CN104600078B - 一种阵列基板及其制造方法和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，其中，阵列基板包括：基板；第一金属层，设置在基板上；第一绝缘层，设置在第一金属层远离基板的一侧；半导体层，设置在第一绝缘层远离基板的一侧且与第一金属层电绝缘；第二绝缘层，设置在半导体层远离基板的一侧；公共电极走线，设置在第二绝缘层远离基板的一侧且与半导体层电绝缘；其中，第一金属层、第一绝缘层和半导体层之间形成有第一电容，第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极走线之间形成有第二电容。本发明提供的技术方案可以增加阵列基板中像素的存储电容，从而可以改善显示画面闪烁等问题。

Description

一种阵列基板及其制造方法和显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。

背景技术

LTPS-TFT LCD(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，低温多晶硅-薄膜晶体管液晶显示器)具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上由于LTPS-TFT LCD的硅结晶排列较非晶硅(a-Si)有次序，使得电子移动率相对高100倍以上，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，从而可以达到系统整合、节省空间及降低驱动IC(Integrated Circuit，集成控制电路)的成本。

现有技术中，在LTPS-TFT LCD的阵列基板中，由于LTPS-TFT在光照下会产生较大的漏电流。并且随着PPI(Pixels Per Inch，图像的采样率)越来越高，像素尺寸变得越来越小，相应地，像素的存储电容也变得越来越小，这样就容易引起显示画面闪烁等问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示面板，以解决现有技术中LTPS-TFT LCD容易出现显示画面闪烁的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

基板；

第一金属层，设置在所述基板上；

第一绝缘层，设置在所述第一金属层远离所述基板的一侧；

半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧且与所述第一金属层交叠且电绝缘；

第二绝缘层，设置在所述半导体层远离所述基板的一侧；

公共电极走线，设置在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧且分别与所述半导体层和所述第一金属层交叠且电绝缘；

其中，所述第一金属层、所述第一绝缘层和所述半导体层之间形成有第一电容，所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述公共电极走线之间形成有第二电容。

第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述第一方面所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成半导体层，所述第一金属层、所述第一绝缘层和所述半导体层之间形成有第一电容；

在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成公共电极走线，所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述公共电极走线之间形成有第二电容。

本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法和显示面板，通过在阵列基板的基板上设置第一金属层，该第一金属层与阵列基板中的第一绝缘层和半导体层形成第一电容以及与第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极走线形成第二电容，这样可以增加阵列基板中像素的存储电容，从而可以改善显示画面闪烁等问题。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2a是图1中沿A1-A2方向的剖面示意图；

图2b是图1中沿B1-B2方向的剖面示意图；

图3a是本发明实施例提供的一种包括像素电极的阵列基板的结构示意图；

图3b是本发明实施例提供的一种包括公共电极的阵列基板的结构示意图；

图3c是图3b中沿C1-C2方向的剖面示意图；

图3d是图3b中沿D1-D2方向的剖面示意图；

图4a是本发明实施例提供的另一种包括像素电极的阵列基板的结构示意图；

图4b是本发明实施例提供的另一种包括公共电极的阵列基板的结构示意图；

图4c是图4b中沿E1-E2方向的剖面示意图；图5a是本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图5b是图5a中沿F1-F2方向的剖面示意图；

图6是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图；

图8a-图8h是与阵列基板的制造方法的各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

本发明实施例提供一种阵列基板。图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。如图1所示，所述阵列基板包括：基板(在图中未示出)；设置在基板上的数据线11和与数据线11交叉且电绝缘的栅极线12；栅电极131、源电极132、漏电极133和半导体层134，且栅电极131、源电极132、漏电极133和半导体层134构成薄膜晶体管，其中，栅电极131与栅极线12位于同一层且与其电连接，源电极132和漏电极133与数据线11位于同一层且源电极132与数据线11电连接，所述源电极132和漏电极133分别通过第一过孔135与半导体层134电连接；公共电极走线14，其与栅极线12平行设置的；遮光层15以及第一金属层16。

图2a是图1中沿A1-A2方向的剖面示意图。如图2a所示，阵列基板还包括第一绝缘层171和第二绝缘层172；通过图2a可知：第一金属层16，设置在基板11上；第一绝缘层171，设置在第一金属层16远离基板11的一侧；半导体层134，设置在第一绝缘层171远离基板11的一侧且与第一金属层16交叠且电绝缘；第二绝缘层172，设置在半导体层134远离基板11的一侧；公共电极走线14，设置在第二绝缘层172远离基板11的一侧且分别与半导体层134和第一金属层16交叠且电绝缘；其中，第一金属层16、第一绝缘层171和半导体层134之间形成有第一电容C1，第一金属层16、第一绝缘层171、第二绝缘层172和公共电极走线14之间形成有第二电容C2。

需要说明的是，上述第一金属层16与半导体层134和公共电极走线14的交叠可以为部分交叠，也可以为全部交叠，只要能够在第一金属层16、第一绝缘层171和半导体层134之间形成第一电容C1，以及在第一金属层16、第一绝缘层171、第二绝缘层172和公共电极走线14之间形成第二电容C2即可，在此不作限定。

在本发明实施例中，所述半导体层134为低温多晶硅层。

在本发明实施例中，进一步地，所述第一绝缘层171的材料可以选取为二氧化硅或者氮化硅，所述第二绝缘层172的材料可以选取为二氧化硅或者氮化硅。除此之外，第一绝缘层171和第二绝缘层172也可以选取其他材料，例如有机膜等，在此不作限定。由于第一绝缘层171可以影响第一电容C1和第二电容C2的电容值，第二绝缘层172可以影响第二电容C2的电容值，因此，在实际设计中，可以根据实际需要，对第一绝缘层171和第二绝缘层172的材料进行选取。

如图2a所示，阵列基板还包括第三绝缘层173和第四绝缘层174；第三绝缘层173设置在公共电极走线14远离基板11的一侧；漏电极133，设置在第三绝缘层173远离基板11的一侧且与公共电极走线14交叠且电绝缘(在图2a中漏电极133通过第三绝缘层173与公共电极走线14电绝缘)；第四绝缘层174设置在漏电极133远离基板11的一侧；公共电极走线14、第二绝缘层172和半导体层134之间形成有第三电容C3，公共电极走线14、第三绝缘层173和漏电极133之间形成有第四电容C4。

需要说明的是，公共电极走线14与漏电极133和半导体层134的交叠可以为部分交叠，也可以为全部交叠，只要在公共电极走线14、第二绝缘层172和半导体层134之间形成第三电容C3，以及在公共电极走线14、第三绝缘层173和漏电极133之间形成第四电容C4即可，在此不作限定。

在本发明实施例中，进一步地，第三绝缘层173和第四绝缘层174的材料可以为二氧化硅或者氮化硅。除此之外，第三绝缘层173和第四绝缘层174也可以选取其他材料，例如有机膜等，在此不作限定。

如上所述，公共电极走线14、第二绝缘层172和半导体层134之间形成的第三电容C3以及公共电极走线14、第三绝缘层173和漏电极133之间形成的第四电容C4，且第三电容C3和第四电容C4构成阵列基板中像素的存储电容。本发明在第三电容C3和第四电容C4所构成的像素的存储电容基础上，通过在基板11上设置第一金属层16，并使得第一金属层16与阵列基板中的第一绝缘层171和半导体层134形成第一电容C1以及与第一绝缘层171、第二绝缘层172和公共电极走线14形成第二电容C2，这样可以增加阵列基板中像素的存储电容，从而可以改善显示画面闪烁等问题。

图2b是图1中沿B1-B2方向的剖面示意图。如图2b所示的阵列基板的剖面示意图可知：在基板11上设置有遮光层15和第一金属层16，其中遮光层15和第一金属层16设置在同一层；在遮光层15和第一金属层16远离基板11的一侧设置有第一绝缘层171；在第一绝缘层171远离基板11的一侧设置有半导体层134，且半导体层134与遮光层15和第一金属层16均有交叠；在半导体层134远离基板11的一侧设置有栅极线12、栅电极131和公共电极走线14，且三者设置在同一层，半导体层134与栅极线12、栅电极131和公共电极走线14之间通过第二绝缘层172电绝缘；在栅极线12、栅电极131和公共电极走线14远离基板11的一侧设置有第三绝缘层173；在第三绝缘层173远离基板11的一侧设置有源电极132和漏电极133，其中，源电极132和漏电极134分别通过第一通孔135与半导体层134电连接；在源电极132和漏电极134远离基板11的一侧设置有第四绝缘层174。在图2b中栅极线12、半导体层134和遮光层15之间有交叠，以及栅电极131、半导体层134和遮光层15之间有交叠，在这些交叠处的半导体层134为相应薄膜晶体管的沟道。

需要说明的是，通过在栅极线12与半导体层134的交叠处以及在栅电极131与半导体层134的交叠处的基板11上设置遮光层15，这样遮光层15可以遮挡从基板11入射的光对该交叠处的半导体层134的影响，从而可以减小薄膜晶体管的漏电流。

在图2b中，第一金属层16与遮光层15设置在同一层。进一步地第一金属层16和遮光层15可以采用同种材料，也可以采用不同种材料。进一步优选为第一金属层16与遮光层15采用同种材料，这样第一金属层和遮光层可以采用同步的制造工艺来制得，不仅可以减少制造阵列基板的工艺制程，而且还可以降低阵列基板的生产成本。

在图1所示的阵列基板中，也可以进一步包括像素电极。如图3a所示，在图1的基础上，阵列基板还包括像素电极18。在图3a的基础上，如图3b所示，阵列基板还包括设置在像素电极18远离基板11一侧的公共电极19，公共电极19与像素电极18对应的区域设置有多条狭缝191，且公共电极19通过第二过孔192与公共电极走线14电连接，因此，图3b所示的阵列基板采用了Top-Com的结构。图3c是图3b中沿C1-C2方向的剖面示意图。如图3c所示，像素电极18和漏电极133均设置在第三绝缘层173远离基板11的一侧，且像素电极18与漏电极133通过搭接的方式实现电连接；在像素电极18和漏电极133远离基板11的一侧设置有第四绝缘层174；在第四绝缘层174远离基板的一侧设置有公共电极19，且公共电极19与像素电极18和漏电极133通过第四绝缘层174实现电绝缘。图3d是图3b中沿D1-D2方向的剖面示意图。如图3d所示，公共电极19通过设置在第三绝缘层173和第四绝缘层174中的第二过孔192与公共电极走线14电连接，以使公共电极走线14和公共电极19具有相同的电位。

阵列基板除了可以采用Top-Com的结构外，也可以采用Middle-Com的结构。如图4a所示，在图1的基础上，阵列基板还包括像素电极18，其中像素电极18包括多条狭缝181，且像素电极18通过第三过孔182与漏电极133电连接。在图4a的基础上，如图4b所示，阵列基板还包括设置在像素电极18靠近基板11一侧的公共电极19，且公共电极19通过第二过孔192与公共电极走线14电连接，因此，图4b所示的阵列基板采用了Middle-Com的结构。图4c是图4b中沿E1-E2方向的剖面示意图。如图4c所示，公共电极19设置在漏电极133远离基板11的一侧，且漏电极133与公共电极19通过第四绝缘层174电绝缘；在公共电极19远离基板11的一侧设置有像素电极18，像素电极18与公共电极19通过第五绝缘层175实现电绝缘，其中像素电极18通过设置在第五绝缘层175和第四绝缘层174中的第三过孔182与漏电极133电连接。在图4b中关于第二过孔192的剖面示意图与图3d所示的剖面示意图相同，具体请参考图3d所示的剖面示意图，在此不再给出。

在本发明实施例中，优选为所述第一金属层16处于悬空状态。在实际设计中，让第一金属层16处于悬空状态，可以通过对第一金属层16未施加任何电位来实现，这样第一金属层16可以跟阵列基板中与其有交叠的带电体，例如第一金属层16与上述的半导体层134和公共电极走线14等形成电容，这些电容可以增加阵列基板中像素的存储电容。

上述图1所给出的阵列基板的结构仅是在阵列基板中设置第一金属层的一个具体示例，然而，在另一具体示例中，如图5a所示，与图1中的阵列基板相比，第一金属层16与半导体层174之间的交叠面积以及第一金属层16与公共电极走线14之间的交叠面积小于图1中相应的交叠面积。图5b是图5a中沿F1-F2方向的剖面示意图。如图5b所示，第一金属层16、第一绝缘层171和半导体层174之间仍然形成有第一电容C1以及第一金属层16、第一绝缘层171、第二绝缘层172和公共电极走线14之间仍然形成有第二电容C2。与图2a相比可知，图5b中中的第一金属层16分别与半导体层134和公共电极走线14的交叠面积要比图2a中的相应交叠面积小得多，但是通过设置第一金属层16，仍然可以增加阵列基板中像素的存储电容，从而可以改善显示画面闪烁等问题。

需要说明的是，第一金属层分别与半导体层和公共电极走线的交叠面积大小，在此不作限定，只要第一金属层与半导体层和两者之间的绝缘层形成的第一电容以及第一金属层与公共电极走线和两者之间的绝缘层形成的第二电容能够增加阵列基板中像素的存储电容即可。

本发明实施例还提供一种显示面板。图6是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图6，所述显示面板包括阵列基板31、与阵列基板31相对设置的对置基板32以及位于阵列基板31和对置基板32之间的中间介质层33，其中，所述阵列基板31为上述各实施例所述的阵列基板。

具体地，中间介质层33与显示面板的显示类型有关。当显示面板为液晶显示面板时，中间介质层33为液晶层，对置基板32可以为彩膜基板。在阵列基板31中设置有公共电极和像素电极，其中公共电极可以与像素电极设置在同一层(对应平面转换型的液晶显示面板)，也可以与像素电极设置在不同层(对应边缘场开关型的显示面板)，显示面板通过公共电极和像素电极之间形成的电场来控制液晶层中的液晶分子的旋转，从而使液晶显示面板实现相应的显示效果。

当显示面板为有机发光显示面板时，中间介质层33可以为构成有机发光二极管的有机发光层和阴极，对置基板32可以为彩膜基板、封装玻璃(Cover Glass)或者盖板玻璃(Cover Lens)等，阵列基板31中设置有有机发光二极管的阳极，通过对有机发光二极管的阴极和阳极所施加电压的控制，可以使有机发光二极管发光，从而使有机发光显示面板实现相应的显示效果。

需要说明的是，上述显示面板可以具有触控功能，也可以不具有触控功能，在实际制作时，可以根据具体的需要进行选择和设计。其中，触控功能可以为电磁触控功能、电容触控功能或者电磁电容触控功能等。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法。图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图。图8a-图8h是与阵列基板的制造方法的各步骤对应的结构示意图；如图7和图8a-图8h所示，阵列基板的制造方法包括：

步骤41、提供一基板；

如图8a所示，提供一基板51。

步骤42、在基板上形成第一金属层；

如图8b所示，在基板51上形成图形化的第一金属层52。

步骤43、在第一金属层远离基板的一侧形成第一绝缘层；

如图8c所示，在第一金属层52远离基板51的一侧形成第一绝缘层531。

步骤44、在第一绝缘层远离基板的一侧形成半导体层，第一金属层、第一绝缘层和半导体层之间形成有第一电容；

如图8d所示，在第一绝缘层531远离基板51的一侧形成图形化的半导体层541，其中，图形化的第一金属层52与图形化的半导体层541有交叠，且图形化的第一金属层52、第一绝缘层531和图形化的半导体层541之间形成有第一电容C11。其中，在本发明实施例中，半导体层541为低温多晶硅层。

步骤45、在半导体层远离基板的一侧形成第二绝缘层；

如图8e所示，在图形化的半导体层541远离基板51的一侧形成第二绝缘层532。

步骤46、在第二绝缘层远离基板的一侧形成公共电极走线，第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极走线之间形成有第二电容。

如图8f所示，在第二绝缘层532远离基板51的一侧形成图形化的公共电极走线55，其中图形化的第一金属层52与图形化的公共电极走线55有交叠，且图形化的第一金属层52、第一绝缘层531、第二绝缘层532和图形化的公共电极走线55之间形成有第二电容C2。此外，图形化的公共电极走线55与图形化的半导体层541也有交叠，且图形化的公共电极走线55、第二绝缘层532和图形化的半导体层541之间形成有第三电容C3。

需要说明的是，图形化的第一金属层52与图形化的半导体层541和图形化的公共电极走线55之间的交叠以及图形化的公共电极走线55与图形化的半导体层541之间的交叠可以为部分交叠，也可以为全部交叠，只要能够形成第一电容、第二电容和第三电容即可，在此不作限定。

上述所形成的图形化的第一金属层52和图形化的半导体层541通过第一绝缘层531实现电绝缘，图形化的半导体层541和图形化的公共电极走线55通过第二绝缘层532实现电绝缘。

在上述步骤46之后，阵列基板的制造方法还可以包括：

步骤47、在公共电极走线远离基板的一侧形成第三绝缘层；

如图8g所示，在图形化的公共电极走线55远离基板51的一侧形成第三绝缘层533。

步骤48、在第三绝缘层远离基板的一侧形成漏电极以及在漏电极远离基板的一侧形成第四绝缘层，其中，漏电极通过第一过孔与半导体层电连接，所述公共电极走线、第三绝缘层和漏电极之间形成有第四电容。

如图8h所示，在第三绝缘层533远离基板51的一侧形成图形化的漏电极542以及在图形化的漏电极542远离基板51的一侧形成第四绝缘层534，其中，图形化的漏电极542通过第一过孔(在图中未示出)与图形化的半导体层电541连接，图形化的公共电极走线55与图形化的漏电极542有交叠，且图形化的公共电极走线55、第三绝缘层533和图形化的漏电极542之间形成第四电容C4。这样就得到了与图2a相对应的阵列基板的结构。

需要说明的是，公共电极走线与漏电极的交叠，可以为部分交叠，也可以为全部交叠，只要能够形成第四电容即可，在此不作限定。

具体地，上述第一绝缘层531、第二绝缘层532、第三绝缘层533和第四绝缘层534可以采用沉积、涂覆或外延生长等工艺来形成；图形化的半导体层541可以采用沉积或外延生长以及光刻等工艺来形成；图形化的第一金属层52、图形化的公共电极走线55和图形化的漏电极542可以采用沉积或涂覆以及光刻等工艺来形成，其中沉积包括但不限于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)和化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，简称CVD)。

在本发明实施例中，进一步地，所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的材料可以为二氧化硅或者氮化硅。除此之外，上述绝缘层的材料也可以采用其他材料，例如有机膜等，在此不作限定。

如上所述，公共电极走线、第二绝缘层和半导体层之间形成有第三电容以及公共电极走线、第三绝缘层和漏电极之间形成有第四电容，且第三电容和第四电容构成阵列基板中像素的存储电容。本发明在第三电容和第四电容所构成的像素的存储电容基础上，通过在基板上形成第一金属层，并使得第一金属层与阵列基板中的第一绝缘层和半导体层形成第一电容以及与第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极走线形成第二电容，这样可以增加阵列基板中像素的存储电容，从而可以改善显示画面闪烁等问题。

在本发明实施例中，阵列基板的制造方法还可以包括：在步骤42的同时形成遮光层；以及在步骤46的同时形成栅电极，其中，栅电极形成在遮光层和半导体层的交叠处。需要说明的是，包括遮光层和栅电极的阵列基板的结构，请参见图2b，在此不再给出。具体地，上述的遮光层和栅电极可以采用沉积或涂覆等工艺来形成，其中，所述沉积包括但不限于物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。

由在步骤42的同时形成遮光层可知，第一金属层与遮光层形成在同一层。其中，第一金属层和遮光层可以采用同种材料，也可以采用不同种材料。进一步优选为第一金属层与遮光层采用同种材料，这样第一金属层和遮光层可以采用同步的制造工艺来制得，不仅可以减少制造阵列基板的工艺制程，而且还可以降低阵列基板的生产成本。

在本发明实施例中，优选地，通过上述步骤所形成的第一金属层处于悬空状态。在实际设计中，让第一金属层处于悬空状态，可以通过对第一金属层未施加任何电位来实现，这样第一金属层可以跟阵列基板中与其有交叠的带电体，例如所形成的半导体层和公共电极走线等形成电容，这些电容可以增加阵列基板中像素的存储电容。

本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法和显示面板，通过在阵列基板的基板上设置第一金属层，该第一金属层与阵列基板中的第一绝缘层和半导体层形成第一电容以及与第一绝缘层、第二绝缘层和公共电极走线形成第二电容，这样可以增加阵列基板中像素的存储电容，从而可以改善显示画面闪烁等问题。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，设置在所述基板上；

第一绝缘层，设置在所述第一金属层远离所述基板的一侧；

半导体层，设置在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧且与所述第一金属层交叠且电绝缘；

第二绝缘层，设置在所述半导体层远离所述基板的一侧；

公共电极走线，设置在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧且分别与所述半导体层和所述第一金属层交叠且电绝缘；

其中，所述第一金属层、所述第一绝缘层和所述半导体层之间形成有第一电容，所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述公共电极走线之间形成有第二电容；

所述第一金属层处于悬空状态；

所述阵列基板还包括漏电极，所述漏电极通过第一过孔与所述半导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅电极，设置在所述半导体层远离基板的一侧且与所述公共电极走线位于同一层，其中，所述栅电极与所述半导体层通过所述第二绝缘层电绝缘；以及

遮光层，设置在所述半导体层和所述基板之间且在所述栅电极与所述半导体层的交叠处，其中，所述遮光层与所述半导体层通过所述第一绝缘层电绝缘。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层与所述遮光层设置在同一层且采用同种材料。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第三绝缘层，设置在所述公共电极走线远离所述基板的一侧；

所述漏电极设置在所述第三绝缘层远离所述基板的一侧且与所述公共电极走线交叠且电绝缘；

所述公共电极走线、所述第二绝缘层和所述半导体层之间形成有第三电容，所述公共电极走线、所述第三绝缘层和所述漏电极之间形成有第四电容。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为低温多晶硅层。

6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成第一金属层；

在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成半导体层，所述第一金属层、所述第一绝缘层和所述半导体层之间形成有第一电容；

在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成公共电极走线，所述第一金属层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述公共电极走线之间形成有第二电容；

所述第一金属层处于悬空状态；

所述阵列基板还包括漏电极，所述漏电极通过第一过孔与所述半导体层电连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成第一金属层的步骤同时形成遮光层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成公共电极走线的步骤同时形成栅电极，其中，所述栅电极形成在所述遮光层和所述半导体层的交叠处。

10.根据权利要求7或9所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体层上形成公共电极走线的步骤之后，还包括：

在所述公共电极走线远离所述基板的一侧形成第三绝缘层；

在第三绝缘层远离所述基板的一侧形成所述漏电极，其中，所述公共电极走线、所述第二绝缘层和所述半导体层之间形成有第三电容，所述公共电极走线、所述第三绝缘层和所述漏电极之间形成有第四电容。

11.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层为低温多晶硅层。