JP5968397B2 - ホールセンサ装置 - Google Patents

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Description

本発明は、請求項1の上位概念に記載されたホールセンサ装置に関する。
DE10150955C1から、磁界センサが公知である。当該磁界センサは、それぞれ5つずつの端子コンタクトを含む複数の垂直ホールセンサを有する。この場合、4つまでのホールセンサが相互に並列に配置されるが、各端子コンタクトは、周期的な交換により、各ホールセンサのオフセットに比べて磁界センサ全体でのオフセットが低減されるように接続される。付加的に、いわゆる「スピニングカレント」法によって、オフセットがさらに低減される。また、磁界センサの構成の複雑さと感度とが改善されることが望ましい。
DE102011107767A1からは、複数の個々のホール素子を含むホールセンサ装置が公知である。この場合、各ホールセンサ装置の個々のホール素子は、リング状の直列回路として接続されている。
DE10150955C1 DE102011107767A1
したがって、本発明の課題は、従来技術を踏まえて改善されたホールセンサ装置を提供することである。
この課題は、請求項1記載の特徴を有するホールセンサ装置によって解決される。本発明の有利な実施形態は従属請求項の対象となっている。
本発明は、第1のホールセンサと第2のホールセンサとを有する半導体ボディ上に構成されたホールセンサ装置であって、各ホールセンサは少なくとも4つの個別のホール素子を有しており、これら4つの個別のホール素子は直列回路として接続されており、各ホール素子は直列に配置された3つの端子コンタクトを有しており、ここで、中央端子コンタクトは2つの外側端子コンタクト間でこれらに直接に接するように配置されており、直列回路はそれぞれの外側端子コンタクトを共通接続するか又は結線することによって構成されており、直列回路の始端と終端とは相互に短絡されており、ホール素子はそれぞれ第1の導電型の半導体ウェル領域に構成されており、各個別のホール素子の半導体ウェル領域は相互に分離されている、ホールセンサ装置において、第1のホールセンサと第2のホールセンサとは、第1のホールセンサの1つのホール素子の中央端子コンタクトが第2のホールセンサの1つのホール素子の中央端子コンタクトに接続されており、接続された中央端子コンタクトにそれぞれ1つのホールコンタクトが配属されており、ホールコンタクトに給電電圧が印加可能であるか又はホールコンタクトでホール電圧が取り出し可能であることによって並列接続されていることを特徴とする。
第1の斜め配線構成で配置された、それぞれ4つのホール素子を有する2つのホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な部分上面図である。 第1の斜め配線構成で配置された、それぞれ4つのホール素子を有する4つのホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な上面図である。 第2の直線状配線構成で配置された、それぞれ4つのホール素子を有する4つのホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な上面図である。 第2の直線状配線構成で配置された、それぞれ4つのホール素子を有する5つ以上のホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な上面図である。 第1の斜め配線構成で配置された、それぞれ5つ以上のホール素子を有する4つのホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な上面図である。 第3のグループ状配線構成で配置された、それぞれ4つのホール素子を有する4つのホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な上面図である。 第4の分割配線構成で配置された、それぞれ4つのホール素子を有する4つのホールセンサを備えるホールセンサ装置の概略的な上面図である。 aはホールセンサの動作電流と個々の相のオフセット電圧との関係を示すグラフであり、bはスピニングカレント法を適用した後の本発明の装置の数と残留オフセット電圧との関係を示すグラフである。
それぞれのホール素子において直列に配置された複数の端子コンタクトは、有利には直線状となることに注意されたい。また、端子コンタクトの下方には、第1の導電型の高濃度にドープされた平坦な端子領域が構成され、半導体ウェルは絶縁領域又は第2の導電型の領域によって包囲される。なお、各ホール素子は、そのつど中央端子コンタクトでホール電圧を測定可能な、動作している唯一のホール素子を表す。
本発明の装置の利点は、個々のホール素子を本発明のごとく接続することにより、オフセット電圧がホールセンサのホール素子の並列接続によって著しく低減されるため、ホールセンサ装置の信号対オフセット電圧比が高まるということである。各ホールセンサは相互に並列に接続されるので、個々のオフセット電圧はほぼ完全に補償される。ホールセンサ装置のホール素子の通電面は、この面を通る磁力線の方向に対して平行な面法線ベクトルを有する。さらに、ホールコンタクトは中央端子コンタクトのみに配属されるが、或る中央端子コンタクトは隣接する他の端子コンタクトと同じものであるので、中央端子コンタクトのそれぞれにおいて給電電圧が生じるか又はホール電圧を取り出すことができる。
有利な実施形態によれば、各ホール素子の中央端子コンタクトのうち所定の2つがホール電圧タップとして構成され、別の2つが給電電圧端子として構成される。さらに、各ホール素子は、ホール素子の長手延長線に沿って、有利には導体路面の下方に、同じ断面構造を有する。ここでの長手延長線は、直列に配置された3つの端子コンタクトに対して平行に延在する。有利には、各端子コンタクトは、各ホール素子から直線に沿って配置される。
別の有利な実施形態によれば、第1のホールセンサの各ホール素子と第2のホールセンサの各ホール素子とが双方のホールセンサ間に位置する各重心軸線もしくは対称軸線を有し、各ホールセンサの2つのホール素子は重心軸線もしくは対称軸線に対して同じ距離を有する。別の態様では、少なくとも1つのホールセンサの全てのホール素子が重心軸線もしくは対称軸線に対して同じ距離を有する。さらに有利には、第1のホールセンサは第2のホールセンサと同数のホール素子を有する。この場合、有利には、ホール素子はそれぞれ垂直ホール素子として構成される。なお、別の態様として、各ホールセンサが5つ以上のホール素子を有する場合、有利にはそれぞれ同数のホール素子が設けられることにも注意されたい。
別の有利な実施形態によれば、第1のホールセンサと第2のホールセンサとの間では、それぞれ中央端子コンタクトのみが相互に接続される。つまり、各ホールセンサの外側端子コンタクトはそれぞれのホールセンサ内で相互接続されるのみであり、こうした外側端子コンタクトの接続によって、直列回路として接続された各ホール素子の閉じたリングが形成される。
別の有利な実施形態によれば、ホールセンサ装置の半導体ボディ上に付加的に集積回路が構成され、有利にはこの集積回路は第1のホールセンサ及び第2のホールセンサと電気的に相互に作用する。有利には、当該集積回路は、選択された第1の中央端子コンタクトでの給電電圧と選択された第2の中央端子コンタクトでのホール電圧との双方が取り出されて評価されるように構成される。
さらに有利には、半導体ボディ上に第3のホールセンサと第4のホールセンサとが構成され、4つのホールセンサの全て、特に各ホールセンサの全ての中央端子コンタクトが、電気的に相互に作用する。この場合「電気的に相互に作用する」とは、特に、集積回路と1つもしくは複数のホールセンサとが電気的に接続されることであると理解されたい。さらに有利には、半導体ボディはホールセンサ及び/又は集積回路とともに共通の唯一のケーシング内に配置される。この場合、集積回路は有利にはマルチプレクサ回路を含む。マルチプレクサ回路の第1の切替状態では、選択された2つの第1の中央端子コンタクトに給電電圧が印加され、選択された2つの第2の中央端子コンタクトでホール電圧が取り出される。対して、マルチプレクサ回路の第2の切替状態では、選択された2つの第2の中央端子コンタクトに給電電圧が印加され、選択された2つの第1の中央端子コンタクトでホール電圧が取り出される。特に、マルチプレクサ回路によれば、いわゆるスピニングカレント法を実行でき、ホールセンサ装置のオフセット電圧をさらに低減できる。
本発明を以下に図に即して詳細に説明する。図中、同じ要素には同じ参照番号を付してある。図示の実施例は、説明のための概略的なものであり、相互の距離や縦方向及び横方向の広がりなどは縮尺通りには描かれておらず、特にことわりないかぎり、そこから幾何学的な位置関係を導出することはできない点に注意されたい。
図1には、本発明の実施例のホールセンサ装置10の概略的な上面図が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第1の斜め配線構成で配置された第1のホールセンサ20と第2のホールセンサ30とを有する。
第1のホールセンサ20は、第1のホール素子220と第2のホール素子240と第3のホール素子260と第4のホール素子280とを含む。ここで、第1のホール素子220は、第1の外側端子コンタクト222と第2の中央端子コンタクト224と第3の外側端子コンタクト226とを含み、第2の中央端子コンタクト224は第1,第3の外側端子コンタクト222,226に直接に接している。また、第2のホール素子240は、第1の外側端子コンタクト242と第2の中央端子コンタクト244と第3の外側端子コンタクト246とを含み、第2の中央端子コンタクト244は第1,第3の外側端子コンタクト242,246に直接に接している。
さらに、第3のホール素子260は、第1の外側端子コンタクト262と第2の中央端子コンタクト264と第3の外側端子コンタクト266とを含み、第2の中央端子コンタクト264は第1,第3の外側端子コンタクト262,266に直接に接している。また、第4のホール素子280は、第1の外側端子コンタクト282と第2の中央端子コンタクト284と第3の外側端子コンタクト286とを含み、第2の中央端子コンタクト284は第1,第3の外側端子コンタクト282,286に直接に接している。
第1のホールセンサ20の4つのホール素子220,240,260,280は、リング状に閉じた直列回路として相互に接続されている。この場合、第1のホール素子220の第3の端子コンタクト226が第2のホール素子240の第1の端子コンタクト242に接続されており、第2のホール素子240の第3の端子コンタクト246が第3のホール素子260の第1の端子コンタクト262に接続されており、第3のホール素子260の第3の端子コンタクト266が第4のホール素子280の第1の端子コンタクト282に接続されており、第4のホール素子280の第3の端子コンタクト286が第1のホール素子220の第1の端子コンタクト222に接続されている。
また、第1のホールセンサ20では、第1のホール素子220の第2の端子コンタクト224が第2のホールコンタクトC2へ接続されており、第2のホール素子240の第2の端子コンタクト244が第3のホールコンタクトC3へ接続されており、第3のホール素子260の第2の端子コンタクト264が第4のホールコンタクトC4へ接続されており、第4のホール素子280の第2の端子コンタクト284が第1のホールコンタクトC1へ接続されている。
第2のホールセンサ30は、第1のホール素子320と第2のホール素子340と第3のホール素子360と第4のホール素子380とを含む。ここで、第1のホール素子320は、第1の外側端子コンタクト322と第2の中央端子コンタクト324と第3の外側端子コンタクト326とを含み、第2の中央端子コンタクト324が第1,第3の外側端子コンタクト322,326に直接に接している。また、第2のホール素子340は、第1の外側端子コンタクト342と第2の中央端子コンタクト344と第3の外側端子コンタクト346とを含み、第2の中央端子コンタクト344が第1,第3の外側端子コンタクト342,346に直接に接している。
さらに、第2のホールセンサ30の第3のホール素子360は、第1の外側端子コンタクト362と第2の中央端子コンタクト364と第3の外側端子コンタクト366とを含み、第2の中央端子コンタクト364が第1,第3の外側端子コンタクト362,366に直接に接している。また、第4のホール素子380は、第1の外側端子コンタクト382と第2の中央端子コンタクト384と第3の外側端子コンタクト386とを含み、第2の中央端子コンタクト384が第1,第3の外側端子コンタクト382,386に直接に接している。
第2のホールセンサ30の4つのホール素子320,340,360,380は、リング状に閉じた直列回路として相互に接続されている。この場合、第1のホール素子320の第3の端子コンタクト326が第2のホール素子340の第1の端子コンタクト342に接続されており、第2のホール素子340の第3の端子コンタクト346が第3のホール素子360の第1の端子コンタクト362に接続されており、第3のホール素子360の第3の端子コンタクト366が第4のホール素子380の第1の端子コンタクト382に接続されており、第4のホール素子380の第3の端子コンタクト386が第1のホール素子320の第1の端子コンタクト322に接続されている。
また、第1のホール素子320の第2の端子コンタクト324が第1のホールコンタクトC1に接続されており、第2のホール素子340の第2の端子コンタクト344が第2のホールコンタクトC2に接続されており、第3のホール素子360の第2の端子コンタクト364が第3のホールコンタクトC3に接続されており、第4のホール素子380の第2の端子コンタクト384が第4のホールコンタクトC4に接続されている。
また、第1のホールセンサ20の第1のホール素子220の第2の端子コンタクト224は第2のホールセンサ30の第2のホール素子340の第2の端子コンタクト344に接続されており、第1のホールセンサ20の第2のホール素子240の第2の端子コンタクト244は第2のホールセンサ30の第3のホール素子360の第3の端子コンタクト366に接続されており、第1のホールセンサ20の第3のホール素子260の第2の端子コンタクト264は第2のホールセンサ30の第4のホール素子380の第2の端子コンタクト384に接続されており、第1のホールセンサ20の第4のホール素子280の第2の端子コンタクト284は第2のホールセンサ30の第1のホール素子320の第2の端子コンタクト324に接続されている。2つのホールセンサ間には対称軸線SVが形成されている。
なお、ホール素子220,240,260,280,320,340,360,380は、垂直ホール素子として、それぞれ、図示されていない第1の導電型の固有の半導体ウェル領域に構成されている。ここで、個々のホール素子220,240,260,280,320,340,360,380の各半導体ウェル領域は、絶縁領域によって相互に分離されている。有利には、第1の導電型はnドープ物質として構成される。
第1のホールセンサ20の中央端子コンタクト224,244,264,284が第2のホールセンサ30の中央端子コンタクト324,344,364,384とそれぞれ対となるように接続され、特にそれぞれ1つずつのホールコンタクトC1もしくはC2もしくはC3もしくはC4に接続されることにより、第1のホールセンサ20が第2のホールセンサ30に並列接続される。
有利には、複数のホールセンサ20,30が並列接続されることにより、オフセット電圧を著しく低減することができる。ホールコンタクトC1,C2,C3,C4のうち所定の2つは給電電圧端子として構成されるので、給電電圧が印加され、残りの2つでホール電圧が取り出される。この場合、種々の回路バリエーションを実行可能であり、言い換えれば、給電電圧を上記とは異なるホールコンタクトに印加し、ホール電圧を上記とは異なる別のホールコンタクトで取り出すことができる。
図2には、本発明の第2の実施例のホールセンサ装置10が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第1の斜め配線構成で配置されたそれぞれ4つずつのホール素子を含む複数のホールセンサを備えている。以下では、図1の実施例との相違点のみを説明する。わかりやすくするために、これ以降は、図1に示されているような個々のホール素子それぞれの参照番号を記さない。個々のホール素子の各中央端子コンタクトが相互に接続されることにより、第1のホールセンサ20及び第2のホールセンサ30に対して第3のホールセンサ40及び第4のホールセンサ50が並列接続される。この場合、図1の実施例の2つのホールセンサ20,30の斜め配線構成が拡張される。つまり、第3のホールセンサ40及び第4のホールセンサ50においても、ホールセンサの所定の中央端子コンタクトが別のホールセンサの別の中央端子コンタクトに斜めに接続される。これにより、各ホールコンタクトC1−C4には、4つのホールセンサ20,30,40,50の4つのホール素子のそれぞれ4つずつの中央端子コンタクトが共通接続されることになる。
図3には、本発明の第3の実施例のホールセンサ装置10が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第2の直線状配線構成で配置されたそれぞれ4つずつのホール素子を含む4つのホールセンサ20,30,40,50を備えている。以下では、図2の実施例との相違点のみを説明する。4つのホールセンサ20,30,40,50のそれぞれ第1番目の中央端子コンタクトは、相互にかつ第1のホールコンタクトC1に接続されており、4つのホールセンサ20,30,40,50のそれぞれ第2番目の中央端子コンタクトは、相互にかつ第2のホールコンタクトC2に接続されており、4つのホールセンサ20,30,40,50のそれぞれ第3番目の中央端子コンタクトは、相互にかつ第3のホールコンタクトC3に接続されており、4つのホールセンサ20,30,40,50のそれぞれ第4番目の中央端子コンタクトは、相互にかつ第4のホールコンタクトC4に接続されている。
図4には、本発明の第4の実施例のホールセンサ装置10が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第2の直線状配線構成で配置されたそれぞれ4つずつのホール素子を含む5つ以上の多数のホールセンサ20,30,40,50,…を備えている。以下では、図3の実施例との相違点のみを説明する。4つのホールセンサ20,30,40,50に加えて、NN個までのホールセンサを第2の直線状配線構成で並列に接続することができる。ホールセンサの個数NNは5より大きく、有利には10を上回る。なお、容易に理解されるように、並列接続される複数のホールセンサを、第2の直線状配線構成に代えて、第1の斜め配線構成で接続してもよい。
図5には、本発明の第5の実施例のホールセンサ装置10が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第1の斜め配線構成で配置されたそれぞれ5つ以上のホール素子を含む4つのホールセンサ20,30,40,50を備えている。以下では、図2の実施例との相違点のみを説明する。各ホールセンサ20,30,40,50は、4つのホール素子に加えて、さらに複数のホール素子を含む。ホール素子の個数の増加に対応して、ホールコンタクトの個数もN個まで増加する。ここでは、ホールセンサ20,30,40,50が、第1の斜め配線構成で並列に接続されており、かつ、それぞれホールコンタクトC1−CNへ接続されている。ホールセンサ20,30,40,50当たりのホールコンタクト数、すなわち、上述した直列回路として接続されるホール素子の個数は、5より大きく、有利には10を上回る。なお、容易に理解されるように、並列接続される複数のホールセンサを、第1の斜め配線構成に代えて、第2の直線状配線構成で接続してもよい。
図6には、本発明の第6の実施例のホールセンサ装置10が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第3のグループ状配線構成で配置されたそれぞれ4つのホール素子を含む4つのホールセンサ20,30,40,50を備えている。以下では、図3の実施例との相違点のみを説明する。各ホールセンサ20,30,40,50は、2列ずつに分割されて、分割されたそれぞれが四角形を形成するように配置されている。また、各ホールセンサ20,30,40,50は、それぞれのセンサの中央に、センサ重心軸線SH10,SH20,SH30,SH40を有する。センサ重心軸線SH10,SH20,SH30,SH40は、ホールセンサ装置10の共通重心軸線もしくは対称軸線SVに対して、それぞれ同じ距離を有する。個々のホールセンサ20,30,40,50のグループ状配置に相応に、ホールコンタクトC1,C2,C3,C4もそれぞれ2列ずつでグループ化されている。個々のホールセンサ20,30,40,50の各ホール素子の中央端子コンタクトは、ホールセンサ20,30,40,50がそれぞれホールコンタクトC1,C2,C3,C4に関して並列に接続され、さらに、ホールコンタクトC1,C2,C3,C4のいずれかに接続されている4つのホール素子の全てが対称軸線SVに対して同じ距離を有するように、相互に接続されている。
図7には、本発明の第7の実施例のホールセンサ装置10が示されている。ここでのホールセンサ装置10は、第4の分割配線構成で配置されたそれぞれ4つのホール素子を含む4つのホールセンサ20,30,40,50を備えている。ホールセンサ装置は全体で1つの四角形を形成している。以下では、図6の実施例との相違点のみを説明する。各ホールセンサ20,30,40,50では、4つのホール素子のうちつねに1つが四角形の象限の1つに入るように配置される。各ホールセンサ20,30,40,50の4つのホール素子は、当該分割配置であっても、上述した直列回路として接続されている。この場合、1つのホールセンサの個々のホール素子は、全てのホール素子がホールセンサ装置10の共通重心軸線もしくは対称軸線SVに対して同じ距離を有するように分割されている。さらに、各ホールセンサ20,30,40,50のそのつど2つのホール素子は、対称軸線SVに関して相互に鏡面対称に配置され、対称軸線SVに対して同じ距離を有する。なお、個々のセンサ重心軸線SH10,SH20,SH30,SH40は、ホールセンサ装置の対称軸線SVに一致する。図6とは異なり、各ホール素子の中央端子コンタクトは、四角形の各象限内で相互に接続されており、さらに、4つのホールコンタクトC1,C2,C3,C4のいずれかと接続されている。
ホール素子を分割することの利点は、ホールセンサ装置10の領域における磁束密度の統計的分散の作用を強く抑圧できることである。これにより、ホールセンサ装置10のオフセット電圧をさらに低減できる。
各ホール素子は、図示の実施例とは異なり、端子コンタクトが直線状に配置される構成に代えて、端子コンタクトが相互にずれて配置される構成を有してもよいことを指摘しておく。これにより、ホールセンサ20,30,40,50の端子コンタクトを直線状以外にも配置できる。なお、この場合にも、端子コンタクトの配置の列に沿った断面で見たとき、導体路平面の下方で、ホール素子がそのつど相互に不可分に構成されるよう、個々のホール素子は同一の構造レイアウトを有する。さらに、上述した端子コンタクトが複数の直線をなすようにする並列配置とは異なり、個々のホール素子を相互に回転させ、端子コンタクトの列を通って延在する直線が1つのホール素子から別のホール素子へ向かって所定の角度を有するように、つまり、ホール素子どうしがそれぞれ異なる方向を向くようにしてもよい。研究の結果、当該角度にはオフセット電圧の大きさは依存しないことが判明しているからである。
図8のaには、オフセット電圧Voffとホールセンサ装置10の動作電流Iの大きさとの関係が示されている。ここで、図8のaには、ホールコンタクトC1,C2,C3,C4をスピニングカレント法にしたがって使用した場合のオフセット電圧Voffの特性が示されている。オフセット電圧Voffの2つの特性については、動作電流Iの大きさが増大するにつれてオフセット電圧Voffの絶対値もa象限と−a象限とで増大することがわかる。
さらに、図8のbには、1つのウェハ上に形成された複数のホールセンサ装置10に対する、スピニングカレント法が実行された後の残留オフセット電圧Vresが示されている。Y軸に残留オフセット電圧Vresが示されており、X軸に測定された複数のホールセンサ装置が示されている。図8のbでは、各ドットは、1つのホールセンサ装置で測定されたオフセット電圧に対応する。なお、図8のaのグラフに比べて、オフセット電圧を表すY軸のスケールは100倍に拡大されている。つまり、本発明のホールセンサ装置によって、オフセット電圧が著しく低減され、測定領域が小さい磁界強度に対して大幅に増大している。言い換えれば、本発明のホールセンサ装置は高いダイナミクスレンジを有する。
また、ホールセンサ装置間のオフセット電圧のばらつきもきわめて小さい。このため、種々のホールセンサ装置のオフセット電圧を複数回測定すると、標準偏差σ,−σがきわめて小さくなり、測定されたホールセンサ装置の90%以上において、測定されたオフセット電圧Voffが平均値Mにきわめて近くなる。
10 ホールセンサ装置、 20,30,40,50 ホールセンサ、 220,240,260,280,320,340,360,380 ホール素子、 222,224,226,242,244,246,262,264,266,282,284,286,322,324,326,342,344,346,362,364,366,382,384,386 端子コンタクト、 C1,C2,C3,C4 ホールコンタクト、 SV 対称軸線、 NN ホールセンサ数、 SH10,SH20,SH30,SH40 センサ重心軸線、 Voff オフセット電圧、 I 動作電流、 Vres 残留オフセット電圧、 σ 標準偏差、 M 平均値

Claims (12)

  1. 第1のホールセンサ(20)と第2のホールセンサ(30)とを有する半導体ボディ上に構成されたホールセンサ装置(10)であって、
    各ホールセンサ(20,30)は、少なくとも4つの個別のホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)を有しており、該4つの個別のホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)は直列回路として接続されており、各ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)は直列に配置された3つの端子コンタクト(222,224,226,242,244,246,262,264,266,282,284,286,322,324,326,342,344,346,362,364,366,382,384,386)を有しており、
    中央端子コンタクト(224,244,264,284,324,344,364,384)は、2つの外側端子コンタクト(222,226,242,246,262,266,282,286,322,326,342,346,362,366,382,386)の間でこれらに直接に接するように配置されており、
    前記直列回路は、それぞれ外側端子コンタクト(222,226,242,246,262,266,282,286,322,326,342,346,362,366,382,386)を接続することによって構成されており、前記直列回路の始端と終端とは相互に短絡されており、
    前記ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)はそれぞれ、第1の導電型の半導体ウェル領域に構成されており、前記個別のホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)の前記半導体ウェル領域は相互に分離されている、
    ホールセンサ装置(10)において、
    前記第1のホールセンサ(20)と前記第2のホールセンサ(30)とは、
    前記第1のホールセンサ(20)の1つのホール素子(220,240,260,280)の中央端子コンタクト(224,244,264,284)が前記第2のホールセンサ(30)の1つのホール素子(320,340,360,380)の中央端子コンタクト(324,344,364,384)に接続されており、接続された中央端子コンタクト(224,244,264,284,324,344,364,384)にそれぞれ1つのホールコンタクト(C1,C2,C3,C4)が配属されており、前記ホールコンタクト(C1,C2,C3,C4)に給電電圧が印加可能であり、かつ、前記ホールコンタクト(C1,C2,C3,C4)でホール電圧が取り出し可能である
    ことによって、並列接続されている
    ことを特徴とするホールセンサ装置(10)。
  2. 各ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)の中央端子コンタクトのうち所定の2つ(224,244,264,284,324,344,364,384)がホール電圧タップとして構成されており、別の2つ(224,244,264,284,324,344,364,384)が給電電圧端子として構成されている、請求項1記載のホールセンサ装置(10)。
  3. 前記ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)は当該ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)の長手延長線に沿って同じ断面構造を有しており、前記長手延長線は、前記直列に配置された3つの端子コンタクト(222,224,226,242,244,246,262,264,266,282,284,286,322,324,326,342,344,346,362,364,366,382,384,386)に対して平行に構成されている、請求項1又は2記載のホールセンサ装置(10)。
  4. 前記第1のホールセンサ(20)の各ホール素子(220,240,260,280)と前記第2のホールセンサ(30)の各ホール素子(320,340,360,380)とが双方のホールセンサ(20,30)間に位置する対称軸線(SV)を有しており、一方のホールセンサ(20,30)のホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)のうち2つは、前記対称軸線(SV)に対して同じ距離を有している、請求項1から3までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  5. 前記第1のホールセンサ(20)は、前記第2のホールセンサ(30)と同数のホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)を有している、請求項1から4までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  6. 前記第1のホールセンサ(20)と前記第2のホールセンサ(30)との間では、それぞれ中央端子コンタクト(224,244,264,284,324,344,364,384)のみが相互に接続されている、請求項1から5までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  7. 前記ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)はそれぞれ垂直ホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)として構成されている、請求項1から6までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  8. 前記半導体ボディ上に集積回路が構成されており、前記集積回路は前記第1のホールセンサ(20)及び前記第2のホールセンサ(30)と電気的に相互に作用する、請求項1から7までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  9. 全てのホールセンサ(20,30)が5つ以上のホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)を有する、請求項1から8までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  10. 少なくとも1つのホールセンサ(20,30)の全てのホール素子(220,240,260,280,320,340,360,380)が対称軸線(SV)に対して同じ距離を有している、請求項1から9までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  11. 前記半導体ボディ上に第3のホールセンサ(40)と第4のホールセンサ(50)とが構成されており、4つのホールセンサ(20,30,40,50)は電気的に相互に作用する、請求項1から10までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
  12. 前記ホールセンサ(20,30,40,50)を有する前記半導体ボディは、共通の唯一のケーシング内に配置されている、請求項1から11までのいずれか1項記載のホールセンサ装置(10)。
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