CN104576918A

CN104576918A - 霍尔传感器设备

Info

Publication number: CN104576918A
Application number: CN201410587613.XA
Authority: CN
Inventors: M·科尼尔斯; C·桑德
Original assignee: MEIKENAS CO
Current assignee: Tdk- Maikenasi LLC; Albert Ludwigs Universitaet Freiburg
Priority date: 2013-10-29
Filing date: 2014-10-28
Publication date: 2015-04-29
Anticipated expiration: 2034-10-28
Also published as: US20150115950A1; US9581658B2; DE102013018370A1; EP2873985A1; JP2015087396A; JP5968397B2; CN104576918B; EP2873985B1

Abstract

一种霍尔传感器设备，其构造在半导体本体上，所述霍尔传感器设备具有第一霍尔传感器和第二霍尔传感器，其中，两个霍尔传感器中的每一个具有至少四个单个的霍尔元件，并且所述四个霍尔元件以串联电路连接，其中，每个霍尔元件具有三个布置成一排的连接触点，其中，所述中间的连接触点直接邻近地布置在所述两个外部的连接触点之间，并且所述串联电路借助于相应的外部的连接触点的连接在一起或连接而构成，其中，所述串联电路的始端和末端相互短接，其中，所述霍尔元件分别构造在第一导电性类型的半导体槽区域中，其中，所述各个霍尔元件的半导体槽区域相互分开，其中，所述第一霍尔传感器与所述第二霍尔传感器并联连接，其方式是，所述第一霍尔传感器的霍尔元件的中间的连接触点分别与所述第二霍尔传感器的霍尔元件的中间的连接触点连接。

Description

霍尔传感器设备

技术领域

本发明涉及一种根据权利要求1的前序部分的霍尔传感器设备。

背景技术

从DE 101 50 955 C1已知磁场传感器。所述磁场传感器具有多个竖直的霍尔传感器，其分别具有五个连接触点。在此，四个以内霍尔传感器相互平行地构造，并且连接触点借助于循环的调换来相互连接，以便与单个的霍尔传感器的偏移相比降低磁场传感器的偏移。附加地，能借助于所谓的“自旋电流(Spinning-Current)”方法来进一步降低所述偏移。值得期望的是，改进磁场传感器的昂贵的布置和灵敏性。

此外，从DE 10 2011 107 767 A1已知具有多个单个的霍尔元件的霍尔传感器设备。在此，相应的霍尔传感器设备的各个霍尔元件以环形的串联电路连接。

发明内容

在此背景下，本发明的任务在于，说明一种扩展现有技术的设备。

该任务通过具有权利要求1的特征的霍尔传感器设备来解决。本发明的有利的构型为从属权利要求的主题。

根据本发明的主题，提供一种霍尔传感器设备，其构造在半导体本体上，所述霍尔传感器设备具有第一霍尔传感器和第二霍尔传感器，其中，每个霍尔传感器具有至少四个单个的霍尔元件，并且所述四个霍尔元件以串联电路连接，其中，每个霍尔元件具有三个布置成一排的连接触点，其中，所述中间的连接触点直接邻近地布置在所述两个外部的连接触点之间，并且所述串联电路通过相应的外部的连接触点的连接在一起或连接而构成，其中，所述串联电路的始端和末端相互短接，其中，所述霍尔元件分别构造在第一导电性类型的半导体槽区域中，其中，所述各个霍尔元件的半导体槽区域相互分开，其中，所述第一霍尔传感器和所述第二霍尔传感器并联连接，其方式是，所述第一霍尔传感器的霍尔元件的中间的连接触点分别与所述第二霍尔传感器的霍尔元件的中间的连接触点连接，并且所连接的中间的连接触点中的每一个分配有一个霍尔触点，并且在所述霍尔触点上或者能够施加供电电压或者能够量取霍尔电压。应注意，每个霍尔元件的布置成一排的连接触点优选位于一条直线上。显然，在连接触点下方构造有同样第一导电类型的平坦的高掺杂的连接区域，并且所述半导体槽由隔离区域或者第二导电类型的区域环绕。应注意，所述霍尔元件中的每一个自身仅仅代表可运转的霍尔元件，其中，在相应的中间的连接触点上可测量霍尔电压。

根据本发明的设备的优点在于，通过各个霍尔元件的根据本发明的连接提高信号与霍尔传感器设备的偏移电压的比例，其方式是，通过霍尔传感器的霍尔元件的并联电路大大降低偏移电压。霍尔传感器相互并联连接，并且各个偏移电压几乎完全抵偿。显然，霍尔传感器设备的霍尔元件具有电流流经的面，其中，该面的法向量平行于穿过该面的磁场线的方向地构造。此外应实施，霍尔触点仅仅分配给中间的连接触点，并且所述中间的连接触点中没有一个相对其他邻近的中间的连接触点有区别，从而在所述中间的连接触点中的每一个上可以施加供电电压或者量取霍尔电压。

在一种扩展方案中，霍尔元件的中间的连接触点中的两个构造为霍尔电压抽头，并且霍尔元件的中间的连接触点中的两个构造为供电电压连接端。此外，霍尔元件沿着霍尔元件的纵向延展优选在印制电路平面下方具有等同的横截面结构，其中，所述纵向延展平行于所述三个布置成一排的连接触点构造。优选每个霍尔元件的连接触点沿着一条直线布置。

在另一种扩展方案中，第一霍尔传感器的霍尔元件和第二霍尔传感器的霍尔元件具有位于所述两个霍尔传感器之间的重心轴线或对称轴线，其中，每个霍尔传感器的两个霍尔元件具有到重心轴线或对称轴线的相等距离。在另一种实施方式中，所述霍尔传感器中的至少一个的所有霍尔元件具有到重心轴线或对称轴线的相等距离。此外，优选第一霍尔传感器与第二霍尔传感器具有恰好相等数量的霍尔元件。在此，霍尔元件优选分别构造为竖直的霍尔元件。此外应注意，在一种实施方式中，所述霍尔传感器中的每一个具有多于四个霍尔元件，并且优选所述霍尔传感器分别具有相同数量的霍尔元件。

在一种优选的实施方式中，在第一霍尔传感器和第二霍尔传感器之间分别仅仅中间的连接触点相互连接，即每个霍尔传感器的外部的触点仅仅在相应的霍尔传感器中相互连接，从而由于相应的外部的触点的连接而形成以串联电路连接的元件的闭合环。

在另一种实施方式中，在霍尔传感器设备的半导体本体上附加地构造有集成电路，其中，优选所述集成电路与霍尔传感器、即在此与第一霍尔传感器和第二传感器处于电作用连接中。优选所述集成电路构造用于不但在所选择的第一中间的触点上施加供电电压而且同时在所选择的第二中间的触点上量取和分析处理霍尔电压。

此外，优选，在半导体本体上构造有第三霍尔传感器和第四霍尔传感器，并且所有四个霍尔传感器相互处于电作用连接中，尤其这些霍尔传感器的中间的连接触点相互连接。在此应注意，术语作用连接其中应理解为在集成电路和所述一个或多个霍尔传感器之间的电连接。此外，有利的是，所述半导体本体与所述霍尔传感器和/或所述集成电路布置在唯一的共同的壳体中。应指出，所述集成电路优选包括复用电路(Multiplexschaltung)，以便在所述复用电路的第一连接状态中以供电电压加载所选择的两个第一中间的触点，而在所选择的两个第二中间的触点上量取存在的霍尔电压。在复用电路的第二连接状态中，以供电电压加载所选择的两个第二中间的触点，而在所选择的两个第一中间的触点上量取存在的霍尔电压。尤其也能够借助于复用器单元执行所谓的“自旋电流”方法以进一步减小霍尔传感器设备的偏移电压。

附图说明

以下参照附图详细阐述本发明。在此，同类的部分以相同的标记标出。所示出的实施方式强烈示意化，即，距离和横向延展和竖直延展不是按比例的，并且只要不另外说明，它们也不具有可推导的相互几何关系。在此示出：

图1示出根据本发明的具有在成对角线的第一连接配置中的恰好两个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，所述两个霍尔传感器分别具有四个霍尔元件，

图2示出根据本发明的具有在成对角线的第一连接配置中的恰好四个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，所述四个霍尔传感器分别具有四个霍尔元件，

图3示出根据本发明的具有在第二连接配置中的恰好四个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，所述四个霍尔传感器分别具有四个霍尔元件，

图4示出根据本发明的具有在第二连接配置中的多于四个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，其中，每个霍尔传感器具有恰好四个霍尔元件，

图5示出根据本发明的具有在第一连接配置中的四个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，其中，每个霍尔传感器具有多于四个霍尔元件，

图6示出根据本发明的具有在成对角线的第一连接配置中、然而具有霍尔元件的组形的第一布置的恰好四个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，其中，所述四个霍尔传感器分别具有四个霍尔元件，

图7示出根据本发明的具有在成对角线的第一连接配置中、然而具有霍尔元件的组形的第二布置的恰好四个霍尔传感器的霍尔传感器设备的实施方式的示意性的俯视图，所述四个霍尔传感器分别具有四个霍尔元件，

图8a示出根据霍尔传感器的运行电流的单相偏移电压的图形，

图8b示出根据所测量的根据本发明的设备的数量的在使用“自旋电流”方法之后剩余的偏移电压的图形。

具体实施方式

图1的图形示出根据本发明的具有在第一连接配置中的第一霍尔传感器20和第二霍尔传感器30的霍尔传感器设备10的实施方式的示意性俯视图。

第一霍尔传感器20具有第一霍尔元件220、第二霍尔元件240、第三霍尔元件260和第四霍尔元件280，其中，所述第一霍尔元件220包括第一外部的连接触点222和第二中间的连接触点224和第三外部的连接触点226，即第二连接触点224直接邻近于第一连接触点222和第三连接触点226。此外，第二霍尔元件240包括第一外部的连接触点242和第二中间的连接触点244和第三外部的连接触点246，即第二连接触点244直接邻近于第一连接触点242和第三连接触点246。

此外，第三霍尔元件260包括第一外部的连接触点262和第二中间的连接触点264和第三外部的连接触点266，即第二连接触点264直接邻近于第一连接触点262和第三连接触点266。最后，第四霍尔元件280包括第一外部的连接触点282和第二中间的连接触点284和第三外部的连接触点286，即第二连接触点284直接邻近于第一连接触点282和第三连接触点286。

所述第一霍尔传感器20的四个霍尔元件220、240、260和280以环形闭合的串联电路相互连接。在此，第一霍尔元件220的第三连接触点226与第二霍尔元件240的第一连接触点242连接，并且第二霍尔元件240的第三连接触点246与第三霍尔元件260的第一连接触点262连接，并且第三霍尔元件260的第三连接触点266与第四霍尔元件280的第一连接触点282连接，并且第四霍尔元件280的第三连接触点286与第一霍尔元件220的第一连接触点222连接。

此外，第一霍尔元件220的第二连接触点224构造为第一霍尔传感器20的第二霍尔触点C2，并且第二霍尔元件的第二连接触点244构造为第一霍尔传感器20的第三霍尔触点C3，并且第三霍尔元件260的第二连接触点264构造为第一霍尔传感器20的第四霍尔触点C4，并且第四霍尔元件280的第二连接触点284构造为第一霍尔传感器20的第一霍尔触点C1。

第二霍尔传感器30具有第一霍尔元件320、第二霍尔元件340、第三霍尔元件360和第四霍尔元件380，其中，第一霍尔元件320包括第一外部的连接触点322和第二中间的连接触点324和第三外部的连接触点326，即第二连接触点324直接邻近于第一连接触点322和第三连接触点326。此外，第二霍尔元件340包括第一外部的连接触点342和第二中间的连接触点344和第三外部的连接触点346，即第二连接触点344直接邻近于第一连接触点342和第三连接触点346。

此外，第二霍尔传感器30的第三霍尔元件360包括第一外部的连接触点362和第二中间的连接触点364和第三外部的连接触点366，即第二连接触点364直接邻近于第一连接触点362和第三连接触点366。最后，第四霍尔元件380包括第一外部的连接触点382和第二中间的连接触点384和第三外部的连接触点386，即第二连接触点384直接邻近于第一连接触点382和第三连接触点386。

所述第二霍尔传感器30的四个霍尔元件320、340、360和380以环形闭合的串联电路相互连接。在此，第一霍尔元件320的第三连接触点326与第二霍尔元件340的第一连接触点342连接，并且第二霍尔元件340的第三连接触点346与第三霍尔元件360的第一连接触点362连接，并且第三霍尔元件360的第三连接触点366与第四霍尔元件380的第一连接触点382连接，并且第四霍尔元件380的第三连接触点386与第一霍尔元件320的第一连接触点322连接。

此外，第一霍尔元件320的第二连接触点324与第一霍尔触点C1连接，并且第二霍尔元件的第二连接触点344与第二霍尔触点C2连接，并且第三霍尔元件360的第二连接触点364与第三霍尔触点C3连接，并且第四霍尔元件380的第二连接触点384与第四霍尔触点C4连接。

此外，第一霍尔传感器20的第一霍尔元件220的第二连接触点224与第二霍尔传感器30的第二霍尔元件340的第二连接触点344连接，并且第一霍尔传感器20的第二霍尔元件240的第二连接触点244与第二霍尔传感器30的第三霍尔元件360的第二连接触点364连接，并且第一霍尔传感器20的第三霍尔元件260的第二连接触点264与第二霍尔传感器30的第四霍尔元件380的第二连接触点384连接，并且第一霍尔传感器20的第四霍尔元件280的第二连接触点284与第二霍尔传感器30的第一霍尔元件320的第二连接触点324连接。在两个霍尔传感器之间布置有对称轴线SV。

此外，霍尔元件220、240、260、280、320、340、360和380中的每一个分别在未示出的第一导电类型的自身的半导体槽区域中构造为竖直的霍尔元件，其中，各个霍尔元件220、240、260、280、320、340、360和380的半导体槽区域通过隔离区域相互分开。有利地，第一导电类型构造为n型掺杂。

第一霍尔传感器20与第二霍尔传感器30通过以下方式并联连接：第一霍尔传感器20的中间的连接触点224、244、264和284与中间的连接触点324、344、364和384分别成对地连接并且尤其分别与霍尔触点C1或C2或C3或C4连接。

优点是，能够通过多个霍尔传感器20和30的并联电路大大地减小偏移电压。显然，霍尔触点C1、C2、C3和C4中的两个实施为供电电压连接端、即可以以供电电压加载，并且可以在两个剩下的霍尔触点C1、C2、C3和C4上量取霍尔电压。在此，可以执行多种不同的电路变型，换言之，可以在不同的霍尔触点C1、C2、C3和C4上施加供电电压，并且相应地可以在其他的霍尔触点C1、C2、C3和C4上量取霍尔电压。

在图2的图形中示出另外的根据本发明的具有在成对角线的第一连接配置中的多个霍尔传感器的霍尔传感器设备10的实施方式，所述多个霍尔传感器分别具有四个霍尔元件。以下仅仅阐述与图1的图形中的实施方式的区别。为清楚起见，不引用在图1的图形中所示出的各个霍尔元件的详细参考内容，并且也不进一步继续所述参考内容。现在起，第三霍尔传感器40和第四霍尔传感器50与第一霍尔传感器20和第二霍尔传感器30并联连接，其方式是，各个霍尔元件的中间的连接触点再次相互连接。在此，延续图1的实施方式的两个霍尔传感器20和30的中间的连接触点的成对角线的连接，即在第三霍尔传感器40和第四霍尔传感器50的情况下中间的连接触点从霍尔传感器20、30、40和50到霍尔传感器20、30、40和50以成对角线的连线布置连接在一起。由此，借助于霍尔触点C1至C4中的每一个分别将四个霍尔传感器20、30、40和50的四个霍尔元件的恰好四个中间的连接触点连接在一起。

在图3的图形中示出另外的根据本发明的具有在直线的第二连接配置中的四个霍尔传感器20、30、40和50以及对于每个霍尔传感器20、30、40和50具有四个霍尔元件的霍尔传感器设备10的实施方式。以下仅仅阐述与在图2的图形中所示出的实施方式的区别。四个霍尔传感器20、30、40和50的相应的第一中间的连接触点相互连接并且与第一霍尔触点C1连接，并且四个霍尔传感器20、30、40和50的相应的第二中间的连接触点相互连接并且与第二霍尔触点C2连接，以及四个霍尔传感器20、30、40和50的相应的第三中间的连接触点相互连接并且与第三霍尔触点C3连接，并且四个霍尔传感器20、30、40和50的相应的第四中间的连接触点相互连接并且与第四霍尔触点C4连接。

在图4的图形中示出另外的根据本发明的具有在第二种直线的连接配置中的大于四的多个霍尔传感器20、30、40和50以及对于每个霍尔传感器20、30、40和50具有四个霍尔元件的霍尔传感器设备10的实施方式。以下仅仅阐述与在图3的图形中所示出的实施方式的区别。除了四个霍尔传感器20、30、40和50之外，现在起在数量NN以内的多个霍尔传感器以第二种直线的连接配置连接。数量NN优选位于五以上，最高优选十个以上霍尔传感器。显然，对于第二直线的连接配置替代地，多个并联连接的霍尔传感器也能够以成对角线的第一连接配置连接。

在图5的图形中示出另外的根据本发明的具有在成对角线的第一连接配置中的四个霍尔传感器20、30、40和50、然而对于每个霍尔传感器20、30、40和50分别具有多于四个霍尔元件的霍尔传感器设备10的实施方式。以下仅仅阐述与在图2的图形相关联地示出的实施方式的区别。现在起，除了四个霍尔元件之外，霍尔传感器20、30、40和50中的每一个具有多个附加的霍尔元件。相应于附加的数量的霍尔元件，霍尔触点的数量也提高直至数量N。在此，霍尔传感器20、30、40和50以成对角线的第一连接配置并联连接并且与相应的霍尔触点C1至CN并联连接。优选每个霍尔传感器20、30、40和50的霍尔触点的数量、以以上所提到的串联电路连接的霍尔元件的数量优选位于五以上，最高优选十个以上霍尔元件。显然，对于成对角线的第一连接配置替代地，多个并联连接的霍尔传感器也能够以第二直线的连接配置连接。

在图6的图形中示出根据本发明的另外的在经分组的第三连接配置中的对于每个霍尔传感器20、30、40和50具有四个霍尔元件的霍尔传感器设备10的实施方式。以下仅仅阐述与在图3的图形所示出的实施方式的区别。相应的霍尔传感器20、30、40和50分成上下相叠的两排，其中，每个霍尔传感器20、30、40和50分别构造在四个所示出的四边形之一中。此外，每个霍尔传感器20、30、40和50具有位于相应的霍尔传感器20、30、40和50的中心的传感器重心轴线SH10、SH20、SH30和SH40。传感器重心轴线SH10、SH20、SH30和SH40相对于霍尔传感器设备10的共同的重心轴线或者对称轴线SV分别具有相同的距离。相应于各个霍尔传感器20、30、40和50的经分组的布置，霍尔触点C1、C2、C3和C4也分组为上下相叠的两排。显然，各个霍尔传感器20、30、40和50的霍尔元件的中间的连接触点如此相互连接，使得霍尔传感器20、30、40和50分别关于霍尔触点C1、C2、C3和C4并联连接，并且就对称轴线SV而言，霍尔传感器20、30、40和50的四个与霍尔触点C1、C2、C3和C4之一连接的霍尔元件中的每一个具有到对称轴线SV相同的距离。

在图7的图形中示出另外的根据本发明的在经细分的第四连接配置中的对于每个霍尔传感器20、30、40和50具有四个霍尔元件的霍尔传感器设备10的实施方式。霍尔传感器设备形成四边形。以下仅仅阐述与在图6的图形中所示出的实施方式的区别。在四个霍尔传感器20、30、40和50的每一个中，每个霍尔传感器20、30、40和50的四个霍尔元件中的一个总是布置在四边形的一个象限中。显然，每个霍尔传感器20、30、40和50的四个霍尔元件尽管分散地布置但以以上所提到的串联电路连接。在此，霍尔传感器20、30、40和50中的每一个的各个霍尔元件如此分布，使得四个霍尔元件中的每一个相对于霍尔传感器设备10的共同的重心轴线或者对称轴线SV具有到对称轴线SV的相同的距离。此外，相应的霍尔传感器20、30、40和50的两个霍尔元件总是关于对称轴线SV彼此镜像对称地布置，并且具有到对称轴线SV的相同的距离。此外，各个传感器重心轴线SH10、SH20、SH30和SH40与对称轴线SV重合。不同于图6地，霍尔元件的中间的连接触点在四边形的每个象限之内连接，并且分别与四个霍尔触点C1、C2、C3、C4中的一个连接。

霍尔元件分散的优点在于，强烈地抑制磁通密度在霍尔传感器10的区域中的静态扩散的影响。由此能够进一步降低霍尔传感器设备10的偏移电压。

应指出，不同于霍尔元件的所示出的实施方式地，不同于连接触点布置在一条直线上的布置地，霍尔元件也可以具有连接触点相对于彼此错开的布置。由此，霍尔传感器20、30、40和50的连接触点不再布置在一条直线上。尽管如此，各个霍尔元件如此具有相同的结构布局，使得在印制电路层面之下，在沿着连接触点的成排的布置的横截面中，霍尔元件的相应的构造相对于彼此不可区分。同样，不同于现有的相互平行地构造的布置地，各个霍尔元件也能够扭转到彼此地形成连接触点的相应的直线，使得从霍尔元件到霍尔元件的通过连接触点的排延伸的直线相对于彼此具有角度，即，所述霍尔元件相对于彼此不在同一方向上定向。研究表明，偏移电压的大小与此无关。

在图8a的图形中，绘出在霍尔传感器设备10的运行电流IB的大小上的偏移电压VOFF。在此，图8a根据霍尔触点C1、C2、C3、C4的根据自旋电流方法的使用示出偏移电压VOFF的变化过程。对于偏移电压VOFF的两个变化过程有：偏移电压VOFF随着运行电流IB的大小的增加在量值方面变得更大，并且超过轴截距a或-a。

此外，图8b示出在对于多个霍尔传感器设备10执行自旋电流方法之后的残余偏移Vres，所述霍尔传感器设备构造在晶片上。沿着Y轴线绘出剩余的偏移电压Vres，其中，沿着X轴线绘出所测量的霍尔传感器设备。根据图8b的图形，所测量的偏移电压的每个点相应于所述霍尔传感器设备之一。要指出，相对于在图8中的示图，Y轴线的标度以因子100展开地映射，以便从整理上还能够示出偏移电压。据此，通过根据本发明的霍尔传感器设备能够极其强烈地降低偏移电压，并且因此测量区域能够强烈地提高到小的磁场强度。换言之，霍尔传感器设备具有提高的动态性范围。

此外表明，在霍尔传感器设备之间的偏移电压的变动(Streuung)也非常小。那么，由不同霍尔传感器设备的偏移电压的多次测量得出，标准偏差δ和-δ仅仅非常小，即在超过所测量的霍尔传感器设备的90％中，所测量的偏移电压VOFF非常接近平均值MW。

Claims

1.一种霍尔传感器设备(10)，其构造在半导体本体上，所述霍尔传感器设备具有第一霍尔传感器(10)和第二霍尔传感器(20)，其中，每个霍尔传感器(10，20)具有至少四个单个的霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)，并且所述四个霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)以串联电路连接，其中，每个霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)具有三个布置成一排的连接触点(222，224，226，242，244，246，262，264，266，282，284，286，322，324，326，342，344，346，362，364，366，382，384，386)，其中，所述中间的连接触点(224，244，264，284，324，344，364，384)直接邻近地布置在所述两个外部的连接触点(222，226，242，246，262，266，282，286，322，326，342，346，362，366，382，386)之间，并且所述串联电路借助于相应的外部的连接触点(222，226，242，246，262，266，282，286，322，326，342，346，362，366，382，386)的连接而构成，其中，所述串联电路的始端和末端相互短接，其中，所述霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)分别构造在第一导电性类型的半导体槽区域中，其中，所述各个霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)的半导体槽区域相互分开，其特征在于，所述第一霍尔传感器(20)和所述第二霍尔传感器(30)并联连接，其方式是，所述第一霍尔传感器(20)的霍尔元件(220，240，260，280)的中间的连接触点(224，244，264，284)分别与所述第二霍尔传感器(30)的霍尔元件(320，340，360，380)的中间的连接触点(324，344，364，384)连接，并且所连接的中间的连接触点(224，244，264，284，324，344，364，384)中的每一个分配有一个霍尔触点(C1，C2，C3，C4)，并且在所述霍尔触点(C1，C2，C3，C4)上或者能够施加供电电压或者能够量取霍尔电压。

2.根据权利要求1所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)的中间的连接触点(224，244，264，284，324，344，364，384)中的两个构造为霍尔电压抽头，并且所述霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)的中间的连接触点(224，244，264，284，324，344，364，384)中的两个构造为供电电压连接端。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)沿着所述霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)的纵向延展具有等同的横截面结构，其中，所述纵向延展平行于所述三个布置成一排的连接触点(222，224，226，242，244，246，262，264，266，282，284，286，322，324，326，342，344，346，362，364，366，382，384，386)构造。

4.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述第一霍尔传感器(20)的霍尔元件(220，240，260，280)和所述第二霍尔传感器(30)的霍尔元件(320，340，360，380)具有位于所述两个霍尔传感器(20，30)之间的对称轴线(SV)，并且每个霍尔传感器(20，30)的霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)中的两个具有到所述对称轴线(SV)的相等距离。

5.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述第一霍尔传感器(20)与所述第二霍尔传感器(30)具有恰好相等数量的霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)。

6.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，在所述第一霍尔传感器(20)和所述第二霍尔传感器(30)之间分别仅仅所述中间的连接触点(224，244，264，284，324，344，364，384)相互连接。

7.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)分别构造为竖直的霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)。

8.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，在所述半导体本体上构造有集成电路，并且所述集成电路与所述第一霍尔传感器(20)和所述第二霍尔传感器(30)处于电作用连接中。

9.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，每个霍尔传感器(20，30)具有多于四个霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)。

10.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述霍尔传感器(20，30)中的至少一个的所有霍尔元件(220，240，260，280，320，340，360，380)具有到所述对称轴线(SV)的相等距离。

11.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，在所述半导体本体上构造有第三霍尔传感器(40)和第四霍尔传感器(50)，并且这四个霍尔传感器(20，30，40，50)相互处于电作用连接中。

12.根据以上权利要求中任一项所述的霍尔传感器设备(10)，其特征在于，所述半导体本体与所述霍尔传感器(20，30，40，50)布置在唯一的共同的壳体中。