艺为：
采用浓度为0.3～0.8mol/L硫酸作为电解液，氧化电压为10～25V，温度为0～5℃，氧化时间2～7h；
或者，电解液采用浓度0.3～0.8mol/L草酸作为电解液，氧化电压为25～170V，温度为0～5℃，氧化时间3～5h；
或者，采用浓度0.3～0.8mol/L磷酸作为电解液，氧化电压为185～195V，温度为0～5℃，氧化时间1～2h；
或者，采用浓度为0.3～0.8mol/L硌酸作为电解液，氧化电压为40～50V，温度为10～20℃，氧化时间0.5～2h；
一次阳极氧化完成后，采用质量分数为3～10％的H3PO4和质量分数为1～5％的H2CrO4的混合溶液，在40～80℃、3～5h反应溶解掉Al2O3薄层。
步骤3)中二次阳极氧化的工艺为：
采用浓度为0.3～0.8mol/L硫酸作为电解液，氧化电压为10～25V，温度为0～5℃，氧化时间2～4h；
或者，电解液采用浓度0.3～0.8mol/L草酸作为电解液，氧化电压为25～170V，温度为0～5℃，氧化时间3～8h；
或者，采用浓度0.3～0.8mol/L磷酸作为电解液，氧化电压为185～195V，温度为0～5℃，氧化时间0.5～1h；
或者，采用浓度为0.3～0.8mol/L硌酸作为电解液，氧化电压为40～50V，温度为10～20℃，氧化时间0.5～2h。
上述将AAO模板的孔道底部打穿、直至与衬底表面连接的方法，为湿法刻蚀或干法刻蚀或阶梯降压法或反向电压法。
若采用湿法刻蚀，则具体工艺为：采用H2SO4：H3PO4＝3：1～4：1混合液，200～300℃,将AAO薄层的孔道底部刻蚀去除，直至露出单晶衬底表面；
若采用干法刻蚀，则具体工艺为：电感耦合等离子体刻蚀(ICP)或反应离子刻蚀(RIE)，刻蚀气体为30～100sccm的BCl3和50～100sccm的CHF3，刻蚀速率控制在50～66nm/min，刻蚀时间为2～4min，将AAO薄层的孔道底部刻蚀去除，直至露出单晶衬底表面；
若采用阶梯降压法，则具体工艺为：阳极氧化完成后，采用逐步降低电压的方法将AAO孔道底部打通，降压幅度为0.3～2V，对应电流回复时间为15～70s，直至电压降低为0V，多孔孔道打通；
若采用反向电压法，则具体工艺为：在5～15℃的0.5mol/L的KCl溶液中，将阳极氧化完成的AAO模板作为阴极，石墨作阳极，加3～10V反向电压，作用10～40min后实现通孔。
本发明具有以下有益效果：
避免了昂贵的光刻技术及光刻制程的低成品率，降低了制造成本，提高了生产效率。
由于阳极氧化及湿法腐蚀对样品的尺寸均无特别限制，因此可变换衬底尺寸，提高产能。
使用本发明方法制备的PSS，后续外延生长时纳米孔道的植入，既有利于光的折射，从而改变光路提高外量子效应；又由于AAO薄层的Al2O3为多晶态，GaN外延不容易在其表面成核，因此孔道底部的单晶衬底成为外延生长的成核点，在后续生长过程中促使GaN横向生长，从而使位错线弯曲，减少后续外延层的位错密度，从而提高量子阱的晶体质量(经测试，(102)和(002)晶面半高宽均可降低到300arcses，且外延层表面光滑平整无缺陷)，最终能够提高内量子效应。
附图说明：
图1为传统PSS制备流程图，采用匀胶、曝光、显影以及ICP等工艺，可制备出具有特定形状、尺寸的图形化蓝宝石衬底。
图2为本发明的一个实施例流程图。
具体实施方式：
以下结合图2，详细说明本发明的较佳实现工艺：
1、在Al2O3单晶衬底上物理溅射或热蒸镀一层厚度为2～10μm的铝层，靶材选用纯度为99.99％的高纯铝靶，溅射温度80～150℃，蒸发温度1000～1200℃。
2、接着对长有铝膜的衬底片进行高温退火，退火温度300～350℃，时间1～2h。退火后对衬底片使用H2SO4(98％)：H2O2(30％)＝3:1～4:1混合液清洗，甩干。
3、对长有铝薄层的衬底片进行一次阳极氧化，采用浓度为0.3～0.8mol/L硫酸为电解液，氧化电压为10～25V，温度0～5℃，氧化时间2～7h。(若采用浓度0.3～0.8mol/L草酸为电解液，氧化电压为25～170V，温度为0～5℃，氧化时间3～5h；若采用浓度0.3～0.8mol/L磷酸为电解液，则氧化电压为185～195V，温度0～5℃，氧化时间1～2h；若采用浓度为0.3～0.8mol/L硌酸，氧化电压为40～50V，温度为10～20℃，氧化时间0.5～2h。)
4、用质量分数为3～10％的H3PO4和质量分数为1～5％的H2CrO4的混合溶液，在40～80℃，3～5h反应溶解掉Al2O3薄层，在铝膜表面得到有序凹槽。
5、接着进行二次阳极氧化，直至将衬底表面所有铝薄层氧化完全为止。氧化条件与第一次相同，只是二次氧化时间不同。例如采用硫酸作为电解液，二次氧化时间为2～4h，最终获得孔间距为30～60nm的AAO薄层。若采用草酸电解液，二次氧化时间为3～8h，多孔结构的孔间距为90～370nm；若电解液为磷酸，二次氧化时间为0.5～1h，制备的AAO多孔间距为450～500nm；若电解液为硌酸，二次氧化时间为0.5～2h，制备的AAO多孔间距为130～170nm。
6、使用湿法(H2SO4:H3PO4＝3:1～4:1混合液，200～300℃)或干法(ICP或RIE，刻蚀气体为30～100sccm的BCl3和50～100sccm的CHF3，刻蚀速率控制在50～66nm/min，刻蚀时间为2～4min。)，或阶梯降压法(降压幅度为0.3～2V，对应电流回复时间为15～70s)或反向电压法(5～15℃的0.5mol/L的KCl溶液中，AAO模板作阴极石墨作阳极，加3～10V反向电压，作用10～40min)，将AAO薄层的孔道底部刻蚀去除，直至露出单晶Al2O3衬底表面。
以下仅举一个具体实例，并说明其实验效果。
首先在Al2O3单晶衬底上溅射沉积一层厚度为5μm的铝层，铝靶材选用纯度为99.99％的高纯铝靶，溅射温度120℃。接着对长有铝膜的衬底片进行高温退火，退火温度300℃，时间1h。退火后对衬底片进行H2SO4和H2O2混合液清洗，甩干。对长有铝薄层的衬底片进行一次阳极氧化，采用浓度为0.3mol/L硫酸为电解液，氧化电压为10V，温度3℃，氧化时间2h。用质量分数为6％的H3PO4和质量分数为1.8％的H2CrO4的混合溶液，在60℃，3h反应溶解掉Al2O3薄层，在铝膜表面得到有序凹槽。接着进行二次阳极氧化，氧化条件与第一次相同，但二次氧化时间为2h，直至将衬底表面所有铝薄层氧化完全为止，最终获得孔间距为30nm的AAO薄层。使用湿法(H2SO4：H3PO4＝3:1混合液，260℃)将AAO薄层的孔道底部刻蚀去除，直至露出单晶Al2O3衬底表面。最终获得表面带有AAO模板孔道的复合单晶衬底。本实施例与传统图形化衬底制备相比，由于不再使用曝光机及涂胶显影机，成本降低至少50％；同时由于阳极氧化对样品尺寸及数量没有严格限制，从而产量可提升至少20％。
使用此种纳米图形化衬底生长外延，采用MOCVD先540℃生长20nm GaN缓冲层，1080℃生长2μm的u-GaN，再1050℃生长3μm的n-GaN，接着生长10对InGaN/GaN多量子阱层，最后生长0.2μm的p-GaN。TMGa、TMIn和NH3分别作为Ga、In和N源，SiH4和CP2Mg作为N型和P型掺杂源。对LED结构生长完的外延片进行XRD、PL及EL测试。EL测试结果为：200mA下LOP2值为860.42，比传统外延片提高了3％；PL结果显示，波长455nm下P.D(光探测强度)为76.5，比传统数据高提高2％；XRD结果显示：(002)和(102)面的半高宽均在300arcses左右，与传统数据相当。
本发明同样适用于单晶硅衬底，由于单晶硅与外延GaN晶格失配度为17％～20％，蓝宝石与外延GaN晶格失配度为14％～16％，即蓝宝石衬底比单晶硅衬底外延质量稍好一些，但使用单晶硅衬底仍在外延可接受范围之内。

Claims (9)

1.一种利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于：在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后将AAO模板的孔道底部打穿、直至与单晶衬底表面连接，最终获得长有AAO薄层的复合纳米图形化衬底。
2.根据权利要求1所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石单晶衬底或单晶硅衬底。
3.根据权利要求1所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于，在单晶衬底上制备出有序AAO模板的过程包括以下步骤：
1)在单晶衬底上物理溅射或热蒸镀一层高纯铝膜，然后高温退火，清洗、甩干；
2)对铝膜进行一次阳极氧化，然后溶解去除氧化层，在铝膜表面留下有序的凹坑；其中阳极氧化过程中的电解液采用硫酸、草酸、磷酸、硌酸或其中任意两种酸液的混合液；
3)对铝膜进行二次阳极氧化，直至将铝膜全部氧化，即得有序AAO模板。
4.根据权利要求1所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于：所述将AAO模板的孔道底部打穿、直至与衬底表面连接的方法，为湿法刻蚀或干法刻蚀或阶梯降压法或反向电压法。
5.根据权利要求3所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于：所述步骤1)中高纯铝膜的厚度为2～10μm，物理溅射工艺的靶材纯度为99.99％的高纯铝靶，溅射温度80～150℃；热蒸镀工艺的蒸料选用纯度为99.99％的高纯铝，蒸发温度1000～1200℃。
6.根据权利要求3所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于：所述步骤1)中高温退火的温度300～350℃，时间1～2h；退火后，使用H2SO4(98％)：H2O2(30％)＝3:1～4:1混合液清洗，甩干。
7.根据权利要求3所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于，所述步骤2)中一次阳极氧化的工艺为：
采用浓度为0.3～0.8mol/L硫酸作为电解液，氧化电压为10～25V，温度0～5℃，氧化时间2～7h；
或者，电解液采用浓度0.3～0.8mol/L草酸作为电解液，氧化电压为25～170V，温度为0～5℃，氧化时间3～5h；
或者，采用浓度0.3～0.8mol/L磷酸作为电解液，氧化电压为185～195V，温度为0～5℃，氧化时间1～2h；
或者，采用浓度为0.3～0.8mol/L硌酸作为电解液，氧化电压为40～50V，温度为10～20℃，氧化时间0.5～2h；
一次阳极氧化完成后，采用质量分数为3～10％的H3PO4和质量分数为1～5％的H2CrO4的混合溶液，在40～80℃、3～5h反应溶解掉Al2O3薄层。
8.根据权利要求3所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于，所述步骤3)中二次阳极氧化的工艺为：
采用浓度为0.3～0.8mol/L硫酸作为电解液，氧化电压为10～25V，温度为0～5℃，氧化时间2～4h；
或者，电解液采用浓度0.3～0.8mol/L草酸作为电解液，氧化电压为25～170V，温度为0～5℃，氧化时间3～8h；
或者，采用浓度0.3～0.8mol/L磷酸作为电解液，氧化电压为185～195V，温度为0～5℃，氧化时间0.5～1h；
或者，采用浓度为0.3～0.8mol/L硌酸作为电解液，氧化电压为40～50V，温度为10～20℃，氧化时间0.5～2h。
9.根据权利要求4所述的利用AAO模板制备复合纳米图形化衬底的方法，其特征在于：
所述湿法刻蚀的工艺为：采用H2SO4：H3PO4＝3：1～4：1混合液，200～300℃,将AAO薄层的孔道底部刻蚀去除，直至露出单晶衬底表面；
所述干法刻蚀的工艺为：电感耦合等离子体刻蚀(ICP)或反应离子刻蚀(RIE)，刻蚀气体为30～100sccm的BCl3和50～100sccm的CHF3，刻蚀速率控制在50～66nm/min，刻蚀时间为2～4min，将AAO薄层的孔道底部刻蚀去除，直至露出单晶衬底表面；
所述阶梯降压法的工艺为：阳极氧化完成后，采用逐步降低电压的方法将AAO孔道底部打通，降压幅度为0.3～2V，对应电流回复时间为15～70s，直至电压降低为0V，多孔孔道打通；
所述反向电压法的工艺为：在5～15℃的0.5mol/L的KCl溶液中，将阳极氧化完成的AAO模板作为阴极，石墨作阳极，加3～10V反向电压，作用10～40min后实现通孔。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109437095A (zh) * 2018-11-21 2019-03-08 广东工业大学 一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构制作方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101660187A (zh) * 2009-09-15 2010-03-03 中山大学 基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法
CN102644101A (zh) * 2012-04-27 2012-08-22 中国科学院电工研究所 一种在硅衬底上制备大孔径薄壁阳极氧化铝模板的方法
CN102903608A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 北京大学 一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法
CN103117210A (zh) * 2013-03-12 2013-05-22 云南大学 一种纳米孔复制结合溅射沉积自组装有序Ge/Si量子点阵列的新方法
CN103378227A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 南亚光电股份有限公司 形成图案化蓝宝石基板的方法
TW201440251A (zh) * 2013-04-01 2014-10-16 Kinik Co 圖案化光電基板及其製作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101660187A (zh) * 2009-09-15 2010-03-03 中山大学 基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法
CN102903608A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 北京大学 一种纳米级图形化蓝宝石衬底的制备方法
CN102644101A (zh) * 2012-04-27 2012-08-22 中国科学院电工研究所 一种在硅衬底上制备大孔径薄壁阳极氧化铝模板的方法
CN103378227A (zh) * 2012-04-27 2013-10-30 南亚光电股份有限公司 形成图案化蓝宝石基板的方法
CN103117210A (zh) * 2013-03-12 2013-05-22 云南大学 一种纳米孔复制结合溅射沉积自组装有序Ge/Si量子点阵列的新方法
TW201440251A (zh) * 2013-04-01 2014-10-16 Kinik Co 圖案化光電基板及其製作方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109437095A (zh) * 2018-11-21 2019-03-08 广东工业大学 一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构制作方法
CN109437095B (zh) * 2018-11-21 2020-10-09 广东工业大学 一种刻蚀方向可控的硅纳米孔结构制作方法

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