CN104600098B - 一种n型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件 - Google Patents
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Abstract
一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
Description
技术领域
本发明主要涉及一种半导体器件，特别是涉及一种应用于射频领域的N型横向双扩散金属氧化物半导体器件。
背景技术
射频功率器件主要应用于无线通讯中移动通信系统基站的射频功率放大器。然而由于CMOS射频功率性能的不足，在射频功率半导体市场上，直到上世纪90年代中期，射频功率器件还都是使用双极型晶体管或GaAs MOSFET。直到90年代后期，硅基横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的出现改变了这一状况。射频横向双扩散金属氧化物半导体（RFLDMOS）器件是半导体集成电路技术与微波电子技术融合入而成的新一代集成化的固体微波功率半导体产品，具有线性度好、增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和MOS工艺集成等优点，并且其价格远低于砷化镓器件，是一种非常具有竞争力的功率器件，被广泛应用于GSM、PCS、W-CDMA基站的功率放大器，以及无线广播与核磁共振等方面。
射频横向双扩散金属氧化物半导体器件在漏极和沟道之间引入的低掺杂漂移区，提高了器件的击穿电压，减小了源漏极之间的寄生电容，提高了器件的频率特性。通过调整低掺杂漏区的长度和掺杂浓度，可以调整器件的导通电阻和击穿电压。N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的P型重掺杂引出区实现了源极和衬底的连接，以降低射频应用时的源极的接线电感，增大共源放大器的射频增益，提高器件的性能。
在射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的设计过程中，除了要求较小的导通电阻和大的击穿电压外，还要求较小的寄生电容，包括栅源寄生电容、栅漏寄生电容和源漏寄生电容。对于击穿电压和导通电阻一定的射频横向双扩散金属氧化物半导体器件来说，栅源寄生电容和栅漏寄生电容的大小在一定程度上决定了截止频率的大小，栅源寄生电容和栅漏寄生电容越大，器件的截止频率就越小。另外，源漏寄生电容对器件的输出功率、功率增益和效率有很大影响，减小源漏寄生电容可以提高器件的输出功率、功率增益和效率。因此减小器件的寄生电容对提高射频器件电学性能具有重要意义。
发明内容
本发明提供了一种能够提高截止频率且同时又能保证阈值电压不降低的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件。
本发明采用如下技术方案：一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型硅衬底上形成有P型外延层；在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，且P阱在所述N型轻掺杂漏区的一侧，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触，在所述N型轻掺杂漏区中形成有第一N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有第二N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区与N型重掺杂源区和P阱相接触，并穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区的边界及N型轻掺杂漏区的边界上方，在栅氧化层的表面形成有多晶硅栅；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，源极金属和漏极金属分别通过场氧与多晶硅栅相隔离，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
与现有技术相比，本发明具有如下优点：
（1）、本发明组合使用阶梯状栅氧8和N型掺杂区13，解决了单独采用阶梯栅氧、N型掺杂区以及非阶梯方式增厚的栅氧与N型掺杂区组合所带来的问题，使得器件的栅源寄生电容和栅漏寄生电容得以减小、截止频率得以提高，同时又能保证阈值电压的不降低。
阶梯状栅氧8和N型掺杂区13存在的好处在于器件的截止频率得到了提高。截止频率作为射频横向双扩散金属氧化物半导体器件的一个重要参数，一般通过减小栅源寄生电容和栅漏寄生电容来提高其大小。栅源寄生电容和栅漏寄生电容均为金属-绝缘体-半导体电容，该电容为绝缘体电容和半导体耗尽区电容的并联，要想减小该电容一般从两方面入手：一是增大栅氧厚度，从而减小绝缘体电容；二是增大半导体耗尽的宽度。N型掺杂区13的存在辅助了P阱区4向P型外延层2和N型轻掺杂区3的耗尽，使得耗尽区面积增大，这样半导体耗尽区电容得到了减小，因此减小了栅源寄生电容和栅漏寄生电容。
但是，N型掺杂区13的引入会缩短沟道长度，显著减小阈值电压，为了不影响器件的导通特性，保持器件的沟道长度不变，只有增加栅极覆盖P阱4的长度，这样势必会带来绝缘体电容的增加。阶梯状栅氧8通过增加覆盖P阱4中N型掺杂区13上方的栅氧厚度，且由于N型掺杂区13的存在，其上方的栅氧厚度可以做到很厚，这样就完全抑制了由于N型掺杂区13的引入所带来的绝缘体电容的增大。
（2）、附图3、附图4和附图5分别为本发明器件与常规器件结构的截止频率、栅源寄生电容和栅漏寄生电容的对比图，可以发现本发明器件与常规器件相比，由于栅源寄生电容和栅漏寄生电容明显减小了，因此器件的频率特性得到了改善。
（3）、本发明的好处在于N型掺杂区13的存在还在一定程度上减小了栅极电阻。由优点（1）所述，引入N型掺杂区13之后，为了不改变器件的阈值电压，只有保证器件的沟道长度不发生变化，因此只有增加栅极覆盖P阱4的长度，这样器件的栅极面积就增大了，从而栅极电阻得到了减小。在射频领域，栅极电阻的减小，可以提高器件的最高震荡频率和功率增益。
（4）、本发明器件的好处在于提高了器件的频率特性，减小了栅极电阻的基础上，击穿电压基本保持不变。附图6为本发明器件与常规器件的击穿电压对比图，可以发现本发明器件与常规器件相比，器件的击穿电压基本保持不变。
（5）、本发明器件的好处在于提高了器件的频率特性，减小了栅极电阻的基础上，器件的开态导通特性基本保持不变。附图7为本发明器件与常规器件的I-V特性对比图，可以发现本发明器件与常规器件相比，器件的开态导通特性基本保持不变。
附图说明
图1是现有的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件结构剖面图。
图2是本申请的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件结构剖面图。
图3是本发明器件与常规器件的截止频率的比较图，可以看出本发明器件使得截止频率得到了提高。
图4是本发明器件与常规器件的栅源寄生电容的比较图。可以看出本发明器件使得栅源寄生电容得到了明显的减小。
图5是本发明器件与常规器件的栅漏寄生电容的比较图。可以看出本发明器件使得栅漏寄生电容得到了明显的减小。
图6是本发明器件与常规器件的击穿电压的比较图。可以看出本发明器件与常规器件相比，击穿电压基本保持不变。
图7是本发明器件与常规器件的I-V特性的比较图。可以看出本发明器件与常规器件相比，开态导通特性基本保持不变。
具体实施方式
下面结合附图2详细说明，一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底1，在P型硅衬底1上形成有P型外延层2；在P型外延层2中形成有N型轻掺杂漏区3和P阱4，且P阱4在所述N型轻掺杂漏区3的一侧，P阱4的一侧和所述N型轻掺杂漏区3的一侧相接触，在所述N型轻掺杂漏区3中形成有第一N型重掺杂漏区5；在所述P阱4中形成有第二N型重掺杂源区6，在P阱4的另一侧形成有P型重掺杂引出区7，P型重掺杂引出区7与N型重掺杂源区6和P阱4相接触，并穿过P型外延层2与P型硅衬底1相接触；在P阱4上形成有栅氧化层8，且栅氧化层8的两个边界分别位于N型重掺杂源区6的边界及N型轻掺杂漏区3的边界上方，在栅氧化层8的表面形成有多晶硅栅9；在P型重掺杂引出区7和N型重掺杂源区6上连接有源极金属11，在N型重掺杂漏区5上连接有漏极金属12，源极金属11和漏极金属12分别通过场氧10与多晶硅栅9相隔离，其特征在于，所述栅氧化层8为阶梯状，在栅氧化层8的下方设有N型掺杂区13且所述N型掺杂区13位于P阱4中。
所述的阶梯状栅氧化层（8）的第二阶梯与第一阶梯的厚度比为10:1至15:1。
所述的N型掺杂区（13）的长度与栅氧化层（8）的第二阶梯的长度相等。
所述的N型掺杂区（13）的厚度小于P阱（4）的厚度，大小为大于0且小于0.5μm。
所述的N型掺杂区（13）的掺杂浓度小于或者等于P阱（4）的掺杂浓度，大小为2.0e17~9.0e17cm-3。
所述的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其沟道长度为0.8~1.2μm。
Claims (6)
1.一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底（1），在P型衬底（1）上形成有P型外延层（2）；在P型外延层（2）中形成有N型轻掺杂漏区（3）和P阱（4），且P阱（4）在所述N型轻掺杂漏区（3）的一侧，P阱（4）的一侧和所述N型轻掺杂漏区（3）的一侧相接触，在所述N型轻掺杂漏区（3）中形成有第一N型重掺杂漏区（5）；在所述P阱（4）中形成有第二N型重掺杂源区（6），在P阱（4）的另一侧形成有P型重掺杂引出区（7），P型重掺杂引出区（7）与N型重掺杂源区（6）和P阱（4）相接触，并穿过P型外延层（2）与P型衬底（1）相接触；在P阱（4）上形成有栅氧化层（8），且栅氧化层（8）的两个边界分别位于N型重掺杂源区（6）的边界及N型轻掺杂漏区（3）的边界上方，在栅氧化层（8）的表面形成有多晶硅栅（9）；在P型重掺杂引出区（7）和N型重掺杂源区（6）上连接有源极金属（11），在N型重掺杂漏区（5）上连接有漏极金属（12），源极金属（11）和漏极金属（12）分别通过场氧（10）与多晶硅栅（9）相隔离，其特征在于，所述栅氧化层（8）为阶梯状，在栅氧化层（8）的下方设有N型掺杂区（13）且所述N型掺杂区（13）位于P阱（4）中。
2.根据权利要求1所述的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于阶梯状栅氧化层（8）的第二阶梯与第一阶梯的厚度比为10:1至15:1。
3.根据权利要求1所述的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于N型掺杂区（13）的长度与栅氧化层（8）的第二阶梯的长度相等。
4.根据权利要求1所述的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于N型掺杂区（13）的厚度小于P阱（4）的厚度，且N型掺杂区（13）的厚度小于等于0.5μm。
5.根据权利要求1所述的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于N型掺杂区（13）的掺杂浓度小于或者等于P阱（4）的掺杂浓度，且N型掺杂区（13）的掺杂浓度为2.0e17~9.0e17cm-3。
6.根据权利要求1所述的N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于沟道长度为0.8~1.2μm。
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Legal Events
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20170728 Termination date: 20220115 |
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