CN106547129A - 一种In‑cell阵列基板及显示装置 - Google Patents

一种In‑cell阵列基板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106547129A
CN106547129A CN201611047979.3A CN201611047979A CN106547129A CN 106547129 A CN106547129 A CN 106547129A CN 201611047979 A CN201611047979 A CN 201611047979A CN 106547129 A CN106547129 A CN 106547129A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
sub
public
array base
cell array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611047979.3A
Other languages
English (en)
Inventor
洪光辉
龚强
陈归
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201611047979.3A priority Critical patent/CN106547129A/zh
Publication of CN106547129A publication Critical patent/CN106547129A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line

Abstract

本发明提供一种In‑cell阵列基板及显示装置，该In‑cell阵列基板包括一像素结构，所述像素结构包括：多条栅极线；与所述多条栅极线交叉的数据线；其中，所述多条栅极线与所述多条数据线交叉限定多个子像素，所述多个子像素组成多个触控像素单元，且每个所述触控像素单元的每行子像素均设有一条公共金属线，且所述公共金属线与所述触控像素单元的公共电极的电位相同，所述公共金属线与该行的所述子像素的像素电极交叠形成第一存储电容。本发明改善了现有技术的In‑cell阵列基板由于存储电容数量不足，造成的画面闪烁和串扰等不良问题。

Description

一种In-cell阵列基板及显示装置
【技术领域】
本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种In-cell阵列基板及显示装置。
【背景技术】
液晶显示器(Liquid crystal display，LCD)是目前被广泛应用的一种平面显示器。一般来说，LCD的显示区域内包含多个主像素区，每个主像素区包括三个子像素区，每个子像素区内设置一个薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)和像素电极(PixelElectrode)，其中薄膜晶体管是用来作为开关组件的。
目前，在3D显示中，为了避免因纵向排列的光栅格子的阻挡而导致的显示颜色的偏离和色差，通常将各种颜色的子像素横向排列。目前的像素横向排列方式包括以下几种：单栅极驱动的竖屏横用的像素横向排列方式，双栅极驱动的像素横向排列方式和三栅极驱动的像素横向排列方式。
现有技术中，无论采取哪种横向排列方式的像素结构的液晶显示装置，其中存储电容均是由像素电极和公共电极交叠而成。In-cell面板，是将TP功能集成在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)Array制程中的一种面板设计方案，可以实现面板乃至整机的轻薄化。自容式Incell是IncellTP的一种类型，其通常包括IMI结构的自容式Incell面板和MII结构的自容式Incell面板。现在常用的IMI结构的自容式Incell面板，由于触控电极层位于两层ITO之间(BITO和TITO之间，即公共电极和像素电极之间)，这样会减小自容式Incell面板的存储电容(Cst)，进而可能会出现由面板的存储电容(Cst)不足所造成的画面闪烁(即Flicker)和画面串扰(即Crosstalk)不良等问题，最终影响面板的显示品质。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种In-cell阵列基板及显示装置，以改善现有技术的In-cell阵列基板由于存储电容数量不足，造成的画面闪烁和串扰等不良问题。
本发明的技术方案如下：
一种In-cell阵列基板，其包括一像素结构，所述像素结构包括：
多条栅极线；
与所述多条栅极线交叉的数据线；
其中，所述多条栅极线与所述多条数据线交叉限定多个子像素，所述多个子像素组成多个触控像素单元，且每个所述触控像素单元的每行子像素均设有一条公共金属线，且所述公共金属线与所述触控像素单元的公共电极的电位相同，所述公共金属线与该行的所述子像素的像素电极交叠形成第一存储电容。
优选地，该公共金属线与所述栅极线位于同一层。
优选地，所述公共金属线与所述栅极线平行排列。
优选地，每个所述触控像素单元设有独立的所述公共电极，且在水平方向上，相邻的两个所述触控像素单元的所述公共金属线不相连。
优选地，每条所述公共金属线在位于每个所述子像素的显示区的半导体有源层对应处连接有金属块，所述金属块与所述公共金属线为一体化结构，且两者电位相同，所述金属块与所述半导体有源层形成第二存储电容。
优选地，一部分所述子像素的平坦层与栅极绝缘层设有过孔，所述公共金属线通过穿过所述过孔的导线与所述公共电极连接，以使所述公共金属线与所述公共电极的电位相同。
优选地，在一个所述触控像素单元所包含的多个所述子像素中，有一部分设有所述过孔。
优选地，每个所述触控像素单元的一行或一列所述子像素中，至少设有两个不相邻排列的所述第一子像素。
优选地，每个所述触控像素单元中，所述第二子像素的数量多于设有所述第一子像素，所述触控像素单元为正方形或长方形形状。
一种显示装置，其包括上述任一项所述的In-cell阵列基板。
本发明的有益效果：
本发明的一种In-cell阵列基板及显示装置，通过在In-cell阵列基板上增加一条公共金属线，该公共金属线的电位与公共电极的电位相同，并且该公共金属线和对应行的子像素的像素电极交叠形成存储电容，这样就实际上增加了In-cell阵列基板的存储电容的数量，避免了画面闪烁和串扰等不良问题。
【附图说明】
图1为本发明实施例的一种In-cell阵列基板的像素结构示意图；
图2为现有技术的一种In-cell阵列基板的像素结构示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
实施例一
请参考图1，图1为本实施例的一种In-cell阵列基板的像素结构示意图，从图1可以看到，本发明的一种In-cell阵列基板，其包括一像素结构，其中所述像素结构包括：
多条栅极线Gate；
与所述多条栅极线Gate交叉的数据线(图中未标示)；
其中，所述多条栅极线Gate与所述多条数据线交叉限定多个子像素，所述多个子像素组成多个触控像素单元10，且每个所述触控像素单元10的每行子像素均设有一条公共金属线20，且所述公共金属线20与所述触控像素单元10的公共电极(图中未标示)的电位相同，所述公共金属线20与该行的所述子像素的像素电极交叠形成第一存储电容(图中未标示)。该公共金属线20和公共电极不在一个层面，并且两者之间有交叠面。
在本实施例中，该公共金属线20与所述栅极线Gate位于同一层。
在本实施例中，所述公共金属线20与所述栅极线Gate平行排列。
在本实施例中，每个所述触控像素单元10设有独立的所述公共电极，且在水平方向上，相邻的两个所述触控像素单元10的所述公共金属线20不相连。这是因为每个触控像素单元10的公共电极是独立的，和其它触控像素单元10的公共电极是不相连的，因此相邻的两个所述触控像素单元10的所述公共金属线20也不需要相连，这样可以节省金属材料。
在本实施例中，每条所述公共金属线20在位于每个所述子像素的显示区的半导体有源层(图中未标示)对应处连接有金属块(图中未标示)，所述金属块与所述公共金属线20为一体化结构，且两者电位相同，所述金属块与所述半导体有源层形成第二存储电容(图中未标示)。这样就进一步增加了存储电容。
在本实施例中，一部分所述子像素的平坦层(图中未标示)与栅极绝缘层(图中未标示)设有过孔(图中未标示)，所述公共金属线20通过穿过所述过孔的导线与所述公共电极连接，以使所述公共金属线20与所述公共电极的电位相同。
进一步地，每个所述触控像素单元10的所述子像素包括两种类型，一种为设有所述过孔的第一子像素b，另一种为不设所述过孔的第二子像素c。这样设计是为了使得子像素的开口率更大一些，如果所有子像素都是第一子像素b，由于设有过孔，会减小子像素的开口率。
进一步地，每个所述触控像素单元10的一行或一列所述子像素中，至少设有两个不相邻排列的所述第一子像素b。这样设计时为了使得公共金属线20与公共电极的导线接触稳定，避免接触不良的现象出现，因为公共金属线20可以通过第一子像素b的过孔和公共电极进行导线连接，连接点越多接触就越稳定，但是接触点越多同时也会使得子像素的开口率减小，因此每个触控像素单元10的一行或一列所述子像素中，设置多少个第一子像素b需要按照经验值来定，一般至少要两个以上。
进一步地，每个所述触控像素单元10中，所述第二子像素c的数量多于设有所述第一子像素b，所述触控像素单元10为正方形或长方形形状。这样就保证了子像素的开口率达到一定的要求，使得显示效果保持良好的状态。
请参考图2，图2为现有技术的一种In-cell阵列基板的像素结构示意图，从图2可以看到，现有技术的In-cell阵列基板的触控像素单元1不像本发明的触控像素单元10那样，增设有与其栅极线Gate平行排列的公共金属线20，另外它的子像素a的类型只有一种，而本发明的子像素类型有两种，一种是设有过孔的第一子像素b，另一种则是没有设有过孔第二子像素c，这样就增大了面板的开口率。
本发明的一种In-cell阵列基板，通过在In-cell阵列基板上增加一条公共金属线20，该公共金属线20的电位与公共电极的电位相同，并且该公共金属线20和对应行的子像素的像素电极交叠形成第一存储电容。另外，本发明的每条公共金属线20在位于每个子像素的显示区的半导体有源层对应处连接有金属块，该金属块与公共金属线20为一体化结构，且两者电位相同，该金属块与半导体有源层形成第二存储电容。这样就实际上增加了In-cell阵列基板的存储电容的数量，避免了画面闪烁和串扰等不良问题。
实施例二
本发明提供一种显示装置，该显示装置包括实施例一所述的In-cell阵列基板。由于在实施例一已经对所述的In-cell阵列基板进行了详细的说明，在此不再论述。
本发明的一种显示装置，通过在In-cell阵列基板上增加一条公共金属线20，该公共金属线20的电位与公共电极的电位相同，并且该公共金属线20和对应行的子像素的像素电极交叠形成第一存储电容。另外，本发明的每条公共金属线20在位于每个子像素的显示区的半导体有源层对应处连接有金属块，该金属块与公共金属线20为一体化结构，且两者电位相同，该金属块与半导体有源层形成第二存储电容。这样就实际上增加了In-cell阵列基板的存储电容的数量，避免了画面闪烁和串扰等不良问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种In-cell阵列基板，其特征在于，其包括一像素结构，所述像素结构包括：
多条栅极线；
与所述多条栅极线交叉的数据线；
其中，所述多条栅极线与所述多条数据线交叉限定多个子像素，所述多个子像素组成多个触控像素单元，且每个所述触控像素单元的每行子像素均设有一条公共金属线，且所述公共金属线与所述触控像素单元的公共电极的电位相同，所述公共金属线与该行的所述子像素的像素电极交叠形成第一存储电容。
2.根据权利要求1所述的In-cell阵列基板，其特征在于，该公共金属线与所述栅极线位于同一层。
3.根据权利要求1所述的In-cell阵列基板，其特征在于，所述公共金属线与所述栅极线平行排列。
4.根据权利要求1所述的In-cell阵列基板，其特征在于，每个所述触控像素单元设有独立的所述公共电极，且在水平方向上，相邻的两个所述触控像素单元的所述公共金属线不相连。
5.根据权利要求1所述的In-cell阵列基板，其特征在于，每条所述公共金属线在位于每个所述子像素的显示区的半导体有源层对应处连接有金属块，所述金属块与所述公共金属线为一体化结构，且两者电位相同，所述金属块与所述半导体有源层形成第二存储电容。
6.根据权利要求1所述的In-cell阵列基板，其特征在于，一部分所述子像素的平坦层与栅极绝缘层设有过孔，所述公共金属线通过穿过所述过孔的导线与所述公共电极连接，以使所述公共金属线与所述公共电极的电位相同。
7.根据权利要求6所述的In-cell阵列基板，其特征在于，在一个所述触控像素单元所包含的多个所述子像素中，有一部分设有所述过孔。
8.根据权利要求7所述的In-cell阵列基板，其特征在于，每个所述触控像素单元的一行或一列所述子像素中，至少设有两个不相邻排列的所述第一子像素。
9.根据权利要求8所述的In-cell阵列基板，其特征在于，每个所述触控像素单元中，所述第二子像素的数量多于设有所述第一子像素，所述触控像素单元为正方形或长方形形状。
10.一种显示装置，其特征在于，其包括权利要求1～9任一项所述的In-cell阵列基板。
CN201611047979.3A 2016-11-21 2016-11-21 一种In‑cell阵列基板及显示装置 Pending CN106547129A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611047979.3A CN106547129A (zh) 2016-11-21 2016-11-21 一种In‑cell阵列基板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611047979.3A CN106547129A (zh) 2016-11-21 2016-11-21 一种In‑cell阵列基板及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106547129A true CN106547129A (zh) 2017-03-29

Family

ID=58395758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611047979.3A Pending CN106547129A (zh) 2016-11-21 2016-11-21 一种In‑cell阵列基板及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106547129A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103713792A (zh) * 2013-12-23 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置
CN104020909A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN104600078A (zh) * 2014-12-23 2015-05-06 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板及其制造方法和显示面板
CN105183220A (zh) * 2015-07-02 2015-12-23 友达光电股份有限公司 触控显示装置及其驱动方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103713792A (zh) * 2013-12-23 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置
CN104020909A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN104600078A (zh) * 2014-12-23 2015-05-06 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板及其制造方法和显示面板
CN105183220A (zh) * 2015-07-02 2015-12-23 友达光电股份有限公司 触控显示装置及其驱动方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN202916564U (zh) 液晶显示装置
CN105093740B (zh) 阵列基板、液晶显示面板及其液晶显示装置
CN107221536A (zh) 阵列基板、异形显示器及显示装置
CN107015403A (zh) 阵列基板
CN104298039B (zh) 测试单元、阵列基板和显示面板
CN106842746A (zh) 主动元件阵列基板和液晶面板
CN106206619B (zh) 阵列基板及其驱动方法和显示装置
CN105117081A (zh) 触控基板及其制造方法、触摸显示装置
CN106165005A (zh) 有源矩阵基板和显示装置
KR20070119344A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판
CN215526310U (zh) 阵列基板及显示面板
KR20090088729A (ko) 표시 장치
CN104614909A (zh) 显示面板以及显示装置
CN104216187A (zh) 像素结构、液晶显示面板及其驱动方法
JP5128703B2 (ja) Ｔｆｔ基板及びこれを用いた液晶表示装置
CN106981252A (zh) 一种显示面板和显示装置
CN104808401B (zh) 一种液晶显示面板
CN108630735A (zh) 驱动基板和显示面板
CN104280959B (zh) 像素结构、显示面板及其制造方法
CN205539837U (zh) 一种液晶显示面板及显示装置
CN107818993A (zh) 一种显示面板及显示装置
US20130188108A1 (en) Pixel structures and electronic devices comprising the same
CN106200167A (zh) 阵列基板及液晶显示器
CN110164927A (zh) 一种显示面板
US10303002B2 (en) Pixel structure, driving method thereof, display substrate and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170329

RJ01 Rejection of invention patent application after publication