CN109817711B - 具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管及其制作方法。该器件的部分漂移区为AlGaN/GaN异质结；AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(two dimensional electron gas，2DEG)，二维电子气具有很高的迁移率，从而使具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓新型横向晶体管具有很低的导通电阻。器件关断时，2DEG耗尽，同时在器件表面引入了新的电场峰，降低了横向晶体管栅边缘的高峰电场，提高了器件的击穿电压。
Description
技术领域
本发明涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种横向半导体场效应管晶体管。
背景技术
横向半导体场效应管具有易集成，热稳定性好，较好的频率稳定性，低功耗，多子导电，功率驱动小，开关速度高等优点是智能功率电路和高压器件的核心。由于便携式电源管理和汽车电子产品的市场需求日益增长，在全球范围内受到越来越多的关注。
高压横向双扩散晶体管的比导通电阻随着击穿电压的增加2.0次方增加，使其在高压领域受到了极大地限制。1979年提出的一种降低器件表面电场(Reduced SurfaceField,RESURF)的技术，能很好地缓解器件的比导通电阻随着击穿电压增加的矛盾关系，RESURF技术被广泛的应用于横向高压功率器件中。
然而，由于以Si为代表的第一代半导体材料的局限性，使得第三代宽禁带半导体材料因其优异的性能得到了飞速发展。宽禁带半导体材料由于具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点，其本身具有的优越性质及其在功率器件领域应用中潜在的巨大前景。然而，由于AlGaN/GaN异质结晶体管具有特殊的耐压机理，获得高耐压的AlGaN/GaN异质结晶体管十分困难。
发明内容
本发明提出了一种具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，不仅突破了横向器件中随着漂移区长度增加导通电阻大幅增加的问题，还降低了栅边缘的高峰电场，大幅度提高器件的性能。
本发明的技术方案如下：
该具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，包括：
半导体材料的衬底；
位于衬底表面的漂移区；
基于漂移区的一端通过离子注入形成的基区、源区以及沟道衬底接触；基区表面覆盖有栅介质层；
基于漂移区的另一端通过离子注入形成的漏区；
有别于现有技术的是：
所述衬底为P型GaN材料，所述漂移区为N型GaN材料；
在漂移区靠近漏端的区域还通过异质外延形成有AlGaN层，AlGaN/GaN异质结长度大于漂移区余下区域(基区与异质结之间的区域)的长度；
在基区、源区以及沟道衬底接触下方的衬底处还通过离子注入形成有P型屏蔽层。
进一步的，衬底的掺杂浓度根据设计的击穿电压确定，典型掺杂浓度范围为1×1015cm-3～1×1017cm-3。
进一步的，N型漂移区的掺杂浓度根据设计的击穿电压确定，典型掺杂浓度范围为1×1016cm-3～1×1018cm-3。
进一步的，P型屏蔽层的掺杂浓度根据设计的击穿电压确定，典型掺杂浓度范围为1×1017cm-3～1×1019cm-3。
进一步的，AlGaN/GaN异质结的长度占整个漂移区的比例典型值为1/2～1。
进一步的，栅介质层的材料为氮化硅或高K材料(高K材料例如：氧化铝等)。
进一步的，栅介质层的厚度根据阈值电压确定，典型值为0.02～0.1μm；漂移区的厚度根据设计的击穿电压确定，典型值0.2μm～1.5μm。
一种制作上述具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，包括以下步骤：
(1)取氮化镓材料制作衬底；
(2)在衬底上形成N型GaN材料的漂移区；
(3)在漂移区上通过异质外延形成AlGaN层；
(5)在预定区域刻蚀去除AlGaN层，在掩膜的保护下，通过离子注入形成P型屏蔽层和P型基区及其N+型源区和P+沟道衬底接触，形成相应的沟道，以及后续的介质层淀积；
(6)在沟道表面形成栅介质层，并淀积金属形成栅极；
(7)在器件表面淀积钝化层，并在对应于源极的位置刻蚀接触孔；
(8)在接触孔内淀积金属并刻蚀(去除周边其余的钝化层)形成源极。
本发明技术方案的有益效果如下：
本发明将AlGaN/GaN异质结应用于器件的部分漂移区。器件关断时，由于2DEG引入了新的电荷，改变了器件中的电场分布，有效的降低了栅边缘的峰值电场，提高了击穿电压，在器件导通时，由于存在高电子迁移率的2DEG，大幅度降低了器件的导通损耗。
P型屏蔽层解决了源漏穿通问题，降低了栅介质层中的电场，提高了器件的可靠性。
该基于AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，在相同漂移区长度的情况下，具有更高的耐压和更低的导通损耗，具有更好的性能。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
其中，1-P+沟道衬底接触(P+型体区)；2-源极；3-N+型源区；4-栅介质层；5-基区；6-栅极；7-漂移区；8-AlGaN层；9-漏极；10-漏区；11-屏蔽层；12-衬底；13-衬底电极。
具体实施方式
下面结合附图以N沟道AlGaN/GaN异质结的新型氮化镓横向晶体管为例介绍本发明。
如图1所示，本实施例的结构包括：
半导体材料的衬底；
位于衬底表面的漂移区；
基于漂移区的一端通过离子注入形成的基区、源区以及沟道衬底接触；基区表面覆盖有栅介质层；
基于漂移区的另一端通过离子注入形成的漏区；
其中，衬底为P型GaN材料，漂移区为N型GaN材料；在基区、源区以及沟道衬底接触下方的衬底处还通过离子注入形成有P型屏蔽层；
部分漂移区(靠近漏区一侧的漂移区部分)的表面还通过异质外延形成有AlGaN层，AlGaN/GaN异质结的长度占整个漂移区的比例为1/2～1。
衬底的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3；N型漂移区的掺杂浓度为1×1016cm-3～1×1018cm-3；P型屏蔽层的掺杂浓度为1×1017cm-3～1×1019cm-3。
N型漂移区的厚度为0.2μm～1.5μm。栅介质层的厚度为0.02～0.1μm。
该器件的制作方法如下：
(1)取氮化镓材料制作衬底；
(2)在衬底上形成N型漂移区；
(3)在衬底下表面形成金属化衬底电极；
(4)在N型漂移区上通过异质外延形成AlGaN层；
(5)在指定区域刻蚀去除AlGaN层，在掩膜的保护下，通过离子注入形成P型屏蔽层和P型基区及其N+型源区和P+沟道衬底接触，形成相应的沟道，以及后续的介质层淀积；
(6)在沟道表面形成栅介质层，并淀积金属形成栅极；
(7)在器件表面淀积钝化层，并在对应于源极的位置刻蚀接触孔；
(8)在接触孔内淀积金属并刻蚀(去除周边其余的钝化层)形成源极。
该器件的部分漂移区为AlGaN/GaN异质结。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气(two dimensional electron gas，2DEG)，二维电子气具有很高的迁移率，从而使具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓新型横向晶体管具有很低的导通电阻。器件关断时，2DEG耗尽，同时在器件表面引入了新的电场峰，降低了横向晶体管栅边缘的高峰电场，提高了器件的击穿电压。该结构突破了横向器件中随着漂移区长度增加而导通电阻大幅增加的问题，随着漂移区长度的增加导通电阻增加较小，击穿电压却可大幅提升。所以该结构可以在维持较低导通电阻时获得较高的击穿电压。
经ISE TCAD仿真表明，本发明提出的新型器件的性能较之于传统宽禁带横向晶体管明显提升，当两种器件具有相等的击穿电压时，新型器件的导通电阻下降了30％以上。
本发明所述的半导体材料也包括能形成二维电子气的其他半导体材料，如砷化镓等，也应视为属于本申请权利要求的保护范围。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换的方案也落入本发明的保护范围。
Claims (8)
1.具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，包括：
半导体材料的衬底；
位于衬底表面的漂移区；
基于漂移区的一端通过离子注入形成的基区、源区以及沟道衬底接触；基区表面覆盖有栅介质层；
基于漂移区的另一端通过离子注入形成的漏区；
其特征在于：
所述衬底为P型GaN材料，所述漂移区为N型GaN材料；
在漂移区靠近漏端的区域还通过异质外延形成有AlGaN层，AlGaN/GaN异质结长度大于漂移区余下区域的长度；
在基区、源区以及沟道衬底接触下方的衬底处还通过离子注入形成有P型屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，其特征在于：所述半导体材料的衬底掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3。
3.根据权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，其特征在于：所述漂移区掺杂浓度为1×1016cm-3～1×1018cm-3。
4.根据权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，其特征在于：所述P型屏蔽层掺杂浓度为1×1017cm-3～1×1019cm-3。
5.根据权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，其特征在于：所述AlGaN/GaN异质结的长度占整个漂移区的比例为1/2～1。
6.根据权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，其特征在于：所述栅介质层的材料为氮化硅或高K材料。
7.根据权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管，其特征在于：所述栅介质层的厚度根据阈值电压确定，具体取值范围为0.02～0.1μm；漂移区的厚度根据设计的击穿电压确定，具体取值范围为0.2μm～1.5μm。
8.一种制作权利要求1所述的具有AlGaN/GaN异质结的氮化镓横向晶体管的方法，包括以下步骤：
(1)取氮化镓材料制作衬底；
(2)在衬底上形成N型GaN材料的漂移区；
(3)在漂移区上通过异质外延形成AlGaN层；
(5)在预定区域刻蚀去除AlGaN层，在掩膜的保护下，通过离子注入形成P型屏蔽层和P型基区及其N+型源区和P+沟道衬底接触，形成相应的沟道，以及后续的介质层淀积；
(6)在沟道表面形成栅介质层，并淀积金属形成栅极；
(7)在器件表面淀积钝化层，并在对应于源极的位置刻蚀接触孔；
(8)在接触孔内淀积金属并刻蚀形成源极。
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