CN114843286A - 阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置，该阵列基板包括衬底；像素结构，设置在衬底上，像素结构包括依次间隔设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和薄膜层，其中，第一金属层和第三金属层为公共电极，第二金属层和薄膜层为像素电极，第一金属层与第二金属层形成第一存储电容，第二金属层与第三金属层形成第二存储电容，第三金属层与薄膜层形成第三存储电容。本申请提供的阵列基板中像素结构形成有三个存储电容，在不改变像素结构空间及不增加杂散电容的前提下增大了存储电容的电容值，减小了像素结构漏电的影响。

Description

阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置
技术领域
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置。
背景技术
随着科技的不断发展，电子数码产品更新换代的频率越来越高，同时也不断研制出各种新型产品。电子纸显示装置是一种新型的显示器件，主要用于电子标签、广告牌和电子阅读器等设备中。该电子纸显示装置的显示效果接近自然纸张的效果，可降低阅读时的视觉疲劳。由于电子纸显示装置中像素结构的保持时间较长，要求较大的存储电容设计，以减小像素漏电的影响。
相关技术的电子纸显示装置中，由于像素结构较小，对于高像素密度的像素结构中增大像素电极与公共电极的空间有限，同时会有增加其他杂散电容的风险。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及电子纸显示装置，增大了存储电容的电容值，减小了像素结构漏电的影响。
第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
衬底；
像素结构，设置在所述衬底上，所述像素结构包括依次间隔设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和薄膜层，其中，所述第一金属层和所述第三金属层为公共电极，所述第二金属层和所述薄膜层为像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层形成第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层形成第二存储电容，所述第三金属层与所述薄膜层形成第三存储电容。
可选的，在一些实施例中，所述像素结构中所述第一金属层与所述第二金属层之间设置有绝缘层，所述第二金属层与所述第三金属层之间设置有第一平坦层和钝化层，所述第一平坦层设置在所述第二金属层上，所述钝化层设置在所述第一平坦层上，所述第三金属层与所述薄膜层之间设置有第二平坦层。
可选的，在一些实施例中，所述像素结构包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述第一像素区域包括所述第一金属层的第一部分、所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及所述薄膜层的第一部分，所述第二像素区域包括所述第一金属层的第二部分、所述第三金属层的第二部分以及所述薄膜层的第二部分，所述第一金属层的第一部分与所述第二金属层形成所述第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层的第一部分形成所述第二存储电容，所述第三金属层的第一部分与所述薄膜层的第一部分以及所述第三金属层的第二部分与所述薄膜层的第二部分形成所述第三存储电容。
可选的，在一些实施例中，所述第一像素区域设置有第一过孔，所述第一过孔依次贯穿所述第二平坦层、所述第三金属层、所述钝化层以及所述第一平坦层延伸至所述第二金属层的上表面，所述第一过孔与所述第二金属层形成第一凹槽，所述薄膜层的一部分覆盖在所述第一凹槽的底部和侧壁，以使所述薄膜层对应的像素电极与所述第二金属层对应的像素电极接触。
可选的，在一些实施例中，所述第二像素区域设置有第二过孔，所述第二过孔依次贯穿所述钝化层、所述第一平坦层以及所述绝缘层延伸至所述第一金属层的上表面，所述第二过孔与所述第一金属层形成第二凹槽，所述第三金属层的一部分覆盖在所述第二凹槽的底部和侧壁，以使所述第三金属层对应的公共电极与所述第一金属层对应的公共电极接触。
可选的，在一些实施例中，所述第一像素区域中所述第一金属层的第一部分与所述第二像素区域中所述第一金属层的第二部分采用同一工艺制成，所述第一像素区域中所述第三金属层的第一部分与所述第二像素区域中所述第三金属层的第二部分采用同一工艺制成，所述第一像素区域中所述薄膜层的第一部分与所述第二像素区域中所述薄膜层的第二部分采用同一工艺制成。
第二方面，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，并在所述第一金属层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二金属层，并在所述第二金属层上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成第三金属层；
在所述第三金属层上形成第二平坦层，并在所述第二平坦层上形成薄膜层；其中，
所述第一金属层和所述第三金属层为公共电极，所述第二金属层和所述薄膜层为像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层形成第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层形成第二存储电容，所述第三金属层与所述薄膜层形成第三存储电容。
可选的，在一些实施例中，所述阵列基板包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述在所述第三金属层上形成第二平坦层，并在所述第二平坦层上形成薄膜层，包括：
在所述第一像素区域形成贯穿所述第二平坦层、所述第三金属层、所述钝化层以及所述第一平坦层延伸至所述第二金属层的上表面的第一过孔，其中，所述第一过孔与所述第二金属层形成第一凹槽；
在所述第一凹槽的底部和侧壁以及所述第二平坦层上形成所述薄膜层，以使所述薄膜层对应的像素电极与所述第二金属层对应的像素电极接触。
可选的，在一些实施例中，所述阵列基板包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述在所述第一平坦层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成第三金属层，包括：
在所述第二像素区域形成贯穿所述钝化层、所述第一平坦层以及所述绝缘层延伸至所述第一金属层的上表面，其中，所述第二过孔与所述第一金属层形成第二凹槽；
在所述第二凹槽的底部和侧壁以及所述钝化层上形成所述第三金属层，以使所述第三金属层对应的公共电极与所述第一金属层对应的公共电极接触。
第三方面，本申请实施例还提供一种电子纸显示装置，包括：
阵列基板，包括如上任一项所述的阵列基板；
盖板，所述盖板与所述阵列基板相对设置；
电泳层，所述电泳层设置在所述阵列基板和所述盖板之间。
本申请实施例提供的阵列基板包括衬底；像素结构，设置在衬底上，像素结构包括第一金属层、第二金属层、第三金属层和薄膜层，其中，第一金属层和第三金属层为公共电极，第二金属层和薄膜层为像素电极，第一金属层与第二金属层形成第一存储电容，第二金属层与第三金属层形成第二存储电容，第三金属层与薄膜层形成第三存储电容。本申请提供的阵列基板中通过改变第三金属层的制程顺序，在薄膜层与第三金属层之间形成第三存储电容，使得像素结构形成有三个存储电容，阵列基板中的总存储电容值为第一存储电容的电容值、第二存储电容的电容值以及第三存储电容的电容值的电容值之和，因此，在不改变像素结构空间及不增加杂散电容的前提下，增大了存储电容的电容值，不仅减小了像素漏电的影响，还可提高采用该阵列基板的电子纸显示装置的显示效果。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的现有技术中阵列基板的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的像素结构的俯视图
图4为图3所示的像素结构沿A-A方向的剖面结构示意图。
图5为图3所示的像素结构沿B-B方向的剖面结构示意图。
图6为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其它元件或者物件。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的相关技术中阵列基板的结构示意图。其中，阵列基板100可以包括衬底101，在衬底101上形成有像素结构，该像素结构可以在衬底101上分别采用掩膜工艺依次制备形成第一金属层102、绝缘层103、半导体层104、第二金属层105、第一平坦层106、钝化层107、第二平坦层108、第三金属层109以及薄膜层110。
其中，通过第一金属层102、第二金属层105以及第三金属层109可以使得像素结构中形成两个存储电容。具体地，第一金属层102和第三金属层109可以作为像素结构的像素电极，第二金属层105可以作为像素结构的公共电极，第一金属层102与第二金属层105可以形成第一存储电容，第二金属层105与第三金属层109可以形成第二存储电容。
需要说明的是，电子纸显示装置中像素结构的保持时间较长，要求较大的存储电容设计以减小像素漏电的影响，然而，相关技术中公开的电子纸显示装置中阵列基板包括两个存储电容，使得阵列基板中的存储电容的电容值较小，减小像素结构漏电的效果有限。
但电子纸显示装置中的像素结构较小，对于高像素密度的像素结构中增大像素电极与公共电极的空间有限，并且还会增加其他杂散电容的风险。
为满足在电子纸显示装置的有限像素结构空间内解决现有技术中存储电容的电容值较小的问题，本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法以及电子纸显示装置。请参阅图2，图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。其中，阵列基板100可以包括衬底101和像素结构200，像素结构200设置在衬底101上，像素结构200可以包括第一金属层201、第二金属层202、第三金属层203以及薄膜层204。
其中，第一金属层201、第二金属层202和第三金属层203可以由钼、铝、铜、钛等金属材料制程，且具有一定的图形，该图形可以采用一次构图工艺制备形成，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等。即第一金属层201、第二金属层202和第三金属层203在衬底101上的正投影不占用衬底101的全部区域，而是以一定图形的形式设置在衬底101上。
本实施例提供的阵列基板100与相关技术中的阵列基板100的区别在于：第一金属层201和第三金属层203作为像素结构200的公共电极，而第二金属层202和薄膜层204作为像素结构200的像素电极。
具体地，第一金属层201与第二金属层202之间可以形成第一存储电容，第二金属层202与第三金属层203之间可以形成第二存储电容，第三金属层203与薄膜层204之间可以形成第三存储电容。
可选的，像素结构200在衬底101上按照第一金属层201、第二金属层202、第三金属层203和薄膜层204的顺序依次排列，且第一金属层201与第二金属层202间隔设置，第二金属层202与第三金属层203间隔设置，第三金属层203与薄膜层204间隔设置。其中，薄膜层204可以为氧化铟锡薄膜材料，氧化铟锡薄膜是一种混合物，主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜、各种光学镀膜等，氧化铟锡薄膜具有电学传到和光学透明的特性。薄膜层204不仅可以作为存储电容中的像素电极，还可以对像素结构200起到保护作用。
本实施例提供的阵列基板中通过改变第三金属层203的制程顺序，在薄膜层204与第三金属层203之间形成第三存储电容，使得像素结构形成有三个存储电容，阵列基板中的总存储电容值为第一存储电容的电容值、第二存储电容的电容值以及第三存储电容的电容值之和，因此，在不改变像素结构200空间及不增加杂散电容的前提下，增大了整个像素结构200中存储电容的电容值，不仅减小了像素漏电的影响，还可提高采用该阵列基板100的电子纸显示装置的显示效果。
进一步的，请继续参阅图2，像素结构200在衬底101上依次设置有第一金属层201、绝缘层205、半导体层206、第二金属层202、第一平坦层207、钝化层208、第三金属层203、第二平坦层209以及薄膜层204。其中，第一金属层201、绝缘层205、半导体层206、第二金属层202、钝化层208、第三金属层203、第二平坦层209以及薄膜层204均可以采用掩膜工艺制备，即制备像素结构200采用了八次掩膜工艺制备。其中，绝缘层205设置在第一金属层201与第二金属层202之间，第一平坦层207和钝化层208设置在第二金属层202与第三金属层203之间，且钝化层208设置在第一平坦层207上，第二平坦层209设置在第三金属层203与薄膜层204之间。
具体地，可以在衬底101上沉积第一金属层201，并定义出图形；在第一金属层201上沉积绝缘层205；在绝缘层205上沉积半导体层206；在半导体层206上沉积第二金属层202，且第二金属层202的一部分设置在绝缘层205上；在第二金属层202上沉积第一平坦层207；在第一平坦层207上沉积钝化层208；在钝化层208上沉积第三金属层203；在第三金属层203上沉积第二平坦层209；最后，在第二平坦层209上沉积薄膜层204，薄膜层204对整个像素结构起到保护作用。本实施例与现有技术制备像素结构200过程的区别在于：现有技术中是先在钝化层107上沉积第二平坦层108，然后在第二平坦层108上沉积第三金属层109，最后在第三金属层109上沉积薄膜层110。可以看出，本实施例将第二平坦层209和第三金属层203的制备顺序改变了，由于现有技术中第三金属层109与薄膜层110直接接触，因此二者之间无法形成存储电容，而本实施例通过在第三金属层203和薄膜层204之间设置第二平坦层209，使得第三金属层203和薄膜层204形成第三存储电容，从而增加了像素结构200整体的存储电容的电容值。
请参阅图3至图5，图3为本申请实施例提供的像素结构的俯视图，图4为图3所示的像素结构沿A-A方向的剖面结构示意图，图5为图3所示的像素结构沿B-B方向的剖面结构示意图。其中，该像素结构200可以包括第一像素区域220和第二像素区域240，第一像素区域220和第二像素区域240相邻设置。
其中，第一像素区域220可以包括第一金属层的第一部分2011、第二金属层202、第三金属层的第一部分2031以及薄膜层的第一部分2041。第一金属层的第一部分2011与第二金属层202之间形成第一存储电容，第二金属层202与第三金属层的第一部分2031之间形成第二存储电容，第三金属层的第一部分2031与薄膜层的第一部分2041形成第三存储电容。
可选的，在第一像素区域220中，在衬底101上依次设置第一金属层的第一部分2011、绝缘层205、第二金属层202、第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第一部分2031、第二平坦层209以及薄膜层的第一部分2041。
需要说明的是，请继续参阅图3，第一像素区域220设置有第一过孔221，第一过孔221可以依次贯穿第二平坦层209、第三金属层203具体为第三金属层的第一部分2031、钝化层208以及第一平坦层207，并延伸至第二金属层202的上表面，从而使得第一过孔221与第二金属层202的上表面之间形成第一凹槽222。
具体地，第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第一部分2031和第二平坦层209通过构图工艺定义出图形，从而在第一像素区域220形成贯穿第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第一部分2031和第二平坦层209的第一过孔221，使得薄膜层的第一部分2041可以一部分覆盖在第一凹槽222的底部和侧壁，以使薄膜层的第一部分2041对应的像素电极与第二金属层202对应的像素电极接触，实现两个像素电极的连接。另外，薄膜层的第一部分2041的另一部分覆盖在第二平坦层209上。
其中，第二像素区域240可以包括第一金属层的第二部分2012、第三金属层的第二部分2032以及薄膜层的第二部分2042，第二像素区域240与第一像素区域220的区别在于第二像素区域240上并未设置第二金属层202，即第二金属层202仅设置在第一像素区域220，第二金属层202在衬底101上的正投影区域不在第二像素区域240内那么可以将第二金属层202作为第一像素区域220和第二像素区域240的分界线。第三金属层的第二部分2032与薄膜层的第二部分2042之间形成第三存储电容。
需要说明的是，由于第三金属层的第一部分2031和第三金属层的第二部分2032处于同一层，且通过同一工艺制成；薄膜层的第一部分2041和薄膜层的第二部分2042处于同一层，且通过同一工艺制成，因此，第三存储电容可以通过第三金属层的第一部分2031与薄膜层的第一部分2041形成，也可以通过第三金属层的第二部分2032与薄膜层的第二部分2042形成。
可选的，在第二像素区域240中，在衬底101上依次设置第一金属层的第二部分2012、绝缘层205、第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第二部分2032、第二平坦层209以及薄膜层的第二部分2042。
需要说明的是，请继续参阅图3，第二像素区域240设置有第二过孔223，第二过孔223可以依次贯穿钝化层208、第一平坦层207以及绝缘层205，并延伸至第一金属层的第二部分2012的上表面，从而使得第二过孔223与第一金属层的第二部分2012的上表面形成第二凹槽224。
具体地，绝缘层205、第一平坦层207和钝化层208通过构图工艺定义出图形，从而在第二像素区域240形成贯穿绝缘层205、第一平坦层207和钝化层208的第二过孔223，使得第三金属层的第二部分2032可以一部分覆盖在第二凹槽224的底部和侧壁，以使第三金属层的第二部分2032对应的公共电极与第一金属层的第二部分2012对应的公共电极接触，实现两个公共电极的连接。另外，第三金属层的第二部分2032的另一部分覆盖在钝化层208上，第二平坦层209覆盖在钝化层上且第二平坦层209的一部分位于第二凹槽224内；薄膜层的第二部分2042覆盖在第二平坦层209上且薄膜层的第二部分2042的一部分位于第二凹槽224内。
需要说明的是，第一像素区域220中的第一金属层的第一部分2011、薄膜层的第一部分2041和第三金属层的第一部分2031与第二像素区域240中的第一金属层的第二部分2012、薄膜层的第二部分2042和第三金属层的第二部分2032可以采用同一工艺制成，从而可以减少制备工艺流程，并且采用同一工艺制备可以保证第一像素区域220和第二像素区域240中的层叠结构更加平缓。
可以理解的是，本实施例提供的阵列基板100与相关技术中的阵列基板100的区别通过改变第二平坦层209与第三金属层203的制程顺序，使得在第三金属层203与薄膜层204之间设置有第二平坦层209，从而在第三金属层203与薄膜层204之间形成了第三存储电容，形成了三个存储电容，相较于相关技术增加了存储电容的电容值。另外，将第二平坦层209设置在第三金属层203上也可以防止第三金属层203被腐蚀。
由上可知，本实施例提供的阵列基板100中改变第三金属层203的制程顺序，在薄膜层204与第三金属层203之间形成第三存储电容，使得像素结构形成有三个存储电容，阵列基板中的总存储电容值第一存储电容的电容值、第二存储电容的电容值以及第三存储电容的电容值的电容值之和，因此，在不改变像素结构200空间及不增加杂散电容的前提下，增大了存储电容的电容值，另外，通过在不同像素区域开设过孔使得两个像素电极以及两个公共电极相互连接，不仅减小了像素漏电的影响，还可提高采用该阵列基板100的电子纸显示装置的显示效果。
另外，仅通过改变第二平坦层209与第三金属层203之间的制程顺序，并未增加制程工艺及成本，通过简单的方式实现减小了像素结构漏电的技术效果。
本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，请参阅图6，图6为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。其中，该阵列基板可以应用于电子纸显示装置，该阵列基板的制备方法的具体步骤如下：
301，提供一衬底。
提供一衬底，该衬底可以为玻璃衬底或透明材料的衬底。
302，在衬底上形成第一金属层，并在第一金属层上形成绝缘层。
在衬底上形成第一金属层，第一金属层采用一次构图工艺制备形成，即第一金属层在衬底上的正投影区域不占用衬底的全部区域，而是以一定图形的形式设置在衬底上。在第一金属层上沉积形成绝缘层。
303，在绝缘层上形成第二金属层，并在第二金属层上形成第一平坦层。
304，在第一平坦层上形成钝化层，并在钝化层上形成第三金属层。
305，在第三金属层上形成第二平坦层，并在第二平坦层上形成薄膜层。
其中，第一金属层和第三金属层为公共电极，第二金属层和薄膜层为像素电极，第一金属层与第二金属层间隔设置，第二金属层与第三金属层间隔设置，第三金属层与薄膜层间隔设置。第一金属层与第二金属层形成第一存储电容，第二金属层与第三金属层形成第二存储电容，第三金属层与薄膜层形成第三存储电容。
像素结构在衬底101上依次设置有第一金属层201、绝缘层205、半导体层206、第二金属层202、第一平坦层207、钝化层208、第三金属层203、第二平坦层209以及薄膜层204。其中，第一金属层201、绝缘层205、半导体层206、第二金属层202、钝化层208、第三金属层203、第二平坦层209以及薄膜层204均可以采用掩膜工艺制备，即制备像素结构200采用了八次掩膜工艺制备。其中，绝缘层205设置在第一金属层201与第二金属层202之间，第一平坦层207和钝化层208设置在第二金属层202与第三金属层203之间，且钝化层208设置在第一平坦层207上，第二平坦层209设置在第三金属层203与薄膜层204之间。
具体地，可以在衬底101上沉积第一金属层201，并定义出图形；在第一金属层201上沉积绝缘层205；在绝缘层205上沉积半导体层206；在半导体层206上沉积第二金属层202，且第二金属层202的一部分设置在绝缘层205上；在第二金属层202上沉积第一平坦层207；在第一平坦层207上沉积钝化层208；在钝化层208上沉积第三金属层203；在第三金属层203上沉积第二平坦层209；最后，在第二平坦层209上沉积薄膜层204，薄膜层204对整个像素结构起到保护作用。本实施例与现有技术制备像素结构200过程的区别在于：现有技术中是先在钝化层107上沉积第二平坦层108，然后在第二平坦层108上沉积第三金属层109，最后在第三金属层109上沉积薄膜层110。可以看出，本实施例将第二平坦层209和第三金属层203的制备顺序改变了，由于现有技术中第三金属层109与薄膜层110直接接触，因此二者之间无法形成存储电容，而本实施例通过在第三金属层203和薄膜层204之间设置第二平坦层209，使得第三金属层203和薄膜层204形成第三存储电容，从而增加了像素结构200整体的存储电容的电容值。
其中，该像素结构200可以包括第一像素区域220和第二像素区域240，第一像素区域220和第二像素区域240相邻设置。
其中，第一像素区域220可以包括第一金属层的第一部分2011、第二金属层202、第三金属层的第一部分2031以及薄膜层的第一部分2041。第一金属层的第一部分2011与第二金属层202之间形成第一存储电容，第二金属层202与第三金属层的第一部分2031之间形成第二存储电容，第三金属层的第一部分2031与薄膜层的第一部分2041形成第三存储电容。
可选的，在第一像素区域220中，在衬底101上依次设置第一金属层的第一部分2011、绝缘层205、第二金属层202、第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第一部分2031、第二平坦层209以及薄膜层的第一部分2041。
第一像素区域220设置有第一过孔221，第一过孔221可以依次贯穿第二平坦层209、第三金属层203具体为第三金属层的第一部分2031、钝化层208以及第一平坦层207，并延伸至第二金属层202的上表面，从而使得第一过孔221与第二金属层202的上表面之间形成第一凹槽222。
具体地，第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第一部分2031和第二平坦层209通过构图工艺定义出图形，从而在第一像素区域220形成贯穿第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第一部分2031和第二平坦层209的第一过孔221，使得薄膜层的第一部分2041可以一部分覆盖在第一凹槽222的底部和侧壁，以使薄膜层的第一部分2041对应的像素电极与第二金属层202对应的像素电极接触，实现两个像素电极的连接。另外，薄膜层的第一部分2041的另一部分覆盖在第二平坦层209上。
其中，第二像素区域240可以包括第一金属层的第二部分2012、第三金属层的第二部分2032以及薄膜层的第二部分2042，第二像素区域240与第一像素区域220的区别在于第二像素区域240上并未设置第二金属层202，即第二金属层202仅设置在第一像素区域220，第二金属层202在衬底101上的正投影区域不在第二像素区域240内那么可以将第二金属层202作为第一像素区域220和第二像素区域240的分界线。第三金属层的第二部分2032与薄膜层的第二部分2042之间形成第三存储电容。
需要说明的是，由于第三金属层的第一部分2031和第三金属层的第二部分2032处于同一层，且通过同一工艺制成；薄膜层的第一部分2041和薄膜层的第二部分2042处于同一层，且通过同一工艺制成，因此，第三存储电容可以通过第三金属层的第一部分2031与薄膜层的第一部分2041形成，也可以通过第三金属层的第二部分2032与薄膜层的第二部分2042形成。
可选的，在第二像素区域240中，在衬底101上依次设置第一金属层的第二部分2012、绝缘层205、第一平坦层207、钝化层208、第三金属层的第二部分2032、第二平坦层209以及薄膜层的第二部分2042。
由上可知，本实施例提供的阵列基板中改变第三金属层的制程顺序，在薄膜层与第三金属层之间形成第三存储电容，使得像素结构形成有三个存储电容，阵列基板中的总存储电容值第一存储电容的电容值、第二存储电容的电容值以及第三存储电容的电容值的电容值之和，因此，在不改变像素结构200空间及不增加杂散电容的前提下，增大了存储电容的电容值，另外，通过在不同像素区域开设过孔使得两个像素电极以及两个公共电极相互连接，不仅减小了像素漏电的影响，还可提高采用该阵列基板的电子纸显示装置的显示效果。
需要说明的是，第二像素区域240设置有第二过孔223，第二过孔223可以依次贯穿钝化层208、第一平坦层207以及绝缘层205，并延伸至第一金属层的第二部分2012的上表面，从而使得第二过孔223与第一金属层的第二部分2012的上表面形成第二凹槽224。
具体地，绝缘层205、第一平坦层207和钝化层208通过构图工艺定义出图形，从而在第二像素区域240形成贯穿绝缘层205、第一平坦层207和钝化层208的第二过孔223，使得第三金属层的第二部分2032可以一部分覆盖在第二凹槽224的底部和侧壁，以使第三金属层的第二部分2032对应的公共电极与第一金属层的第二部分2012对应的公共电极接触，实现两个公共电极的连接。另外，第三金属层的第二部分2032的另一部分覆盖在钝化层208上，第二平坦层209覆盖在钝化层上且第二平坦层209的一部分位于第二凹槽224内；薄膜层的第二部分2042覆盖在第二平坦层209上且薄膜层的第二部分2042的一部分位于第二凹槽224内。
需要说明的是，第一像素区域220中的第一金属层的第一部分2011、薄膜层的第一部分2041和第三金属层的第一部分2031与第二像素区域240中的第一金属层的第二部分2012、薄膜层的第二部分2042和第三金属层的第二部分2032可以采用同一工艺制成，从而可以减少制备工艺流程，并且采用同一工艺制备可以保证第一像素区域220和第二像素区域240中的层叠结构更加平缓。
可以理解的是，本实施例提供的阵列基板100与相关技术中的阵列基板100的区别通过改变第二平坦层209与第三金属层203的制程顺序，使得在第三金属层203与薄膜层204之间设置有第二平坦层209，从而在第三金属层203与薄膜层204之间形成了第三存储电容，形成了三个存储电容，相较于相关技术增加了存储电容的电容值。另外，将第二平坦层209设置在第三金属层203上也可以防止第三金属层203被腐蚀。
另外，仅通过改变第二平坦层与第三金属层之间的制程顺序，并未增加制程工艺及成本，通过简单的方式实现减小了像素结构漏电的技术效果。
本申请实施例还提供一种电子纸显示装置，该电子纸显示装置可以为手表、手环等可穿戴设备，或者，该显示装置可以为手机或平板电脑等电子设备，或者，该显示装置可以为电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等具有显示功能的产品或部件等。
该电子纸显示装置可以包括阵列基板100、盖板和电泳层。其中，盖板与阵列基板100相对设置；电泳层、设置在、阵列基板和、盖板之间，阵列基板100中具有阵列排布的多个像素结构，每个像素结构包括像素电极和公共电极，像素电极和公共电极可以形成至少三个存储电容，通过形成存储电容以维持像素电极上加载的电压的稳定性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的阵列基板、阵列基板的制备方法以及电子纸显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
像素结构，设置在所述衬底上，所述像素结构包括依次间隔设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和薄膜层，其中，所述第一金属层和所述第三金属层为公共电极，所述第二金属层和所述薄膜层为像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层形成第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层形成第二存储电容，所述第三金属层与所述薄膜层形成第三存储电容。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构中所述第一金属层与所述第二金属层之间设置有绝缘层，所述第二金属层与所述第三金属层之间设置有第一平坦层和钝化层，所述第一平坦层设置在所述第二金属层上，所述钝化层设置在所述第一平坦层上，所述第三金属层与所述薄膜层之间设置有第二平坦层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素结构包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述第一像素区域包括所述第一金属层的第一部分、所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及所述薄膜层的第一部分，所述第二像素区域包括所述第一金属层的第二部分、所述第三金属层的第二部分以及所述薄膜层的第二部分，所述第一金属层的第一部分与所述第二金属层形成所述第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层的第一部分形成所述第二存储电容，所述第三金属层的第一部分与所述薄膜层的第一部分以及所述第三金属层的第二部分与所述薄膜层的第二部分形成所述第三存储电容。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素区域设置有第一过孔，所述第一过孔依次贯穿所述第二平坦层、所述第三金属层、所述钝化层以及所述第一平坦层延伸至所述第二金属层的上表面，所述第一过孔与所述第二金属层形成第一凹槽，所述薄膜层的一部分覆盖在所述第一凹槽的底部和侧壁，以使所述薄膜层对应的像素电极与所述第二金属层对应的像素电极接触。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素区域设置有第二过孔，所述第二过孔依次贯穿所述钝化层、所述第一平坦层以及所述绝缘层延伸至所述第一金属层的上表面，所述第二过孔与所述第一金属层形成第二凹槽，所述第三金属层的一部分覆盖在所述第二凹槽的底部和侧壁，以使所述第三金属层对应的公共电极与所述第一金属层对应的公共电极接触。
6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素区域中所述第一金属层的第一部分与所述第二像素区域中所述第一金属层的第二部分采用同一工艺制成，所述第一像素区域中所述第三金属层的第一部分与所述第二像素区域中所述第三金属层的第二部分采用同一工艺制成，所述第一像素区域中所述薄膜层的第一部分与所述第二像素区域中所述薄膜层的第二部分采用同一工艺制成。
7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成第一金属层，并在所述第一金属层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二金属层，并在所述第二金属层上形成第一平坦层；
在所述第一平坦层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成第三金属层；
在所述第三金属层上形成第二平坦层，并在所述第二平坦层上形成薄膜层；其中，
所述第一金属层和所述第三金属层为公共电极，所述第二金属层和所述薄膜层为像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层形成第一存储电容，所述第二金属层与所述第三金属层形成第二存储电容，所述第三金属层与所述薄膜层形成第三存储电容。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述在所述第三金属层上形成第二平坦层，并在所述第二平坦层上形成薄膜层，包括：
在所述第一像素区域形成贯穿所述第二平坦层、所述第三金属层、所述钝化层以及所述第一平坦层并延伸至所述第二金属层的上表面的第一过孔，其中，所述第一过孔与所述第二金属层形成第一凹槽；
在所述第一凹槽的底部和侧壁以及所述第二平坦层上形成所述薄膜层，以使所述薄膜层对应的像素电极与所述第二金属层对应的像素电极接触。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括相邻设置的第一像素区域和第二像素区域，所述在所述第一平坦层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成第三金属层，包括：
在所述第二像素区域形成贯穿所述钝化层、所述第一平坦层以及所述绝缘层并延伸至所述第一金属层的上表面，其中，所述第二过孔与所述第一金属层形成第二凹槽；
在所述第二凹槽的底部和侧壁以及所述钝化层上形成所述第三金属层，以使所述第三金属层对应的公共电极与所述第一金属层对应的公共电极接触。
10.一种电子纸显示装置，其特征在于，包括：
阵列基板，包括如权利要求1至6任一项所述的阵列基板；
盖板，所述盖板与所述阵列基板相对设置；
电泳层，所述电泳层设置在所述阵列基板和所述盖板之间。
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